技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)設(shè)備。

背景技術(shù)：

由于他們的許多優(yōu)點(diǎn)，諸如低工作電壓、低功耗、便攜性等，液晶顯示器(LCD)設(shè)備具有各種各樣的應(yīng)用，諸如用于筆記本電腦、監(jiān)控器、航空器、宇宙飛船的顯示器。

通常，LCD設(shè)備包括：陣列基板，該陣列基板利用液晶分子的光學(xué)透射率顯示圖像；相對(duì)基板，該相對(duì)基板面對(duì)陣列基板；以及光組件(light assembly)，該光組件將光提供給陣列基板和相對(duì)基板。LCD設(shè)備還包括像素，這些像素能呈現(xiàn)不同的顏色，并且可利用由像素呈現(xiàn)的顏色的組合顯示任意顏色。像素可顯示紅(R)色、綠(G)色、以及藍(lán)(B)色，并且利用R色、G色、以及B色的組合可顯示各種顏色。

像素電極分別設(shè)置在像素中，并且LCD設(shè)備的透射率依據(jù)像素電極的結(jié)構(gòu)而改變。因此，需要一種能夠提高LCD設(shè)備的透射率的像素電極結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供了一種具有能夠提高LCD設(shè)備的透射率的像素電極結(jié)構(gòu)的液晶顯示器(LCD)設(shè)備。

然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于在本文中闡述的那些。對(duì)于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的一個(gè)普通技術(shù)人員而言，通過(guò)參考以下給出的本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的以上和其他示例性實(shí)施方式將變得更顯而易見(jiàn)。

根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式，提供了一種液晶顯示器(LCD)設(shè)備。該LCD設(shè)備包括：第一基板和第二基板，該第一基板和第二基板面向彼此并包括多個(gè)像素；液晶層，該液晶層被置于第一基板與第二基板之間；以及像素電極，該像素電極布置在第一基板上的每一個(gè)像素中。像素電極限定：其第一主干，該第一主干在第一方向上縱向延伸；其第二主干，該第二主干在與第一方向垂直的第二方向上縱向延伸并與第一主干相交以形成十字形狀；其第一邊緣條，該第一邊緣條在第一方向上縱向延伸并連接至第二主干；其第二邊緣條，該第二邊緣條在第二方向上縱向延伸并連接至第一主干；以及其分支，設(shè)置成復(fù)數(shù)，該分支相對(duì)于第一方向或第二方向傾斜地從第一主干或第二主干縱向延伸并終止為與第一邊緣條和第二邊緣條隔開(kāi)。在俯視平面圖中，每一個(gè)第一邊緣條的遠(yuǎn)端與每一個(gè)第二邊緣條的遠(yuǎn)端隔開(kāi)，并且在第二方向上，每一個(gè)第一邊緣條與第二邊緣條分別縱向延伸所沿的線部分地重疊。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式，提供了一種LCD設(shè)備。該LCD設(shè)備包括：第一基板和第二基板，該第一基板和第二基板面向彼此并包括多個(gè)像素；液晶層，該液晶層被置于第一基板與第二基板之間；以及像素電極，該像素電極布置在第一基板上的每一個(gè)像素中。像素電極限定：其第一主干，該第一主干在第一方向上縱向延伸；其第二主干，該第二主干在與第一方向垂直的第二方向上縱向延伸并與第一主干相交以形成十字形狀；其第一邊緣條，該第一邊緣條在第一方向上縱向延伸并連接至第二主干；其第二邊緣條，該第二邊緣條在第二方向上縱向延伸并連接至第一主干；其第一分支，設(shè)置成復(fù)數(shù)，該第一分支相對(duì)于第一方向或第二方向傾斜地從第一主干或第二主干縱向延伸并終止于像素電極的轉(zhuǎn)角處；以及其第二分支，設(shè)置成復(fù)數(shù)，該第二分支相對(duì)于第一方向或第二方向傾斜地從第一主干或第二主干縱向延伸并終止為與第一邊緣條和第二邊緣條隔開(kāi)。在俯視平面圖中，每一個(gè)第一邊緣條的遠(yuǎn)端與每一個(gè)第二邊緣條的遠(yuǎn)端隔開(kāi)，并且在第二方向上，每一個(gè)第一分支與第二邊緣條分別縱向延伸所沿的線部分地重疊。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，具有上述像素電極結(jié)構(gòu)的LCD設(shè)備具有提高的透射率。

從以下詳細(xì)說(shuō)明、附圖、以及權(quán)利要求中，其他特征和示例性實(shí)施方式將顯而易見(jiàn)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述其示例性實(shí)施方式，本公開(kāi)的以上和其他優(yōu)點(diǎn)和特征將變得更顯而易見(jiàn)，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器(LCD)設(shè)備的像素的示例性實(shí)施方式的俯視平面圖。

圖2是沿著圖1中的線I-I’截取的橫截面圖。

圖3是沿著圖1中的線II-II’截取的橫截面圖。

圖4是圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖。

圖5是示出了來(lái)自圖4的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的另一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖。

圖7是示出了來(lái)自圖6的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的又一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖。

圖9是示出了來(lái)自圖8的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備的像素電極的一示例性實(shí)施方式的部分的放大俯視平面圖。

圖11是示出了來(lái)自圖10的像素電極的該部分的光的發(fā)射的照片。

圖12是根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備的像素電極的另一示例性實(shí)施方式的部分的放大俯視平面圖。

圖13是示出了來(lái)自圖12的像素電極的該部分的光的發(fā)射的照片。

圖14是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的又一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖。

圖15是示出了來(lái)自圖14的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

圖16是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的又一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖。

圖17是示出了來(lái)自圖16的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將在下文中參考附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)被解釋為限于在本文中闡述的示例性實(shí)施方式。相反，提供了這些示例性實(shí)施方式使得本公開(kāi)將是透徹且完整的，并且將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。貫穿該說(shuō)明書(shū)，相同的參考標(biāo)號(hào)指代相同的部件。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，層和區(qū)域的厚度被放大。

將理解的是，當(dāng)一元件被稱(chēng)為在另一元件“上”時(shí)，它可直接在其他元件上或者在兩者之間可存在中間元件。相反地，當(dāng)一元件被稱(chēng)為“直接”在另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。如在本文中使用的，“連接”可包括元件物理地和/或電地彼此連接。

將理解的是，盡管在本文中可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開(kāi)。因此，在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，以下論述的第一元件可被稱(chēng)為第二元件。

在本文中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體實(shí)施方式的目的，而非旨在是限制性的。除非上下文另有明確說(shuō)明，否則如在本文中使用的，單數(shù)形式“一(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the)”旨在包括復(fù)數(shù)形式，包括“至少一個(gè)”?！盎颉北硎尽昂?或”。如在本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合。此外將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”、或者“包含(includes)”和/或“含有(including)”指明了闡述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添加。

為了易于描述，可在本文中使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“在...之下(beneath)”、“在...下方(below)”、“較低的(lower)”、“在...上方(above)”、“較高的(upper)”等，以描述如在圖中示出的一個(gè)元件或特征與另一元件(多個(gè)元件)或特征(多個(gè)特征)的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在涵蓋除在圖中描繪的方位之外的設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件將定向在其他構(gòu)件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下方”可涵蓋“在...上方”和“在...下方”的兩種方位。設(shè)備可以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其他方位)并且相應(yīng)地解釋在本文中使用的空間相對(duì)描述符。

考慮到所討論的測(cè)量和與特定量的測(cè)量相關(guān)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的局限性)，如在本文中使用的“大約”或“近似”包括所述值并且表示在如由本領(lǐng)域的一個(gè)普通技術(shù)人員確定的特定值的可接受的偏差范圍內(nèi)。例如，“大約”可表示在一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)，或者在所述值的±30％、20％、10％或5％內(nèi)。

除非另有限定，否則在本文中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與由本公開(kāi)所屬領(lǐng)域的一個(gè)普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。此外將理解的是，術(shù)語(yǔ)(諸如在常用詞典中限定的那些)應(yīng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和本公開(kāi)的上下文中的含義一致的含義，并且將不以理想化或過(guò)分形式的意義來(lái)解釋?zhuān)窃诒疚闹忻鞔_指明這樣限定。

在本文中參照作為理想化實(shí)施方式的示意性說(shuō)明的橫截面圖示來(lái)描述示例性實(shí)施方式。因此，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的圖示的形狀的變化是預(yù)期的。因此，在本文中描述的實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限于如在本文中示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，被示出或描述為平坦的區(qū)域通常可具有粗糙的和/或非線性的特征。此外，示出的尖角可被倒圓。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且他們的形狀并非旨在示出區(qū)域的精確形狀并且并非旨在限制本權(quán)利要求的范圍。

在下文中將參考附圖描述示例性實(shí)施方式。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器(LCD)設(shè)備的像素的示例性實(shí)施方式的俯視平面圖，圖2是沿著圖1的線I-I’截取的橫截面圖，圖3是沿著圖1的線II-II’截取的橫截面圖，并且圖4是圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖。LCD的像素可設(shè)置成復(fù)數(shù)。

參考圖1至圖4，根據(jù)示出的示例性實(shí)施方式的LCD設(shè)備包括陣列基板AS、相對(duì)基板OAS、以及液晶層LCL。

陣列基板AS是薄膜晶體管(TFT)陣列基板，在該薄膜晶體管陣列基板上布置有用于驅(qū)動(dòng)液晶層LCL中的液晶分子LC的TFTs TR，并且相對(duì)基板OAS可以是面向陣列基板AS的顯示基板。

在下文中將描述陣列基板AS。

陣列基板AS包括第一基底基板SUB1。第一基底基板SUB1可以是透明絕緣基板。在一示例性實(shí)施方式中，例如，第一基底基板SUB1可以是玻璃基板、石英基板、透明樹(shù)脂基板等。第一基底基板SUB1可包括具有相對(duì)高熱阻的聚合物或塑料材料。第一基底基板SUB1可以是平板的形狀，但是可在特定方向上彎曲。第一基底基板SUB1在平面圖中可以是具有四條邊的矩形形狀，但是在平面圖中可以是多邊形或圓形形狀或者可具有一些彎曲的邊。

第一基底基板SUB1可以是柔性基板。即，第一基底基板SUB1可通過(guò)旋轉(zhuǎn)、折疊或彎曲而變形。

柵極布線GL、GE和SGE包括柵極線GL、柵電極GE和子?xùn)烹姌OSGE，柵極布線GL、GE和SGE布置在第一基底基板SUB1上。柵極線GL及其部分傳輸柵極信號(hào)并可在第一方向D1上縱向延伸。柵極布線GL、GE和SGE可在第一基底基板SUB1上設(shè)置成復(fù)數(shù)。

柵極布線GL、GE和SGE可包括諸如Al或Al合金的鋁(Al)基金屬、諸如Ag或Ag合金的銀(Ag)基金屬、諸如Cu或Cu合金的銅(Cu)基金屬、諸如Mo或Mo合金的鉬(Mo)基金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等。柵極布線GL、GE和SGE可具有單層結(jié)構(gòu)或者可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有彼此不同的物理特性的兩個(gè)導(dǎo)電膜。在多層結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)導(dǎo)電膜之一可包括相對(duì)低電阻的金屬或者由相對(duì)低電阻的金屬形成，該低電阻的金屬例如為Al基金屬、Ag基金屬、Cu基金屬等，以降低柵極布線GL、GE和SGE中的信號(hào)延遲或壓降，并且另一導(dǎo)電膜可包括相對(duì)于氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)具有良好接觸特性的材料或者由相對(duì)于氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)具有良好接觸特性的材料形成，該相對(duì)于氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)具有良好接觸特性的材料諸如為Mo基金屬、Cr、Ti、Ta等。柵極布線GL、GE和SGE的多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括Cr下膜與Al上膜的組合以及Al下膜與Mo上膜的組合，但是本發(fā)明不限于此。即，柵極布線GL、GE和SGE可包括除在本文中闡述的那些以外的各種金屬和導(dǎo)體材料或者可使用除在本文中闡述的那些以外的各種金屬和導(dǎo)體材料形成。

柵電極GE和子?xùn)烹姌OSGE可各自布置成從柵極線GL伸出。柵極線GL的部分可限定柵電極GE和子?xùn)烹姌OSGE。在布置在第一基底基板SUB1上的其各層之中，柵極線GL、柵電極GE和子?xùn)烹姌OSGE可在陣列基板AS的同一層中。

柵極絕緣層GI布置在柵極布線GL、GE和SGE上。柵極絕緣層GI可包括絕緣材料或者由絕緣材料形成。在一示例性實(shí)施方式中，例如，柵極絕緣層GI可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或相對(duì)高介電常數(shù)材料或者由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或相對(duì)高介電常數(shù)材料形成。柵極絕緣層GI可具有單層結(jié)構(gòu)或者可具多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有彼此不同的物理特性的兩個(gè)絕緣膜。

半導(dǎo)體層SM布置在柵極絕緣層GI上。半導(dǎo)體層SM可布置成與柵電極GE至少部分地重疊。半導(dǎo)體層SM可包括非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體。

盡管沒(méi)有具體地示出，歐姆接觸構(gòu)件可以進(jìn)一步設(shè)置在半導(dǎo)體層SM上。歐姆接觸構(gòu)件可包括摻雜有相對(duì)高濃度的n-型雜質(zhì)或硅化物的n+氫化非晶硅或者由摻雜有相對(duì)高濃度的n-型雜質(zhì)或硅化物的n+氫化非晶硅形成。歐姆接觸構(gòu)件可以布置在半導(dǎo)體層SM上，與半導(dǎo)體層SM上的另一個(gè)歐姆接觸構(gòu)件配對(duì)。響應(yīng)于包括氧化物半導(dǎo)體或者由氧化物半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體層SM，可以不設(shè)置歐姆接觸構(gòu)件。

數(shù)據(jù)布線DL和SE布置在半導(dǎo)體層SM和柵極絕緣層GI上。數(shù)據(jù)布線DL和SE可包括數(shù)據(jù)線DL和源電極SE。

數(shù)據(jù)線DL傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)線DL可在第二方向D2上縱向延伸，該第二方向與第一方向D1相交，并且從而可能與柵極線GL相交。

源電極SE可分叉，并從數(shù)據(jù)線DL突出。數(shù)據(jù)線DL的部分可限定源電極SE。漏電極DE可相對(duì)于柵電極GE與源電極SE隔開(kāi)。在布置在第一基底基板SUB1上的其各層之中，數(shù)據(jù)線DL、源電極SE和漏電極DE可以在陣列基板AS的同一層中。數(shù)據(jù)線DL、源電極SE和漏電極DE可以在第一基底基板SUB1上設(shè)置成復(fù)數(shù)。

彼此隔開(kāi)的源電極SE和漏電極DE可與半導(dǎo)體層SM部分地重疊或接觸半導(dǎo)體層SM，或者彼此隔開(kāi)的源電極SE和漏電極DE可面向彼此并且半導(dǎo)體層SM被置于它們之間。半導(dǎo)體層SM的部分可暴露在隔開(kāi)的源電極SE與漏電極DE之間。TFT TR的溝道可由半導(dǎo)體層SM限定。源電極SE和漏電極DE中的至少一個(gè)可布置成與柵電極GE至少部分地重疊，但是本發(fā)明不限于此。

數(shù)據(jù)布線DL和SE可包括Al、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti、Ta或其合金或者由Al、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti、Ta或其合金形成。數(shù)據(jù)布線DL和SE可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括由難熔金屬形成的下膜和形成在下膜上的相對(duì)低電阻上膜，但是本發(fā)明不限于此。

柵電極GE、源電極SE和漏電極DE可與半導(dǎo)體層SM一起形成TFT TR，并且TFT TR的溝道可限定在半導(dǎo)體層SM的在源電極SE與漏電極DE之間的暴露部分處。TFT TR可電連接至柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL。

漏電極DE可布置成與子?xùn)烹姌OSGE部分地重疊。響應(yīng)于第一基底基板SUB1和第二基底基板SUB2被彎曲，漏電極DE和柵電極GE可彼此未對(duì)準(zhǔn)，并且與漏電極DE重疊的子?xùn)烹姌OSGE可補(bǔ)償可由漏電極DE和柵電極GE的未對(duì)準(zhǔn)引起的誤差。

鈍化層PA布置在柵極絕緣層GI和TFT TR上。鈍化層PA可包括無(wú)機(jī)絕緣材料或者由無(wú)機(jī)絕緣材料形成，并可覆蓋TFT TR。

濾色器CF布置在鈍化層PA上。濾色器CF可允許從第一基底基板SUB1的外部入射到第一基底基板SUB1上的光的特定波段組分的透射而阻礙其他波段組分的透射，并且從而可允許發(fā)射到第二基底基板SUB2的外部的光帶有特定顏色。濾色器CF在LCD內(nèi)可設(shè)置成復(fù)數(shù)。

在一示例性實(shí)施方式中，例如，紅色濾色器是這樣一種類(lèi)型的濾色器CF，即，該紅色濾色器使得紅色可見(jiàn)，使波段在大約580納米(nm)到大約780nm內(nèi)的光透射穿過(guò)該紅色濾色器并吸收(和/或反射)其他波段內(nèi)的光。綠色濾色器是這樣另一種類(lèi)型的濾色器CF，即，該綠色濾色器使得綠色可見(jiàn)，使波段在大約450nm到大約650nm內(nèi)的光透射穿過(guò)該綠色濾色器并吸收(和/或反射)其他波段內(nèi)的光。藍(lán)色濾色器是這樣另一種類(lèi)型的濾色器CF，即，該藍(lán)色濾色器使得藍(lán)色可見(jiàn)，使波段在大約380nm到大約560nm內(nèi)的光透射穿過(guò)該藍(lán)色濾色器并吸收(和/或反射)其他波段內(nèi)的光。紅色濾色器可包括呈現(xiàn)紅色的色素或光敏有機(jī)材料或者由呈現(xiàn)紅色的色素或光敏有機(jī)材料形成，綠色濾色器可包括呈現(xiàn)綠色的色素或光敏有機(jī)材料或者由呈現(xiàn)綠色的色素或光敏有機(jī)材料形成，并且藍(lán)色濾色器可包括呈現(xiàn)藍(lán)色的色素或光敏有機(jī)材料或者由呈現(xiàn)藍(lán)色的色素或光敏有機(jī)材料形成。

響應(yīng)于布置在第一基底基板SUB1上的濾色器CF，濾色器CF和像素電極PE的未對(duì)準(zhǔn)可最小化，即使第一基底基板SUB1和第二基底基板SUB2兩者都被彎曲。這是因?yàn)闉V色器CF和像素電極PE兩者都布置在第一基底基板SUB1上。因此，LCD設(shè)備的透射率可提高。然而，本發(fā)明不限于上述結(jié)構(gòu)。即，在一些示例性實(shí)施方式中，濾色器CF可布置在第二基底基板SUB2上。

盡管沒(méi)有具體地示出，遮光構(gòu)件可進(jìn)一步設(shè)置在鈍化層PA上。遮光構(gòu)件可布置成與TFT TR、數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL重疊，并且從而可減少或有效地防止漏光(該漏光可由液晶分子LC的未對(duì)準(zhǔn)引起)，或者減弱或有效地防止布置在第一基底基板SUB1上的元件對(duì)于用戶(hù)從LCD外部可見(jiàn)。

平坦化層PL布置在濾色器CF上。平坦化層PL可使鈍化層PA的頂部平坦化，并且平坦化層PL可包括有機(jī)材料或者由有機(jī)材料形成。在一示例性實(shí)施方式中，例如，平坦化層PL可包括光敏有機(jī)材料或者由光敏有機(jī)材料形成。

接觸孔CNT被限定為延伸穿過(guò)平坦化層PL和鈍化層PA，接觸孔CNT暴露TFT TR的一部分，并且具體地，暴露漏電極DE的一部分。接觸孔CNT可用作布置在鈍化層PA下方的漏電極DE和布置在平坦化層PL上方的構(gòu)件由此通過(guò)的路徑。

像素電極PE布置在平坦化層PL上。像素電極PE的一部分在接觸孔CNT處物理地連接至漏電極DE，并且像素電極PE的一部分可從漏電極DE接收電壓。像素電極PE可包括透明導(dǎo)電材料或由透明導(dǎo)電材料形成，該透明導(dǎo)電材料諸如ITO、IZO、氧化銦錫鋅(ITZO)或摻鋁氧化鋅(AZO)。

像素電極PE可布置在LCD的每個(gè)像素中。像素電極PE可共同地包括多個(gè)子電極SPE。子電極SPE可彼此物理地連接，可接收相同的電壓并可具有相同的形狀。在示出的示例性實(shí)施方式中，像素電極PE可共同地包括共計(jì)六個(gè)子電極SPE，即，兩個(gè)子電極布置在第一方向D1上，并且三個(gè)子電極布置在第二方向D2上。然而，本發(fā)明不限于此。即，像素電極PE可共同包括多于六個(gè)子電極SPE或者可包括僅一個(gè)子電極SPE。

每一個(gè)子電極SPE均包括：第一主干ST1，該第一主干ST1在第一方向D1上縱向延伸；第二主干ST2，該第二主干ST2在第二方向D2上縱向延伸并與第一主干ST1相交以形成十字形狀；分支BR，該分支BR設(shè)置成復(fù)數(shù)并相對(duì)于第一方向D1或第二方向D2傾斜地(例如，沿對(duì)角地)從第一主干ST1或第二主干ST2延伸；第一邊緣條EGB1，該第一邊緣條EGB1設(shè)置成復(fù)數(shù)，在第一方向D1上延伸并連接至第二主干ST2；以及第二邊緣條EGB2，該第二邊緣條EGB2設(shè)置成復(fù)數(shù)，在第二方向D2上延伸并連接至第一主干ST1。復(fù)數(shù)個(gè)第一邊緣條EGB1和復(fù)數(shù)個(gè)第二邊緣條EGB2分別連接至第一主干ST1的相對(duì)端部和第二主干ST2的相對(duì)端部。從第一主干ST1和第二主干ST2延伸的分支BR終止于與相應(yīng)的邊緣條相距一定距離處。即，分支BR的遠(yuǎn)端與第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2隔開(kāi)。

即，每一個(gè)子電極SPE均可包括：第一主干ST1和第二主干ST2，該第一主干ST1和第二主干ST2以十字形狀布置在相應(yīng)的子電極SPE的中心；分支BR，該分支BR相對(duì)于第一方向D1或第二方向D2傾斜地從第一主干ST1或第二主干ST2縱向延伸；以及第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2，該第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2連接至第一主干ST1和第二主干ST2并沿著相應(yīng)的子電極SPE的外部布置。兩個(gè)第一邊緣條EGB1和兩個(gè)第二邊緣條EGB2可分別沿著相應(yīng)的子電極SPE的四邊布置，該子電極SPE在平面形狀中可以是矩形的。鄰近第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2的遠(yuǎn)端彼此隔開(kāi)。

由于第一主干ST1和第二主干ST2物理地連接至分支BR、第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2，對(duì)整個(gè)相應(yīng)的子電極SPE可提供相同的電壓。分支BR、第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2彼此間隔，并且狹縫SL(該狹縫是其中沒(méi)有布置子電極SPE的透明導(dǎo)電材料的區(qū)域)可限定在鄰近的分支BR、第一邊緣條EGB1與第二邊緣條EGB2之間的間隙中。分支BR、第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2可與共用電極CE相互作用以形成電場(chǎng)，并且液晶分子LC可通過(guò)該電場(chǎng)控制。

每一個(gè)第一邊緣條EGB1可在第二方向D2上與第二邊緣條EGB2的延伸部分地重疊。即，如在圖4中示出的，每一個(gè)第一邊緣條EGB1的遠(yuǎn)端可包括重疊區(qū)OLA，在該重疊區(qū)OLA中，相應(yīng)的第一邊緣條EGB1在第二方向D2上與第二邊緣條EGB2的從第二邊緣條EGB2的端部延伸的由虛線示出的縱向延伸方向重疊。更具體地，每一個(gè)第一邊緣條EGB1在第一方向D1上的第一側(cè)遠(yuǎn)端(例如，右側(cè))可終止于第一方向D1上的第一側(cè)(例如，右側(cè))或者比第二邊緣條EGB2在第一方向D1上的第二側(cè)延長(zhǎng)線(例如，左側(cè))更朝向第一方向D1上的第一側(cè)(例如，右側(cè))。每一個(gè)第一邊緣條EGB1在第一方向D1上的第二側(cè)遠(yuǎn)端(例如，左側(cè))可終止于第一方向上的第二側(cè)(例如，左側(cè))或者比第二邊緣條EGB2的第一側(cè)延長(zhǎng)線(例如，右側(cè))更朝向第一方向上的第二側(cè)(例如，左側(cè))。

子電極SPE的區(qū)域可通過(guò)第一邊緣條EGB1的外邊緣和第二邊緣條EGB2的外邊緣以及由此延伸的虛擬延伸限定。因此，由于第一邊緣條EGB1(該第一邊緣條EGB1是像素電極PE的部分)可布置在通過(guò)相應(yīng)的子電極SPE限定的矩形區(qū)域的轉(zhuǎn)角處，因此LCD設(shè)備的透射率可提高。第一邊緣條EGB1可限定子電極SPE的轉(zhuǎn)角和由此限定的區(qū)域。

在子電極SPE的相對(duì)側(cè)(例如，左側(cè)和右側(cè))處，第一邊緣條EGB1的遠(yuǎn)端的外邊緣可與第二邊緣條EGB2的外縱向邊緣布置成一直線(例如，共線的)以使LCD設(shè)備的透射率最大化。

突起PT布置在像素電極PE上。突起PT可具有凸出的橫截面形狀，可包括有機(jī)材料或者使用有機(jī)材料形成，并在俯視平面圖中可圍繞每一個(gè)子電極SPE的外側(cè)。

突起PT可便于對(duì)液晶分子LC的配向方向的控制。甚至在沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，突起PT的左側(cè)上的液晶分子LC可保持向左傾斜，并且突起PT的右側(cè)上的液晶分子LC可保持向右傾斜。即，在沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，液晶分子LC可以預(yù)定角度預(yù)傾斜。響應(yīng)于施加至液晶層LCL的電場(chǎng)，液晶分子LC可從其初始預(yù)傾斜方向在預(yù)傾斜方向上進(jìn)一步傾斜。因此，液晶分子LC在錯(cuò)誤方向上(例如，不同于預(yù)傾斜方向)的傾斜可最小化，并且因此，LCD設(shè)備的透射率可提高。

突起PT可通過(guò)與每一個(gè)子電極SPE的第一邊緣條EGB1和第二邊緣條EGB2相互作用而使LCD設(shè)備的透射率進(jìn)一步最大化。更具體地，鄰近的子電極SPE的兩個(gè)第一邊緣條EGB1或兩個(gè)第二邊緣條EGB2可連續(xù)地(in series)布置，并且液晶分子LC可相對(duì)于布置在兩個(gè)第一邊緣條EGB1或兩個(gè)第二邊緣條EGB2之間的突起PT在不同的方向上精確地控制。參考圖1和圖3，突起PT與鄰近的子電極SPE的兩個(gè)鄰近的第二邊緣條EGB2中的每一個(gè)第二邊緣條重疊。

在下文中將描述相對(duì)基板OAS。

相對(duì)基板OAS包括第二基底基板SUB2、保護(hù)層OC和共用電極CE。

相對(duì)基板OAS包括第二基底基板SUB2。第二基底基板SUB2可以是透明絕緣基板。在一示例性實(shí)施方式中，例如，第二基底基板SUB2可以是玻璃基板、石英基板、透明樹(shù)脂基板等。第二基底基板SUB2可包括具有相對(duì)高熱阻的聚合物或塑料材料。第一基底基板SUB1可以是平板的形狀，但是可在特定方向上彎曲。

在一些示例性實(shí)施方式中，第二基底基板SUB2可以是柔性基板。即，第二基底基板SUB2可通過(guò)旋轉(zhuǎn)、折疊或彎曲而變形。

保護(hù)層OC布置在第二基底基板SUB2上。保護(hù)層OC減輕由布置在第二基底基板SUB2上的各層限定的階梯差異。保護(hù)層OC可省略。

共用電極CE布置在保護(hù)層OC上。共用電極CE可具有這樣的形式，即，為沒(méi)有特定開(kāi)口圖案的形狀。響應(yīng)于沒(méi)有特定開(kāi)口圖案的共用電極CE，可減輕或有效地防止共用電極CE與LCD設(shè)備的其他構(gòu)件的未對(duì)準(zhǔn)，即使第一基底基板SUB1和第二基底基板SUB2諸如從其平坦?fàn)顟B(tài)彎曲。因此，LCD設(shè)備的透射率的任何降低可最小化。

然而，本發(fā)明不限于此。即，共用電極CE可包括限定在其中的特定開(kāi)口圖案。響應(yīng)于具有特定開(kāi)口圖案的共用電極CE，可便于對(duì)由共用電極CE和像素電極PE(該像素電極PE布置成面向共用電極CE)形成的電場(chǎng)的方向的控制，并且因此可便于對(duì)液晶分子LC的配向方向的控制。

共用電極CE可包括透明導(dǎo)電材料或者由透明導(dǎo)電材料形成，該透明導(dǎo)電材料諸如ITO、IZO、ITZO、AZO等。

在下文中將描述液晶層LCL。

液晶層LCL包含液晶分子LC，該液晶分子LC具有介電各向異性。液晶分子LC可以是相對(duì)于陣列基板AS和相對(duì)基板OAS兩者在垂直方向上排列在陣列基板AS與相對(duì)基板OAS之間的垂直配向(“VA”)類(lèi)型的液晶分子LC。響應(yīng)于施加在陣列基板AS與相對(duì)基板OAS之間的電場(chǎng)，液晶分子LC可根據(jù)電場(chǎng)的強(qiáng)度在陣列基板AS與相對(duì)基板OAS之間以特定斜度傾斜，并且因此可允許或阻礙光的透射。

圖5是示出了來(lái)自圖4中的LCD設(shè)備的A區(qū)的光的發(fā)射的照片，圖6是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的另一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖，并且圖7是示出了來(lái)自圖6的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

在圖1至圖7中，相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同的元件，并且因此，其詳細(xì)說(shuō)明將省略。

參考圖4和圖6，在圖6的子電極SPE_a中，與圖4中的子電極SPE不同，沒(méi)有重疊區(qū)(圖4中的OLA)，在該重疊區(qū)中，每一個(gè)第一邊緣條EGB1_a與第二邊緣條EGB2_a在第二方向D2上縱向延伸的虛擬延伸重疊。第一邊緣條EGB1_a在第一方向D1上的長(zhǎng)度可比第二邊緣條EGB2_a之間在第一方向D1上的距離短。即，在由子電極SPE_a的邊緣限定的區(qū)域的轉(zhuǎn)角處，既不布置第一邊緣條EGB1_a也不布置第二邊緣條EGB2_a。

參考圖5，大量的光在其中布置有子電極SPE的區(qū)域的轉(zhuǎn)角處透射穿過(guò)子電極SPE，并且子電極SPE在其轉(zhuǎn)角處相對(duì)地照亮。參考圖7，在其中布置有子電極SPE_a的區(qū)域的轉(zhuǎn)角處透射穿過(guò)圖6的子電極SPE_a的光的量可相對(duì)地小，并且圖6的子電極SPE_a在其轉(zhuǎn)角處可相對(duì)地黑暗。即，響應(yīng)于形成為像在圖4的子電極SPE中那樣延伸得相對(duì)長(zhǎng)的第一邊緣條EGB1，透射穿過(guò)其中布置有子電極SPE的區(qū)域的光的量可相對(duì)地增加，并且因此，整個(gè)LCD設(shè)備的光學(xué)透射率可提高。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的又一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖，并且圖9是示出了來(lái)自圖8的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

參考圖8和圖9，每一個(gè)第二邊緣條EGB2_b可與第一邊緣條EGB1_b在第一方向D1上的虛擬延長(zhǎng)線(虛線)部分地重疊。更具體地，每一個(gè)第二邊緣條EGB2_b可包括重疊區(qū)OLA，在該重疊區(qū)OLA處，相應(yīng)的第二邊緣條EGB2_b與第一邊緣條EGB1_b在第一方向D1上的虛擬延伸重疊。

即，在圖8的子電極SPE_b中，每一個(gè)第二邊緣條EGB2_b均具有重疊區(qū)OLA，然而在圖4的子電極SPE中，每一個(gè)第一邊緣條EGB1均具有重疊區(qū)OLA。

參考圖9，大量的光在由子電極SPE_b的邊緣限定的區(qū)域的轉(zhuǎn)角處透射，并且LCD設(shè)備的光學(xué)透射率可進(jìn)一步提高。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備的像素電極的一示例性實(shí)施方式的一部分的放大俯視平面圖，圖11是示出了來(lái)自圖10的像素電極的該部分的光的發(fā)射的照片，圖12是根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備的像素電極的一部分的另一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖，并且圖13是示出了來(lái)自圖12的像素電極的該部分的光的發(fā)射的照片。

更具體地，圖10和圖11示出了像素電極PE，在該像素電極PE中，彼此鄰近的四個(gè)子電極SPE_c11、SPE_c12、SPE_c21、以及SPE_c22布置成矩陣。

參考圖10和圖11，子電極SPE_c11的第一邊緣條和子電極SPE_c12的第一邊緣條(子電極SPE_c11的第一邊緣條和子電極SPE_c12的第一邊緣條在第一方向D1上彼此鄰近)彼此連接以限定第一邊緣條EGB1_c1，并且子電極SPE_c21的第一邊緣條和子電極SPE_c22的第一邊緣條(子電極SPE_c21的第一邊緣條和子電極SPE_c22的第一邊緣條在第一方向D1上彼此鄰近)彼此連接以限定第一邊緣條EGB1_c2。因此，布置于在四個(gè)子電極SPE_c11、SPE_c12、SPE_c21、以及SPE_c22(四個(gè)子電極SPE_c11、SPE_c12、SPE_c21、以及SPE_c22布置成矩陣)之中限定的中心處或附近的液晶分子LC由第一邊緣條EGB1_c1和第一邊緣條EGB1_c2控制，并且因此，LCD設(shè)備的透射率可提高。

參考圖12和圖13，子電極SPE_d11的第一邊緣條EGB1_d11和子電極SPE_d12的第一邊緣條EGB1_d12(子電極SPE_d11的第一邊緣條EGB1_d11和子電極SPE_d12的第一邊緣條EGB1_d12在第一方向D1上彼此鄰近)不連接(例如，子電極SPE_d11的第一邊緣條EGB1_d11的遠(yuǎn)端和子電極SPE_d12的第一邊緣條EGB1_d12的遠(yuǎn)端在第一方向D1上彼此隔開(kāi))，并且子電極SPE_d21的第一邊緣條EGB1_d21和子電極SPE_d22的第一邊緣條EGB1_d22(子電極SPE_d21的第一邊緣條EGB1_d21和子電極SPE_d22的第一邊緣條EGB1_d22在第一方向D1上彼此鄰近)不連接(例如，子電極SPE_d21的第一邊緣條EGB1_d21的遠(yuǎn)端和子電極SPE_d22的第一邊緣條EGB1_d22的遠(yuǎn)端在第一方向D1上彼此隔開(kāi))。因此，對(duì)布置于在四個(gè)子電極SPE_d11、SPE_d12、SPE_d21、以及SPE_d22(四個(gè)子電極SPE_d11、SPE_d12、SPE_d21、以及SPE_d22布置成矩陣)之中限定的中心處或附近的液晶分子LC的控制力可相對(duì)地微弱，并且因此，在子電極SPE_d11、SPE_d12、SPE_d21、以及SPE_d22之中的中心處可形成黑暗區(qū)域，如在圖13中示出的。

即，圖10的像素電極PE可進(jìn)一步提高LCD設(shè)備的透射率。

本發(fā)明不特別地限于該示例性實(shí)施方式，在該示例性實(shí)施方式中，子電極SPE_c11的第一邊緣條和子電極SPE_c12的第一邊緣條(子電極SPE_c11的第一邊緣條和子電極SPE_c12的第一邊緣條在第一方向D1上彼此鄰近)彼此連接以限定第一邊緣條EGB1_c1，并且子電極SPE_c21的第一邊緣條和子電極SPE_c22的第一邊緣條(子電極SPE_c21的第一邊緣條和子電極SPE_c22的第一邊緣條在第一方向D1上彼此鄰近)彼此連接以限定第一邊緣條EGB1_c2。即，第二方向D2上的一對(duì)鄰近的子電極SPE的第二邊緣條也可彼此連接。即，第二邊緣條EGB2_c11和EGB2_c21可彼此連接以限定單個(gè)連續(xù)的第二邊緣條，并且第二邊緣條EGB2_c12和EGB2_c22可彼此連接以限定單個(gè)連續(xù)的第二邊緣條。

再次參考圖12和圖13，第二邊緣條EGB2_d11和第二邊緣條EGB2_d21(第二邊緣條EGB2_d11和第二邊緣條EGB2_d21在第二方向D2上彼此鄰近)不連接(例如，第二邊緣條EGB2_d11的遠(yuǎn)端和第二邊緣條EGB2_d21的遠(yuǎn)端在第二方向D2上彼此隔開(kāi))，并且第二邊緣條EGB2_d12和第二邊緣條EGB2_d22(第二邊緣條EGB2_d12和第二邊緣條EGB2_d22在第二方向D2上彼此鄰近)不連接(例如，第二邊緣條EGB2_d12的遠(yuǎn)端和第二邊緣條EGB2_d22的遠(yuǎn)端在第二方向D2上彼此隔開(kāi))。因此，對(duì)布置于在四個(gè)子電極SPE_d11、SPE_d12、SPE_d21、以及SPE_d22(四個(gè)子電極SPE_d11、SPE_d12、SPE_d21、以及SPE_d22布置成矩陣)之中限定的中心處或附近的液晶分子LC的控制力可相對(duì)地微弱，并且因此，在子電極SPE_d11、SPE_d12、SPE_d21、以及SPE_d22之中的中心處可形成黑暗區(qū)域，如在圖13中示出的。

圖14是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的又一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖，并且圖15是示出了來(lái)自圖14的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

參考圖14，子電極SPE_e包括：第一主干ST1，該第一主干ST1在第一方向D1上縱向延伸；第二主干ST2，該第二主干ST2在第二方向D2上縱向延伸并與第一主干ST1相交以形成十字形狀；第一分支BR1_e，該第一分支BR1_e設(shè)置成復(fù)數(shù)；以及第二分支BR2_e，該第二分支BR2_e設(shè)置成復(fù)數(shù)，各自從第一主干ST1或第二主干ST2縱向延伸；第一邊緣條EGB1_e，該第一邊緣條EGB1_e設(shè)置成復(fù)數(shù)，在第一方向D1上縱向延伸并連接至第二主干ST2；以及第二邊緣條EGB2_e，該第二邊緣條EGB2_e設(shè)置成復(fù)數(shù)，在第二方向D2上縱向延伸并連接至第一主干ST1。

第一分支BR1_e可分別朝向由子電極SPE_e的邊緣限定的矩形區(qū)域的四個(gè)轉(zhuǎn)角延伸。第一分支BR1_e的遠(yuǎn)端終止于矩形區(qū)域的轉(zhuǎn)角處，并且可在轉(zhuǎn)角處限定子電極SPE_e的邊緣。

每一個(gè)第一分支BR1_e可與第二邊緣條EGB2_e之一在第二方向D2上的虛擬延伸(虛線)部分地重疊。即，如在圖14中示出的，每一個(gè)第一分支BR1_e可包括重疊區(qū)OLA，在該重疊區(qū)OLA中，相應(yīng)的第一分支BR1_e的遠(yuǎn)端與第二邊緣條EGB2_e之一在第二方向D2上的虛擬延伸重疊。

因此，第一分支BR1_e的長(zhǎng)度可比最接近相應(yīng)的第一分支BR1_e的第二分支BR2_e的長(zhǎng)度長(zhǎng)。每一個(gè)第一分支BR1_e還可與第一邊緣條EGB1_e之一在第一方向D1上的虛擬延伸部分地重疊。

第一分支BR1_e的外邊緣限定成在其縱向方向上延伸。第一邊緣條EGB1_e的遠(yuǎn)端和第二邊緣條EGB2_e的遠(yuǎn)端限定其邊緣，第一邊緣條EGB1_e的邊緣和第二邊緣條EGB2_e的邊緣與第一分支BR1_e的外邊緣不平行。即，第一邊緣條EGB1_e的遠(yuǎn)端邊緣和第二邊緣條EGB2_e的遠(yuǎn)端邊緣可與其縱向邊緣垂直。

由于第一分支BR1_e(第一分支BR1_e是像素電極PE的部分)可布置在矩形區(qū)域(在該矩形區(qū)域中布置有相應(yīng)的子電極SPE_e)的轉(zhuǎn)角處并限定矩形區(qū)域的轉(zhuǎn)角，因此LCD設(shè)備的透射率可提高。

參考圖15，大量的光在其中布置有子電極SPE_e的區(qū)域的轉(zhuǎn)角處透射穿過(guò)子電極SPE_e，并且與圖4的子電極SPE不同，子電極SPE_e照亮其轉(zhuǎn)角。因此LCD的透射率可提高。

圖16是根據(jù)本發(fā)明的圖1中的LCD設(shè)備的A區(qū)的又一示例性實(shí)施方式的放大俯視平面圖，并且圖17是示出了來(lái)自圖16的A區(qū)的光的發(fā)射的照片。

參考圖16，每一個(gè)第一邊緣條EGB1_f在第一方向D1上的遠(yuǎn)端(例如，左端和右端)可限定與最鄰近相應(yīng)的第一邊緣條EGB1_f的第一分支BR1_f的外邊緣延伸所沿的方向平行的邊緣。因此，每一個(gè)第一邊緣條EGB1_f在第一方向D1上的遠(yuǎn)端與最鄰近相應(yīng)的第一邊緣條EGB1_f的第一分支BR1_f之間的間隙可最小化，并可均勻地保持。因此，子像素SPE_f的透射率在每一個(gè)第一邊緣條EGB1_f在第一方向D1上的兩側(cè)處或附近可提高。

第二邊緣條EGB2_f可具有與第一邊緣條EGB1_f基本相同的形狀。即，每一個(gè)第二邊緣條EGB2_f在第二方向D2上的遠(yuǎn)端(例如，頂端和底端)可限定與最鄰近相應(yīng)的第二邊緣條EGB2_f的第一分支BR1_f的外邊緣延伸所沿的方向平行的邊緣。因此，每一個(gè)第二邊緣條EGB2_f在第二方向D2上的遠(yuǎn)端與最鄰近相應(yīng)的第二邊緣條EGB2_f的第一分支BR1_f之間的間隙可最小化，并且可均勻地保持。因此，子像素SPE_f的透射率在每一個(gè)第二邊緣條EGB2_f在第二方向D2上的兩側(cè)處或附近可提高。

參考圖17，在子電極SPE_f中，大量的光在每一個(gè)第一邊緣條EGB1_f在第一方向D1上的兩側(cè)處和每一個(gè)第二邊緣條EGB2_f在第二方向D2上的兩側(cè)處或附近被透射，并且子電極SPE_f可提高LCD設(shè)備的光學(xué)透射率。

然而，本發(fā)明的效果不限于在本文中闡述的效果。對(duì)于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的一個(gè)普通技術(shù)人員而言，通過(guò)參考權(quán)利要求，本發(fā)明的以上和其他效果將變得更顯而易見(jiàn)。