本發(fā)明屬于液晶顯示技術領域，具體地講，涉及一種用于液晶面板的陣列基板、液晶面板及液晶顯示器。

背景技術：

隨著光電與半導體技術的演進，也帶動了平板顯示器(Flat Panel Display)的蓬勃發(fā)展，而在諸多平板顯示器中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性，已成為市場的主流。

目前，作為LCD的開關元件而廣泛采用的是非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)，但a-Si TFT LCD在滿足薄型、輕量、高精細度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低溫多晶硅(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)TFT LCD與a-Si TFT LCD相比，在滿足上述要求方面，具有明顯優(yōu)勢。

LTPS TFT顯示面板制造過程十分復雜，良率提升對于LTPS TFT顯示面板的成本控制及應用推廣意義重大。在LTPS TFT顯示面板良率提升中經常需要檢測LTPS TFT顯示面板像素區(qū)的LTPS TFT的電性，以確定LTPS TFT顯示面板發(fā)生異常的原因，從而找到有針對性的改進措施。但在LTPS TFT顯示面板中，柵極金屬線及源漏極金屬線大部分埋于幾微米厚的有機平坦層之下，這樣導致利用探針量測各金屬線電信號及LTPS TFT的電性的難度很大。

技術實現要素：

為了解決上述技術問題，本發(fā)明的目的在于提供一種易量測薄膜晶體管的電性的用于液晶面板的陣列基板、液晶面板及液晶顯示器。

根據本發(fā)明的一方面，提供了一種用于液晶面板的陣列基板，其包括：彼此平行排列的多條柵極線以及彼此平行排列的多條數據線，所述柵極線與所述數據線交叉設置，以限定出構成顯示區(qū)的多個像素區(qū)；布置在每個像素區(qū)中的像素；布置在每個像素上的像素電極；布置在每個像素區(qū)中的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管連接到相應的柵極線、相應的數據線以及相應的像素電極；布置在所述顯示區(qū)之外且連接每條柵極線的柵極驅動器；布置在所述顯示區(qū)之外且連接每條數據線的數據驅動器；布置在所述顯示區(qū)之外的公共電極線；布置在所述顯示區(qū)中的虛擬柵極線；布置在所述顯示區(qū)之外的第一連接墊和第二連接墊，所述第一連接墊與所述公共電極線連接，所述虛擬柵極線延伸到所述顯示區(qū)之外與所述第二連接墊連接。

進一步地，當對薄膜晶體管進行電性量測時，使連接被電性量測的薄膜晶體管的柵極線位于所述顯示區(qū)之外的部分與所述公共電極線連接，且使連接被電性量測的薄膜晶體管的數據線與所述虛擬柵極線位于所述顯示區(qū)內的部分連接。

進一步地，利用激光熔融焊接的方式將連接被電性量測的薄膜晶體管的柵極線位于所述顯示區(qū)之外的部分與所述公共電極線熔融焊接在一起，且利用激光熔融焊接的方式將連接被電性量測的薄膜晶體管的數據線與所述虛擬柵極線位于所述顯示區(qū)內的部分熔融焊接在一起。

進一步地，所述虛擬柵極線與所述柵極線同時形成。

進一步地，所述虛擬柵極線與所述柵極線位于同一層。

進一步地，所述虛擬柵極線位于所述顯示區(qū)的部分與所述柵極線平行。

進一步地，所述第一連接墊和所述第二連接墊位于所述數據驅動器的同一側。

進一步地，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。

根據本發(fā)明的另一方面，還提供了一種液晶面板，包括對盒設置的彩色濾光片基板和陣列基板，所述陣列基板為上述的陣列基板。

根據本發(fā)明的又一方面，又提供了一種液晶顯示器，包括相對設置的背光模塊和液晶面板，所述液晶面板為上述的液晶面板。

本發(fā)明的有益效果：當對薄膜晶體管進行電性量測時，在無需去除有機平坦層的前提下能夠較簡便、快速地量測薄膜晶體管的電性。

附圖說明

通過結合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中：

圖1是根據本發(fā)明的實施例的液晶顯示器的結構示意圖；

圖2是根據本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的架構圖；

圖3是根據本發(fā)明的實施例的對薄膜晶體管進行電性量測的示意圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應用，從而使本領域的其他技術人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預期應用的各種修改。在附圖中，相同的標號將始終被用于表示相同的元件。

圖1是根據本發(fā)明的實施例的液晶顯示器的結構示意圖。

參照圖1，根據本發(fā)明的實施例的液晶顯示器包括：液晶面板1000、背光模塊2000。背光模塊2000設置在液晶面板1000的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板200背向彩色濾光片基板100的一側，以使背光模塊2000發(fā)出的光線依次通過低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板200和彩色濾光片基板100，從而顯示影像。

根據本發(fā)明的實施例的液晶面板1000包括：彩色濾光片基板(或稱CF基板)100、低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板(或稱Array基板)200以及液晶層300。

彩色濾光片基板100和低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板200對盒設置。液晶層300夾設于彩色濾光片基板100和低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板200之間，其中，液晶層300中具有若干液晶分子。

在本實施例中，彩色濾光片基板100具有黑色矩陣、多個彩色濾光片(諸如紅色濾光片、藍色濾光片、綠色濾光片等)等必要的元器件，更加具體的構造可以參照現有的相關技術，在此不再贅述。

以下對根據本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板200進行詳細說明。圖2是根據本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的架構圖。

參照圖2，根據本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板200包括：基板1以及設置在基板1上的柵極驅動器2、公共電極線3、扇出(fan-out)4、綁定(Bonding)區(qū)5、第一測試墊6、數據驅動器7、第二測試墊8、虛擬柵極線9、多條數據線10、像素11、像素電極12、多條柵極線13以及薄膜晶體管16。在本實施例中，薄膜晶體管16可例如是低溫多晶硅薄膜晶體管，但本發(fā)明并不限制于此，例如薄膜晶體管16也可以為非晶硅薄膜晶體管。

具體而言，多條柵極線13彼此平行排列且用于傳送柵極信號，多條數據線10彼此平行排列且用于傳送數據信號。每條柵極線13沿行方向延伸，每條數據線10沿列方向延伸，從而柵極線13與數據線10交叉設置，以限定出多個像素區(qū)(未示出)。所有的像素區(qū)構成顯示區(qū)AA(虛線框表示)。

在每個像素區(qū)中布置一個像素11，每個像素11包括液晶電容器。如果必要，每個像素11也可以包括存儲電容器，其與液晶電容器并聯連接。在每個像素11上布置一個像素電極12，其連接到液晶電容器。在每個像素區(qū)中布置一個薄膜晶體管16，其包括連接到相應柵極線13的柵極、連接到相應數據線10的源極和連接到相應像素電極12的漏極。

在顯示區(qū)AA的兩側分別布置一個柵極驅動器2，且多條柵極線13連接到兩個柵極驅動器2的每一個。然而，本發(fā)明不限于此。也就是說，在較小尺寸LCD的情況下，可以在顯示區(qū)AA的一側布置一個柵極驅動器2，并且多條柵極線13連接到該一個柵極驅動器2。柵極驅動器2可以被嵌入在基板1中形成GOA(Gate driver on Array)。

綁定(Bonding)區(qū)5位于顯示區(qū)AA的布置柵極驅動器2的兩側的相鄰一側，扇出(fan-out)4位于綁定區(qū)5與顯示區(qū)AA之間。數據驅動器7布置在綁定區(qū)5中。多條數據線10通過扇出4連接到數據驅動器7。

公共電極線3布置在顯示區(qū)AA之外。進一步地，公共電極線3環(huán)繞在柵極驅動器2于顯示區(qū)AA之間以及顯示區(qū)AA的與布置數據驅動器的一側相對的一側。公共電極線3用于傳送公共電壓信號。應當說明的是，在顯示區(qū)AA內也布置有公共電極線，顯示區(qū)AA之外的公共電極線3將公共電壓信號傳送到顯示區(qū)AA內布置的公共電極線。

虛擬柵極線9布置在顯示區(qū)AA內。進一步地，虛擬柵極線9布置在顯示區(qū)AA的鄰近扇出4的區(qū)域內。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，在制作低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板200時，利用相同的材料同時制作形成虛擬柵極線9和柵極線13，并且虛擬柵極線9和柵極線13位于同一層，并且虛擬柵極線9位于顯示區(qū)AA的部分與柵極線13平行設置。虛擬柵極線9不用于傳送柵極信號。

第一測試墊6和第二測試墊8布置在顯示區(qū)AA之外。本發(fā)明并不對第一測試墊6的數量與第二測試墊8的數量進行限定。第一測試墊6和第二測試墊8之上均未覆蓋有機平坦層，因此在之后的測試中可直接利用探針點觸到第一測試墊6和第二測試墊8上。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，第一測試墊6和第二測試墊8布置在綁定區(qū)5的同一側。

公共電極線3通過扇出4連接到第一測試墊6，而虛擬柵極線9延伸到顯示區(qū)AA之外與第二測試墊8直接連接。

以下對薄膜晶體管16的電性量測過程進行描述。圖3是根據本發(fā)明的實施例的對薄膜晶體管進行電性量測的示意圖。

參照圖3，當需要對薄膜晶體管16做電性量測時，使連接被電性量測的薄膜晶體管16的柵極線13的位于顯示區(qū)AA之外的部分與公共電極線3連接，且使連接被電性量測的薄膜晶體管16的數據線10與虛擬柵極線9的位于顯示區(qū)AA之內的部分連接。

作為本發(fā)明的一優(yōu)選實施方式，利用激光熔融焊接的方式使連接被電性量測的薄膜晶體管16的柵極線13的位于顯示區(qū)AA之外的部分與公共電極線3熔融焊接在一起，圖3中以黑色區(qū)域15示出；并且利用激光熔融焊接的方式使連接被電性量測的薄膜晶體管16的數據線10與虛擬柵極線9的位于顯示區(qū)AA之內的部分熔融焊接在一起，圖3中以黑色區(qū)域14示出。

這樣，點觸第一測試墊6的探針可以把電信號給到顯示區(qū)AA之內的柵極線13，點觸第二測試墊8的探針可以把電信號給到顯示區(qū)AA之內的數據線10，點觸待被電性量測的薄膜晶體管16連接的像素電極12的探針可以向像素電極12充入不同電壓并量測對應的電流。通過這樣的方法，即使不去除有機平坦層，薄膜晶體管16的電性也可以被快速量出。

綜上所述，根據本發(fā)明的實施例，當對薄膜晶體管進行電性量測時，在無需去除有機平坦層的前提下也能較簡便、快速地量測薄膜晶體管的電性。

雖然已經參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領域的技術人員將理解：在不脫離由權利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進行形式和細節(jié)上的各種變化。