本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體說涉及一種液晶面板及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著液晶技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶面板在人們?nèi)粘５纳a(chǎn)生活中的應(yīng)用也越來越廣泛。

在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)中，體現(xiàn)面板顯示效果的關(guān)鍵單元包括像素單元(Pixel)以及驅(qū)動(dòng)像素單元的驅(qū)動(dòng)電路(GOA)。在像素單元以及驅(qū)動(dòng)像素單元的驅(qū)動(dòng)電路中構(gòu)造有作為開關(guān)的TFT，TFT的驅(qū)動(dòng)能力直接影響著面板的顯示效果。

現(xiàn)有的液晶面板設(shè)計(jì)方案以及工程的制程能力可能會(huì)出現(xiàn)TFT的驅(qū)動(dòng)能力不足，導(dǎo)致像素單元(Pixel)充電不足或者漏電嚴(yán)重，這樣的情況輕者會(huì)導(dǎo)致面板出現(xiàn)串?dāng)_(Crosstalk)和閃爍(Flicker)超規(guī)的情況，重者會(huì)影響面板的正常顯示。

因此，為了增強(qiáng)液晶面板的TFT驅(qū)動(dòng)能力，需要一種新的液晶面板設(shè)計(jì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種液晶面板，所述液晶面板上構(gòu)造有多個(gè)像素行，每個(gè)像素行包含遮光層電極、多個(gè)像素單元以及用于驅(qū)動(dòng)所述像素單元的驅(qū)動(dòng)電路，其中：

所述遮光層電極為對(duì)應(yīng)所述像素單元和/或所述驅(qū)動(dòng)電路的遮光層；

所述遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖和/或第二級(jí)緩沖的輸入端相連。

在一實(shí)施例中，所述遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：

所述第一遮光層電極為對(duì)應(yīng)所述像素單元的遮光層；

所述第一遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖的輸入端相連。

在一實(shí)施例中，所述第一遮光層電極包含多個(gè)相連的遮光層小塊，其中，多個(gè)所述遮光層小塊分別對(duì)應(yīng)同一像素行的多個(gè)像素單元。

在一實(shí)施例中，所述遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：

所述第二遮光層電極為對(duì)應(yīng)所述驅(qū)動(dòng)電路的遮光層；

所述第二遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動(dòng)電路的第二級(jí)緩沖的輸入端相連。

在一實(shí)施例中，所述第二遮光層電極為所述驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖的薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的遮光層。

本發(fā)明還提出了一種液晶面板的制備方法，制備包含多個(gè)像素行的所述液晶面板，在每個(gè)像素行中構(gòu)造遮光層電極、多個(gè)像素單元以及用于驅(qū)動(dòng)所述像素單元的驅(qū)動(dòng)電路，其中：

利用對(duì)應(yīng)所述像素單元和/或所述驅(qū)動(dòng)電路的遮光層構(gòu)造所述遮光層電極；

連接所述遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖和/或第二級(jí)緩沖的輸入端以改善所述像素單元和/或所述驅(qū)動(dòng)電路中薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)能力。

在一實(shí)施例中，所述遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：

利用對(duì)應(yīng)所述像素單元的遮光層構(gòu)造所述第一遮光層電極；

連接所述第一遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖的輸入端以改善所述像素單元中薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)能力。

在一實(shí)施例中，將分別對(duì)應(yīng)同一像素行的多個(gè)像素單元的多個(gè)遮光層小塊相連以構(gòu)造所述第一遮光層電極。

在一實(shí)施例中，所述遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：

利用對(duì)應(yīng)所述驅(qū)動(dòng)電路的遮光層構(gòu)造所述第二遮光層電極；

連接所述第二遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動(dòng)電路的第二級(jí)緩沖的輸入端以改善所述驅(qū)動(dòng)電路中第三級(jí)緩沖的薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)能力。

在一實(shí)施例中，針對(duì)所述驅(qū)動(dòng)電路中第三級(jí)緩沖的薄膜晶體管構(gòu)造遮光層以形成所述第二遮光層電極。

相較于現(xiàn)有液晶面板設(shè)計(jì)，本發(fā)明的方法通過將液晶面板的特定遮光層作為遮光層電極接入驅(qū)動(dòng)電路，可以使相應(yīng)的TFT的有緣層(Poly)一直處于一個(gè)較高的電場(chǎng)中，從而使得TFT在開態(tài)時(shí)可以增大開態(tài)電流、關(guān)態(tài)時(shí)減小關(guān)態(tài)電流，進(jìn)而提高液晶面板中相應(yīng)的TFT的驅(qū)動(dòng)能力。

本發(fā)明的其它特征或優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述。并且，本發(fā)明的部分特征或優(yōu)點(diǎn)將通過說明書而變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而被了解。本發(fā)明的目的和部分優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的步驟來實(shí)現(xiàn)或獲得。

附圖說明

附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的GOA電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板像素單元平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板像素單元TFT截面示意圖；

圖4是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板像素單元TFT開關(guān)狀態(tài)示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的GOA電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板像素單元TFT截面示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板像素單元TFT開關(guān)狀態(tài)示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板像素單元平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板GOA第三級(jí)緩沖NTFT截面示意圖；

圖10是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板GOA第三級(jí)緩沖NTFT開關(guān)狀態(tài)示意圖；

圖11是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的GOA電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板GOA第三級(jí)緩沖NTFT截面示意圖；

圖13是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板GOA第三級(jí)緩沖NTFT開關(guān)狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此本發(fā)明的實(shí)施人員可以充分理解本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程并依據(jù)上述實(shí)現(xiàn)過程具體實(shí)施本發(fā)明。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)中，體現(xiàn)面板顯示效果的關(guān)鍵單元包括像素單元以及驅(qū)動(dòng)像素單元的驅(qū)動(dòng)電路。在像素單元以及驅(qū)動(dòng)像素單元的驅(qū)動(dòng)電路中構(gòu)造有作為開關(guān)的TFT，TFT的驅(qū)動(dòng)能力直接影響著面板的顯示效果。

現(xiàn)有的液晶面板設(shè)計(jì)方案以及工程的制程能力可能會(huì)出現(xiàn)TFT的驅(qū)動(dòng)能力不足，導(dǎo)致像素單元(Pixel)充電不足或者漏電嚴(yán)重，這樣的情況輕者會(huì)導(dǎo)致面板出現(xiàn)串?dāng)_(Crosstalk)和閃爍(Flicker)超規(guī)的情況，重者會(huì)影響面板的正常顯示。

針對(duì)上述問題，首先分析現(xiàn)有液晶面板的結(jié)構(gòu)，在當(dāng)前的液晶面板設(shè)計(jì)中，面板上主要的TFT原件包括Pixel中的Pixel TFT。通常使用驅(qū)動(dòng)Pixel TFT的是GOA電路。通常GOA電路包括兩種類型：CMOS GOA和單MOS GOA。其中GOA Buffer是CMOS GOA的一部分，用于提升柵極電壓的驅(qū)動(dòng)能力，其分為三級(jí)。

如圖1所示，圖1是一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中CMOS GOA電路的設(shè)計(jì)示意圖。CMOS GOA電路通常由邏輯電路和三級(jí)Buffer組成。其中：

100處是GOA電路的輸出端，與液晶面板有效顯示區(qū)域(AA區(qū))的一行像素的TFT的柵極(Gate)相連。

如圖2所示，圖2是現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中一行Pixel的設(shè)計(jì)平面示意圖。其中：LS為遮光層；Po為多晶硅層(Poly)；GE為開關(guān)線(柵極，Gate)；SD為源極線以及漏極線(Source/Drain，S/D)；200處(Gate線)與圖1中100處相連，接收GOA的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中一Pixel的設(shè)計(jì)截面示意圖如圖3所示，其中：

300處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的柵極(Gate)；

301處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的源極(Source)；

302處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的漏極(Drain)；

310處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的截面圖，其中包括LS層(遮光層)，BF層(Buffer，緩沖層)，Po層(Poly，多晶硅層)，GI層(柵絕緣層)，GE(Gate，柵級(jí))，SD(Source/Drain，S/D，源極/漏極)。

Pixel TFT的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)如圖4所示。圖4是現(xiàn)用面板的Pixel中TFT開關(guān)狀態(tài)示意圖。圖4中的截面圖與圖3中310部分的層級(jí)結(jié)構(gòu)一致，其中：401是現(xiàn)用的面板的Sub Pixel中TFT開態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)9V的電壓；402是現(xiàn)用的面板的Sub Pixel中TFT關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)-7V的電壓。

經(jīng)過上述分析，想要優(yōu)化Pixel TFT的驅(qū)動(dòng)能力，方案之一是增加開態(tài)電流和/或減小關(guān)態(tài)電流。

因此，在本發(fā)明提出了一種新的液晶面板設(shè)計(jì)。在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板中，相較與現(xiàn)有技術(shù)，Pixel TFT的有緣層(Poly)所處的電場(chǎng)更大，這就使得開態(tài)時(shí)更有利于載流子運(yùn)動(dòng)和/或關(guān)態(tài)時(shí)不利于載流子與運(yùn)動(dòng)。具體的，在本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板中，Pixel TFT的遮光層BF被作為遮光層電極與CMOSGOA的第三級(jí)緩沖的輸入端相連。LS層既可以作為有源層的遮光層又可以作為電極，這樣在每個(gè)Pixel柵極為高電位時(shí)，其對(duì)應(yīng)的LS層電極為低電位；在每個(gè)Pixel柵極為低電位時(shí)，其對(duì)應(yīng)的LS層電極為高電位。

如圖5所示，圖5所示是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的GOA電路的設(shè)計(jì)示意圖，CMOS GOA電路由邏輯電路和三級(jí)Buffer組成，其中：

501處是GOA電路的驅(qū)動(dòng)輸出端，與AA區(qū)的一行像素的Gate相連；

502處是GOA電路第三級(jí)Buffer的輸入級(jí)。

由Pixel TFT的遮光層BF接入到502處，從而使得在每個(gè)Pixel柵極為高電位時(shí)，其對(duì)應(yīng)的LS層電極為低電位；在每個(gè)Pixel柵極為低電位時(shí)，其對(duì)應(yīng)的LS層電極為高電位。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主要是通過增加Pixel TFT的有緣層(Poly)所處的電場(chǎng)來增強(qiáng)Pixel TFT的驅(qū)動(dòng)能力。為了避免出現(xiàn)電場(chǎng)干擾，就要求增加的電場(chǎng)的施加范圍與Pixel TFT的有緣層(Poly)的范圍對(duì)應(yīng)。

在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中，遮光層LS的范圍通常只作為有源層(Poly層)的遮光層，如圖3所示。因此將LS接入GOA的第三級(jí)Buffer的輸入級(jí)時(shí)增強(qiáng)的電場(chǎng)也正好作用于Pixel TFT的有緣層(Poly)。因此在本發(fā)明一實(shí)施例中，并不需要改變現(xiàn)有設(shè)計(jì)中的Pixel TFT層級(jí)布局以及LS層的布局范圍。

進(jìn)一步的，在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中，如圖2中210處所示，對(duì)于液晶基板整體或是液晶基板上的一行像素而言，LS層被分割成小塊作為有源層(Poly層)的遮光層(每個(gè)小塊分別針對(duì)各個(gè)TFT的有源層(Poly層))。但是在驅(qū)動(dòng)Pixel TFT時(shí)，一行像素的Gate是連接到一個(gè)GOA的輸出上的。因此，在本發(fā)明一實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化布線，將每一行Pixel中的LS層小塊連接起來作為遮光層電極。

如圖6所示，圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶面板中一行Pixel的設(shè)計(jì)平面示意圖。其中：LS為遮光層；Po為多晶硅層(Poly)；GE為開關(guān)線(柵極，Gate)；SD為源極線以及漏極線(Source/Drain，S/D)；600處(Gate線)與圖5中501處相連，接收GOA的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。將圖2中210處所示的各個(gè)LS小塊連接，形成圖6中610處所示的一體的遮光層電極，其在620處與圖5中502處相連。

綜上，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，相較于現(xiàn)有技術(shù)，在不改變現(xiàn)有的液晶面板基本結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，液晶面板的Pixel TFT的驅(qū)動(dòng)能力被大大增強(qiáng)。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明一實(shí)施例中，針對(duì)單一Pixel的結(jié)構(gòu)如圖7所示。圖7所示是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的Pixel中TFT截面示意圖，其中：

700處是Pixel TFT的柵極(Gate)；(與圖5中501處相連)

701處Pixel TFT的源極(Source)；

702處Pixel TFT的漏極(Drain)；

710處是Pixel TFT的截面圖；

GE、GI、SD、Po、BF以及LS分別為Gate柵極、柵絕緣層、源極/漏極、多晶硅層、緩沖層以及遮光層。

由圖7可以看出，圖7所示實(shí)施例與現(xiàn)有方案(圖3)的不同點(diǎn)在于圖7中遮光層(LS)與圖5中第三級(jí)Buffer的輸入級(jí)相連(703處與502處相連)。

這樣，在Pixel TFT的開關(guān)狀態(tài)就如圖8所示。圖8為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的Pixel TFT的開關(guān)狀態(tài)截面示意圖。

801是Pixel的TFT開態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)9V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第三級(jí)Buffer的輸入級(jí)相連，因此此時(shí)LS電極上電位為-7V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖4所示)，此時(shí)Pixel TFT的有緣層(Poly)會(huì)一直處于一個(gè)較高的電場(chǎng)中，更有利于載流子的運(yùn)動(dòng)，可以增加開態(tài)電流。

802處是Pixel的TFT關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)-7V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第三級(jí)Buffer的輸入級(jí)相連，因此此時(shí)LS電極上電位為9V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖4所示)，此時(shí)Pixel TFT的有緣層(Poly)會(huì)一直處于一個(gè)較高的反向電場(chǎng)中，不利于載流子的運(yùn)動(dòng)，可以減小關(guān)態(tài)電流。

綜上，在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，相較于現(xiàn)有技術(shù)，液晶面板的Pixel TFT的驅(qū)動(dòng)能力被大大增強(qiáng)。

進(jìn)一步的，驅(qū)動(dòng)Pixel TFT的是GOA電路，因此GOA的驅(qū)動(dòng)能力會(huì)直接影響到Pixel TFT的運(yùn)行。GOA Buffer是CMOS GOA的一部分，用于提升柵極電壓的驅(qū)動(dòng)能力。本發(fā)明的發(fā)明人還針對(duì)GOA緩沖(Buffer)中的TFT進(jìn)行分析。

如圖9所示，圖9是現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中GOA電路中第三級(jí)Buffer的NTFT的設(shè)計(jì)示意圖。其中：

900處是柵極(Gate)；

901處是源極(Source)；

902處是漏極(Drain)；

910處是截面圖，其中包括BF層(Buffer，緩沖層)，Po層(Poly，多晶硅層)，GI層(柵絕緣層)，GE(Gate，柵級(jí))，SD(Source/Drain，S/D，源極/漏極)。

第三級(jí)Buffer的NTFT的工作狀態(tài)如圖10所示。圖10是現(xiàn)用面板的GOA電路中第三級(jí)Buffer的NTFT開關(guān)狀態(tài)示意圖。圖10中：1001是開態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)9V的電壓；1002是關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)-7V的電壓。

經(jīng)過上述分析，想要優(yōu)化第三級(jí)Buffer的NTFT的驅(qū)動(dòng)能力，方案之一是增加開態(tài)電流和/或減小關(guān)態(tài)電流。由于第三級(jí)Buffer的NTFT的層級(jí)結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)狀態(tài)流程與Pixel TFT在原理以及細(xì)節(jié)上基本一致，因此，可以采用類似增強(qiáng)PixelTFT的驅(qū)動(dòng)能力的方法來增強(qiáng)第三級(jí)Buffer的NTFT的驅(qū)動(dòng)能力。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，增強(qiáng)Pixel TFT的驅(qū)動(dòng)能力的主要方法是將Pixel對(duì)應(yīng)的遮光層作為遮光層電極接入GOA電路中第三級(jí)Buffer的輸入端。但是在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中，GOA電路中第三級(jí)Buffer的NTFT是沒有相應(yīng)的遮光層的(如圖9以及圖10所示)，因此在本發(fā)明一實(shí)施例中，對(duì)GOA電路中第三級(jí)Buffer的NTFT的層級(jí)結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，為其增加遮光層(LS)。

具體的，如圖11以及圖12所示，圖11所示是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的GOA電路的設(shè)計(jì)示意圖，CMOS GOA電路由邏輯電路和三級(jí)Buffer組成，其中：

1101處是GOA電路的驅(qū)動(dòng)輸出端，與AA區(qū)的一行像素的Gate相連；

1102處是GOA電路第二級(jí)Buffer的輸入級(jí)。

圖12所示是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的GOA電路中第三級(jí)Buffer的NTFT截面示意圖，其中：

1200處是Pixel TFT的柵極(Gate)；

1201處Pixel TFT的源極(Source)；

1202處Pixel TFT的漏極(Drain)；

1210處是Pixel TFT的截面圖；

GE、GI、SD、Po以及BF分別為Gate柵極、柵絕緣層、LS層、源極/漏極、多晶硅層以及緩沖層。

圖12的設(shè)計(jì)與現(xiàn)有技術(shù)(圖9)的區(qū)別在于增加了LS遮光層，并進(jìn)一步的，LS層在1203處與圖11的1102處(GOA電路第二級(jí)Buffer的輸入級(jí))相連。

這樣，在GOA電路中第三級(jí)Buffer的NTFT的開關(guān)狀態(tài)下就如圖13所示。圖13為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的GOA電路中第三級(jí)Buffer的NTFT的開關(guān)狀態(tài)截面示意圖。1301是開態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)9V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第二級(jí)Buffer的輸入級(jí)相連，因此此時(shí)LS電極上電位為-7V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖10所示)，此時(shí)有緣層(Poly)會(huì)一直處于一個(gè)較高的電場(chǎng)中，更有利于載流子的運(yùn)動(dòng)，可以增加開態(tài)電流。

1302處是Pixel的TFT關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個(gè)-7V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第二級(jí)Buffer的輸入級(jí)相連，因此此時(shí)LS電極上電位為9V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖10所示)，此時(shí)有緣層(Poly)會(huì)一直處于一個(gè)較高的反向電場(chǎng)中，不利于載流子的運(yùn)動(dòng)，可以減小關(guān)態(tài)電流。

綜上，在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，相較于現(xiàn)有技術(shù)，液晶面板的GOA電路中第三級(jí)Buffer的驅(qū)動(dòng)能力被大大增強(qiáng)。

綜合上述分析過程以及實(shí)施例，本發(fā)明提出了一種新的液晶面板設(shè)計(jì)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，液晶面板上構(gòu)造有多個(gè)像素行，每個(gè)像素行包含遮光層電極、多個(gè)像素單元以及用于驅(qū)動(dòng)所述像素單元的驅(qū)動(dòng)電路，其中：

遮光層電極為對(duì)應(yīng)像素單元和/或驅(qū)動(dòng)電路的遮光層；

遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖和/或第二級(jí)緩沖的輸入端相連。

具體的，在一實(shí)施例中，遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：第一遮光層電極為對(duì)應(yīng)像素單元的遮光層；第一遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖的輸入端相連。進(jìn)一步的，第一遮光層電極包含多個(gè)相連的遮光層小塊，其中，多個(gè)遮光層小塊分別對(duì)應(yīng)同一像素行的多個(gè)像素單元。

在另一實(shí)施例中，遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：第二遮光層電極為對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的遮光層；第二遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動(dòng)電路的第二級(jí)緩沖的輸入端相連。進(jìn)一步的，第二遮光層電極為驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖的薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的遮光層。

對(duì)應(yīng)本發(fā)明提出的液晶面板設(shè)計(jì)，本發(fā)明還提出了一種液晶面板的制備方法。在一實(shí)施例中，制備包含多個(gè)像素行的液晶面板，在每個(gè)像素行中構(gòu)造遮光層電極、多個(gè)像素單元以及用于驅(qū)動(dòng)像素單元的驅(qū)動(dòng)電路，其中：利用對(duì)應(yīng)像素單元和/或驅(qū)動(dòng)電路的遮光層構(gòu)造遮光層電極；連接遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖和/或第二級(jí)緩沖的輸入端以改善像素單元和/或驅(qū)動(dòng)電路中薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)能力。

具體的，在一實(shí)施例中，本發(fā)明的方法中的遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：利用對(duì)應(yīng)像素單元的遮光層構(gòu)造第一遮光層電極；連接第一遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動(dòng)電路的第三級(jí)緩沖的輸入端以改善像素單元中薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)能力。進(jìn)一步的，將分別對(duì)應(yīng)同一像素行的多個(gè)像素單元的多個(gè)遮光層小塊相連以構(gòu)造第一遮光層電極。

在另一實(shí)施例中，本發(fā)明的方法中的遮光層電極遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：利用對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的遮光層構(gòu)造第二遮光層電極；連接第二遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動(dòng)電路的第二級(jí)緩沖的輸入端以改善驅(qū)動(dòng)電路中第三級(jí)緩沖的薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)能力。進(jìn)一步的，針對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中第三級(jí)緩沖的薄膜晶體管構(gòu)造遮光層以形成第二遮光層電極。

綜上，本發(fā)明將液晶面板的特定遮光層作為遮光層電極接入驅(qū)動(dòng)電路。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的液晶面板中相應(yīng)的TFT的有緣層(Poly)一直處于一個(gè)較高的電場(chǎng)中，從而使得TFT在開態(tài)時(shí)可以增大開態(tài)電流、關(guān)態(tài)時(shí)減小關(guān)態(tài)電流，進(jìn)而提高液晶面板中相應(yīng)的TFT的驅(qū)動(dòng)能力。

進(jìn)一步的，雖然上述具體實(shí)施例主要針對(duì)液晶面板Pixel的TFT以及GOA第三級(jí)緩沖的NTFT的驅(qū)動(dòng)能力進(jìn)行增強(qiáng)。但本發(fā)明的應(yīng)用領(lǐng)域并不限于此。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，可以基于將遮光層接入電路的方法來增強(qiáng)其他設(shè)備或應(yīng)用單元模塊的驅(qū)動(dòng)能力。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所述的方法還可有其他多種實(shí)施例。在不背離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變或變形，但這些相應(yīng)的改變或變形都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。