本發(fā)明屬于液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種液晶面板及液晶顯示器。

背景技術(shù)：

液晶面板逐行開(kāi)啟掃描線時(shí)通過(guò)數(shù)據(jù)線寫(xiě)入所需電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的正常顯示。為防止液晶面板的直流阻隔效應(yīng)和直流殘留，必須在液晶兩端施加交流電壓(此交流電壓是以VCOM為零參考電位)，即數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓既有正極性又有負(fù)極性。

因此，液晶面板(諸如，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD))的工作過(guò)程是不斷地將像素電極由正極性充電至負(fù)極性，再由負(fù)極性充電至正極性，而此充電過(guò)程必需在每行TFT打開(kāi)的有限時(shí)間內(nèi)完成。隨著液晶面板解析度及刷新頻率越來(lái)越高，每條掃描線開(kāi)啟時(shí)間大為縮短，液晶面板充電時(shí)間(存儲(chǔ)電容器Cst和液晶電容Clc)不足的問(wèn)題愈加突出，因此存在充電時(shí)間不足的問(wèn)題。

現(xiàn)有技術(shù)中解決充電時(shí)間不足的方法有兩種：預(yù)充電(pre-charge)和電荷分享(charge sharing)。在預(yù)充電方法中，下一行的柵極提前打開(kāi)，使上一行的數(shù)據(jù)預(yù)充到下一行，下一行的電荷極性得以提前反轉(zhuǎn)，從而縮減液晶面板充電時(shí)間。在電荷分享方法中，根據(jù)極性反轉(zhuǎn)信號(hào)，在極性反轉(zhuǎn)前的消隱(blanking)區(qū)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部將相鄰奇數(shù)數(shù)據(jù)線與偶數(shù)數(shù)據(jù)線相連，兩條數(shù)據(jù)線上寄生電容的電荷中和，使液晶面板充電時(shí)間縮短。然而，預(yù)充電只適用于列反轉(zhuǎn)或幀反轉(zhuǎn)，電荷分享只適用于點(diǎn)反轉(zhuǎn)等極性反轉(zhuǎn)頻率較高的反轉(zhuǎn)方式。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種能夠縮短液晶面板的充電時(shí)間并降低數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的功耗及溫度的薄膜晶體管液晶面板。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例一方面提供了一種液晶面板，其包括：按行方向延伸且彼此平行的多條柵極線；按列方向延伸且彼此平行的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設(shè)置；在每條數(shù)據(jù)線與每條柵極線的交叉處設(shè)置的子像素；在每一行上的彼此相鄰的奇數(shù)子像素和偶數(shù)子像素之間設(shè)置的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；所述奇數(shù)子像素為位于奇數(shù)列的子像素，所述偶數(shù)子像素為位于偶數(shù)列的子像素；其中，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵極連接到對(duì)應(yīng)的上一行的柵極線，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的漏極連接到對(duì)應(yīng)的奇數(shù)子像素，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的源極連接到對(duì)應(yīng)的偶數(shù)子像素。

進(jìn)一步地，所述子像素包括：薄膜晶體管、液晶電容器和存儲(chǔ)電容器，所述薄膜晶體管的柵極連接到相應(yīng)的柵極線，所述薄膜晶體管的源極連接到相應(yīng)的數(shù)據(jù)線，所述液晶電容器和所述存儲(chǔ)電容器并聯(lián)且連接到所述薄膜晶體管的漏極。

進(jìn)一步地，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的漏極連接到對(duì)應(yīng)的奇數(shù)子像素的并聯(lián)的存儲(chǔ)電容器和液晶電容器，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的源極連接到對(duì)應(yīng)的偶數(shù)子像素的并聯(lián)的存儲(chǔ)電容器和液晶電容器。

進(jìn)一步地，第n條柵極線的電壓由低電平轉(zhuǎn)換為高電平并保持特定時(shí)間段之后轉(zhuǎn)換為低電平，在轉(zhuǎn)換為低電平的同時(shí)第n+1條柵極線的電壓由低電平轉(zhuǎn)換為高電平并保持特定時(shí)間段，從而當(dāng)?shù)趎條柵極線的電壓為高電平時(shí)，與第n+1條柵極線連接的所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，使第n+1條柵極線在電壓為低電平的情況下第n+1行上的彼此相鄰的奇數(shù)子像素與偶數(shù)子像素的存儲(chǔ)電容器和液晶電容器的電荷相互中和。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管和/或所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管為非晶硅薄膜晶體管或者低溫多晶硅薄膜晶體管。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的另一方面提供了一種液晶顯示器，包括液晶面板、柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，所述液晶面板包括：按行方向延伸且彼此平行的多條柵極線；所述多條柵極線連接到所述柵極驅(qū)動(dòng)器；按列方向延伸且彼此平行的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設(shè)置；所述多條數(shù)據(jù)線連接到所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器；在每條數(shù)據(jù)線與每條柵極線的交叉處設(shè)置的子像素；在每一行上的彼此相鄰的奇數(shù)子像素和偶數(shù)子像素之間設(shè)置的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；所述奇數(shù)子像素為位于奇數(shù)列的子像素，所述偶數(shù)子像素為位于偶數(shù)列的子像素；其中，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵極連接到對(duì)應(yīng)的上一行的柵極線，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的漏極連接到對(duì)應(yīng)的奇數(shù)子像素，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的源極連接到對(duì)應(yīng)的偶數(shù)子像素。

進(jìn)一步地，所述柵極驅(qū)動(dòng)器提供給第n條柵極線的電壓由低電平轉(zhuǎn)換為高電平并保持特定時(shí)間段之后轉(zhuǎn)換為低電平，在轉(zhuǎn)換為低電平的同時(shí)所述柵極驅(qū)動(dòng)器提供給第n+1條柵極線的電壓由低電平轉(zhuǎn)換為高電平并保持特定時(shí)間段，從而當(dāng)所述柵極驅(qū)動(dòng)器提供給第n條柵極線的電壓為高電平時(shí)，與第n+1條柵極線連接的所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，使第n+1條柵極線在電壓為低電平的情況下第n+1行上的彼此相鄰的奇數(shù)子像素與偶數(shù)子像素的存儲(chǔ)電容器和液晶電容器的電荷相互中和。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供的液晶面板能夠縮短液晶面板的充電時(shí)間并降低數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的功耗及溫度。

將在接下來(lái)的描述中部分闡述本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)，還有一部分通過(guò)描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而得知。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和/或其它目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶面板的示意圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶面板的充電時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中，相同的標(biāo)號(hào)指示相同的部分。以下將通過(guò)參照附圖來(lái)說(shuō)明所述實(shí)施例，以便解釋本發(fā)明。

應(yīng)予說(shuō)明，這里所說(shuō)的液晶面板包括多個(gè)像素，每一像素包括多個(gè)顏色的子像素，諸如，僅作為示例，多個(gè)顏色的子像素可以是紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)的示意圖。

參照?qǐng)D1，LCD包括：液晶面板組件100；柵極驅(qū)動(dòng)器200和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300，二者都連接到液晶面板組件100。

液晶面板組件100包括：傳送柵極信號(hào)的多條柵極線G₁至G_n、傳送數(shù)據(jù)信號(hào)的多條數(shù)據(jù)線D₁至D_2m、多個(gè)子像素以及多個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)T1。

柵極線G₁至G_n按行方向延伸并且彼此平行，數(shù)據(jù)線D₁至D_2m按列方向延伸并且彼此平行。每條柵極線和每條數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置且彼此隔離。在每條柵極線和每條數(shù)據(jù)線的交叉處設(shè)置一個(gè)子像素。每個(gè)子像素包括：薄膜晶體管T2、液晶電容器Clc和存儲(chǔ)電容器Cst。每個(gè)薄膜晶體管T2連接到相應(yīng)的柵極線和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線。液晶電容器Clc和存儲(chǔ)電容器Cst并聯(lián)連接到薄膜晶體管T2。

每個(gè)像素行(或稱(chēng)行)上的彼此相鄰的奇數(shù)子像素與偶數(shù)子像素中間設(shè)置一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1。開(kāi)關(guān)TFT T1的柵極G連接到上一個(gè)像素行的柵極線，其漏極連接到奇數(shù)子像素的存儲(chǔ)電容器Cst和液晶電容器Clc，其源極連接到偶數(shù)子像素的存儲(chǔ)電容器Cst和液晶電容器Clc。奇數(shù)子像素指的是位于奇數(shù)列的子像素。偶數(shù)子像素指的是位于偶數(shù)列的子像素。

柵極驅(qū)動(dòng)器200連接到液晶面板組件100的柵極線G₁至G_n，以向柵極線G₁至G_n施加?xùn)艠O信號(hào)(其是由高電平電壓信號(hào)和低電平電壓信號(hào)組成的電壓信號(hào))。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300連接到液晶面板組件100的數(shù)據(jù)線D₁至D_2m，并向各子像素施加數(shù)據(jù)電壓。

施加到每個(gè)子像素的數(shù)據(jù)電壓和公共電壓Vcom之間的差可以被解釋為是利用其對(duì)每個(gè)子像素的液晶電容器Clc充電的電壓，即像素電壓。液晶層內(nèi)的液晶分子的排列根據(jù)像素電壓的幅度而變化，因而通過(guò)液晶層傳送的光的極性也可以變化，從而導(dǎo)致液晶層的透射率的變化。

以下對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的彼此相鄰的奇數(shù)子像素與偶數(shù)子像素的充電過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶面板的充電時(shí)序圖。

結(jié)合圖1和圖2所示，以圖1所示的柵極線G_n連接的的子像素A和子像素B的充電過(guò)程為例：

在第一時(shí)間段t₁，柵極驅(qū)動(dòng)器200向柵極線G_n-1施加高電平信號(hào)，因子像素A和子像素B之間的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的柵極連接到柵極線G_n-1上，故子像素A和子像素B之間的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1打開(kāi)，子像素A與子像素B的存儲(chǔ)電容器Cst和液晶電容器Clc的電荷相互中和，子像素B由正極性的高電位a點(diǎn)降到c點(diǎn)，子像素A由負(fù)極性的低電位b點(diǎn)升到c點(diǎn)，電荷相互中和。

在第二時(shí)間段t₂，柵極驅(qū)動(dòng)器200向柵極線G_n施加高電平信號(hào)，柵極線G_n連接的所有的子像素的薄膜晶體管T2導(dǎo)通，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300向柵極線G_n連接的所有的子像素施加數(shù)據(jù)電壓，以對(duì)柵極線G_n連接的所有的子像素進(jìn)行充電。由于在第一時(shí)間段t₁的電荷中和作用，在第二時(shí)間段t₂，子像素A和子像素B的薄膜晶體管T2可以從較接近目標(biāo)子像素的電壓準(zhǔn)位進(jìn)行充電(即，子像素B由c點(diǎn)充到e點(diǎn)，子像素A由c點(diǎn)充到d點(diǎn))，從而可減少充電時(shí)間。此外，子像素電荷相互中和亦可降低數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300的功耗及溫度。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，按行順序依次打開(kāi)每條柵極線，也就是說(shuō)，液晶面板的柵極線G_n-1的電壓可由低電平轉(zhuǎn)換為高電平并保持特定時(shí)間段之后轉(zhuǎn)換為低電平，在轉(zhuǎn)換為低電平的同時(shí)柵極線G_n電壓由低電平轉(zhuǎn)換為高電平并保持特定時(shí)間段，從而當(dāng)當(dāng)前像素行的柵極線的電壓為高電平時(shí)下一像素行的開(kāi)關(guān)TFT打開(kāi)，使下一像素行的柵極線在電壓為低電平的情況下(即，在實(shí)際子像素電壓寫(xiě)入前)下一像素行的柵極線的彼此相鄰的奇數(shù)子像素與偶數(shù)子像素的存儲(chǔ)電容器Cst和液晶電容器Clc的電荷相互中和，從而能夠縮短液晶面板的充電時(shí)間，并降低數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的功耗及溫度。

此外，根據(jù)本發(fā)明的上述方法可以被實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)代碼。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)對(duì)上述方法的描述來(lái)實(shí)現(xiàn)所述計(jì)算機(jī)代碼。當(dāng)所述計(jì)算機(jī)代碼在計(jì)算機(jī)中被執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述方法。

此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶面板的驅(qū)動(dòng)裝置中的各個(gè)單元可被實(shí)現(xiàn)為硬件組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)限定的各個(gè)單元所執(zhí)行的處理，可以使用例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)來(lái)實(shí)現(xiàn)各個(gè)單元。

本發(fā)明的以上實(shí)施例僅僅是示例性的，而本發(fā)明并不受限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解：在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變，其中，本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求及其等同物中限定。