本發(fā)明涉及一種用于掩膜版或顯示基板的方法，特別地，涉及一種用于制造或使用掩膜版或顯示基板的設(shè)備的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

精細(xì)金屬掩膜版(Fine Metal Mask，簡稱FMM)是液晶顯示器制造工藝中常用的關(guān)鍵部件，例如，其經(jīng)常用于蒸鍍工藝中。在蒸鍍工藝中，F(xiàn)MM與基板(glass)之間需要準(zhǔn)確對位，否則會影響待制造的圖案(pattern)的位置精度，因此，需要確保FMM在例如張網(wǎng)機(jī)或拉伸設(shè)備上的位置精度，這樣才能確保FMM與基板準(zhǔn)備對位。

在現(xiàn)有技術(shù)中，存在多種定位方法來確保FMM的定位精度或FMM與glass的對位。例如，一種定位方法是采用補(bǔ)償?shù)姆绞絹矶ㄎ籉MM的位置，具體地，為了確定FMM在張網(wǎng)機(jī)上的位置精度，可以在FMM上設(shè)置多個(gè)標(biāo)記(mark)，如圖1中的圓圈所示，這多個(gè)標(biāo)記即為需要確定補(bǔ)償值的測量點(diǎn)。在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，多個(gè)標(biāo)記是等間距設(shè)置在掩膜版上的。

但是，如圖2所示，F(xiàn)MM一般由中間有間隔的多條掩膜單元構(gòu)成，如果采用圖1所示的等間距設(shè)置方式，那么就會存在一些標(biāo)記設(shè)置在兩條掩膜單元之間的間隔處的情況，如圖3所示，即，可能有的測量點(diǎn)并非是需要進(jìn)行工藝控制的點(diǎn)，而需要進(jìn)行工藝控制的點(diǎn)又不是測量點(diǎn)。

而且在該補(bǔ)償方式中，如圖3所示，不可避免地需要對未設(shè)置標(biāo)記處的多個(gè)位置進(jìn)行補(bǔ)償，對于非測量點(diǎn)處的補(bǔ)償，需要通過計(jì)算確定補(bǔ)償值。結(jié)合圖3來說明計(jì)算過程，在圖3中，點(diǎn)A和點(diǎn)B是圖1中所示的標(biāo)記，而在工藝過程中需要對點(diǎn)A和點(diǎn)B之間的中心點(diǎn)C進(jìn)行工藝控制，此時(shí)，系統(tǒng)會根據(jù)如下的公式計(jì)算點(diǎn)C處的補(bǔ)償值：

(Δx，Δy)₃＝{(Δx，Δy)₁+(Δx，ΔY)₂}/2；

其中，(Δx，Δy)₁、(Δx，Δy)₂和(Δx，Δy)₃分別為點(diǎn)A、B、C在(x，y)坐標(biāo)系中的補(bǔ)償值。

但是，由于設(shè)備的線性狀態(tài)不穩(wěn)定，即，如果設(shè)備從例如0m移動(dòng)至10m的移動(dòng)誤差為10μm，在“設(shè)備的線性狀態(tài)穩(wěn)定”的情況下，設(shè)備從0m移動(dòng)至20m的移動(dòng)誤差應(yīng)該為20μm，但在“設(shè)備的線性狀態(tài)不穩(wěn)定”的情況下，即實(shí)際情況下，設(shè)備從0m移動(dòng)至20m的實(shí)際移動(dòng)誤差可能等于、大于或小于20μm，所以，點(diǎn)C處的實(shí)際補(bǔ)償值可能等于、大于或小于{(Δx，Δy)₁+(Δx，Δy)₂}/2，這樣，會造成點(diǎn)C處的使用補(bǔ)償存在偏差，從而影響了掩膜版的位置精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題中的至少一個(gè)方面，本發(fā)明提出一種新的補(bǔ)償方式和采用該補(bǔ)償方式的方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于掩膜版或顯示基板的方法，包括如下步驟：

提供母版；

設(shè)置測量點(diǎn)步驟：根據(jù)待測掩膜版或顯示基板在母版上設(shè)置多個(gè)測量點(diǎn)，所述多個(gè)測量點(diǎn)對應(yīng)于將對待測掩膜版或顯示基板進(jìn)行像素位置精度測量的位置；

測量誤差值步驟：將母版置于所述設(shè)備的坐標(biāo)系下，在各個(gè)測量點(diǎn)處測量所述設(shè)備與母版之間的誤差值。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括如下步驟：

將上述測量誤差值步驟中測量出的所述誤差值作為最終的補(bǔ)償值，在各個(gè)測量點(diǎn)處對所述設(shè)備進(jìn)行補(bǔ)償。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括如下步驟：

測量偏差值步驟：將母版置于比所述設(shè)備精度更高的檢查設(shè)備的坐標(biāo)系中進(jìn)行位置精度檢查，在各個(gè)測量點(diǎn)處測量母版的實(shí)際測量值與母版的理論設(shè)計(jì)值之間的偏差值。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括如下步驟：

結(jié)合步驟：分別結(jié)合在各個(gè)測量點(diǎn)處所述測量誤差值步驟中測量出的誤差值與所述測量偏差值步驟中測量出的偏差值，以確定出最終的補(bǔ)償值。

在一個(gè)實(shí)施例中，在所述設(shè)置測量點(diǎn)步驟中設(shè)置n個(gè)測量點(diǎn)，其中n為大于2的自然數(shù)；

在所述測量誤差值步驟中在設(shè)備的坐標(biāo)系(x，y)下測量的在第i個(gè)測量點(diǎn)處的誤差值分別為Δx_i，Δy_i，其中i為1～n之間的自然數(shù)；

在所述測量偏差值步驟中在檢查設(shè)備的坐標(biāo)系(X，Y)下測量的在第i個(gè)測量點(diǎn)處的偏差值分別為δX_i，δY_i，其中i為1～n之間的自然數(shù)；

所述結(jié)合步驟具體包括通過下式計(jì)算出在第i個(gè)測量點(diǎn)處最終的補(bǔ)償值∑X_i，∑Y_i：

∑X_i＝δX_i-Δx_i；

∑Y_i＝δY_i-Δy_i。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述母版為從標(biāo)準(zhǔn)補(bǔ)正板、與待測掩膜版或顯示基板對應(yīng)的玻璃基板或待測掩膜版成品或顯示基板成品中選擇的一種。

在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)先執(zhí)行所述測量偏差值步驟，然后在執(zhí)行所述測量誤差值步驟時(shí)將預(yù)先測量的偏差值自動(dòng)導(dǎo)入執(zhí)行該方法的系統(tǒng)中。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供一種用于制造掩膜版或顯示基板的方法，包括如下步驟：

執(zhí)行上述方面或?qū)嵤├腥我粋€(gè)所述的方法，以生成與待制造的掩膜版或顯示基板對應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)；

根據(jù)生成的補(bǔ)償數(shù)據(jù)生成待制造的掩膜版或顯示基板在設(shè)備中的坐標(biāo)；

根據(jù)生成的坐標(biāo)制造掩膜版或顯示基板。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供一種用于制造掩膜版或顯示基板的方法，包括如下步驟：

針對各種類型的掩膜版或顯示基板分別執(zhí)行上述方面或?qū)嵤├腥我粋€(gè)所述的方法，以生成與各種類型的掩膜版或顯示基板對應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件；

將生成的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件存儲在數(shù)據(jù)庫或控制系統(tǒng)中；

讀取待制造的掩膜版或顯示基板的類型；

根據(jù)待制造的掩膜版或顯示基板的類型，從數(shù)據(jù)庫或控制系統(tǒng)中提取對應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件；

根據(jù)提取出的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件生成待制造的掩膜版或顯示基板在設(shè)備中的坐標(biāo)；

根據(jù)生成的坐標(biāo)制造掩膜版或顯示基板。

在一個(gè)實(shí)施例中，掩膜版或顯示基板的類型根據(jù)像素位置精度進(jìn)行劃分。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供一種誤差測量和/或補(bǔ)償系統(tǒng)，用于掩膜版或顯示基板，該系統(tǒng)包括控制器和數(shù)據(jù)庫，其中，該控制器被配置為執(zhí)行上述方面或?qū)嵤├腥我粋€(gè)所述的方法，該數(shù)據(jù)庫存儲在各個(gè)測量點(diǎn)處測量的設(shè)備與母版之間的誤差值以及包括所述誤差值的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件。

根據(jù)本發(fā)明的再一方面，還提供一種掩膜版或顯示基板，該掩膜版或顯示基板根據(jù)上述方面或?qū)嵤├腥我粋€(gè)所述的方法制成。

在本發(fā)明的技術(shù)方案中，改變測量點(diǎn)的設(shè)置方式，將需要進(jìn)行工藝控制的位置設(shè)置為測量點(diǎn)，以省略計(jì)算未補(bǔ)償位置的補(bǔ)償值的步驟，從而能夠節(jié)省系統(tǒng)計(jì)算量，提高系統(tǒng)運(yùn)行速度。而且，避免了在未補(bǔ)償位置計(jì)算補(bǔ)償值導(dǎo)致的偏差，提高了補(bǔ)償精度，相應(yīng)地提高了掩膜版和待制造產(chǎn)品的精度。

附圖說明

通過下文中參照附圖對本發(fā)明所作的描述，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，并可幫助對本發(fā)明有全面的理解。

圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中在掩膜版上等間距設(shè)置測量點(diǎn)的設(shè)置方式；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中精細(xì)掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示意性地示出了位于精細(xì)掩膜版中的等間距設(shè)置的測量點(diǎn)；

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在精細(xì)掩膜版上設(shè)置測量點(diǎn)的設(shè)置方式；

圖5示意性地示出了母版的多個(gè)測量點(diǎn)在設(shè)備坐標(biāo)系中的設(shè)置方式；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于掩膜版或顯示基板的方法的流程圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于制造掩膜版或顯示基板的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說明。在說明書中，相同或相似的附圖標(biāo)號指示相同或相似的部件。下述參照附圖對本發(fā)明實(shí)施方式的說明旨在對本發(fā)明的總體發(fā)明構(gòu)思進(jìn)行解釋，而不應(yīng)當(dāng)理解為對本發(fā)明的一種限制。

另外，在下面的詳細(xì)描述中，為便于解釋，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本披露實(shí)施例的全面理解。然而明顯地，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下也可以被實(shí)施。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以圖示的方式體現(xiàn)以簡化附圖。

根據(jù)本發(fā)明的總體技術(shù)構(gòu)思的一個(gè)方面，提供一種用于設(shè)備的方法，所述設(shè)備用于制造或使用掩膜版或顯示基板，該方法可以是用于制造或使用掩膜版或顯示基板的設(shè)備的誤差測量方法、誤差補(bǔ)償方法以及誤差測量和補(bǔ)償方法。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法可以包括如下步驟：提供母版；設(shè)置測量點(diǎn)步驟：根據(jù)所述掩膜版或所述顯示基板在母版上設(shè)置多個(gè)測量點(diǎn)，所述多個(gè)測量點(diǎn)對應(yīng)于將對所述掩膜版或顯示基板進(jìn)行像素位置精度測量的位置；測量誤差值步驟：將母版置于所述設(shè)備的坐標(biāo)系下，在各個(gè)測量點(diǎn)處測量所述設(shè)備與母版之間的誤差值。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，采用制造好的成品掩膜版1作為母版，然后，如圖4所示，在該成品掩膜版上設(shè)置多個(gè)測量點(diǎn)，該多個(gè)測量點(diǎn)對應(yīng)需要進(jìn)行工藝控制(即，像素位置精度測量，例如確定補(bǔ)償值)的位置。在圖4示出的實(shí)施例中，對應(yīng)每一個(gè)開口區(qū)域2可以設(shè)置6個(gè)標(biāo)記，即測量點(diǎn)10。具體地，開口區(qū)域2的橫截面成矩形形狀，在矩形的四個(gè)角部處分別設(shè)置1個(gè)測量點(diǎn)10，并且在矩形長邊的中點(diǎn)處分別設(shè)置1個(gè)測量點(diǎn)10，這樣，對應(yīng)每一個(gè)開口區(qū)域2設(shè)置6個(gè)測量點(diǎn)10，這6個(gè)測量點(diǎn)10基本上可以覆蓋需要對每一個(gè)開口區(qū)域進(jìn)行工藝控制的位置。由此可見，在本發(fā)明的實(shí)施例中，不是在母版上等間距設(shè)置測量點(diǎn)，而是根據(jù)工藝控制的需要設(shè)置多個(gè)測量點(diǎn)，在這種情況下，不需要再額外地測量和計(jì)算其它位置處的補(bǔ)償值。應(yīng)該理解的是，不同的掩膜版要求不同的像素位置精度，也就是說，對于不同的掩膜版，需要對像素位置精度測量的位置可能是不相同的，因此，對于不同類型的掩膜版，可以設(shè)置不同的測量點(diǎn)。也就是說，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以根據(jù)所述掩膜版的不同類型，在母版上設(shè)置多個(gè)測量點(diǎn)，所述多個(gè)測量點(diǎn)對應(yīng)于將對這種類型的掩膜版進(jìn)行像素位置精度測量的位置。

應(yīng)該注意的是，母版還可以是補(bǔ)正板，即標(biāo)準(zhǔn)掩膜版，這種標(biāo)準(zhǔn)掩膜版具有較高的精度，其可以外購。母版還可以是array工藝(即制備薄膜晶體管、像素結(jié)構(gòu)、陣列基板等的工藝)中制得的玻璃基板(glass)，其一般也具有較高的精度。

下面，結(jié)合附圖4、5和6進(jìn)一步描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的用于掩膜版的方法，該方法可以包括如下步驟：

首先，提供母版。

具體地，該母版可以為從上述的成品掩膜版、補(bǔ)正板和array工藝中制得的玻璃基板中選取的任一種，其中成品掩膜版一般是通過張網(wǎng)機(jī)制得，其精度一般比補(bǔ)正板和玻璃基板低。

設(shè)置測量點(diǎn)步驟：根據(jù)待測掩膜版在母版上設(shè)置多個(gè)(例如n個(gè)，n≥2且n為自然數(shù))測量點(diǎn)。

具體地，可以根據(jù)待測掩膜版的類型、結(jié)構(gòu)等，確定需要進(jìn)行工藝控制(例如進(jìn)行補(bǔ)償)的位置，這些需要進(jìn)行工藝控制的位置即被確定為測量點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)測量點(diǎn)分別對應(yīng)于將對待測掩膜版進(jìn)行像素位置精度測量的位置。然后，由于母版與待測掩膜版一一對應(yīng)，所以可以對應(yīng)地在母版上也設(shè)置多個(gè)測量點(diǎn)。

進(jìn)一步地，對于各種母版，都在其設(shè)計(jì)圖紙中存在一個(gè)理論坐標(biāo)，應(yīng)理解，各種母版的實(shí)際坐標(biāo)與理論坐標(biāo)之間一般都會存在一定的偏差，在這種情況下，就需要進(jìn)行下面的測量偏差值步驟。

測量偏差值步驟：對母版進(jìn)行位置精度檢查，以在各個(gè)測量點(diǎn)處測量母版的實(shí)際測量值與母版的理論設(shè)計(jì)值之間的偏差值。例如，在一個(gè)示例中，可以將母版置于比制造掩膜版的設(shè)備精度更高的檢查機(jī)或檢查設(shè)備的坐標(biāo)系下，以在各個(gè)測量點(diǎn)處測量母版的實(shí)際坐標(biāo)(實(shí)際測量值)與母版的理論設(shè)計(jì)坐標(biāo)(理論設(shè)計(jì)值)之間的偏差值。

將母版置于檢查機(jī)中進(jìn)行位置精度檢查，檢查機(jī)的位置精度較高，即一般都比下面將描述的設(shè)備的精度高，其檢測母版在各個(gè)測量點(diǎn)處的實(shí)際測量值與理論設(shè)計(jì)值之間的偏差，例如，在檢測機(jī)的坐標(biāo)系(X，Y)(在本文中可以稱為第二坐標(biāo)系)中，其檢測在第i(i為1至n之間的自然數(shù))個(gè)測量點(diǎn)處母版的偏差值為δX_i，δY_i。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，該測量偏差值步驟可以預(yù)先執(zhí)行，即母版在各個(gè)測量點(diǎn)處的偏差值可以預(yù)先計(jì)算好，然后保存成與母版類型對應(yīng)的數(shù)據(jù)文件，在需要時(shí)直接調(diào)用即可，不用每次都現(xiàn)場計(jì)算，這樣，可以節(jié)省計(jì)算時(shí)間。

測量誤差值步驟：將目標(biāo)置于設(shè)備(該設(shè)備可以是用于制造或使用掩膜版的設(shè)備，例如，張網(wǎng)機(jī))的坐標(biāo)系下，以在各個(gè)測量點(diǎn)處測量設(shè)備與母版之間的誤差值。

在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過CCD測量母版上各個(gè)測量點(diǎn)處的誤差值。作為一個(gè)示例，該誤差值可以為在設(shè)備的坐標(biāo)系(x，y)(在本文中可以稱為第一坐標(biāo)系)下母版上各個(gè)測量點(diǎn)處的誤差Δx_i，Δy_i。

這樣，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法可以包括如下補(bǔ)償步驟：分別結(jié)合在各個(gè)測量點(diǎn)處所述測量偏差值步驟中測量出的偏差值與所述測量誤差值步驟中測量出的誤差值，以確定出最終的補(bǔ)償值，從而對所述設(shè)備在各個(gè)測量點(diǎn)處的誤差進(jìn)行補(bǔ)償。

由于在測量誤差值步驟中，在設(shè)備的坐標(biāo)系(x，y)下測量出的母版在各個(gè)測量點(diǎn)處的誤差值Δx_i，Δy_i未考慮母版本身的誤差，所以，在考慮母版本身的誤差的情況下，即，考慮在檢測機(jī)的坐標(biāo)系(X，Y)中檢測的母版在各個(gè)測量點(diǎn)處的偏差值δX_i，δY_i的情況下，最終的補(bǔ)償值應(yīng)為：

(δX_i-Δx_i，δY_i-Δy_i)。

例如，以圖4中的一個(gè)測量點(diǎn)為例，根據(jù)測量偏差值步驟中測量的母版在該測量點(diǎn)處的偏差值為+0.2μm，-0.1μm，根據(jù)測量誤差值步驟中測量的母版在該測量點(diǎn)處的誤差值為+1μm，+2μm，那么該測量點(diǎn)處最終的補(bǔ)償值應(yīng)為-0.8μm，-2.1μm。

這樣，每一個(gè)測量點(diǎn)都有各自的補(bǔ)償值，設(shè)備移動(dòng)到某一測量點(diǎn)，就補(bǔ)償該測量點(diǎn)處對應(yīng)的補(bǔ)償值，從而確保各個(gè)測量點(diǎn)處的位置精度。

在可替換的實(shí)施例中，由于母版的偏差值相較于待測掩膜版的誤差值要小得多，所以在一些對位置精度要求不太高的場合，可以省略掉上述測量偏差值步驟，那么，根據(jù)這些實(shí)施例的用于掩膜版的方法可以包括如下步驟：

提供母版；

設(shè)置測量點(diǎn)步驟：根據(jù)待測掩膜版在母版上設(shè)置多個(gè)(例如n個(gè)，n≥2且n為自然數(shù))測量點(diǎn)；

測量誤差值步驟：將母版置于設(shè)備(例如，張網(wǎng)機(jī))的坐標(biāo)系下，在各個(gè)測量點(diǎn)處測量設(shè)備與母版之間的誤差值；

補(bǔ)償步驟：將上述測量誤差值步驟中測量出的所述誤差值作為最終的補(bǔ)償值，在各個(gè)測量點(diǎn)處對所述設(shè)備進(jìn)行補(bǔ)償。

這樣，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還提供一種用于制造掩膜版的方法，如圖7所示，該方法可以包括如下步驟：

針對各種類型的掩膜版分別執(zhí)行上述方法，以生成與各種類型的掩膜版對應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件；

將生成的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件存儲在數(shù)據(jù)庫或控制系統(tǒng)中；

讀取待制造的掩膜版的類型；

根據(jù)待制造的掩膜版的類型，從數(shù)據(jù)庫或控制系統(tǒng)中提取對應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件；

根據(jù)提取出的補(bǔ)償數(shù)據(jù)文件生成待制造的掩膜版在設(shè)備中的坐標(biāo)；

根據(jù)生成的坐標(biāo)制造掩膜版。

其中，掩膜版的類型可以根據(jù)像素位置精度進(jìn)行劃分。

進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，還提供一種用于制造或使用掩膜版或顯示基板的設(shè)備的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括設(shè)置模塊和測量模塊，其中，

該設(shè)置模塊被配置為根據(jù)所述掩膜版或所述顯示基板在母版上設(shè)置多個(gè)測量點(diǎn)，其中，所述多個(gè)測量點(diǎn)對應(yīng)于將對所述掩膜版或顯示基板進(jìn)行像素位置精度測量的位置；和

該測量模塊被配置為：在各個(gè)測量點(diǎn)處測量所述設(shè)備與母版之間的誤差值。

根據(jù)一個(gè)示例，該系統(tǒng)還包括補(bǔ)償模塊，其中，該補(bǔ)償模塊被配置為：將上述測量模塊測量出的所述誤差值作為最終的補(bǔ)償值，對所述設(shè)備在各個(gè)測量點(diǎn)處的誤差進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)另一個(gè)示例，所述測量模塊還被配置為：對所述母版進(jìn)行位置精度檢查，以在各個(gè)測量點(diǎn)處測量母版的實(shí)際測量值與母版的理論設(shè)計(jì)值之間的偏差值。而且，上述系統(tǒng)還包括補(bǔ)償模塊，其中，該補(bǔ)償模塊被配置為：分別結(jié)合所述測量模塊在各個(gè)測量點(diǎn)處測量出的所述誤差值與所述偏差值，以確定出最終的補(bǔ)償值，從而對所述設(shè)備在各個(gè)測量點(diǎn)處的誤差進(jìn)行補(bǔ)償。

在上文中，主要以掩膜版為示例對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是，在其它實(shí)施例中，上述方法和系統(tǒng)也可以用于顯示基板，以測量顯示基板的誤差并對該誤差進(jìn)行補(bǔ)償，例如，該顯示基板可以包括陣列基板、彩膜基板等。

雖然上文以制造掩膜版為示例對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是，上述方法和系統(tǒng)還可以用于使用掩膜版或顯示基板的設(shè)備中，例如，上述方法和系統(tǒng)可以用于對齊掩膜版和顯示基板或其它基板的設(shè)備中。

雖然結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是附圖中公開的實(shí)施例旨在對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行示例性說明，而不能理解為對本發(fā)明的一種限制。

雖然本發(fā)明總體構(gòu)思的一些實(shí)施例已被顯示和說明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離本總體發(fā)明構(gòu)思的原則和精神的情況下，可對這些實(shí)施例做出改變，本發(fā)明的范圍以權(quán)利要求和它們的等同物限定。