本申請要求于2016年1月14日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0004621號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，這個韓國專利申請的公開全部內(nèi)容通過引用被包含于此。

所描述的技術(shù)總體上涉及一種顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

目前應(yīng)用最廣泛的平板顯示器之一，液晶顯示器(lcd)，包括形成有場發(fā)生電極的兩片顯示面板和設(shè)置在兩片顯示面板之間的液晶層。lcd通過下述方法顯示圖像：將電壓施加到場發(fā)生電極以在液晶層中產(chǎn)生電場，由產(chǎn)生的電場決定液晶層的液晶分子的取向方向以及控制入射光的偏振。

包括在lcd中的兩片顯示面板可以是薄膜晶體管陣列面板和對向顯示面板。在薄膜晶體管陣列面板中，用于傳輸柵極信號的柵極線和用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線形成為彼此交叉，可以形成連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管以及連接到薄膜晶體管的像素電極。在對向顯示面板中可以形成遮光構(gòu)件、濾色器、共電極等。在一些實施例中，可以在薄膜晶體管陣列面板中形成遮光構(gòu)件、濾色器和共電極。

然而，在傳統(tǒng)的lcd中，由于需要兩片基底并且分別在兩片基底上形成組件，所以存在顯示裝置不但變得重、厚和昂貴而且需要更長的工藝時間的問題。

在此背景部分中公開的以上信息只是為了增強(qiáng)對本發(fā)明的背景的理解，因此，可以包含不構(gòu)成在本國對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思試圖提供一種通過使用一個基底制造顯示裝置而能夠減小厚度、寬度、成本和工藝時間的顯示裝置及其制造方法。

同樣地，當(dāng)使用一個基底制造顯示裝置時，可以形成用來包封液晶層的包封層。包封層包括有機(jī)材料。因此，存在氧和濕氣從外面透過包封層并且使裝置特性劣化的問題。

因此，示例性實施例試圖提供一種防止氧和濕氣透過包封層的顯示裝置及其制造方法。

示例性實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底；薄膜晶體管，設(shè)置在基底上；第一電極，連接到薄膜晶體管；頂層，設(shè)置在第一電極上，通過在第一電極和頂層之間設(shè)置微腔與第一電極分隔開；液晶層，位于微腔內(nèi)；包封層，位于頂層上；以及阻擋層，覆蓋包封層的上表面和側(cè)表面，其中，阻擋層的側(cè)表面包括熱變形部分。

包封層可以包括有機(jī)材料，阻擋層可以包括無機(jī)材料。

阻擋層可以包括氮化硅。

包封層的側(cè)表面可以包括熱變形部分。

包封層的側(cè)表面和基底之間的角度可以等于或大于大約80°。

基底可以包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，阻擋層的熱變形部分可以設(shè)置在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域之間的邊界上或者外圍區(qū)域與所述邊界相鄰的部分上。

阻擋層還可以包括第一阻擋層和設(shè)置在第一阻擋層上的第二阻擋層。

第一阻擋層可以包括無機(jī)材料，第二阻擋層可以包括有機(jī)材料。

阻擋層還可以包括設(shè)置在第二阻擋層上的第三阻擋層。

第一組阻擋層和第三阻擋層可以包括無機(jī)材料，第二阻擋層可以包括有機(jī)材料。

示例性實施例還可以包括設(shè)置在基底上的接地圖案，接地圖案可以連接到阻擋層。

阻擋層可以包括透明導(dǎo)電材料。

接地圖案的平面形狀可以是桿形或點(diǎn)形。

基底可以包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，接地圖案可以設(shè)置在外圍區(qū)域上或者顯示區(qū)域和外圍區(qū)域之間的邊界上。

示例性實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底；接地圖案，設(shè)置在基底上；薄膜晶體管，設(shè)置在基底上；第一電極，連接到薄膜晶體管；頂層，設(shè)置在第一電極上，通過在第一電極和頂層之間設(shè)置微腔與第一電極分隔開；液晶層，位于微腔內(nèi)；包封層，位于頂層上；以及阻擋層，覆蓋包封層的上表面和側(cè)表面并且連接到接地圖案。

阻擋層可以包括透明導(dǎo)電材料。

示例性實施例提供了一種顯示裝置的制造方法，所述方法包括：在基底的顯示區(qū)域上形成薄膜晶體管，所述基底包括顯示區(qū)域、外圍區(qū)域和額外區(qū)域；形成第一電極以連接到薄膜晶體管；在第一電極上形成犧牲層；在犧牲層上形成頂層；通過去除犧牲層在第一電極和頂層之間形成微腔；在頂層上形成包封層；去除包封層設(shè)置在基底的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域之間的邊界上的部分以形成溝槽；形成覆蓋包封層的上表面和側(cè)表面的阻擋層；切割阻擋層設(shè)置在溝槽中的部分；切割顯示區(qū)域和外圍區(qū)域之間的邊界；以及去除阻擋層設(shè)置在基底的外圍區(qū)域和額外區(qū)域上的部分。

切割阻擋層設(shè)置在溝槽中的部分的步驟可以包括用激光照射阻擋層設(shè)置在基底的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域之間的邊界上的部分。

去除包封層的部分的步驟可以包括用激光照射包封層設(shè)置在基底的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域之間的邊界上的部分。

包封層可以包括有機(jī)材料，阻擋層可以包括無機(jī)材料。

如上所述的根據(jù)當(dāng)前示例性實施例的顯示裝置及其制造方法具有以下效果。

根據(jù)當(dāng)前示例性實施例，由于用一個基底制造顯示裝置，所以可以減小所述顯示裝置的重量、厚度、成本和工藝時間。

另外，由于形成阻擋層來覆蓋包封層的上表面和側(cè)表面，從而防止氧和濕氣的滲透。

此外，由于阻擋層連接到接地圖案，從而分散靜電。

附圖說明

圖1是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的平面圖。

圖2是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部平面圖。

圖3是沿圖2的iii-iii線截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

圖4是沿圖2的iv-iv線截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

圖5至圖22是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造方法的工序剖視圖。

圖23和圖24是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

圖25是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的平面圖。

圖26是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部平面圖。

圖27是沿圖26的xxvii-xxvii線截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

圖28是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的平面圖。

具體實施方式

參照示出示例性實施例的附圖，以下將更全面地描述示例性實施例。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到的，所描述的實施例可以以所有不脫離示例性實施例的精神或范圍的各種不同的方式修改。

為了清楚地描述本發(fā)明構(gòu)思，將省略與描述無關(guān)的部分，并且在整個說明書中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。

此外，在圖中，為了易于描述，每個元件的尺寸和厚度被任意示出，本發(fā)明構(gòu)思不必受限于在圖中所示出的。

在圖中，為清楚起見，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度被夸大。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱為“在”另一個元件“上”時，該元件可以直接在另一個元件上或者也可以存在中間元件。

另外，除非明確地描述為相反，否則詞語“包括”將被理解為意味著包括所述的元件但不排除任何其它的元件。此外，“在……上”、“在……上方”、“在……下”或“在……下方”不只表示基于重力方向的直接在元件上或者直接在元件下。

另外，“在平面圖中”表示從元件的上方觀察，“在剖視圖中”表示從側(cè)面觀察剖面。

首先參照圖1，將描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。

圖1是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的平面圖。

根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括由諸如玻璃或塑料的材料制成的基底110。

基底110被分為顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa。顯示區(qū)域da位于基底110的中心部分，外圍區(qū)域pa圍繞顯示區(qū)域da的邊緣。顯示區(qū)域da是在其上顯示圖像的區(qū)域，傳輸驅(qū)動信號的驅(qū)動器設(shè)置在外圍區(qū)域pa中以允許圖像被顯示在顯示區(qū)域da上。

在顯示區(qū)域da中，多條柵極線g1至gn形成為彼此平行，多條數(shù)據(jù)線d1至dm形成為彼此平行。多條柵極線g1至gn和多條數(shù)據(jù)線d1至dm彼此絕緣，并且彼此交叉來限定多個像素。

在每個像素中，形成薄膜晶體管q、lc電容器clc和存儲電容器cst。薄膜晶體管q的控制端連接到多條柵極線g1至gn中的任意一條，薄膜晶體管q的輸入端連接到多條數(shù)據(jù)線d1至dm中的任意一條，薄膜晶體管q的輸出端連接到lc電容器clc的一端和存儲電容器cst的一端?？梢詫c電容器clc的另一端施加共電壓，可以對存儲電容器cst的另一端施加參考電壓。

柵極線g1至gn和數(shù)據(jù)線d1至dm還延伸到外圍區(qū)域pa。連接到柵極線g1至gn的柵極焊盤部分gp和連接到數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)據(jù)焊盤部分dp位于外圍區(qū)域pa中。柵極焊盤部分gp可以連接到柵極驅(qū)動器500，并且接收來自柵極驅(qū)動器500的柵極信號以將柵極信號傳輸?shù)綎艠O線g1至gn。數(shù)據(jù)焊盤部分dp可以連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器600，并且接收來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器600的數(shù)據(jù)信號以將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)綌?shù)據(jù)線d1至dm。

在圖1中，柵極焊盤部分gp被示出為位于顯示區(qū)域da的左邊緣處，但是示例性實施例不限于此，柵極焊盤部分gp的位置可以進(jìn)行各種改變。例如，柵極焊盤部分gp可以位于顯示區(qū)域da的對側(cè)邊緣處。

在圖1中，數(shù)據(jù)焊盤部分dp被示出為位于顯示區(qū)域da的上邊緣，但是示例性實施例不限于此，數(shù)據(jù)焊盤部分dp的位置可以進(jìn)行各種改變。例如，數(shù)據(jù)焊盤部分dp可以位于顯示區(qū)域da的兩側(cè)邊緣。

現(xiàn)在將參照圖2至圖4描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的一個像素和焊盤部分的結(jié)構(gòu)。

圖2是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部平面圖，圖3是沿圖2中的iii-iii線截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖，圖4是沿圖2中的iv-iv線截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

參照圖2至圖4，柵極線121、從柵極線121突出的柵電極124和連接到柵極線的柵極焊盤125設(shè)置在基底110上。

柵極線121沿著第一方向延伸并且傳輸柵極信號。例如，柵極線121可以沿著近似水平的方向延伸。在平面圖中，柵電極124從柵極線121向上突出。然而，示例性實施例不限于此，柵電極124的突出形狀可以進(jìn)行各種修改?？蛇x地，柵電極124可以不從柵極線121突出，而是可以設(shè)置在柵極線121上。柵極線121和柵電極124設(shè)置在顯示區(qū)域da中，柵極線121延伸到外圍區(qū)域pa。

柵極焊盤125從柵極線121的端部延伸。柵極線121的端部設(shè)置在外圍區(qū)域pa中，柵極焊盤125位于外圍區(qū)域pa中。柵極焊盤125可以具有比柵極線121的寬度寬的寬度。柵極焊盤125可以由與柵極線121和柵電極124相同的材料制成并且可以設(shè)置為相同的層。

參考電壓線131以及從參考電壓線131突出的存儲電極135a和135b可以進(jìn)一步形成在基底110上。

參考電壓線131沿著平行于柵極線121的方向延伸，并且與柵極線121隔開。恒定電壓可以施加到參考電壓線131。存儲電極135a和135b包括基本上垂直于參考電壓線131延伸的一對第一存儲電極135a和連接所述一對第一存儲電極135a的第二存儲電極135b。參考電壓線131以及存儲電極135a和135b可以圍繞將在下面描述的像素電極191。

柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121、柵電極124、柵極焊盤125、參考電壓線131以及存儲電極135a和135b上。柵極絕緣層140可以由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料制成。另外，柵極絕緣層140可以由單層或多層構(gòu)成。

半導(dǎo)體154設(shè)置在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體154可以設(shè)置在柵電極124上。半導(dǎo)體154可以由非晶硅、多晶硅或金屬氧化物制成。

歐姆接觸構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在半導(dǎo)體154上。歐姆接觸構(gòu)件可以由硅化物或者諸如其中高濃度摻雜n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅的材料制成。當(dāng)半導(dǎo)體154由金屬氧化物制成時，可以省略歐姆接觸構(gòu)件。

數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)焊盤177設(shè)置在半導(dǎo)體154和柵極絕緣層140上。

數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并且沿著第二方向延伸，以與柵極線121和參考電壓線131交叉。例如，數(shù)據(jù)線171可以沿著近似垂直的方向延伸。在剖視圖中，源電極173從數(shù)據(jù)線171突出到柵電極124上方，在平面圖中，源電極173可以彎曲成u-形。漏電極175包括一個寬端部和一個桿形端部。漏電極175的寬端部與像素電極191疊置。漏電極175的桿形端部被源電極173部分圍繞。然而，示例性實施例不限于此，源電極173和漏電極175的形狀可以進(jìn)行各種改變。數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175設(shè)置在顯示區(qū)域da中，數(shù)據(jù)線171延伸到外圍區(qū)域pa。

數(shù)據(jù)焊盤177連接到數(shù)據(jù)線171。數(shù)據(jù)焊盤177從數(shù)據(jù)線171的端部延伸，數(shù)據(jù)焊盤177和數(shù)據(jù)線171的端部都位于外圍區(qū)域pa中。數(shù)據(jù)焊盤177可以具有比數(shù)據(jù)線171的寬度寬的寬度。數(shù)據(jù)焊盤177可以由與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175相同的材料制成并且可以設(shè)置在與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175相同的層上。

柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體154一起形成一個薄膜晶體管(tft)q。在這種情況下，薄膜晶體管q的溝道形成在位于源電極173和漏電極175之間的半導(dǎo)體154中。

鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175、半導(dǎo)體154的暴露部分和數(shù)據(jù)焊盤177上。鈍化層180可以由有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料制成，并且可以由單層或多層構(gòu)成。

在鈍化層180上，濾色器230設(shè)置在每個像素內(nèi)。

每個濾色器230可以顯示諸如紅色、綠色和藍(lán)色的三原色之一。濾色器230可以不限制為顯示諸如紅色、綠色和藍(lán)色的三原色，而是可以顯示青色、品紅色、黃色和白色系的顏色。

遮光構(gòu)件220設(shè)置在相鄰的濾色器230之間。遮光構(gòu)件220可以位于像素的邊緣，并且可以與柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管q疊置以防止漏光。然而，示例性實施例不限于此，遮光構(gòu)件220可以與柵極線121和薄膜晶體管q疊置，但是不與數(shù)據(jù)線171疊置。在這種情況下，為了防止漏光，相鄰的濾色器230可以在遮光構(gòu)件220不與數(shù)據(jù)線171疊置的部分中彼此疊置。濾色器230和遮光構(gòu)件220可以在一些區(qū)域中彼此疊置。

第一絕緣層240可以進(jìn)一步設(shè)置在濾色器230和遮光構(gòu)件220上。第一絕緣層240可以由有機(jī)絕緣材料制成，并且可以用來使濾色器230和遮光構(gòu)件220的上表面平坦化。第一絕緣層240可以是包括有機(jī)絕緣材料制成的層和無機(jī)絕緣材料制成的層的雙層?？蛇x地，根據(jù)具體的情況，第一絕緣層240可以被省略。

第一絕緣層240、遮光構(gòu)件220和鈍化層180具有與漏電極175的至少一部分疊置的第一接觸孔181。第一接觸孔181可以與漏電極175的寬端部疊置。另外，鈍化層180和柵極絕緣層140具有與柵極焊盤125的至少一部分疊置的第二接觸孔185以及與數(shù)據(jù)焊盤177的至少一部分疊置的第三接觸孔187。

像素電極191設(shè)置在第一絕緣層240上。像素電極191可以由諸如氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)的透明金屬氧化物制成。像素電極191通過第一接觸孔181連接到漏電極175。因此，當(dāng)薄膜晶體管q導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)電壓通過像素電極191被施加到漏電極175。

像素電極191一般是四邊形的。像素電極191包括水平干部193、豎直干部192以及從水平干部193和豎直干部192延伸的小分支部194。像素電極191被水平干部193和豎直干部192劃分為四個子區(qū)域。小分支部194從水平干部193和豎直干部192傾斜地延伸，并且可以與柵極線121或水平干部193的延伸方向形成大約45°或大約135°的角。另外，兩個相鄰子區(qū)域的小分支部194的延伸方向可以彼此垂直。

在示例性實施例中，像素電極191還可以包括圍繞像素的外邊緣的外干部。

另外，柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197位于基底110的外圍區(qū)域pa上。柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以設(shè)置在鈍化層180上。

柵極接觸輔助件195通過第二接觸孔185連接到柵極焊盤125。柵極接觸輔助件195可以由與像素電極191相同的材料制成并且可以設(shè)置在與像素電極191相同的層上。柵極焊盤125和柵極接觸輔助件195被層壓以形成柵極焊盤部分gp。

數(shù)據(jù)接觸輔助件197通過第三接觸孔187連接到數(shù)據(jù)焊盤177。數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以由與像素電極191相同的材料制成并且可以設(shè)置在與像素電極191相同的層上。數(shù)據(jù)焊盤177和數(shù)據(jù)接觸輔助件197被層壓以形成數(shù)據(jù)焊盤部分dp。

像素電極191可以設(shè)置在顯示區(qū)域da中，柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以設(shè)置在外圍區(qū)域pa中。

以上描述的像素的布局、薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和像素電極的形狀僅僅是示例，示例性實施例不限于此并且可以進(jìn)行各種改變。例如，一個像素可以包括分別對其施加不同電壓的多個子像素。為此，多個薄膜晶體管也可以形成在一個像素中。

共電極270設(shè)置在像素電極191上，以與像素電極191分隔開預(yù)定的距離。微腔305設(shè)置在像素電極191和共電極270之間。即，微腔305被像素電極191和共電極270圍繞。共電極270可以沿著行方向延伸。共電極270覆蓋微腔305的上表面和微腔305的側(cè)表面的一部分。微腔305的尺寸可以根據(jù)顯示裝置的尺寸和分辨率進(jìn)行各種改變。

然而，示例性實施例不限于此。例如，共電極270可以經(jīng)由預(yù)定的距離設(shè)置在像素電極191上，絕緣層設(shè)置在共電極270和像素電極191之間，微腔305設(shè)置在共電極270上。

示出了多個微腔305設(shè)置在基底110上并且一個微腔305對應(yīng)于一個像素。然而，示例性實施例不限于此，所以微腔305可以對應(yīng)于多個像素，或者微腔305可以對應(yīng)于一些像素。當(dāng)一個像素由兩個子像素構(gòu)成時，微腔305可以對應(yīng)于一個子像素?？蛇x地，微腔305可以對應(yīng)于彼此相鄰的兩個子像素。

共電極270可以由諸如氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)的透明金屬氧化物制成。恒定電壓可以施加到共電極270，可以在像素電極191和共電極270之間產(chǎn)生電場。

取向?qū)?1和21形成在像素電極191上和共電極270下面。

取向?qū)?1和21包括第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以是垂直取向?qū)?，并且可以由諸如聚酰胺酸、聚硅氧烷或聚酰亞胺的取向材料制成。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以在微腔305的邊緣的側(cè)壁處連接。

第一取向?qū)?1設(shè)置在像素電極191上。第一取向?qū)?1也可以直接設(shè)置在第一絕緣層240的沒有被像素電極191覆蓋的至少一些上。

第二取向?qū)?1設(shè)置在共電極270下面以面向第一取向?qū)?1。

包括液晶(lc)分子310的液晶層設(shè)置在位于像素電極191和共電極270之間的微腔305內(nèi)。當(dāng)不存在電場時，lc分子310可以具有負(fù)介電各向異性，并且可以垂直于基底110設(shè)置。即，可以實現(xiàn)垂直取向。然而，示例性實施例不限于此，可以實現(xiàn)水平取向。

被施加數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與共電極270一起產(chǎn)生電場，從而確定設(shè)置在位于兩個電極191和270之間的微腔305內(nèi)的lc分子310的取向方向。因此，根據(jù)所確定的lc分子310的取向方向，透射過液晶層的光的亮度發(fā)生改變。

第二絕緣層350還可以形成在共電極270上。根據(jù)情況，第二絕緣層350可以由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料制成，或者可以被省略。

頂層360形成在第二絕緣層350上。頂層360可以由有機(jī)材料或無機(jī)材料制成。另外，頂層360可以由單層或多層構(gòu)成。頂層360可以沿行方向延伸。頂層360覆蓋微腔305的上表面和微腔305的側(cè)表面的一部分。頂層360可以通過固化工藝被硬化以保持微腔305的形狀。頂層360形成為與像素電極191分隔開，同時微腔305置于頂層360與像素電極191之間。

在附圖中，示出了濾色器230，使得濾色器230位于微腔305的下方，但是示例性實施例不限于此。濾色器230的位置可以改變。例如，頂層360可以由濾色器材料制成，在這種情況下，濾色器230可以位于微腔305上。

共電極270和頂層360沒有覆蓋微腔305的邊緣的側(cè)表面的一部分，微腔305沒有被共電極270和頂層360覆蓋的部分被稱作注入孔307a和307b。注入孔307a和307b包括暴露微腔305的第一邊緣的側(cè)表面的第一注入孔307a和暴露微腔305的第二邊緣的側(cè)表面的第二注入孔307b。第一邊緣和第二邊緣彼此相對，例如，在平面圖中，第一邊緣可以是微腔305的上邊緣，第二邊緣可以是微腔305的下邊緣。在顯示裝置的制造工藝中，由于微腔305被注入孔307a和307b暴露，所以取向劑或者lc材料可以通過注入孔307a和307b注入到微腔305中。

第三絕緣層370還可以形成在頂層360上。第三絕緣層370可以由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料制成。第三絕緣層370可以形成為覆蓋頂層360的上表面和/或其側(cè)表面。根據(jù)情況，第三絕緣層370可用于保護(hù)由有機(jī)材料制成的頂層360，也可以省略第三絕緣層370。

第三絕緣層370可以與頂層360具有基本相同的平面形狀。頂層360可以由多層構(gòu)成，在這種情況下，第三絕緣層370可以是構(gòu)成頂層360的層中的一個。

包封層390形成在第三絕緣層370上。包封層390可以覆蓋注入孔307a和307b。即，包封層390可以包封微腔305，使得設(shè)置在微腔305內(nèi)的lc分子310不泄露的外面。

包封層390可以由有機(jī)絕緣材料制成。由于包封層390接觸lc分子310，所以包封層390優(yōu)選地由不與lc分子310反應(yīng)的材料制成。例如，包封層390可以由二萘嵌苯等制成。

包封層390設(shè)置在顯示區(qū)域da中，包封層390設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的任何部分最終可以被去除。柵極焊盤部分gp和數(shù)據(jù)焊盤部分dp可以不被包封層390覆蓋，柵極焊盤部分gp和數(shù)據(jù)焊盤部分dp的上表面可以暴露。在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa上形成包封層390之后，可以去除包封層390的設(shè)置在外圍區(qū)域pa上的部分。在這種情況下，可以使用激光。激光可以照射基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界。結(jié)果，包封層390的側(cè)部可以包括熱變形部分。熱變形部分意味著激光照射的痕跡。包封層的側(cè)表面和基底之間的角度等于或大于大約80°。

阻擋層392設(shè)置在包封層390上。阻擋層392可以覆蓋包封層390的上表面和側(cè)表面。

阻擋層392可以由無機(jī)材料制成。例如，阻擋層392可以由氮化硅(sinx)制成。形成阻擋層392以覆蓋包封層390的上表面和側(cè)表面。因此，可以防止氧和濕氣透過包封層390。如果阻擋層392只是覆蓋包封層390的上表面，那么氧或濕氣將能夠透過包封層390的側(cè)表面。如果氧或濕氣穿過包封層390，那么諸如薄膜晶體管的元件的可靠性可能被破壞。在示例性實施例中，通過使用防止氧和濕氣滲透的材料形成阻擋層392以覆蓋包封層390的上表面和側(cè)表面，可以提高元件的可靠性。

此外，阻擋層392可以覆蓋設(shè)置在包封層390的邊緣部分下面的第三絕緣層370、頂層360、第二絕緣層350、第一絕緣層240和遮光構(gòu)件220的側(cè)表面的部分。而且更進(jìn)一步，阻擋層392可以覆蓋與包封層390的邊緣部分相鄰并且沒有被包封層390覆蓋的鈍化層180的上表面的部分。因此，阻擋層392的邊緣部分可以設(shè)置在包封層390的邊緣部分的外面。例如，包封層390的邊緣部分可以設(shè)置在基底110的顯示區(qū)域da上，阻擋層392的邊緣部分設(shè)置在基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界上。可選地，阻擋層392的邊緣部分可以設(shè)置在基底110的外圍區(qū)域pa上。

阻擋層392可以設(shè)置在顯示區(qū)域da上，可以不設(shè)置在外圍區(qū)域pa上。柵極焊盤部分gp和數(shù)據(jù)焊盤部分dp可以不被包封層390覆蓋，柵極焊盤部分gp和數(shù)據(jù)焊盤部分dp可以暴露到外面。在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa上形成阻擋層392之后，可以去除阻擋層392設(shè)置在外圍區(qū)域pa上的部分。在這種情況下，可以使用激光來去除阻擋層392的部分。激光可以照射顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界。結(jié)果，包封層390的側(cè)部可以包括熱變形部分。熱變形部分可以設(shè)置在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界上。然而，示例性實施例不限于此，阻擋層392的熱變形部分可以設(shè)置在外圍區(qū)域pa的與顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界相鄰的部分上。

盡管未被示出，但是還可以在顯示裝置的頂表面和底表面處形成偏振器。偏振器可以由第一偏振器和第二偏振器構(gòu)成。第一偏振器可以附著到基底110的底表面，第二偏振器可以附著到包封層390。

然后，參照圖5至圖22，如下將描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造方法。另外，所述描述將參照圖1至圖4進(jìn)行。

圖5至圖22是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造方法的工藝剖視圖。

如圖5和圖6中所示，在由玻璃或塑料制成的基底110上形成沿第一方向延伸的柵極線121和從柵極線121突出的柵電極124。柵極線121可以基本上沿水平方向延伸。

在形成柵極線121和柵電極124的過程中，與柵極線121和柵電極124一起形成連接到柵極線121的柵極焊盤125。柵極線121從顯示區(qū)域da延伸到外圍區(qū)域pa。柵極焊盤125從柵極線121的端部延伸，并且設(shè)置在外圍區(qū)域pa中。柵極焊盤125可以由與柵極線121和柵電極124相同的材料制成并且可以設(shè)置在相同的層上。

另外，參考電壓線131以及從參考電壓線131突出的存儲電極135a和135b可以一起形成，使得它們與柵極線121分隔開。參考電壓線131沿著平行于柵極線121的方向延伸。儲存電極135a和135b包括基本上垂直于參考電壓線131延伸的一對第一儲存電極135a和連接所述一對第一儲存電極135a的第二儲存電極135b。參考電壓線131和儲存電極135a和135b可以圍繞下面將描述的像素電極191。

然后，使用諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料，在柵極線121、柵電極124、柵極焊盤125、參考電壓線131以及儲存電極135a和135b上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以由單層或多層構(gòu)成。

如圖7和圖8中所示，在柵極絕緣層140上沉積諸如非晶硅、多晶硅或金屬氧化物的半導(dǎo)體材料。然后，在沉積金屬材料之后，將金屬材料和半導(dǎo)體材料圖案化以形成半導(dǎo)體154、數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)焊盤177。數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)焊盤177可以由單層或多層構(gòu)成。

半導(dǎo)體154位于柵電極124上，并且也設(shè)置在數(shù)據(jù)線171下面。在以上描述中，雖然描述了半導(dǎo)體材料和金屬材料順序沉積然后同時圖案化的方法，但是示例性實施例不限于此。首先通過沉積并隨后圖案化半導(dǎo)體材料來形成半導(dǎo)體154，然后可以沉積并圖案化金屬材料以形成數(shù)據(jù)線171。在這種情況下，半導(dǎo)體154可以不設(shè)置在數(shù)據(jù)線171下面。

數(shù)據(jù)線171沿著第二方向延伸，以與柵極線121和參考電壓線131交叉。數(shù)據(jù)線171可以沿基本垂直的方向延伸。源電極173從數(shù)據(jù)線171突出到柵電極124上方，漏電極175的一部分被源電極173圍繞。數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175設(shè)置在顯示區(qū)域da中，數(shù)據(jù)線171延伸至外圍區(qū)域pa。

數(shù)據(jù)焊盤177連接到數(shù)據(jù)線171。數(shù)據(jù)焊盤177從數(shù)據(jù)線171的端部延伸。數(shù)據(jù)線171的端部位于外圍區(qū)域pa中，數(shù)據(jù)焊盤177位于外圍區(qū)域pa中。數(shù)據(jù)焊盤177可以由與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175相同的材料制成并且可以設(shè)置在與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175相同的層上。

柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體154一起形成一個薄膜晶體管(tft)q。薄膜晶體管q可以用作傳輸數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)元件。在這種情況下，在源電極173和漏電極175之間的半導(dǎo)體154中形成開關(guān)元件的溝道。

然后，在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和半導(dǎo)體154的暴露部分上形成鈍化層180。鈍化層180可以由有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料制成，并且可以由單層或多層構(gòu)成。

如圖9和圖10中所示，在鈍化層180上形成濾色器230。濾色器230可以形成在每個像素內(nèi)，并且可以不形成在像素的邊緣?？梢孕纬稍试S不同波長的光穿過其透射的多個濾色器230，在這種情況下，相同顏色的濾色器230可以沿著列方向形成。當(dāng)形成三種顏色的濾色器230時，可以首先使用掩模形成第一顏色的濾色器230，可以移動掩模以形成第二顏色的濾色器230，并且可以再次移動掩模以形成第三顏色的濾色器230。

隨后，通過使用遮光材料在鈍化層180上形成遮光構(gòu)件220。遮光構(gòu)件220可以設(shè)置在像素的邊緣，并且可以與柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管q疊置以防止漏光。然而，示例性實施例不限于此，遮光構(gòu)件220可以與柵極線121和薄膜晶體管q疊置但是不與數(shù)據(jù)線171疊置。

然后，在濾色器230和遮光構(gòu)件220上形成第一絕緣層240。第一絕緣層240可以由有機(jī)絕緣材料制成，并且可以用于將濾色器230和遮光構(gòu)件220的上表面平坦化。通過依次沉積由有機(jī)絕緣材料制成的層和由無機(jī)絕緣材料制成的層，第一絕緣層240可以形成為雙層。

然后，將第一絕緣層240、遮光構(gòu)件220和鈍化層180圖案化以形成暴露漏電極175的至少一些的第一接觸孔181。在形成第一接觸孔181的步驟中，可以與第一接觸孔181一起形成暴露柵極焊盤125的至少一些的第二接觸孔185和暴露數(shù)據(jù)焊盤177的至少一些的第三接觸孔187。

然后，在第一絕緣層240上沉積諸如氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)的透明導(dǎo)電材料，隨后將透明導(dǎo)電材料圖案化以形成像素電極191。像素電極191通過第一接觸孔181連接到漏電極175。具有整體四邊形形狀的像素電極191包括彼此交叉的水平干部193和豎直干部192以及從水平干部193和豎直干部192延伸的小分支部194。

在形成像素電極191的步驟中，與像素電極191一起形成柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197。柵極接觸輔助件195通過第二接觸孔185連接到柵極焊盤125，數(shù)據(jù)接觸輔助件197通過第三接觸孔187連接到數(shù)據(jù)焊盤177。柵極接觸輔助件195、數(shù)據(jù)接觸輔助件197和像素電極191可以由相同的材料制成并且可以設(shè)置為相同的層。

如圖11和圖12中所示，在像素電極191、柵極接觸輔助件195、數(shù)據(jù)接觸輔助件197和第一絕緣層240上形成犧牲層300。在平面圖中，犧牲層300可以形成為沿列方向延伸。犧牲層300可以形成在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa中。在顯示區(qū)域da中，犧牲層300可以與像素電極191疊置，而不與數(shù)據(jù)線171疊置。在外圍區(qū)域pa中，犧牲層300可以與柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197疊置。

如圖13和圖14中所示，在犧牲層300上沉積諸如氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)的透明導(dǎo)電材料以形成共電極270。

然后，可以通過使用諸如氧化硅或氮化硅的無機(jī)絕緣材料在共電極270上形成第二絕緣層350。

隨后，在第二絕緣層350上涂覆有機(jī)材料，并隨后將有機(jī)材料圖案化以形成頂層360。在這種情況下，可以執(zhí)行圖案化，從而去除有機(jī)材料與柵極線121和薄膜晶體管q疊置的部分。因此，頂層360可以沿行方向延伸。

在頂層360被圖案化之后，通過用光照射頂層360，對頂層360執(zhí)行固化工藝。由于在執(zhí)行固化工藝之后頂層360被硬化，所以即使在頂層360下面產(chǎn)生了預(yù)定的空間，頂層360也可以維持其形狀。

此后通過使用頂層360作為掩模將第二絕緣層350和共電極270圖案化，去除第二絕緣層350和共電極270的與柵極線121和薄膜晶體管q疊置的部分。

然后，在頂層360上沉積諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料并且隨后將所述無機(jī)絕緣材料圖案化以形成第三絕緣層370。在這種情況下，可以執(zhí)行圖案化使得所述無機(jī)絕緣材料與柵極線121和薄膜晶體管q疊置的部分被去除。第三絕緣層370可以覆蓋頂層360的上表面，并且還可以覆蓋頂層360的側(cè)表面。

由于頂層360、第二絕緣層350、共電極270和第三絕緣層370被圖案化，所以犧牲層300的一些被暴露到外面。

當(dāng)在犧牲層300上提供顯影劑或剝離溶液來完全去除犧牲層300時，或者當(dāng)使用灰化工藝來完全去除犧牲層300時，如圖15和圖16中所示，在先前設(shè)置犧牲層300的位置處產(chǎn)生微腔305和虛設(shè)微腔305a。微腔305設(shè)置在顯示區(qū)域305中，而虛設(shè)微腔305a設(shè)置在外圍區(qū)域pa中。

像素電極191和頂層360彼此隔開，同時微腔305置于它們之間。柵極接觸輔助件195和頂層360彼此隔開，同時虛設(shè)微腔305a置于它們之間。數(shù)據(jù)接觸輔助件197和頂層360彼此隔開，同時虛設(shè)微腔305a置于它們之間。頂層360覆蓋微腔305的上表面及其側(cè)表面的一些，并且覆蓋虛設(shè)微腔305a的上表面及其側(cè)表面的一部分。

通過頂層360和共電極270被去除的部分，微腔305被暴露到外面，暴露微腔305的部分可以被稱作注入孔307a和307b。兩個注入孔307a和307b可以形成在一個微腔305中。例如，可以形成暴露微腔305的第一邊緣的側(cè)表面的第一注入孔307a和暴露微腔305的第二邊緣的側(cè)表面的第二注入孔307b。第一邊緣和第二邊緣可以彼此相對。例如，第一邊緣可以是微腔305的上邊緣，而第二邊緣可以是微腔305的下邊緣。

然后，當(dāng)使用旋轉(zhuǎn)涂覆法或噴墨法將包括取向材料的取向劑滴到基底110上時，取向劑通過注入孔307a和307b注入到微腔305中。當(dāng)在取向劑被注入到微腔305中之后執(zhí)行固化工藝時，溶液成分被蒸發(fā)并且取向材料保留在微腔305的內(nèi)壁表面。

因此，可以在像素電極191上形成第一取向?qū)?1，可以在共電極270下方形成第二取向?qū)?1。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1形成為彼此面對，同時微腔305置于它們之間，第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1在微腔305的邊緣的側(cè)壁處將彼此連接。

在這種情況下，除了在微腔305的側(cè)表面處之外，第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以沿垂直于基底110的方向取向。

然后，當(dāng)使用噴墨法或分配法將液晶材料滴到基底110上時，液晶材料靠毛細(xì)管力穿過注入孔307a和307b注入到微腔305中。因此，由液晶分子310構(gòu)成的液晶層形成在微腔305內(nèi)。

取向?qū)?1和21以及l(fā)c層可以形成在虛設(shè)微腔305a中，或者可以不形成在虛設(shè)微腔305a中。

然后，在第三絕緣層370上沉積不與lc分子310反應(yīng)的材料以形成包封層390。形成包封層390使得包封層390覆蓋注入孔307a和307b以密封微腔305，從而防止形成在微腔305內(nèi)的lc分子310泄露到外面。包封層390可以由有機(jī)絕緣材料制成。

然后，包封層390設(shè)置在基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界上的部分被去除以形成溝槽391。

為了形成溝槽391，激光可以照射包封層390設(shè)置在基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界上的部分。包封層390的側(cè)部可以包括通過由激光照射形成的熱變形部分。然而，示例性實施例不限于此，溝槽391可以通過使用光刻工藝形成在包封層390上。

如圖17和圖18中所示，在包封層390上沉積無機(jī)材料以形成阻擋層392。阻擋層392也形成在溝槽391中。因此，阻擋層392覆蓋包封層390的上表面和側(cè)表面以及鈍化層180設(shè)置在溝槽391中的部分。

阻擋層392可以由氮化硅(sinx)制成。阻擋層392可以由防止氧和濕氣滲透的另一種材料而不是氮化硅(sinx)制成。

如圖19和圖20中所示，阻擋層392設(shè)置在溝槽391中的部分被切割，并且基底110的外圍區(qū)域pa和額外區(qū)域ea之間的邊界被切割。切割阻擋層392的部分以及基底110的外圍區(qū)域pa和額外區(qū)域ea之間的邊界后，基底110的額外區(qū)域ea與基底的外圍區(qū)域pa分離。因此，阻擋層392的設(shè)置在基底110的外圍區(qū)域pa和額外區(qū)域ea上的部分與基底110的額外區(qū)域ea分離。即，阻擋層392的設(shè)置在基底110的外圍區(qū)域pa和額外區(qū)域ea上的部分與基底110的額外區(qū)域ea被去除。如圖21和圖22中所示，保留基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa。僅在基底110的顯示區(qū)域da上保留阻擋層392。包封層390、第三絕緣層370、頂層360、第二絕緣層350和共電極270的設(shè)置在基底110的外圍區(qū)域pa和額外區(qū)域ea上的部分一起被去除。

在切割阻擋層392的步驟中，激光可以照射阻擋層392設(shè)置在溝槽391中的部分。被照射的位置可以是阻擋層392設(shè)置在基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界上的部分。然而，示例性實施例不限于此。被照射的位置可以是阻擋層392的設(shè)置在外圍區(qū)域pa的與基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界相鄰的部分上的部分。

阻擋層392的側(cè)部可以包括由激光照射形成的熱變形部分。照射位置不與柵極焊盤部分gp和數(shù)據(jù)焊盤部分dp疊置。因此，可以防止對柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197的損害。

然而，示例性實施例不限于此，可以通過使用機(jī)械方法切割阻擋層392?？梢酝ㄟ^使用半切割方法在不損害設(shè)置在阻擋層392下方的包括基底110的元件的部分的情況下切割阻擋層。

示出了阻擋層392的切割區(qū)域與溝槽391疊置，但是示例性實施例不限于此。可選地，阻擋層392的切割區(qū)域可以不與溝槽391疊置。阻擋層392的切割區(qū)域可以在基底110的外圍區(qū)域pa上。可以切割與阻擋層392、包封層390和頂層360疊置的部分。此外，可以切割與阻擋層392、包封層390和虛設(shè)微腔305a疊置的部分。

在切割基底110的步驟中，可以使用機(jī)械切割法。

隨后，雖然未被示出，但是偏振器可以進(jìn)一步被附著到顯示裝置的頂表面和底表面。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以附著到基底110的底表面，第二偏振器可以附著到阻擋層392。

然后，參照圖23至圖24，將如下描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。

由于圖23和圖24中示出的根據(jù)當(dāng)前示例性實施例的顯示裝置與圖1至圖4中示出的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置具有基本上相同的結(jié)構(gòu)，因此將省略對相同結(jié)構(gòu)的描述。當(dāng)前示例性實施例與上述示例性實施例的不同之處在于，阻擋層由多層構(gòu)成，下面將進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖23和圖24是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

參照圖23和圖24，阻擋層392設(shè)置在包封層390上。阻擋層392可以覆蓋包封層390的上表面和側(cè)表面。在上述示例性實施例中，阻擋層392由單層構(gòu)成。然而在本示例性實施例中，阻擋層392由多層構(gòu)成。

阻擋層392包括第一阻擋層392a和設(shè)置在第一阻擋層392a上的第二阻擋層392b。第一阻擋層392a可以由無機(jī)材料制成，第二阻擋層392b可以由有機(jī)材料制成。

阻擋層392還包括設(shè)置在第二阻擋層392b上的第三阻擋層392c。第三阻擋層392c可以由無機(jī)材料制成。

在當(dāng)前示例性實施例中，示出了阻擋層392由三層構(gòu)成。然而，示例性實施例不限于此。可選地，阻擋層392可以由兩個或更多層(包括四層)構(gòu)成。

然后，參照圖25至圖27，將如下描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。

由于圖25至圖27中示出的根據(jù)當(dāng)前示例性實施例的顯示裝置與圖1至圖4中示出的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置具有基本上相同的結(jié)構(gòu)，因此對相同結(jié)構(gòu)的描述將被省略。當(dāng)前示例性實施例與上述示例性實施例的不同之處在于，接地圖案進(jìn)一步設(shè)置在阻擋層的下方，下面將進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖25是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的平面圖，圖26是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部平面圖，圖27是沿圖26的xxvii-xxvii線截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

參照圖25至圖27，根據(jù)示例性實施例的顯示裝置還包括設(shè)置在基底110上的接地圖案700。接地圖案700可以由與數(shù)據(jù)線171的材料相同的材料制成，接地圖案700和數(shù)據(jù)線171可以設(shè)置為相同的層。然而，示例性實施例不限于此。接地圖案700可以由與柵極線121的材料相同的材料制成，接地圖案700和柵極線121可以設(shè)置為相同的層。

接地圖案700可以連接到柵極驅(qū)動器500，可以將接地電壓施加到接地圖案700。然而，示例性實施例不限于此。即，接地圖案700可以連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器600。

接地圖案700可以設(shè)置在外圍區(qū)域pa上或者顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa之間的邊界上。接地圖案700可以具有沿與數(shù)據(jù)線171平行的方向延伸的桿形。然而，示例性實施例不限于此。接地圖案700可以具有沿與柵極線121平行的方向延伸的桿形。

接地圖案700連接到阻擋層392。阻擋層392可以覆蓋接地圖案700。阻擋層392可以由無機(jī)材料制成。具體地，阻擋層392可以由透明導(dǎo)電材料制成。阻擋層392可以由透明金屬或金屬氧化物制成。例如，阻擋層392可以由諸如氧化銦鋅(izo)、非晶氧化銦錫(a-ito)等材料制成。

阻擋層392可以由導(dǎo)電無機(jī)材料制成并且連接到接地圖案700，因此當(dāng)產(chǎn)生靜電時可以分散靜電。同時，阻擋層392可以防止氧和濕氣從外面透過包封層。

然后，參照圖28，將如下描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。

由于圖28中示出的根據(jù)當(dāng)前示例性實施例的顯示裝置與圖25至圖27中示出的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置具有基本上相同的結(jié)構(gòu)，因此將省略對相同結(jié)構(gòu)的描述。當(dāng)前示例性實施例與上述示例性實施例的不同之處在于接地圖案的形狀，下面將進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖28是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的平面圖。

參照圖28，根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括設(shè)置在基底110上的接地圖案700。接地圖案700連接到由導(dǎo)電無機(jī)材料制成的阻擋層392。

在上述示例性實施例中，接地圖案700具有按照預(yù)定的方向延伸的桿形。然而，在當(dāng)前示例性實施例中，接地圖案700具有點(diǎn)形。接地圖案700不限于此，接地圖案700可以具有各種形狀。例如，接地圖案700可以具有在平面圖中彎曲一次的l-形。

雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為實用的示例性實施例描述了本公開，但是將理解的是本發(fā)明不限于公開的實施例，而是相反，意圖覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種改變和等同布置。