本發(fā)明涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路。

背景技術(shù)：

相對(duì)于傳統(tǒng)的將觸摸面板設(shè)置在液晶面板上的技術(shù)，將觸摸面板功能和液晶面板一體化的研究日漸盛行，于是，出現(xiàn)了內(nèi)嵌式觸摸屏。內(nèi)嵌式觸摸屏技術(shù)包括in-cell和on-cell兩種。In-cell觸摸屏技術(shù)是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中，而on-cell觸摸屏技術(shù)是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光片之間。與on-cell觸摸屏相比，in-cell觸摸屏能夠?qū)崿F(xiàn)面板的二更輕薄化。

在in-cell觸摸屏技術(shù)中，在cell(組立制程)階段，一般只對(duì)觸摸屏的顯示功能進(jìn)行測(cè)試，而沒(méi)有對(duì)觸摸屏的觸控功能進(jìn)行測(cè)試。觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進(jìn)行測(cè)試，這樣使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來(lái)，進(jìn)而造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)效率。

故，有必要提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，以解決現(xiàn)有的觸摸屏在cell階段不能進(jìn)行觸摸功能測(cè)試，需要綁定芯片和排線等物料后才能進(jìn)行測(cè)試，進(jìn)而造成物料浪費(fèi)，生產(chǎn)效率降低的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，其包括：

n個(gè)控制信號(hào)源，用于提供控制信號(hào)；

電容耦合模塊，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；

開(kāi)關(guān)模塊，其包括m個(gè)輸入端、n個(gè)控制端和一個(gè)輸出端，開(kāi)關(guān)模塊用于接收m個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)，并受控制信號(hào)的控制將其中一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上；其中，

輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接，輸出端與觸控信號(hào)采集端子連接,電容耦合模塊與觸控電極耦合連接，n、m為正整數(shù)，m小于等于2^n。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號(hào)源，用于提供掃描線輸入信號(hào)；

掃描線控制信號(hào)源，用于提供掃描線控制信號(hào)；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；其中，

恒壓電源與數(shù)據(jù)線連接，掃描線輸入信號(hào)源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，控制單元包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源連接，每個(gè)薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源連接，每個(gè)薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，開(kāi)關(guān)模塊包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)觸控電極通過(guò)n個(gè)串聯(lián)的薄膜晶體管與觸控信號(hào)采集端子連接，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。

本發(fā)明還提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，其包括：

n個(gè)控制信號(hào)源，用于提供控制信號(hào)；

電容耦合模塊，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；

開(kāi)關(guān)模塊，其包括m個(gè)輸入端、n個(gè)控制端和一個(gè)輸出端，開(kāi)關(guān)模塊用于接收m個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)，并受控制信號(hào)的控制將其中一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上；其中，

輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接，輸出端與觸控信號(hào)采集端子連接,電容耦合模塊與觸控電極耦合連接，n、m為正整數(shù)，m小于等于2^(n+1)。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號(hào)源，用于提供掃描線輸入信號(hào)；

掃描線控制信號(hào)源，用于提供掃描線控制信號(hào)；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；其中，

恒壓電源與數(shù)據(jù)線連接，掃描線輸入信號(hào)源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，控制單元包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源連接，每個(gè)薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源連接，每個(gè)薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，開(kāi)關(guān)模塊包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)觸控電極通過(guò)n個(gè)串聯(lián)的薄膜晶體管與觸控信號(hào)采集端子連接，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。

本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路通過(guò)電容耦合模塊觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)，并通過(guò)開(kāi)關(guān)模塊逐個(gè)采集每個(gè)觸控電極生成的觸控信號(hào)，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測(cè)試；解決了現(xiàn)有的觸摸屏的觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進(jìn)行測(cè)試，使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來(lái)，進(jìn)而造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)效率的技術(shù)問(wèn)題。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。

圖1為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖3為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖；

圖4為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖6為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的實(shí)施例以4*4的矩陣觸控電極為例，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)以下教導(dǎo)和啟示可以類推出觸摸屏的所有觸控電極的電路連接關(guān)系。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，包括：4個(gè)控制信號(hào)源、電容耦合模塊16以及開(kāi)關(guān)模塊10。4個(gè)控制信號(hào)源，用于提供控制線信號(hào)；電容耦合模塊16，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；開(kāi)關(guān)模塊10，包括16個(gè)輸入端、4個(gè)控制端和一個(gè)輸出端，開(kāi)關(guān)模塊10用于接收16個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)，并受控制信號(hào)的控制將其中一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

其中，輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接，輸出端與觸控信號(hào)采集端子15連接，電容耦合模塊16與觸控電極耦合連接。特別地，本優(yōu)選實(shí)施例的4個(gè)控制信號(hào)源最多可以控制16個(gè)觸控電極上生成的觸控信號(hào)的逐一采集。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，4個(gè)控制信號(hào)源包括：第一控制信號(hào)源11、第二控制信號(hào)源12、第三控制信號(hào)源13以及第四控制信號(hào)源14。

參閱圖2，圖2為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，電容耦合模塊16包括：恒壓電源161、掃描線輸入信號(hào)源163、掃描線控制信號(hào)源162以及控制單元167。恒壓電源161，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號(hào)源163，用于提供掃描線輸入信號(hào)；掃描線控制信號(hào)源162，用于提供掃描線控制信號(hào)；控制單元167，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；

其中，恒壓電源161與數(shù)據(jù)線連接164，掃描線輸入信號(hào)源163與控制單元167的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源162與控制單元167的控制端連接，控制單元167的輸出端與掃描線165連接。

具體地，控制單元167包括12個(gè)薄膜晶體管T1～T12，一條掃描線165對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源162連接，每個(gè)薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源163連接，每個(gè)薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線165連接。

參閱圖3，圖3為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，開(kāi)關(guān)模塊10包括64個(gè)薄膜晶體管T13～T76，其中每個(gè)觸控電極通過(guò)4個(gè)薄膜晶體管與觸控信號(hào)采集端子15連接，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接。

具體地，薄膜晶體管T13、T14、T15和T16串聯(lián)，薄膜晶體管T13的源極與第一個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T16的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T17、T18、T19和T20串聯(lián),薄膜晶體管T17的源極與第二個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T20的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T21、T22、T23和T24串聯(lián),薄膜晶體管T21的源極與第三個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T24的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T25、T26、T27和T28串聯(lián),薄膜晶體管T25的源極與第四個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T28的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T29、T30、T31和T32串聯(lián),薄膜晶體管T29的源極與第五個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T32的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T33、T34、T35和T36串聯(lián),薄膜晶體管T33的源極與第六個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T36的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T37、T38、T39和T40串聯(lián),薄膜晶體管T37的源極與第七個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T40的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T41、T42、T43和T44串聯(lián),薄膜晶體管T41的源極與第八個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T44的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T45、T46、T47和T48串聯(lián),薄膜晶體管T45的源極與第九個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T48的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T49、T50、T51和T52串聯(lián),薄膜晶體管T49的源極與第十個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T52的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T53、T54、T55和T56串聯(lián),薄膜晶體管T53的源極與第十一個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T56的漏極與觸控信號(hào)采集端子連接15；

薄膜晶體管T57、T58、T59和T60串聯(lián),薄膜晶體管T57的源極與第十二個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T60的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T61、T62、T63和T64串聯(lián),薄膜晶體管T61的源極與第十三個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T64的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T65、T66、T67和T68串聯(lián),薄膜晶體管T65的源極與第十四個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T68的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T69、T70、T71和T72串聯(lián),薄膜晶體管T69的源極與第十五個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T72的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接；

薄膜晶體管T73、T74、T75和T76串聯(lián),薄膜晶體管T73的源極與第十六個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管T76的漏極與觸控信號(hào)采集端子15連接。

第一控制信號(hào)源11與薄膜晶體管T13、T17、T21、T25、T29、T33、T37、T41、T45、T49、T53、T57、T61、T65、T69、T73的柵極連接；

第二控制信號(hào)源12與薄膜晶體管T14、T18、T22、T26、T30、T34、T38、T42、T46、T50、T54、T58、T62、T66、T70、T74的柵極連接；

第三控制信號(hào)源13與薄膜晶體管T15、T19、T23、T27、T31、T35、T39、T43、T47、T51、T55、T59、T63、T67、T71、T75的柵極連接；

第四控制信號(hào)源14與薄膜晶體管T16、T20、T24、T28、T32、T36、T40、T44、T48、T52、T56、T60、T64、T68、T72、T76的柵極連接。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，薄膜晶體管T1～T12、T13、T17、T21、T25、T29、T33、T37、T41、T14、T18、T22、T26、T46、T50、T54、T58、T15、T19、T31、T35、T47、T51、T63、T67、T16、T24、T32、T40、T48、T56、T64、T72為N型薄膜晶體管；薄膜晶體管T45、T49、T53、T57、T61、T65、T69、T73、T30、T34、T38、T42、T62、T66、T70、T74、T23、T27、T39、T43、T55、T59、T71、T75、T20、T28、T36、T44、T52、T60、T68、T76為P型薄膜晶體管。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路使用時(shí)，首先，恒壓電源161提供0V電壓至數(shù)據(jù)線164上，防止數(shù)據(jù)線對(duì)觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號(hào)源162提供高電位的掃描線控制信號(hào)至薄膜晶體管T1～T12，掃描線輸入信號(hào)源163提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號(hào)經(jīng)薄膜晶體管T1～T12傳至掃描線上，由于掃描線165和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)。

接著，第一控制信號(hào)源11、第二控制信號(hào)源12、第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T13、T14、T15和T16打開(kāi)，此時(shí)，第一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11、第二控制信號(hào)源12和第三控制信號(hào)源13提供高電位的控制信號(hào)，第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T17、T18、T19和T20打開(kāi)，此時(shí)，第二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11、第二控制信號(hào)源12和第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，第三控制信號(hào)源13提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T21、T22、T23和T24打開(kāi)，此時(shí)，第三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11和第二控制信號(hào)源12提供高電位的控制信號(hào)，第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T25、T26、T27和T28打開(kāi)，此時(shí)，第四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11、第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源12提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T29、T30、T31和T32打開(kāi)，此時(shí)，第五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11和第三控制信號(hào)源13提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源12和第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T33、T34、T35和T36打開(kāi)，此時(shí)，第六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11和第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源12和第三控制信號(hào)源13提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T37、T38、T39和T40打開(kāi)，此時(shí)，第七個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源12、第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T41、T42、T43和T44打開(kāi)，此時(shí)，第八個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源12、第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源11提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T45、T46、T47和T48打開(kāi)，此時(shí)，第九個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源12和第三控制信號(hào)源13提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源11和第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T49、T50、T51和T52打開(kāi)，此時(shí)，第十個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源12和第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源11和第三控制信號(hào)源13提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T53、T54、T55和T56打開(kāi)，此時(shí)，第十一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源12提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源11、第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T57、T58、T59和T60打開(kāi)，此時(shí)，第十二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源11和第二控制信號(hào)源12提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T61、T62、T63和T64打開(kāi)，此時(shí)，第十三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第三控制信號(hào)源13提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源11、第二控制信號(hào)源12和第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T65、T66、T67和T68打開(kāi)，此時(shí)，第十四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第四控制信號(hào)源14提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源11、第二控制信號(hào)源12和第三控制信號(hào)源13提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T69、T70、T71和T72打開(kāi)，此時(shí)，第十五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源11、第二控制信號(hào)源12、第三控制信號(hào)源13和第四控制信號(hào)源14提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管T73、T74、T75和T76打開(kāi)，此時(shí)，第十六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子15上。

最后，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，若采集到的所有觸控信號(hào)的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個(gè)觸控信號(hào)跟其他觸控信號(hào)的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現(xiàn)了短路、開(kāi)路。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路通過(guò)電容耦合模塊16觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)，并通過(guò)開(kāi)關(guān)模塊10逐個(gè)采集每個(gè)觸控電極生成的觸控信號(hào)，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測(cè)試，避免造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，提高了生產(chǎn)效率。

參閱圖4，圖4為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

本優(yōu)選實(shí)施例與第一優(yōu)選實(shí)施例的區(qū)別在于，減少了一個(gè)控制信號(hào)源的使用，由于每個(gè)控制信號(hào)源都需要在觸摸屏邊框上預(yù)留位置，減少控制信號(hào)源的使用有利于邊框的窄型化。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，包括：3個(gè)控制信號(hào)源、電容耦合模塊25以及開(kāi)關(guān)模塊20。3個(gè)控制信號(hào)源，用于提供控制線信號(hào)；電容耦合模塊25，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；開(kāi)關(guān)模塊20，包括16個(gè)輸入端、3個(gè)控制端和一個(gè)輸出端，開(kāi)關(guān)模塊20用于接收16個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)，并受控制信號(hào)的控制將其中一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

其中，輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接，輸出端與觸控信號(hào)采集端子24連接，電容耦合模塊25與觸控電極耦合連接。特別地，本優(yōu)選實(shí)施例的3個(gè)控制信號(hào)源最多可以控制16個(gè)觸控電極上生成的觸控信號(hào)的逐一采集。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，3個(gè)控制信號(hào)源包括：第一控制信號(hào)源21、第二控制信號(hào)源22以及第三控制信號(hào)源23。

參閱圖5，圖5為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，電容耦合模塊25包括：恒壓電源251、掃描線輸入信號(hào)源253、掃描線控制信號(hào)源以252及控制單元257。恒壓電源251，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號(hào)源253，用于提供掃描線輸入信號(hào)；掃描線控制信號(hào)源252，用于提供掃描線控制信號(hào)；控制單元257，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；

其中，恒壓電源251與數(shù)據(jù)線254連接，掃描線輸入信號(hào)源253與控制單元257的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源252與控制單元257的控制端連接，控制單元257的輸出端與掃描線255連接。

具體地，控制單元257包括12個(gè)薄膜晶體管D1～D12，一條掃描線255對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源252連接，每個(gè)薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源253連接，每個(gè)薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線255連接。

參閱圖6，圖6為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，開(kāi)關(guān)模塊20包括48個(gè)薄膜晶體管D13～D60，其中每個(gè)觸控電極通過(guò)3個(gè)薄膜晶體管與觸控信號(hào)采集端子24連接，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號(hào)源連接。

具體地，薄膜晶體管D13、D14和D15串聯(lián)，薄膜晶體管D13的源極與第一個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D15的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D16、D17和D18串聯(lián),薄膜晶體管D16的源極與第二個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D18的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D19、D20和D21串聯(lián),薄膜晶體管D19的源極與第三個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D21的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D22、D23和D24串聯(lián),薄膜晶體管D23的源極與第四個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D24的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D25、D26和D27串聯(lián),薄膜晶體管D25的源極與第五個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D27的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D28、D29和D30串聯(lián),薄膜晶體管D28的源極與第六個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D30的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D31、D32和D33串聯(lián),薄膜晶體管D31的源極與第七個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D33的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D34、D35和D36串聯(lián),薄膜晶體管D34的源極與第八個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D36的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D37、D38和D39串聯(lián),薄膜晶體管D37的源極與第九個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D39的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D40、D41和D42串聯(lián),薄膜晶體管D40的源極與第十個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D42的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D43、D44和D45串聯(lián),薄膜晶體管D43的源極與第十一個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D45的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D46、D47和D48串聯(lián),薄膜晶體管D46的源極與第十二個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D48的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D49、D50和D51串聯(lián),薄膜晶體管D49的源極與第十三個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D51的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D52、D53和D54串聯(lián),薄膜晶體管D52的源極與第十四個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D54的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D55、D56和D57串聯(lián),薄膜晶體管D55的源極與第十五個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D57的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接；

薄膜晶體管D58、D59和D60串聯(lián),薄膜晶體管D58的源極與第十六個(gè)觸控電極連接，薄膜晶體管D60的漏極與觸控信號(hào)采集端子24連接。

第一控制信號(hào)源21與薄膜晶體管D13、D16、D19、D22、D25、D28、D31、D34、D37、D40、D43、D46、D49、D52、D55、D58的柵極連接；

第二控制信號(hào)源22與薄膜晶體管D14、D17、D20、D23、D26、D29、D32、D35、D38、D41、D44、D47、D50、D53、D56、D59的柵極連接；

第三控制信號(hào)源23與薄膜晶體管D15、D18、D21、D24、D27、D30、D33、D36、D39、D42、D45、D48、D51、D54、D57、D60的柵極連接；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，薄膜晶體管D7～D12、D13、D16、D19、D22、D25、D28、D31、D34、D14、D17、D20、D23、D38、D41、D44、D47、D15、D21、D27、D33、D39、D45、D51、D57為N型薄膜晶體管；薄膜晶體管D1～D6、D37、D40、D43、D46、D49、D52、D55、D58、D26、D29、D32、D35、D50、D53、D56、D59、D18、D24、D30、D36、D42、D48、D54、D60為P型薄膜晶體管。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路使用時(shí)，首先，恒壓電源251提供0V電壓至數(shù)據(jù)線254上，防止數(shù)據(jù)線對(duì)觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號(hào)源252提供高電位的掃描線控制信號(hào)至薄膜晶體管D7～D12，掃描線輸入信號(hào)源253提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號(hào)經(jīng)薄膜晶體管D7～D12傳至掃描線上，由于掃描線255和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)第一、二、五、六、九、十、十三、十四個(gè)觸控電極生成觸控信號(hào)。

接著，第一控制信號(hào)源21、第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D13、D14和D15打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D19、D20和D21打開(kāi)，此時(shí)，由于第一個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第三個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21和第二控制信號(hào)源22提供高電位的控制信號(hào)，第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D16、D17和D18打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D22、D23和D24打開(kāi)，此時(shí)，由于第二個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第四個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21和第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源提22供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D25、D26和D27打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D31、D32和D33打開(kāi)，此時(shí)，由于第五個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第七個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D28、D29和D30打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D34、D35和D36打開(kāi)，此時(shí)，由于第六個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第八個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源21提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D37、D38和D39打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D43、D44和D45打開(kāi)，此時(shí)，由于第九個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第十一個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第九個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源22提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源21和第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D40、D41和D42打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D46、D47和D48打開(kāi)，此時(shí)，由于第十個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第十二個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第十個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源21和第二控制信號(hào)源22提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D49、D50和D51打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D55、D56和D57打開(kāi)，此時(shí)，由于第十三個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第十五個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第十三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21、第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D52、D53和D54打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D58、D59和D60打開(kāi)，此時(shí)，由于第十四個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第十六個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第十四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上。

然后，恒壓電源251提供0V電壓至數(shù)據(jù)線254上，防止數(shù)據(jù)線對(duì)觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號(hào)源252提供低電位的掃描線控制信號(hào)至薄膜晶體管D1～D6，掃描線輸入信號(hào)源253提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號(hào)經(jīng)薄膜晶體管D1～D6傳至掃描線上，由于掃描線255和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)第三、四、七、八、十一、十二、十五、十六個(gè)觸控電極生成觸控信號(hào)。

接著，第一控制信號(hào)源21、第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D13、D14和D15打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D19、D20和D21打開(kāi)，此時(shí)，由于第三個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第一個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21和第二控制信號(hào)源22提供高電位的控制信號(hào)，第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D16、D17和D18打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D22、D23和D24打開(kāi)，此時(shí)，由于第四個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第二個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21和第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源22提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D25、D26和D27打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D31、D32和D33打開(kāi)，此時(shí)，由于第七個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第五個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第七個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21提供高電位的控制信號(hào)，第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D28、D29和D30打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D34、D35和D36打開(kāi)，此時(shí)，由于第八個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第六個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第八個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源21提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D37、D38和D39打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D43、D44和D45打開(kāi)，此時(shí)，由于第十一個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第九個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第十一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第二控制信號(hào)源22提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源21和第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D40、D41和D42打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D46、D47和D48打開(kāi)，此時(shí)，由于第十二個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第十個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第十二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第三控制信號(hào)源23提供高電位的控制信號(hào)，第一控制信號(hào)源21和第二控制信號(hào)源22提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D49、D50和D51打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D55、D56和D57打開(kāi)，此時(shí)，由于第十五個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第十三個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第十五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上；

下一時(shí)刻，第一控制信號(hào)源21、第二控制信號(hào)源22和第三控制信號(hào)源23提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的薄膜晶體管D52、D53和D54打開(kāi)，串聯(lián)的薄膜晶體管D58、D59和D60打開(kāi)，此時(shí)，由于第十六個(gè)觸控電極上生成觸控信號(hào)，第十四個(gè)觸控電極上沒(méi)有生成觸控信號(hào)，所以第十六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子24上。

最后，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，若采集到的所有觸控信號(hào)的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個(gè)觸控信號(hào)跟其他觸控信號(hào)的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現(xiàn)了短路、開(kāi)路。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路通過(guò)電容耦合模塊25觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)，并通過(guò)開(kāi)關(guān)模塊20逐個(gè)采集每個(gè)觸控電極生成的觸控信號(hào)，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測(cè)試，避免造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，提高了生產(chǎn)效率。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。