本發(fā)明涉及圖像形成設備和圖像形成方法。

背景技術：

存在一種設置有包括紫外線照射設備的定影設備的圖像形成設備，其中使包含在液體顯影劑中的紫外線固化劑固化，從而使液體顯影劑定影在如紙等記錄介質上。包括紫外線照射設備的定影設備可使液體顯影劑幾乎瞬間固化，因而用于高速UV膠版印刷設備或UV噴墨記錄設備中的干燥等。然而，隨著定影設備的圖像輸出速度提高，定影設備必須在較短的時間內使液體顯影劑定影，因而要求增大來自紫外線照射設備的紫外線的照度。然而，如果紫外線的照度增大，則圖像形成設備的功耗傾向于增大。

日本專利申請?zhí)亻_No.2007-083574記載了用于解決上述高速機(其中圖像輸出速度高的圖像形成設備)的功耗增大的問題的技術。具體地，日本專利申請?zhí)亻_No.2007-083574記載了下列技術：在用紫外線照射記錄介質上的液體顯影劑之前，通過熱板溫熱記錄介質以加熱紫外線固化劑，從而以低的紫外線的照度使紫外線固化劑固化。

然而，在日本專利申請?zhí)亻_No.2007-083574中記載的技術中，記錄介質通過熱板溫熱，因而紫外線固化劑難以有效加熱。于是該技術具有以下問題：熱板的功耗和紫外線照射設備的功耗的總和大于紫外線固化劑僅通過紫外線照射設備固化時的功耗。

技術實現要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明旨在提供其中抑制定影設備的總功耗增大的圖像形成設備。

根據本發(fā)明的一方面，提供一種設置有定影設備的圖像形成設備，所述定影設備包括：用紅外線照射記錄介質的紅外線照射單元，其中所述記錄介質上載有包含著色劑和具有C-H鍵的陽離子聚合性單體的液體顯影劑；和用紫外線照射液體顯影劑的紫外線照射單元，其中當陽離子聚合性單體的紅外吸收光譜中歸因于C-H鍵的峰值波長定義為λ1，和從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的光譜輻射能量密度為50％時的半值波長(當存在兩個此類半值波長時，較長波長側的半值波長)定義為λ2時，峰值波長λ1位于與半值波長λ2相比較短波長側。

根據本發(fā)明，從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的波長分布與陽離子聚合性單體的吸收波長分布重疊，從而使定影設備總功耗的增大得到抑制。稍后描述短語“紅外線的波長分布與陽離子聚合性單體的吸收波長分布重疊”。

參考附圖，從以下示例性實施方案的描述中，本發(fā)明進一步的特征將變得明顯。

附圖說明

圖1為示出本發(fā)明中定影設備的示意性構造的一個實例的側面圖。

圖2為將由紫外線固化的液體顯影劑的截面圖。

圖3為示出紫外線照射設備所配備的LED陣列的一個實例的圖。

圖4為示出本發(fā)明中定影設備的示意性構造的另一實例的側面圖。

圖5為示出紫外線照射設備的照度沿輸送方向的分布的圖。

圖6為示出紅外線照射區(qū)域、紫外線照射區(qū)域、紅外線照度和紫外線照度之間的關系的圖。

圖7為示出固化所需的累積光量對用紫外線照射時的液體顯影劑的表面溫度的圖。

圖8為示出第一實施方案和比較例各自中的來自紅外線照射設備的照射光的波長分布和顯影劑的吸收波長分布的圖。

圖9為描述紫外線LED的電源控制電路的圖。

圖10為描述記錄介質卡在圖像形成設備內時的檢測流程的流程圖。

圖11為示出第二實施方案中來自紅外線照射設備的照射光的波長分布和顯影劑的吸收波長分布的圖。

圖12為示出紅外線的波長變化的圖。

具體實施方式

現將根據附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。

本發(fā)明的圖像形成設備設置有定影設備，所述定影設備包括：

用紅外線照射記錄介質的紅外線照射單元，其中所述記錄介質上載有包含著色劑和具有C-H鍵的陽離子聚合性單體的液體顯影劑，和

用紫外線照射液體顯影劑的紫外線照射單元，

其中當陽離子聚合性單體的紅外吸收光譜中歸因于C-H鍵的峰值波長定義為λ1，和從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的光譜輻射能量密度為50％時的半值波長(當存在兩個此類半值波長時，較長波長側的半值波長)定義為λ2時，峰值波長λ1位于與半值波長λ2相比較短波長側。

因此，定影設備的總功耗(紅外線照射單元的功耗和紫外線照射單元的功耗的總和)的增大可得到抑制。

本發(fā)明中，將具有C-H鍵的陽離子聚合性單體用于紫外線固化劑。

從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的峰值波長可基本上等于具有C-H鍵的陽離子聚合性單體的吸收波長的峰值波長。稍后描述短語“基本上等于”。

液體顯影劑可包含

具有C-H鍵的陽離子聚合性單體、光聚合引發(fā)劑，和

包含著色劑且不溶于所述陽離子聚合性單體的調色劑顆粒。

陽離子聚合性單體優(yōu)選為不僅具有C-H鍵而且還具有C＝C鍵的單體，更優(yōu)選乙烯基醚類化合物。

光聚合引發(fā)劑可以為由下式(1)表示的化合物。

式(1)中，R¹和R²彼此結合以形成環(huán)結構，X表示碳原子數且表示1至8的整數，和Y表示氟原子數且表示3至17的整數。

液體顯影劑包含由式(1)表示的光聚合引發(fā)劑，因而不必需使用可使得良好定影、但同時傾向于降低液體顯影劑的電阻的離子性光酸產生劑。

作為光聚合引發(fā)劑的由式(1)表示的化合物用紫外線照射，因而光分解以生成作為強酸的磺酸。液體顯影劑還可進一步包含敏化劑，以使敏化劑對紫外線的吸收充當引發(fā)物，從而進行光聚合引發(fā)劑的分解和磺酸的生成。

由R¹和R²結合形成的環(huán)結構的實例包括5元環(huán)和6元環(huán)。環(huán)結構還可以具有如烷基、烷氧基、烷硫基、芳基和芳氧基等取代基。如具有或不具有取代基的脂環(huán)、雜環(huán)和芳香環(huán)等其它環(huán)結構也可以稠合成上述環(huán)結構。

電子吸引性大的C_XF_Y基團為氟碳基團(fluorocarbon group)，并且為被紫外線照射從而分解磺酸酯部分的官能團。C_XF_Y基團中的X表示碳原子數并且可表示1至8的整數(X＝1～8)。另外，C_XF_Y基團中的Y表示氟原子數并且可表示3至17的整數(Y＝3～17)。

當碳原子數為1以上時，強酸的生成(合成)容易進行。當碳原子數為8以下時，貯存穩(wěn)定性優(yōu)異。當氟原子數為3以上時，作為強酸的作用優(yōu)異。當氟原子數為17以下時，強酸的生成(合成)容易進行。

式(1)中，C_XF_Y基團包括

其中氫原子被氟原子取代的直鏈狀烷基(RF1)、

其中氫原子被氟原子取代的支鏈狀烷基(RF2)、

其中氫原子被氟原子取代的環(huán)烷基(RF3)、和

其中氫原子被氟原子取代的芳基(RF4)。

RF1的實例包括三氟甲基(X＝1,Y＝3)、五氟乙基(X＝2,Y＝5)、七氟正丙基(X＝3,Y＝7)、九氟正丁基(X＝4,Y＝9)、全氟正己基(X＝6,Y＝13)和全氟正辛基(X＝8,Y＝17)。

RF2的實例包括全氟異丙基(X＝3,Y＝7)、全氟叔丁基(X＝4,Y＝9)和全氟2-乙基己基(X＝8,Y＝17)。

RF3的實例包括全氟環(huán)丁基(X＝4,Y＝7)、全氟環(huán)戊基(X＝5,Y＝9)、全氟環(huán)己基(X＝6,Y＝11)和全氟(1-環(huán)己基)甲基(X＝7,Y＝13)。

RF4的實例包括五氟苯基(X＝6,Y＝5)和3-三氟甲基四氟苯基(X＝7,Y＝7)。

作為式(1)中的C_XF_Y基團，在由式(1)表示的化合物的可獲得性和磺酸酯部分的分解性方面，RF1、RF2和RF4是優(yōu)選的，特別是RF1和RF4是更優(yōu)選的。三氟甲基(X＝1,Y＝3)、五氟乙基(X＝2,Y＝5)、七氟正丙基(X＝3,Y＝7)、九氟正丁基(X＝4,Y＝9)和五氟苯基(X＝6,Y＝5)是特別優(yōu)選的。

陽離子聚合性單體的實例包括二環(huán)戊二烯乙烯基醚、環(huán)己烷二甲醇二乙烯基醚、三環(huán)癸烷乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、2-乙基-1,3-己二醇二乙烯基醚、2,4-二乙基-1,5-戊二醇二乙烯基醚、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二乙烯基醚、新戊二醇二乙烯基醚、季戊四醇四乙烯基醚和1,2-癸二醇二乙烯基醚。

下文中，參照附圖描述本發(fā)明的實施方案。

(第一實施方案)

圖1為示出本發(fā)明中定影設備的示意性構造的側面圖。

如圖1所示，定影設備11包括紫外線照射設備12和紅外線照射設備13。將其上載有液體顯影劑15的記錄介質16置于輸送帶14上并輸送，并通過紅外線照射設備13用紅外線照射液體顯影劑15，并且通過紫外線照射設備12用紫外線照射液體顯影劑15。

圖2為將由紫外線固化的液體顯影劑的截面圖。

圖2示出的液體顯影劑15包含紫外線固化劑21和調色劑顆粒22。圖2示出的液體顯影劑15的紫外線固化劑21包含陽離子聚合性單體和光聚合引發(fā)劑。調色劑顆粒22包含粘結劑樹脂(調色劑樹脂)23和著色劑24，并且不溶于所述陽離子聚合性單體。在陽離子聚合時，當紫外線固化劑21用紫外線照射時，由紫外線激發(fā)的光聚合引發(fā)劑生成酸，并引發(fā)生成的酸與陽離子聚合性單體的聚合反應，從而使紫外線固化劑固化。

圖1的紫外線照射設備包括用紫外線的照射用的LED(發(fā)光二極管(Light Emitting Diode))作為紫外線的光源。對于紫外線固化反應重要的是滿足光化學第一定律(格羅薩斯-德雷帕定律(Grotthuss-Drapper Law))，即，允許“僅由投射光量的被吸收光部分引發(fā)光化學變化”。即，對于紫外線固化重要的是光聚合引發(fā)劑的吸收波長等于紫外線的波長。由于在365±5nm、385±5nm和405±5nm處具有峰值波長(峰值照度)作為LED波長的LED光源是普遍的，因此光聚合引發(fā)劑可以在此波長區(qū)域具有吸收。

圖3為示出紫外線照射設備所包括的LED陣列的一個實例的圖。

用紫外線的照射用的LED31可沿著與記錄介質的輸送方向垂直的長邊方向排列成一列或排列成多列。用紫外線的照射用的LED31配置在與輸送帶14相對的表面上。

圖5為示出紫外線照射設備的照度沿輸送方向的分布的圖，其中紫外線的照度峰的照度強度為1.8W/cm²，并且照度峰在385±5nm范圍內的波長處。這里，圖5中的單位[a.u.]表示任意單位。對于圖6、8、11和12大致也是如此。

圖5中，在LED正下方的位置(紫外線照度傳感器安裝位置：0(mm))和作為被輸送物的記錄介質的表面位置處的最大照度被稱作峰值照度。5mm、10mm、15mm和20mm的紫外線照度傳感器安裝位置意指從LED正下方的位置沿輸送方向分別前進5mm、10mm、15mm和20mm的位置。

每單位面積接收的照射能量意指到達表面的光子的總量，即，“累積光量(mJ/cm²)”，并且由紫外線照射設備的各波長的累積照度(mW/cm²)與照射時間(s)的乘積((mW/cm²)×(s))來獲得。

如上所述，被輸送的記錄介質的輸送速度越高，記錄介質被照射的時間(照射時間)越短，結果，“累積光量(mJ/cm²)”越小，且液體顯影劑越不太可能固化。因此，為了使越是使用高速機使顯影劑固化所需的累積光量越小，需要使紫外線固化劑最優(yōu)化或者需要選擇紫外線照射設備具有較高照度(mW/cm²)的光源。

圖1所示的紅外線照射設備13為其中通過光源進行用波長在遠紅外區(qū)(波長為約1至15μm)的紅外線的照射的設備。具有C-H鍵的有機物的化學鍵的振動吸收波長一般在遠紅外區(qū)，因而有機物可以通過用遠紅外線照射而得到有效加熱。例如，C-H鍵吸收波長為約3.0μm的紅外線。C＝O鍵吸收波長為約5.9μm的紅外線。

用遠紅外區(qū)的紅外線(遠紅外線)的照射用的設備的實例包括鹵素加熱器、石英管加熱器和陶瓷加熱器。

鹵素加熱器為其中對鎢絲通電從而加熱鎢絲、允許用波長為約800nm至3,000nm的紅外線(遠紅外線)的照射的加熱器。

石英管加熱器為其中對鎳鉻線絲通電從而加熱該絲、允許用波長為約2,500nm至7,000nm的紅外線(遠紅外線)照射的加熱器。

當陶瓷加熱器為氧化鋁陶瓷加熱器時，可以進行用具有長波長(波長為6,000nm以上)的紅外線(遠紅外線)的照射。

從絲發(fā)出的紅外線被在紅外區(qū)具有高反射率的金屬(反光鏡)反射。將反射的紅外線施加至記錄介質上的液體顯影劑(照射用)，從而促進液體顯影劑內的分子振動，導致液體顯影劑的溫度上升。例如，由高純度鋁制成的反射板可在紅外區(qū)具有高反射率，從而使紅外線得到有效反射。

圖6示出在距離加熱器450mm的位置處液體顯影劑的溫度分布。

圖6為示出紅外線照射區(qū)域、紫外線照射區(qū)域、紅外線照度和紫外線照度之間的關系的圖。

紅外線照射區(qū)域定義為達到峰值照度的90％以上的區(qū)域。紫外線照射區(qū)域定義為達到峰值照度的30％以上的區(qū)域。雖然與紫外線照射區(qū)域相比紅外線照射區(qū)域較寬，但紅外線照射區(qū)域可以通過改變反光鏡的形狀而變化。

如圖4所示，紅外線照射區(qū)域的中心也可以位于紫外線照射區(qū)域的中心的上游側(圖4左側)。

下文中，研究了紅外線照射區(qū)域的中心位于紫外線照射區(qū)域的中心的上游側的情況，并記述了結果。

圖1中，除了一般的紙(普通紙)以外，用于軟包裝的透明或不透明的非吸收性樹脂膜可用作記錄介質。樹脂膜的樹脂的實例包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酯、聚酰亞胺、聚丙烯、聚苯乙烯和聚碳酸酯。

圖7為示出固化所需累積光量(mJ/cm²)對用紫外線照射時的液體顯影劑的表面溫度的圖。

圖7中，紫外線照射設備用于用紫外線的照射，其中光譜照度的最大值在385±5nm的范圍內。如圖7所示，當UV照射時的表面溫度(用紫外線照射時的液體顯影劑的表面溫度)升高時，固化所需的累積光量(mJ/cm²)減小。

包含在液體顯影劑中的具有C-H鍵的陽離子聚合性單體(紫外線固化劑)通過將以下單體混合而獲得：

約10質量％的由下式(2)表示的具有一個乙烯基醚基的單官能單體、和

約90質量％的由下式(3)表示的具有兩個乙烯基醚基的雙官能單體以相對于具有C-H鍵的陽離子聚合性單體為0.1質量％的量包含由下式(4)表示的化合物作為光聚合引發(fā)劑。當使用光聚合引發(fā)劑時，不必需使用可使得良好定影、但同時傾向于降低液體顯影劑的電阻的離子性光酸產生劑。

(比較例)

除了將鹵素加熱器用作加熱器來代替使用石英管加熱器以外，比較例與第一實施方案相同。將其上載有液體顯影劑15的記錄介質16置于輸送帶14上并輸送，并通過紅外線照射設備13用紅外線照射液體顯影劑15，并且通過紫外線照射設備12用紫外線照射液體顯影劑15。

液體顯影劑15包含紫外線固化劑21和調色劑顆粒22。紫外線固化劑包含陽離子聚合性單體和光聚合引發(fā)劑。調色劑顆粒包含粘結劑樹脂(調色劑樹脂)23和著色劑24，并且不溶于陽離子聚合性單體。

圖8為示出第一實施方案和比較例各自中的來自紅外線照射設備的照射光的波長分布和顯影劑的吸收波長分布的圖。吸收峰在陽離子聚合性單體的吸收波長處。

在第一實施方案中，使用石英管加熱器。在此情況下，紅外線的發(fā)射波長與陽離子聚合性單體的吸收波長分布重疊，因而顯影劑的溫度可有效上升。

這里，短語“紅外線的發(fā)射波長與陽離子聚合性單體的吸收波長分布重疊”意指

當具有C-H鍵的陽離子聚合性單體的紅外吸收光譜中歸因于C-H鍵的峰值波長定義為λ1，和

從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的光譜輻射能量密度為50％時的半值波長(當存在兩個此類半值波長時，較長波長側的半值波長)定義為λ2時，

峰值波長λ1位于與半值波長λ2相比較短波長側。

在比較例中，使用鹵素加熱器。在此情況下，紅外線的發(fā)射波長不與包含在液體顯影劑中的陽離子聚合性單體的吸收波長分布重疊(歸因于C-H鍵的峰值波長(λ1)位于與其中紅外線照射設備的光譜輻射能量密度為50％時的半值波長(λ2)相比較長波長側)，因此液體顯影劑的溫度不能有效上升。

例如，當將1,500W的功率輸入至加熱器時，比較例中液體顯影劑的表面溫度僅能加熱至40℃(相對于23℃的室溫升高了17℃)。

然而，在第一實施方案中，不僅C-H伸縮(stretch)，而且C＝C伸縮也可以被加熱，因而表面溫度可加熱至50℃(相對于23℃的室溫升高了27℃)。在第一實施方案中，紅外吸收光譜與紅外輻射光譜重疊的面積與比較例中的該面積相比大大約2至3倍，因而認為液體顯影劑的溫度也升高大約2至3倍。然而，記錄介質以800mm/秒輸送，因而認為液體顯影劑的溫度實際升高大約1.6倍(＝27℃/17℃)。

如上所述，用紅外線的照射在特定的條件下進行，從而升高液體顯影劑的溫度，因而，所需的累積光量相對于用紫外線的照射可以從100mJ/cm²降低至40mJ/cm²。反應速度常數k被認為是通過阿倫尼烏斯方程(Arrhenius equation)"k＝exp(-E/RT)"確定的。E表示反應的活化能(J/mol)，T表示環(huán)境的絕對溫度(K)，和R表示氣體常數。溫度升高10℃從而使反應速度快兩倍，因而該結果近似對應于所需累積光量降低至2/5。這里，累積光量(J/cm²)由(照射功率(W/cm²))×(照射時間(s))而求得。因此，施用于紫外線照射的相同的功率可以縮短紫外線的照射時間，從而使紫外線照射設備的功耗降低至2/5。

具體地，描述紅外線照射設備的功耗為1,500W和紫外線照射設備的功耗為1,500W(50℃的情況)的情況。

在800mm/秒的記錄介質的輸送速度和350mm的照射寬度下研究該情況。

在比較例(液體顯影劑的表面溫度為40℃)中，定影設備的總功耗需要為1,500W(紅外線照射設備)+1,500W×2.5(倍)(紫外線照射設備)＝5,250W。

相反，在第一實施方案中，定影設備的總功耗為1,500W(紅外線照射設備)+1,500W(紫外線照射設備)＝3,000W(50℃)，因此，定影設備的總功耗得到抑制。

圖9為描述紫外線LED的電源控制電路的圖。電源控制電路由交流電源111、控制部112、電源電路113、檢測部114和LED115構成。

控制部為控制電源電路的電源的電路。電源電路由將交流轉換為直流的AC/DC轉換器、和轉動LED開/關(ON/OFF)的電路構成。檢測部由例如檢測紫外線照射單元正下方的記錄介質的存在的檢測器構成。

圖10為描述如紙等記錄介質卡在圖像形成設備內時的檢測流程的流程圖。

S1001：定影設備的紫外線照射設備的電源電路打開(ON)，并且檢測部的電源也打開(ON)。

S1002：輸出檢測部的輸出電壓。檢測部的輸出電壓根據輸送帶上的記錄介質的有無而轉換。例如，將使輸送帶和記錄介質用紅外線照射并檢測所反射的紅外線的傳感器用于檢測部的傳感器。描述當記錄介質存在時檢測部輸出H的情況。在打印一般數量的記錄介質的情況下，存在記錄介質之間露出的一部分輸送帶，因而H的輸出信號(記錄介質)轉換為L的輸出信號(輸送帶)。即，檢測部的輸出信號通常在檢測記錄介質之間的部分時由H轉換為L。當記錄介質被卡住時，繼續(xù)H的輸出。

S1003：監(jiān)測H的電壓從檢測部連續(xù)輸出的時間(下文中，還稱為“H電壓連續(xù)輸出時間”)是否等于或大于t秒，其中t秒為根據打印用記錄介質的尺寸和輸送速度而確定的“記錄介質通過所需的時間”的預定倍數(例如，10倍)的時間。

S1004：當在S1003中檢測到H電壓連續(xù)輸出時間持續(xù)t秒以上時，紫外線照射設備的電源電路關閉(OFF)。另一方面，當H電壓連續(xù)輸出時間以小于t秒的間隔從H轉換為L時，H電壓連續(xù)輸出時間重置為0，并且檢測部的電源持續(xù)打開(ON)。并且，當在輸送帶上的位置停止傳感器的檢測時，檢測部的輸出信號停留在L，并且同樣在該情況中，電源關閉(OFF)。作為此類轉換方法，使用繼電器開關等。

記錄介質和輸送帶可以通過上述方法用紫外線連續(xù)照射，從而抑制記錄介質的劣化、圖像形成設備內的污染和輸送帶的劣化。

(第二實施方案)

圖11為示出第二實施方案中來自紅外線照射設備的照射光的波長分布和液體顯影劑的吸收波長分布的圖。

第二實施方案與第一實施方案的不同之處在于，從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的峰值波長基本上等于陽離子聚合性單體的吸收波長的峰值波長。其它構成與第一實施方案相同，因此省略描述。稍后描述短語“基本上等于”。

在第二實施方案中，液體顯影劑中的陽離子聚合性單體可以吸收波長比第一實施方案中的波長更長的紅外線。因此，盡管在第一實施方案中以1500W用紅外線的照射可以使溫度升高至50℃，但在第二實施方案中該照射可以使溫度升高至60℃。

例如，描述紅外線照射設備的功耗為1,500W且紫外線照射設備的功耗為1500W(40mJ/cm²)的情況。

在第一實施方案(其中液體顯影劑的表面溫度為50℃)中，定影設備的總功耗要求為1500W(紅外線照射設備)+1500W(紫外線照射設備)＝3,000W。

相反，在第二實施方案中，用吸收較大的波長的紅外線照射液體顯影劑，因而液體顯影劑的溫度升高至60℃。因此，紫外線照射設備的累積照度為14mJ/cm²，并且為50℃下的累積照度的約1/3。即，定影設備的總功耗為1500W(紅外線照射設備)+1500W(紫外線照射設備)×(1/3)＝2,000W(60℃)。在第一實施方案中，3,000W下顯影劑的溫度為50℃，因此，第二實施方案中定影設備的總功耗可得到更多的抑制。

表1

圖12為示出從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的峰值波長基本上等于陽離子聚合性單體的吸收波長的峰值波長的圖。在圖12所示的實例中，乙烯基醚類化合物用作陽離子聚合性單體。

將照射用紅外線加熱器的峰值波長等于陽離子聚合性單體的＝C-O-C(不對稱伸縮)的吸收波長的情況定義為條件1。

將照射用紅外線加熱器的峰值波長比陽離子聚合性單體的＝C-O-C(不對稱伸縮)的吸收波長短Δλ的情況定義為條件2。

在條件1中，

當紫外線照射設備的功率定義為E(UV(1))，和

紅外線照射設備的功率定義為E(IR(1))時，總功耗由E(UV(1))+E(IR(1))表示。

在條件2中，

當紫外線照射單元的功率定義為E(UV(2))，

紅外線照射設備的功率定義為E(IR(2))，和

紅外線照射設備的功率滿足E(IR(2))＝E(IR(1))時，加熱不充分，因而

紫外線照射設備的功率E(UV(2))要求增加ΔE(UV)以滿足E(UV(1))+ΔE(UV)。

因此，條件2的總功耗由E(UV(1))+E(IR(1))+ΔE(UV)表示。

將在峰值波長短Δλ的條件下紫外線照射設備的功率保持在E(UV(1))的情況定義為條件3。

在條件3中，

當紫外線照射設備的功率定義為E(UV(3)，

紅外線照射設備的功率定義為E(IR(3))，和

紫外線照射設備的功率滿足E(UV(3))＝E(UV(1))時，

紅外線照射設備的功率E(IR(3))要求增加ΔE(IR)以滿足E(IR(1))+ΔE(IR)。

因此，條件3的總功耗由E(UV(1))+E(IR(1))+ΔE(IR)表示。

在短語“從紅外線照射單元發(fā)出的紅外線的峰值波長基本上等于陽離子聚合性單體的吸收波長的峰值波長”中，子短語“基本上等于”意指條件2的總功耗：E(UV(1))+E(IR(1))+ΔE(UV)等于或小于條件3的總功耗：E(UV(1))+E(IR(1))+ΔE(IR)，即，由ΔE(UV)≤ΔE(IR)表示。

盡管已參考示例性實施方案描述了本發(fā)明，但應理解的是本發(fā)明并不限于公開的示例性實施方案。所附權利要求的范圍應符合最寬泛的解釋以涵蓋全部此類變更及等同的結構和功能。