1.一種光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述的掩膜版包含有主圖形區(qū)及劃片區(qū)；
所述的主圖形區(qū)為一種或多種尺寸的基本圖形的重復(fù)規(guī)則排列后而組成的圖形區(qū)域，該區(qū)域覆蓋至少90％面積的掩膜版；
所述的劃片區(qū)，即把主圖形區(qū)均勻分割開(kāi)的區(qū)域；劃片區(qū)內(nèi)包含有9個(gè)相同的CD Bar標(biāo)記，所述9個(gè)CD Bar標(biāo)記均勻分布在劃片區(qū)上；劃片區(qū)還包含兩套OVL對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記：其中一套為OVL自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，為4個(gè)，其位置放置在劃片區(qū)的外圍區(qū)域；另一套為OVL外對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，包含4個(gè)OVL外對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其位置也放置在劃片區(qū)的外圍區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述主圖形區(qū)的基本圖形，為一種尺寸圖形，如全部是單一尺寸正方形的規(guī)格排列；或者是不同尺寸同種圖形組合而成，如幾個(gè)不同尺寸大小的正方形的組合排列；或者是不同尺寸不同圖形組合而成，如幾個(gè)不同尺寸大小的正方形和幾個(gè)不同尺寸大小的圓形的組合排列。
3.如權(quán)利要求1所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述劃片區(qū)，是指把主圖形區(qū)均勻分割開(kāi)的區(qū)域，根據(jù)需要把主圖形區(qū)均勻分割成若干區(qū)域，且所述劃片區(qū)的寬度不小于20微米。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述9個(gè)CD Bar標(biāo)記，每一個(gè)CD Bar標(biāo)記是一種CD Bar標(biāo)記圖形，或者是多種尺寸、多種類型CD Bar標(biāo)記圖形的排列組合。
5.如權(quán)利要求1、4所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述9個(gè)CD Bar標(biāo)記，是放置在劃片區(qū)的，且是均勻分布在劃片區(qū)上，如果有CD Bar標(biāo)記需要放偏，放偏位置不要超過(guò)原位置的200微米；所述9個(gè)CD Bar標(biāo)記用于檢測(cè)光刻機(jī)的掩膜版映射下的尺寸均勻性和晶圓面內(nèi)的尺寸均勻性的表現(xiàn)。
6.如權(quán)利要求1所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述的4個(gè)OVL自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，每一個(gè)OVL自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是一種OVL對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形，或者是多種尺寸、多種類型OVL對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形的排列組合。
7.如權(quán)利要求1或6所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述的4個(gè)OVL自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，都是放置在劃片區(qū)外圍的，且必須按照左右和上下對(duì)稱放置的；左右的兩個(gè)OVL自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別是兩個(gè)大小不一的OVL對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，通過(guò)兩者的套刻偏移檢測(cè)光刻機(jī)自身的曝光偏移精度，上下的兩個(gè)OVL自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記采用相同設(shè)置。
8.如權(quán)利要求1所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述的4個(gè)OVL外對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，每一個(gè)OVL自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是一種OVL對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形，或者是多種尺寸、多種類型OVL對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形的排列組合。
9.如權(quán)利要求1或8所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述的4個(gè)OVL外對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，都是放置在劃片區(qū)外圍的，且是按照中心軸對(duì)稱放置的，如果有OVL外對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記需要放偏，放偏位置不要超過(guò)原位置200微米。
10.如權(quán)利要求1所述的光刻機(jī)檢測(cè)用掩膜版，其特征在于：所述的4個(gè)OVL外對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，通過(guò)與晶圓上已有的OVL套刻標(biāo)記的結(jié)合，用來(lái)檢測(cè)不同光刻機(jī)之間的套刻差異。