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一種基于二維材料飽和吸收效應的全光閾值器件及其制備方法和應用與流程

文檔序號:11863194閱讀:來源:國知局
技術總結
本發(fā)明提供了一種基于二維材料飽和吸收效應的全光閾值器件,包括沿光傳播方向設置的光放大器以及與光放大器連接的飽和吸收體,飽和吸收體包括光波導以及包覆在光波導表面的二維材料。該全光閾值器件結構非常簡單,且不需要使用非線性光纖或者非線性PPLN半導體器件,避免現(xiàn)有技術帶來的損耗較大、穩(wěn)定性差或者成本昂貴的缺陷。該全光閾值器件提高了接收信號的信噪比,改善了信號質量,有利于提高光通信系統(tǒng)接收判決性能。本發(fā)明還提供了該全光閾值器件的制備方法,包括:將二維材料包覆在光波導表面,形成飽和吸收體;將光放大器與飽與吸收體通過光纖連接,形成基于二維材料飽和吸收效應的全光閾值器件。該全光閾值器件可用于全光信號處理。

技術研發(fā)人員:張晗;鄭吉林;王可;楊正華;梁志明
受保護的技術使用者:深圳大學
文檔號碼:201610647625
技術研發(fā)日:2016.08.09
技術公布日:2016.11.16

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