技術(shù)編號：11619743
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及用于先進(jìn)光刻的薄膜組件和方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)中，IC材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代IC，其中，每一代都具有比前一代更小且更復(fù)雜的電路。在IC演進(jìn)的過程中，功能密度(即，每一芯片面積上互連器件的數(shù)量)已普遍增加，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可產(chǎn)生的最小組件或線)有所降低。這種按比例縮小工藝通常通過增加產(chǎn)量效率和降低相關(guān)成本來提供很多益處。這樣的按比例縮小還增大了處理和制造IC的復(fù)雜程度。光刻工藝形成了用于各種圖案化工藝的圖案化的光刻膠層，諸如，蝕刻或離子...
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