本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領域，具體涉及一種量子點膜及背光模組。

背景技術(shù)：

經(jīng)過半個世紀的發(fā)展和研究，液晶顯示器(LCD)已經(jīng)成為主導的平板顯示技術(shù)。由于LCD本身不發(fā)光，所以它們需使用背光源。冷陰極熒光燈(CCFL)曾經(jīng)是最普遍的背光源，但是它只可以實現(xiàn)75％NTSC的色域，所以為了得到更寬的色域、更高的亮度和更低的能耗，白色發(fā)光二極管(WLED)迅速代替了CCFL的位置，成為主要的背光源。但是基于WLED的背光源，其亮度和對比度還相對較低。所以，研究人員致力于發(fā)展更新的背光源技術(shù)來改善這些問題。

量子點膜是一種用于液晶顯示器背光模組里替代下擴散膜的光學膜片。相比普通白光LED，采用藍光LED搭配量子點膜的背光模組，可明顯提升液晶顯示器的色彩飽和度，并且在提高色域的同時能提高亮度、減少功耗。其原理是：量子點膜含有的量子點(QuantumDot)是準零維的納米晶體，由少量的原子構(gòu)成，形態(tài)上一般為球形或類球形，是由半導體材料(通常由II B～ⅥB或IIIB～VB元素組成)制成的、穩(wěn)定直徑在2～20nm的納米粒子。這些納米粒子能在特定波長光線照射下激發(fā)出更高波長的光，量子點膜(QDEF)由于嵌入了發(fā)綠光和紅光的量子點，可在藍光LED背光的照射下激發(fā)綠光和紅光，激發(fā)的綠光和紅光與透過薄膜的藍光一起混合成白光，從而提升了LCD背光的發(fā)光效果。

目前，量子點膜存在以下問題：1.量子點膜以藍光LED芯片作為激發(fā)光源，藍光LED芯片發(fā)出的藍光在從空氣入射到基材(玻璃或者膜)時，由于存在界面的折射率不同，有一部分的光發(fā)生反射從而損失掉，造成激發(fā)量子點的光效稍低。2.由藍光激發(fā)量子點形成的白色光，在從最上層的材料或者保護層入射到空氣時，也同樣存在界面折射率不同，造成激發(fā)光出射的損失。3.由于人眼若較長時間觀看藍光，對于人的眼睛有一些損傷，所以適當?shù)臏p弱量子點激發(fā)后藍光的出射，對于觀看者以及觀看舒適度有較好的效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明目的在于提供一種量子點膜及背光模組，用于提高量子點膜的激發(fā)光效。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種量子點膜，依次包括：第一減反射層、第一透明片材層、量子點層、第二透明片材層和第二減反射層；所述第一減反射層對藍光增透，所述第二減反射層對紅光和綠光增透。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述第一減反射層和第二減反射層相比具有不同的減反射膜層層疊結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述第一減反射層包括兩層或兩層以上的減反射膜層，所述減反射膜層的排列次序為高折射率膜材和低折射率膜材間隔排列或低折射率膜材和高折射率膜材間隔排列，所述高折射率膜材的折射率數(shù)值范圍在1.90～2.50，所述低折射率膜材的折射率數(shù)值范圍在1.35～1.60。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述第二減反射層包括兩層或兩層以上的減反射膜層，所述減反射膜層的排列次序為高折射率膜材和低折射率膜材間隔排列或低折射率膜材和高折射率膜材間隔排列，所述高折射率膜材的折射率數(shù)值范圍在1.90～2.50，所述低折射率膜材的折射率數(shù)值范圍在1.35～1.60。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述高折射率膜材為ZnS、TiO₂、Ti₃O₅、Nb₂O₅、Ta₂O₅和ZnO中的至少一種，所述低折射率膜材為冰晶石、SiO₂和MgF₂中的至少一種。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述第一透明片材層為玻璃或具有水氧阻隔功能的高分子材料層。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述第二透明片材層為玻璃或具有水氧阻隔功能的高分子材料層。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述水氧阻隔功能的高分子材料層包括高分子材料基材層和形成于高分子材料基材層表面的水氧阻隔層。

優(yōu)選的技術(shù)方案為：所述第一減反射層的物理層厚為10nm～500nm；所述第二減反射層的物理層厚為10nm～500nm。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種背光模組，包括上述技術(shù)方案所述的量子點膜。

由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的優(yōu)點是：

本發(fā)明設置對藍光增透的第一減反射層對藍光增透以提高光效，設置對綠光和紅光增透的第二減反射層以保證觀看者具有更好的觀看舒適度。

附圖說明

圖1為量子點膜結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為第一減反射層結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為第二減反射層結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為具有水氧阻隔功能的高分子材料層結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為第一減反射層透光率示意圖。

圖6為第二減反射層透光率示意圖。

以上附圖中，1、第一減反射層；2、第一透明片材層；3、量子點層；4、第二透明片材層；5、第二減反射層；6、五氧化三鈦膜；7、二氧化硅膜；8、高分子材料基材層；9、水氧阻隔層。

具體實施方式

以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。

請參閱圖1至圖6。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。

如圖1～6所示，一種量子點膜，依次包括：第一減反射層1、第一透明片材層2、量子點層3、第二透明片材層4和第二減反射層5；所述第一減反射層1對藍光增透，所述第二減反射層5對紅光和綠光增透。所述第一減反射層位于藍光LED芯片產(chǎn)生的藍光的入射側(cè)，即藍光LED芯片產(chǎn)生的藍光從空氣入射到量子點層的一側(cè)，所述第一減反射層對藍光增透。所述第二減反射層位于量子點層產(chǎn)生的激發(fā)光的出射側(cè)，即量子點(QD)受激發(fā)后產(chǎn)生的激發(fā)光從量子點層入射到空氣的一側(cè)，所述第二減反射層對綠光和紅光增透。所述第一減反層1的物理厚度為10nm～500nm，所述第二減反層5的物理厚度為10nm～500nm。

所述第一減反射層由四層減反射膜層組成，排列次序為：0.293H/0.466L/0.566H/1.133L。H為高折射率膜材。L為低折射率膜材。H具體為五氧化三鈦膜6，L具體為二氧化硅膜7。數(shù)值表示的是膜的光學厚度。五氧化三鈦(Ti₃O₅)的材料折射率為2.42，二氧化硅(SiO₂)的折射率為1.47。如圖5所示，圖5的橫坐標為波長，縱坐標為透光率。第二減反射層對藍光(波長400～500nm的光)透光率很高，因此對藍光增透。

所述第二減反射層由六層減反射膜層組成，排列次序為：0.337H/0.273L/2.264H/2.379L/2.134H/1.110L。H為高折射率膜材。L為低折射率膜材。H具體為五氧化三鈦膜6，L具體為二氧化硅膜7。數(shù)值表示的是膜的光學厚度。五氧化三鈦(Ti₃O₅)的材料折射率為2.42，二氧化硅(SiO₂)的折射率為1.47。如圖6所示，圖6的橫坐標為波長，縱坐標為透光率。第二減反射層對綠光和紅光(波長500～700nm的光)透光率很高，因此對綠光和紅光增透。

本實施方式中，所述第一減反射層的物理層厚為40nm；所述第二減反射層的物理層厚為60nm。

本實施方式中，所述第一透明片材層和所述第二透明片材層均采用具有水氧阻隔功能的高分子材料層，所述水氧阻隔功能的高分子材料層其結(jié)構(gòu)參見附圖4所示，包括高分子材料基材層8和形成于高分子材料基材層表面的水氧阻隔層9。在其他實施方式中，所述第一透明片材層可以采用玻璃或水氧阻隔功能的高分子材料層中的任意一種，所述第二透明片材層可以采用玻璃或水氧阻隔功能的高分子材料層中的任意一種。

本發(fā)明還提供了一種背光模組，該背光模組包括藍光LED芯片和量子點膜，該量子點膜由本實施方式的上述方案制得，背光模組的其他結(jié)構(gòu)采用現(xiàn)有技術(shù)。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。