相關(guān)申請的交叉引用

本申請主張于2014年12月17日提交的美國申請62/093,347的優(yōu)先權(quán)，其通過援引而全文合并到本文中。

本發(fā)明涉及使用圖案形成裝置引入的相位的方法和設備，該方法和設備例如用在圖案形成裝置的圖案以及圖案形成裝置的一個或更多個照明性質(zhì)的優(yōu)化中、用在圖案形成裝置上的一個或更多個結(jié)構(gòu)層的設計中和/或計算光刻術(shù)中。

背景技術(shù)：

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述ic的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來實現(xiàn)。通常，單個襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡。公知的光刻設備包括：所謂的步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

用于對輻射進行圖案化的圖案形成裝置(例如掩?；蜓谀０?可能產(chǎn)生不期望的相位效應。具體地，圖案形成裝置的形貌(例如在圖案形成裝置上的圖案的特征的形貌從特征的名義形貌的變化)可能將不期望的相位偏移引入到圖案化的輻射中(例如引入到從圖案形成裝置的圖案的特征發(fā)出的衍射級中)。這種相位偏移可能降低圖案被投影到襯底上的精度。

本說明書涉及使用圖案形成裝置引入的相位的方法和設備，該方法和設備例如用在圖案形成裝置的圖案以及圖案形成裝置的一個或更多個照明性質(zhì)的優(yōu)化中、用在圖案形成裝置上的一個或更多個結(jié)構(gòu)層的設計中和/或計算光刻術(shù)中。

在一方面中，提供一種方法，該方法包括獲得由光刻圖案形成裝置的圖案的三維形貌所導致的波前相位信息；和基于該波前相位信息和使用計算機處理器來調(diào)整圖案的物理參數(shù)。

在一方面中，提供一種制造器件的方法，其中器件圖案被使用光刻過程應用于一系列襯底，該方法包括使用本文所述的方法來制備器件圖案和將該器件圖案曝光到襯底上。

在一方面中，提供一種非易失性計算機程序產(chǎn)品，包括機器可讀指令，所述機器可讀指令配置成使處理器執(zhí)行本文所述的方法。

附圖說明

在此僅僅以示例的方式參照附圖對實施例進行描述，在附圖中：

圖1示意性地示出一種光刻設備的實施例；

圖2示意性地示出一種光刻單元或簇(cluster)的實施例；

圖3示意性地示出由圖案形成裝置對輻射的衍射；

圖4a-4e是對于針對各種不同的節(jié)距以正入射角照射的圖案形成裝置的圖案的不同的衍射級的模擬的相位圖；

圖5是對于以各種入射角照射的圖案形成裝置的圖案的各種衍射級的模擬的相位圖；

圖6a是用于模擬器件制造過程的功能模塊的示意圖；

圖6b是根據(jù)本發(fā)明的實施例的方法的流程圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的方法的流程圖；

圖8a是對于在兩個不同的吸收體厚度處的圖案形成裝置的圖案的各種衍射級的模擬的衍射效率的圖表；

圖8b是對于在兩個不同的吸收體厚度處的圖案形成裝置的圖案的各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖9a是對于二元掩模的各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖9b是對于二元掩模的各種吸收體厚度的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖10a是對于相移掩模針對各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖10b是對于相移掩模針對各種吸收體厚度的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位范圍值(波前相位)的圖表；

圖11是對于相移掩模針對各種節(jié)距的模擬的最佳聚焦位置差的圖表；

圖12a是對于以各種照射入射角照射的二元掩模、針對各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖12b是對于以各種照射入射角照射的相移掩模、針對各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖13a是對于二元掩模針對各種最佳聚焦值的所測量的劑量靈敏度的圖表；

圖13b是對于相移掩模針對各種最佳聚焦值的所測量的劑量靈敏度的圖表；

圖14a是對于相對于成非零入射角的主光線的成零入射角的euv圖案形成裝置的豎直特征、針對于各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖14b是對于相對于成非零入射角的主光線的成非零入射角的euv圖案形成裝置的水平特征、針對于各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖15a是對于成各種入射角的豎直特征的針對euv掩模的各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；

圖15b是對于成各種入射角的水平特征的針對euv掩模的各種衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表；以及

圖16示出對于以雙極照射照射的euv圖案形成裝置的各種線和間隔圖案的相干性與模擬的調(diào)制傳遞函數(shù)(mtf)的關(guān)系。

具體實施方式

在詳細地描述實施例之前，提供實施例可以實施的示例環(huán)境是有意義的。

圖1示意地示出了光刻設備la。所述設備包括：

照射系統(tǒng)(照射器)il，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束b(例如，duv輻射或euv輻射)；

支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)mt，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)ma，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置pm相連；

襯底臺(例如晶片臺)wta，其構(gòu)造用于保持襯底(例如，涂覆有抗蝕劑的晶片)w，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置pw相連；和

投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))ps，其配置成用于將由圖案形成裝置ma賦予輻射束b的圖案投影到襯底w的目標部分c(例如包括一根或更多根管芯)上。

照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。

所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設備的設計以及諸如例如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。這里使用的任何術(shù)語“掩模版”或“掩模”可以看作與更為上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。

這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應該注意的是，賦予輻射束的圖案可能不與襯底的目標部分上的所需圖案精確地對應(例如，如果所述圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。

圖案形成裝置可以是透射型的或反射型的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程lcd面板。掩模在光刻術(shù)中是熟知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。

這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”可以廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。

如這里所示的，所述設備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。

光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多臺(例如，兩個或更多襯底臺、兩個或更多圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)、或襯底臺和量測臺)的類型。在這種“多平臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。

所述光刻設備還可以是這種類型：其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以被施加到光刻設備中的其他空間，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域是熟知的。這里使用的術(shù)語“浸沒”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。

參照圖1，照射器il接收來自輻射源so的輻射束。所述源和光刻設備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)bd的幫助，將所述輻射束從所述源so傳到所述照射器il。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈磗o和所述照射器il、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統(tǒng)bd一起稱作輻射系統(tǒng)。

所述照射器il可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器ad。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器il可以包括各種其它部件，例如整合器in和聚光器co?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。

所述輻射束b入射到保持在圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺mt)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)ma上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置(例如，掩模)ma之后，所述輻射束b通過投影系統(tǒng)ps，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底w的目標部分c上。通過第二定位裝置pw和位置傳感器if(例如，干涉儀器件、線性編碼器、二維編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺wta，例如以便將不同的目標部分c定位于所述輻射束b的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置pm和另一個位置傳感器(在圖1中沒有明確地示出)用于相對于所述輻射束b的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如掩模)ma。通常，可以通過形成所述第一定位裝置pm的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺)mt的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置pw的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺wta的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺)mt可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。

可以使用掩模對準標記m1、m2和襯底對準標記p1、p2來對準圖案形成裝置(例如掩模)ma和襯底w。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分(這些公知為劃線對齊標記)之間的空間中。類似地，在將多于一個的管芯設置在圖案形成裝置(例如掩模)ma上的情況下，所述掩模對準標記可以位于所述管芯之間。小的對準標記也可以被包括在管芯內(nèi)、在器件特征之間，在這種情況下，期望所述標記盡可能小且不需要任何與相鄰的特征不同的成像或過程條件。檢測對準標記的對準系統(tǒng)將在下文中進一步描述。

所描述的設備可以用于以下模式中的至少一種中：

在步進模式中，在將圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺)mt和襯底臺wta保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分c上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺wta沿x和/或y方向移動，使得可以對不同目標部分c曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分c的尺寸。

在掃描模式中，在對圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺)mt和襯底臺wta同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分c上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺wta相對于圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺)mt的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)ps的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標部分的高度(沿掃描方向)。

在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺)mt保持為基本靜止狀態(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分c上的同時，對所述襯底臺wta進行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺wta的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。

也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。

光刻設備la是所謂的雙平臺類型，其具有兩個臺wta、wtb(例如，兩個襯底臺)和兩個站——曝光站和測量站，在曝光站和測量站之間所述臺可以被進行交換。例如，當一個臺上的一個襯底在曝光站被進行曝光時，另一襯底可以被加載到測量站處的另一襯底臺上且執(zhí)行各種預備步驟。所述預備步驟可以包括使用水平傳感器ls對襯底的表面控制進行繪制和使用對準傳感器as測量襯底上的對準標記的位置，兩個傳感器都由參考框架rf支撐。如果當臺處于測量站以及處于曝光站時，位置傳感器if不能測量所述臺的位置，則可以設置第二位置傳感器來使得所述臺的位置能夠在兩個站處被追蹤。作為另一示例，當在一個臺上的襯底在曝光站處被曝光的同時，另一沒有襯底的臺在測量站(其中，可選地可能發(fā)生測量活動)處等候。這個另外的臺具有一個或更多的測量裝置并且可以可選地具有其它工具(例如，清潔設備)。當襯底已經(jīng)完成曝光時，沒有襯底的臺移動至曝光站以執(zhí)行例如測量，并且具有襯底的臺移動至其中所述襯底被卸載并且另一襯底被加載的位置(例如，測量站)。這些多臺式布置能實現(xiàn)設備的生產(chǎn)率的實質(zhì)性增加。

如圖2所示，光刻設備la可形成光刻單元lc(有時也稱為光刻元或者光刻簇)的一部分，光刻單元lc還包括用以在襯底上執(zhí)行一個或更多的曝光前和曝光后處理的設備。通常情況下，這些設備包括用以沉積抗蝕劑層的一個或更多旋涂器sc、用以對曝光后的抗蝕劑顯影的一個或更多顯影器de、一個或更多激冷板ch和一個或更多烘烤板bk。襯底操縱裝置或機械人ro從輸入/輸出口i/o1、i/o2拾取襯底，然后將它在不同的處理裝置之間移動，然后將它傳遞到光刻設備的進料臺lb。經(jīng)常統(tǒng)稱為軌道的這些裝置處在軌道控制單元tcu的控制之下，所述軌道控制單元tcu自身由管理控制系統(tǒng)scs控制，所述管理控制系統(tǒng)scs也經(jīng)由光刻控制單元lacu控制光刻設備。因此，不同的設備可以被操作用于將生產(chǎn)率和處理效率最大化。

為了由光刻設備曝光的襯底被正確地和一致地曝光，需要檢驗曝光后的襯底以測量一個或更多屬性，例如連續(xù)層之間的重疊誤差、線厚度、臨界尺寸(cd)等。如果檢測到誤差，可以對一個或更多后續(xù)襯底的曝光進行調(diào)整。這例如在檢驗能夠很快完成且足夠迅速到使同一批次的另一襯底仍處于待曝光狀態(tài)的情況下可能尤其有用。此外，已經(jīng)曝光過的襯底也可以被剝離并被重新加工(以提高產(chǎn)率)，或可以被遺棄，由此避免在已知存在缺陷的襯底上進行曝光。在襯底的僅僅一些目標部分存在缺陷的情況下，可以僅對是完好的那些目標部分進行進一步曝光。另一種可能性是采用一種隨后過程步驟的設置來補償誤差，例如，修整刻蝕步驟的時間可以被調(diào)節(jié)以對源自光刻過程步驟的襯底-襯底cd變動進行補償。

檢驗設備被用于確定襯底的一個或更多的屬性，且尤其，用于確定不同的襯底或同一襯底的不同層的一個或更多屬性如何從層到層和/或跨越整個襯底變化。檢驗設備可以被集成到光刻設備la或光刻單元lc中，或可以是獨立的裝置。為了能進行最迅速的測量，需要檢驗設備在曝光后立即測量經(jīng)過曝光的抗蝕劑層中的一個或更多屬性。然而，抗蝕劑中的潛影具有很低的對比度(在經(jīng)過輻射曝光的抗蝕劑部分和沒有經(jīng)過輻射曝光的抗蝕劑部分之間僅有很小的折射率差)，且并非所有的檢驗設備都對潛影的有效測量具有足夠的靈敏度。因此，測量可以在曝光后烘烤步驟(peb)之后進行，所述曝光后烘烤步驟通常是在經(jīng)過曝光的襯底上進行的第一步驟，且增加抗蝕劑的經(jīng)過曝光和未經(jīng)曝光的部分之間的對比度。在該階段，抗蝕劑中的圖像可以被稱為半潛在的。也能夠在抗蝕劑的曝光部分或者非曝光部分已經(jīng)被去除的點處，或者在諸如蝕刻等圖案轉(zhuǎn)移步驟之后，對經(jīng)過顯影的抗蝕劑圖像進行測量。后一種可能性限制了有缺陷的襯底進行重新加工的可能性，但是仍舊可以提供有用的信息，例如，用于過程控制的目的。

圖3示意性地示出圖案形成裝置ma(例如掩模或掩模版)的一部分的剖視圖。該圖案形成裝置ma包括襯底300和吸收體302。襯底1可以例如由玻璃或?qū)τ诠饪淘O備的輻射束b(例如duv輻射)基本上透明的任何其他合適的材料形成。盡管實施例是關(guān)于透射式圖案形成裝置(即透射輻射的圖案形成裝置)進行描述的，但是實施例可以被應用于反射式圖案形成裝置(即反射輻射的圖案形成裝置)。在圖案形成裝置是反射式圖案形成裝置的實施例中，該圖案形成裝置可以被布置成使得輻射束入射到吸收體以及吸收體之間的間隙上，然后通過該間隙，且可選地通過吸收體，以入射到位于該間隙后面(且可選地位于吸收體后面)的反射器上。

吸收體302的材料例如可以是硅化鉬(mosi)或吸收光刻設備的輻射束b(例如duv輻射)的任何其他合適的材料，即該吸收材料阻擋輻射束或在輻射束經(jīng)過該吸收材料時吸收輻射束b的一部分。具有阻擋輻射束的吸收材料的圖案形成裝置可以被稱為二元圖案形成裝置。該mosi可以設置有一種或更多種摻雜劑，所述摻雜劑可以改變mosi的折射率。輻射不必行進穿過吸收體材料302，且對于一些吸收體材料302，基本上所有的輻射都可以在吸收體材料302中被吸收。

吸收體302沒有完全覆蓋襯底300，而是被配置為一種布置，即圖案。于是，間隙304存在于吸收體302的區(qū)域之間。如所提到的，圖3示出了圖案形成裝置ma的僅僅一小部分。在實際中，吸收體302和間隙304被布置以形成可能例如具有成千或成百萬的特征的布置。

光刻設備的輻射束b(參見圖1)入射到圖案形成裝置ma上。輻射束b最初入射到襯底300上且通過襯底300。輻射束然后入射到吸收體302和間隙304上。入射到吸收體302上的輻射通過吸收體，但是被吸收材料部分地吸收。替代地，該輻射基本上在吸收體302中被完全吸收，且基本上沒有輻射透射通過該吸收體302。入射到間隙304上的輻射通過該間隙而沒有被顯著地或部分地吸收。于是，該圖案形成裝置ma將圖案施加至輻射束b(該圖案可以被施加至未被圖案化的輻射束b或被施加至已經(jīng)具有圖案的輻射束b)。

如圖3進一步地顯示的，在輻射束b通過該間隙304(以及可選地通過吸收體302)時，輻射束b被衍射成各種衍射級。在圖3中，第0、+1、-1、+2和-2衍射級被示出。但是，應當理解，可以存在更多的、更高的衍射級或更少的衍射級。與該衍射級相關(guān)聯(lián)的箭頭的尺寸主要表示衍射級的相對強度，即，第0衍射級的強度比第-1和+1衍射級的強度更高。但是，然而，注意到這些箭頭不是成比例的。而且，應當理解，并非所有的衍射級可以被投影系統(tǒng)ps捕捉，這依賴于例如投影系統(tǒng)ps的數(shù)值孔徑和照射到圖案形成裝置上的入射角。

進而，除去強度之外，該衍射級也具有相位。如上所述，圖案形成裝置ma的形貌(例如，理想的圖案特征自身、在圖案形成裝置的圖案表面上的不平整度等)可能將不期望的相位引入到圖案化的輻射束中。

這種相位可能造成例如聚焦位置差和/或圖像偏移。當輻射束經(jīng)受偶級(evenorder)像差時(例如由圖案形成裝置的形貌所造成)，產(chǎn)生聚焦位置差。也就是說，“偶”意味著，第-n衍射級的相位和相應的第+n衍射級的相位是大致相同的。當輻射束遭受偶級像差時，圖案圖像可以在橫向于光刻設備的光軸的方向上移動。也就是說，“奇”意味著第-n衍射級的相位和相應的第+n衍射級的相位具有基本上相同的值，但符號相反。該橫向運動可以被稱為圖像偏移。圖像偏移可能導致對比度損失、圖案不對稱和/或定位誤差(例如，該圖案從可能導致重疊誤差的期望位置水平偏移)。于是，通常，衍射級的相位可以被分解成偶相位分量和奇相位分量，其中，偶相位分布通常將完全是偶相位分量，且奇相位分布通常將完全是奇相位分量或奇相位分量與偶相位分量的組合。

聚焦位置差、圖像偏移、對比度損失等可能降低圖案由光刻設備投影到襯底上的精度。相應地，本文所述的實施例可能降低聚焦位置差、圖像偏移、對比度損失等。

尤其是，如上所述的圖案形成裝置的形貌所引入的相位和強度分別是波前相位和強度。也就是說，該相位和強度在光瞳處的衍射級中，且為所有的吸收體所設置。如上所述，這種波前相位和強度可能造成例如聚焦位置差和/或?qū)Ρ榷葥p失。

該波前相位與像平面(即襯底水平)處的、由被設計以形成這種相位偏移的圖案形成裝置(例如相移掩模)所提供的有意的相位偏移效應不同。于是，與波前相位不同，相位偏移效應通常對于僅僅一些吸收體存在并導致電場相位改變。例如，在輻射束由圖案形成裝置的吸收體部分地吸收的實施例中，在輻射束離開吸收體時，輻射束的相位偏移可能在該輻射和通過相鄰的間隙的輻射之間產(chǎn)生。并非造成對比度損失，相位偏移效應期望地提高使用圖案形成裝置形成的空間圖像的對比度。該對比度可以例如在已經(jīng)通過吸收體的輻射的相位與沒有通過吸收體的輻射的相位相差90度的情況下取最大值。

因此，在實施例中，在此討論使用圖案形成裝置的形貌引入的相位和/或強度(波前相位和/或強度)信息(不論是以數(shù)據(jù)形式，還是以數(shù)學描述的形式等)的各種技術(shù)。在一實施例中，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)用于進行校正以降低這種相位的影響。在一實施例中，這種校正涉及圖案形成裝置的形貌的(重新)設計以降低或最小化圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的影響。例如，圖案形成裝置的疊層(例如構(gòu)成圖案形成裝置的一個或多個元件/層和/或用于制作這些一個或更多個元件/層的過程)根據(jù)例如折射率、消光系數(shù)、側(cè)壁角、特征寬度、節(jié)距、厚度和/或一層疊層的參數(shù)(例如疊層的組成、疊層中的層的順序等)來調(diào)整，以減小或最小化圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的影響。在一實施例中，這種校正涉及將校正應用于一個或更多個光刻設備參數(shù)(例如照射模式、數(shù)值孔徑、相位、放大率等等)，以減小或最小化圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的影響。例如，補償相位可以在圖案形成裝置的下游被引入，例如在光刻設備的投影系統(tǒng)中被引入。在一實施例中，這種校正涉及對圖案形成裝置的圖案和/或由光刻設備施加至圖案形成裝置的一個或更多個照射參數(shù)(通常被稱為照射模式且典型地包括關(guān)于輻射的強度分布的類型和細節(jié)的信息，例如不論其是環(huán)形照射，雙極照射、四極照射等)，以減小或最小化圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的影響。

在另一實施例中，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)被應用于計算光刻術(shù)的計算中。換言之，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)以及可選的圖案形成裝置的形貌引入的強度(波前強度)被引入到用于使用例如光刻設備來模擬成像的模擬/數(shù)學模型中。因此，替代或附加于用于這種模擬/數(shù)學模型的圖案形成裝置的形貌的物理維度描述，圖案形成裝置的形貌引入的相位以及可選的圖案形成裝置的形貌引入的強度用在這些模擬/數(shù)學模型中以生成例如模擬的空間圖像。

因此，對于這些應用，需要圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)。為了獲得圖案或該圖案的特征的波前強度和相位，該圖案或特征可以被編程為光刻模擬工具，例如hyperlith軟件，其可以從panoramictechnology，inc.獲得。該模擬器可以嚴格地計算該圖案或特征的近場圖像。該計算可以通過嚴格耦合波分析(rcwa)來完成。傅里葉變換可以用于針對衍射級產(chǎn)生強度和相位值。這些散射系數(shù)則可以被分析以確定可以被應用以去除或改善該相位的校正。尤其是，該分析可以聚焦于該相位的幅值，例如跨衍射級的相位的范圍。在一實施例中，校正被施加以減小該相位的幅值且尤其是降低跨衍射級的相位范圍的幅值。

該分析可以聚焦于跨衍射級的相位和/或強度的“特征標識(fingerprint)”。例如，該分析可以確定是否相位分布跨衍射級大體上為偶，例如大體相對于例如第0級對稱。作為另一示例，該分析可能確定是否相位分布跨衍射級大體上為奇，例如大體相對于例如第0級是不對稱的。在相位分布跨衍射級大體上為奇的情況下，如上所述，相位分布可以是奇相位分量與偶相位分量的組合。在兩種情況下，可以識別具有與相位的“特征標識”同類的形狀的圖案或輪廓。在一實施例中，這種圖案或輪廓由一組合適的基或特征函數(shù)來描述。該基或特征函數(shù)的適合性可以依賴于用在光刻設備中的函數(shù)的適合性或者依賴于可以被描述的主相位變化所在的相位范圍。在一實施例中，這種圖案或輪廓由一組在一個圓的內(nèi)部上正交的多項式函數(shù)來描述。在一實施例中，這種圖案或輪廓由澤尼克(zernike)多項式(具有澤尼克系數(shù))，由貝塞爾(bessel)函數(shù)、穆勒(mueller)矩陣或瓊斯矩陣來描述。澤尼克多項式可以用于將合適的校正應用于該相位，其將減小或消除不期望的相位。例如，m＝0的澤尼克多項式造成球差/校正。于是，它們造成像平面的特征依賴的聚焦偏移。m＝2的澤尼克多項式造成像散/校正。m＝1和m＝3的澤尼克多項式分別被稱為慧差和三葉片形(3-foil)。這些造成圖像圖案在x-y像平面中的偏移和不對稱。

參照圖4a-4e，示出了對于薄的二元掩模的40nm線、以各種節(jié)距、使用1.35的數(shù)值孔徑的193nm的正入射照射曝光的衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表。該圖表示出了模擬結(jié)果，該模擬結(jié)果測量波前相位如何作為衍射級的函數(shù)來變化。該模擬模型化了掩模圖案在被所述的193nm的照射所曝光時的投影，并且可以使用例如hyperlith軟件來實現(xiàn)，該軟件可以從panoramictechnology，inc.獲得。該相位是以弧度為單位的，且對于衍射級，0對應于第0衍射級，其中圖4a-d將散射級表示成整數(shù)(m)且圖4e表示被相對于節(jié)距規(guī)范化的散射級(m/pitch)。該模擬針對于具有四種不同的節(jié)距(即80納米(圖4a)、90納米(圖4b)、180納米(圖4c)和400納米(圖4d))的圖案來執(zhí)行。如通常的方式，節(jié)距尺寸是在光刻設備的投影系統(tǒng)ps的襯底側(cè)處的節(jié)距(見圖1)。圖4e示出當衍射級被相對于節(jié)距規(guī)范化時，80nm、90nm和400nm的圖表的數(shù)據(jù)點的組合。

參照圖4a和圖4b，相位分布是偶的。而且，觀察到相位具有圖案。例如，其通常可以由澤尼克項z4(即諾爾指數(shù)(nollindex)4)來描述。參照圖4c，相位分布是偶的，具有圖案且可以通常由澤尼克項z9(即諾爾指數(shù)9)來描述。參照圖4d，相位分布是偶的，具有圖案且可以通常由更高階的澤尼克項，例如澤尼克項z25(即諾爾指數(shù)25)來描述。參照圖4e，示出了80nm、90nm和400nm的圖表的數(shù)據(jù)點的組合?？梢钥吹剑摂?shù)據(jù)點都通常沿著400nm圖表的“曲線”布置。相應地，特定圖案，例如更高階的澤尼克項，例如澤尼克項z25(即諾爾指數(shù)25)，可以應用于節(jié)距范圍。于是，該相位是不高度依賴于節(jié)距的，因此相位校正可以被應用于使用例如特別高階的澤尼克項，例如澤尼克項z25(即諾爾指數(shù)25)的節(jié)距范圍。

因此，對于正入射，相位分布通常是偶的且造成最佳聚焦損失。進而，該相位具有圖案，該圖案可以通常由諸如澤尼克項z4(即諾爾指數(shù)(nollindex)4)、澤尼克項z9(即諾爾指數(shù)9)和/或更高階的澤尼克項，例如澤尼克項z25(即諾爾指數(shù)25)的澤尼克多項式來描述。相位的圖案的這種描述可以例如被用于進行如進一步所論述的校正。

參照圖5，示出了對于薄的二元掩模的40nm線、以400nm的節(jié)距、使用1.35的數(shù)值孔徑以各種入射角的193nm照射對掩模曝光的衍射級的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的圖表。該圖表示出了模擬結(jié)果，該模擬結(jié)果測量波前相位如何作為衍射級的函數(shù)來變化。該模擬模型化了掩模圖案在被所述的193nm的照射所曝光時的投影，并且可以使用例如hyperlith軟件來實現(xiàn)。該相位是以弧度為單位的，且衍射級是整數(shù)，0對應于第0衍射級。該模擬在對應于-16.5度入射角的為-0.9的σ(sigma)、對應于0度入射角的為0的σ以及對應于16.5度入射角的為0.9的σ的照射進行。

參照圖5，對于為0的σ，相位分布是偶的(如圖4a-e所示)，且可以通常由更高階的澤尼克項，例如澤尼克項z25(即諾爾指數(shù)25)來描述。但是，對于為-0.9的σ，相位分布具有附加的奇相位行為且可以由在其自身上的一個或更多個奇數(shù)項來描述或除去偶數(shù)項之外還可以由一個或更多個奇數(shù)項來描述，例如由澤尼克項z3(即諾爾指數(shù)(nollindex)3)或澤尼克項z7(即諾爾指數(shù)7)來描述。類似地，對于為0.9的σ，相位分布具有附加的奇相位行為且可以由在其自身上的一個或更多個奇數(shù)項來描述或除去偶數(shù)項之外還可以由一個或更多個奇數(shù)項來描述，例如由澤尼克項z3(即諾爾指數(shù)3)或澤尼克項z7(即諾爾指數(shù)7)來描述。于是，如果圖像形成涉及多個入射角且奇相位部分對每個入射角是不同的，則圖像偏移(導致對比度損失、圖案定位誤差等)出現(xiàn)。對比度損失和圖案定位誤差對于光刻優(yōu)化和設計是顯著的參數(shù)，并因此該相位效應的識別和使用可以用于降低或最小化對比度損失和圖案定位誤差。

類似于入射角，圖案形成裝置的形貌可以具有側(cè)壁角的變化。側(cè)壁角是指吸收體特征的側(cè)壁相對于襯底的角度。因此，例如，參照圖3，吸收體302特征的側(cè)壁被顯示成相對于襯底300成90度。隨著入射角的變化，側(cè)壁的變化對相位具有類似的效應。例如，側(cè)壁角的變化導致奇相位分布效應。于是，在一實施例中，側(cè)壁角需要被控制在法線的2度以內(nèi)，以避免奇相位分布效應。在一實施例中，側(cè)壁角需要被控制在照射入射角范圍的5％以內(nèi)。因此，例如，對于193nm的照射，該照射入射角可以在從大約-17度至17度的范圍內(nèi)，并因此側(cè)壁角應當被控制在2度以內(nèi)、在1.5度以內(nèi)或在1度以內(nèi)。例如，對于euv照射，該照射入射角可以在從大約1.5度至10.5度的范圍內(nèi)并因此側(cè)壁角應當被控制在1度以內(nèi)、在0.5度以內(nèi)或在0.3度以內(nèi)。然而，側(cè)壁角可以有意地(替代入射角或附加于入射角)被變化成具體的非90度的角度，以校正圖案形成裝置的形貌引入的相位。

因此，對于一入射角和/或側(cè)壁角范圍，相位分布通常是奇的且不僅導致最佳聚焦損失還導致對比度損失、焦深損失、圖案不對稱度和/或定位誤差。而且，該相位具有可以通常由例如澤尼克多項式(例如澤尼克項z3(即諾爾指數(shù)3)和/或澤尼克項z7(即諾爾指數(shù)7))來描述的圖案。相位的圖案的這種描述可以例如被用于進行如進一步所論述的校正。

而且，除去入射角和/或側(cè)壁角之外，相位也顯著地依賴于圖案或其特征的特征寬度。尤其是，相位范圍通常根據(jù)1/特征寬度，成比例變化。典型地，該特征寬度將是圖案或特征的一個或更多個臨界尺寸(cd)，且因此相位范圍根據(jù)1/cd成比例變化。

因此，如前所述，圖案形成裝置的形貌引入的相位效應不高度依賴于節(jié)距。進而，通過針對于圖案來選擇合適的cd和評估入射角，可以針對于圖案形成裝置的整個圖案或與所選擇的cd相關(guān)聯(lián)的一部分圖案來施加有效的校正或優(yōu)化，以能夠?qū)崿F(xiàn)使用圖案的成像的改進或優(yōu)化。

于是，使用所測量的或以其他方式獲知的其相位被校正所針對的圖案形成裝置的形貌的已知值，可以計算光學波前相位。該波前相位信息然后可以被用于影響例如光刻設備或過程和/或圖案形成裝置的參數(shù)的變化。例如，所計算的光學波前相位信息可以被包括在光刻投影系統(tǒng)的光學系統(tǒng)的模型(有時被稱為透鏡模型)中。

基于包括所計算的光學波前相位信息的模型，用在使用光刻投影系統(tǒng)的成像操作中的一個或更多個參數(shù)可以被計算。例如，所述一個或更多個參數(shù)可以包括光刻投影系統(tǒng)的一個或更多個可調(diào)整的光學參數(shù)。在一實施例中，所述一個或更多個參數(shù)包括用于光刻投影系統(tǒng)的光學元件操縱器(例如用于對光學元件產(chǎn)生物理變形的致動器)的操縱器設定。在一實施例中，所述一個或更多個參數(shù)包括被布置成通過加熱/冷卻的局部施加來提供可配置的相位以改變折射率的裝置的設定，所述裝置例如在美國專利申請公開出版物第2008-0123066和2012-0162620號中被描述，這些文獻以引用的方式整體并入本文。在一實施例中，所計算的光學波前相位信息在澤尼克信息(例如澤尼克多項式、澤尼克系數(shù)、諾爾指數(shù)等)方面被特征化。在一實施例中，波前相位信息(諸如例如奇相位分布的澤尼克表達式的表達式)可以被用于確定圖案的一個或更多個的特征的定位。該定位可以產(chǎn)生例如定位誤差，其可以是重疊誤差。該定位誤差或重疊誤差可以使用任何已知的技術(shù)來校正，例如將襯底的位置相對于圖案化的束改變。

例如，使用相位待校正的圖案形成裝置的形貌的測量或以其他方式獲知的已知值，相位的可應用的圖案(例如澤尼克多項式)和相位的幅值(例如相位范圍在衍射級上的幅值)可以被識別?；诜岛透鶕?jù)圖案所施加的相位校正可以降低或去除不期望的相位。在一實施例中，該可應用的圖案可以包括圖案的組合(例如，選自例如澤尼克項z4、z9和/或z25的偶相位分布圖案與選自例如澤尼克項z3和/或z7的奇相位分布圖案的組合)。在圖案組合中，可以將權(quán)重施加至一個或更多個圖案。例如，在一實施例中，更高的權(quán)重被應用于奇相位分布圖案，而不是偶奇相位分布圖案。

在一實施例中，該校正的目的在于減小或最小化跨一個或更多個衍射級的相位范圍。也就是說，參照圖4a-e和圖5，在此所示的線期望被“平坦化”。換言之，該校正的目的在于使所示的線(或與之關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù))逼近水平線(或該數(shù)據(jù)大體由水平線來描述)。在一實施例中，所述一個或更多個衍射級可以包括具有足夠強度的衍射級。因此，在一實施例中，具有足夠的強度的衍射級可以是超出閾值強度的衍射級。這種閾值強度可以是小于或等于最大強度的30％的強度、小于或等于最大強度的25％的強度、小于或等于最大強度的20％的強度、小于或等于最大強度的15％的強度、小于或等于最大強度的10％的強度或者小于或等于最大強度的5％的強度。而且，權(quán)重可以通過強度應用于各個衍射級，以使得例如與具有更高強度的一個或更多個衍射級相關(guān)聯(lián)的相位比與具有較低強度的一個或更多個衍射級相關(guān)聯(lián)的相位被校正得更多。

對于正入射輻射的這種相位校正可以提高最佳聚焦。術(shù)語“最佳聚焦”可以被解釋成表示獲得具有最佳對比度的空間圖像所在的平面。而且，對于離軸照射(即，其中輻射以不同于正交角的角度或不止于正交角的角度)和/或側(cè)壁角的這種相位校正可以改進最佳聚焦。另外，離軸照射和/或側(cè)壁角具有導致雙束成像的趨勢。于是，離軸照射和/或側(cè)壁角可以傾向于對比度損失、焦深損失和可能的圖案不對稱度和圖案定位誤差。于是，對于離軸照射和/或側(cè)壁角的相位的校正可以改進這些其它效應。

如所了解，如果存在一個或更多個“臨界”特征或“熱點”圖案且所述“臨界”特征或“熱點”圖案將圖案的成像推至過程窗口的邊界或推出過程窗口的邊界，則對于整個圖案的相位不需要被確定。相應地，該相位可以針對于這種“臨界”特征被確定，且該校正因此可以被聚焦到那些“臨界”特征上。于是，在一實施例中，在圖案是用于器件的設計布局的情況下，光學波前相位信息僅僅針對圖案形成裝置的圖案的一個或更多個子圖案或特征(即設計布局)所規(guī)定。

在一實施例中，該相位可以針對于特征寬度的數(shù)量、照射入射角的數(shù)量、側(cè)壁角的數(shù)量和/或節(jié)距的數(shù)量來確定。它們之間的值可以被內(nèi)插。相位信息可以被“繪制”到圖案上并因此產(chǎn)生針對于圖案的兩維組的相位信息。該相位信息可以被分析以辨別可應用的圖案(例如澤尼克多項式)和用于校正的相位幅值(例如跨衍射級的相位范圍的幅值)。

在一實施例中，圖案形貌的一個或更多個屬性可以被測量，它們的值可以被用于生成相位信息。例如，可以測量特征寬度、節(jié)距、厚度/高度、側(cè)壁角、折射率和/或消光系數(shù)。這些屬性中的一個或更多個可以使用光學測量工具來測量，例如在美國專利申請公開出版物us2012-044495中所描述的光學測量工具，該文獻以引用的方式整體并入本文。于是，圖案形成裝置的度量可以用于確定圖案形成裝置的形貌引入的相位，這然后可以用于形成校正或設計(例如應用于光刻設備的透鏡模型以適應光刻過程)。

當設計圖案、設計用于對圖案進行曝光的過程和/或設計用于制造器件的過程時，計算光刻術(shù)可以被使用以模擬器件制造過程的各個方面。在用于模擬涉及光刻術(shù)和器件圖案的制造過程的系統(tǒng)中，主要的制造系統(tǒng)部件和/或過程可以通過各種功能模塊來描述，例如，如圖6所示。參照圖6，該功能模塊可以包括設計布局模塊601，其限定設計圖案(例如微電子器件的設計圖案)；圖案形成裝置布局模塊602，其限定圖案形成裝置的圖案如何基于設計圖案布置在多邊形中；圖案形成裝置模型模塊603，其對異常的和連續(xù)色調(diào)的圖案形成裝置的物理屬性建模以在模擬過程中被使用；光學模型模塊604，其限定光刻系統(tǒng)的光學部件的性能；抗蝕劑模型模塊605，其限定被用在給定的過程中的抗蝕劑的性能；以及過程模型模塊606，其限定抗蝕劑顯影后的過程(例如蝕刻)的性能。這些模擬模塊中的一個或更多個的結(jié)果，例如預期的輪廓、cd等被設置在結(jié)果模塊607中。上述模塊中的一個、一些或全部可以在模擬中使用。

照射和投影光學裝置的屬性在光學模型模塊604中被捕捉到，這些屬性包括但不限于，數(shù)值孔徑和西格馬(σ)設定以及任何特殊的照射源參數(shù)，例如形狀和/或偏振，其中σ(或西格馬)是照射源形狀的外部徑向范圍。涂覆在襯底上的光敏抗蝕劑層的光學屬性，即折射率、膜厚、傳播和偏振效應，也可以被捕捉為光學模型模塊604的一部分，而抗蝕劑模型模塊605描述在抗蝕劑曝光、曝光后烘烤(peb)和顯影過程中出現(xiàn)的化學過程的效應，以便預測例如在襯底上形成的抗蝕劑特征的輪廓。圖案形成裝置模型模塊603捕捉目標設計特征如何布置在圖案形成裝置的圖案中且可以包括圖案形成裝置的細節(jié)的物理屬性的表達，例如如美國專利us7587704所述，該文獻以引用的方式整體并入本文。模擬的目標是精確地預測例如邊緣定位和臨界尺寸(cd)，其然后可以與目標設計進行對比。目標設計通常被限定成opc前的圖案形成裝置的布局，并將設置在標準的數(shù)據(jù)文件格式中，例如gdsii或oasis。

通常，在光學模型和抗蝕劑模型之間的連接是在抗蝕劑層內(nèi)的模擬的空間圖像強度，其由輻射到襯底上的投影、在抗蝕劑界面處的折射和在抗蝕劑膜疊層中的多次反射產(chǎn)生。該輻射強度分布(空間圖像強度)被光子吸收轉(zhuǎn)化成潛在的“抗蝕劑圖像”，其通過擴散過程和多種負載作用來進一步修改。對于全芯片應用而言足夠快的有效模擬方法通過兩維空間(和抗蝕劑)圖像來逼近抗蝕劑疊層中的現(xiàn)實的3維強度分布。

于是，模型公式化描述了整個過程中的大多數(shù)(如果不是全部的話)已知的物理學和化學(過程)，且每個模型參數(shù)期望地對應于不同的物理或化學效應。于是，模型公式化設定了對于該模型可以多么好地用于模擬整個制造過程的上邊界。然而，有時，由于測量和讀取誤差，模型參數(shù)可能是不精確的，且在系統(tǒng)中可能存在其它缺陷。借助于模型參數(shù)的精確校準，可以實現(xiàn)極其精確的模擬。

因此，當執(zhí)行計算光刻術(shù)時，圖案形成裝置的形貌(有時被稱為掩模3d)可以被包括在模擬中，例如在圖案形成裝置模型模塊603和/或光學模型模塊604中的模擬中。這可以通過將圖案形成裝置的形貌轉(zhuǎn)換成一組核心來實現(xiàn)。圖案的每個特征邊緣與這些核心進行卷積以產(chǎn)生例如空間圖像，參見美國專利申請公開出版物第2014/0195993號，該文獻以引用的方式整體并入本文。相應地，精確度依賴于核心的數(shù)量。將在精確度(例如所使用的核心的數(shù)量)與運行模擬的時間之間進行折中。對于這種模擬的進一步的相關(guān)技術(shù)在美國專利us7003758中描述，該文獻以引用的方式整體并入本文。

相應地，在一實施例中，圖案形成裝置的形貌引入的相位和可選地圖案形成裝置的形貌引入的強度可以用于計算光刻術(shù)中以確定圖案形成裝置的圖案的三維形貌的成像效果。于是，參照圖6b，在一實施例中，由圖案形成裝置的形貌所造成的光學波前相位和強度可以在610中被計算。因此，在一實施例中，由光刻圖案形成裝置的圖案的特征的三維形貌所造成的光學波前相位和強度信息針對于多個光瞳位置或衍射級來獲得。例如，這種由光刻圖案形成裝置的圖案的特征的三維形貌所造成的這種光學波前相位和強度信息可以對于多個入射角、對于多個側(cè)壁角、對于多個特征寬度、對于多個特征厚度、對于圖案特征的多個折射率、對于圖案特征的多個消光系數(shù)等來獲得。

然后，替代或附加于核心，這種光學波前相位和強度信息可以在615中用于計算光刻術(shù)的計算。在一實施例中，可以將光學波前相位和強度信息表示為計算光刻術(shù)計算中的核心。于是，在620中，圖案形成裝置的圖案的三維形貌的成像效應可以使用計算機處理器基于光學波前相位和強度信息來計算。在一實施例中，成像效應的計算基于與在考慮中的圖案形成裝置的圖案相關(guān)聯(lián)的衍射圖案的計算。因此，在一實施例中，計算成像效應涉及計算多個設計變量的多變量函數(shù)，所述多個設計變量是光刻過程的特性，其中該多變量函數(shù)是所計算的光學波前相位和強度信息的函數(shù)。該設計變量可以包括用于圖案的照射的特性(例如偏振、照射強度分布、劑量等)、投影系統(tǒng)的特性(例如數(shù)值孔徑)、圖案的特性(例如折射率、物理尺寸等)等等。

在一實施例中，計算圖案形成裝置的形貌的成像效應包括計算圖案形成裝置的圖案的模擬的圖像。例如，在一實施例中，“點源”——δ函數(shù)(具有強度幅值a和相位φ作為參數(shù))可以在模擬中被指定在圖案的特征的邊緣以逼近圖案形成裝置的形貌。例如，該模擬可以使用照射的傳遞函數(shù)如下：

如上所述，圖案形成裝置的形貌引入的相位至少依賴于臨界尺寸、側(cè)壁角和/或輻射的入射角。在一實施例中，該光學波前相位的數(shù)據(jù)的描繪或收集范圍針對于圖案或該圖案的特征的入射角的范圍來計算并用在計算光刻術(shù)計算中。在一實施例中，該光學波前相位的數(shù)據(jù)的描繪或收集范圍附加地或替代地針對于圖案或該圖案的特征的臨界尺寸的范圍、針對于圖案或該圖案的特征的節(jié)距范圍、針對于圖案或該圖案的特征的側(cè)壁角范圍等等來計算，且用在計算光刻術(shù)的計算中。在一實施例中，光學波前相位使用模擬器(例如hyperlith軟件)來嚴格計算。在需要的情況下，可以在值之間進行插值。這些數(shù)據(jù)的相位圖或收集可以以高精度來預計算并可以有效地包含圖案形成裝置的形貌的全物理信息。圖案形成裝置的圖案的三維形貌的成像效應然后可以使用圖案的衍射圖案(其是依賴于圖案的特征)并添加所計算的光學波前相位信息來進行計算。

因此，在一實施例中，提供了一種方法，該方法包括：獲得所計算的、由光刻圖案形成裝置的圖案的三維形貌所造成的光學波前相位和強度信息；和使用計算機處理器來基于所計算的光學波前相位和強度信息來計算圖案形成裝置的圖案的三維形貌的成像效應。在一實施例中，獲得光學波前相位和強度信息包括：獲得圖案的三維形貌信息和基于該三維形貌信息計算由三維形貌所造成的光學波前相位和強度信息。在一實施例中，計算光學波前相位和強度信息是基于與光刻設備的照射輪廓相關(guān)聯(lián)的衍射圖案的。在一實施例中，計算光學波前相位和強度信息包括嚴格地計算光學波前相位和強度信息。在一實施例中，三維形貌選自：吸收體的高度或厚度、折射率、消光系數(shù)和/或吸收體的側(cè)壁角。在一實施例中，三維形貌包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括同一屬性的不同值。在一實施例中，光學波前相位信息包括用于圖案的多個臨界尺寸的光學波前相位信息。在一實施例中，光學波前相位信息包括用于照射輻射的多個入射角和/或圖案的側(cè)壁角的光學波前相位信息。在一實施例中，光學波前相位信息包括用于圖案的多個節(jié)距的光學波前相位信息。在一實施例中，光學波前相位信息包括用于多個光瞳位置或衍射級的光學波前相位信息。在一實施例中，計算圖案形成裝置的形貌的成像效應包括計算圖案形成裝置的圖案的模擬的圖像。在一實施例中，該方法還包括使用光刻圖案形成裝置來調(diào)整與光刻過程相關(guān)聯(lián)的參數(shù)來獲得圖案的成像的對比度的提高。在一實施例中，該參數(shù)是圖案形成裝置的圖案的形貌的參數(shù)或圖案形成裝置的照射的參數(shù)。在一實施例中，該方法還包括調(diào)節(jié)圖案形成裝置的折射率、圖案形成裝置的消光系數(shù)、圖案形成裝置的吸收體的側(cè)壁角、圖案形成裝置的吸收體的高度或厚度或選自它們之中的任意組合，以最小化相位變化。在一實施例中，所計算的光學波前相位信息包括跨衍射級的奇相位分布或其數(shù)學描述。

因此，不論是使用補充有所述的光學波前相位信息的計算光刻術(shù)，還是使用傳統(tǒng)的計算光刻術(shù)，都期望對圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)進行校正。一些類型的校正已經(jīng)在上文中進行了描述，一些另外類型的校正包括調(diào)節(jié)圖案形成裝置疊層、調(diào)節(jié)圖案形成裝置布局和/或使用圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)來調(diào)節(jié)圖案形成裝置的照射(有時稱為源掩模優(yōu)化)。

圖案形成裝置/照射(源掩模優(yōu)化)典型地不考慮圖案形成裝置的形貌或還使用圖案形成裝置的形貌尺寸庫。也就是說，該庫包含一組核心，所述核心得自圖案形成裝置的形貌。但是，如上所述，這些核心傾向于一近似值，并因此犧牲精度來獲得期望的運行時間。

相應地，在一實施例中，圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)計算涉及圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息。因此，圖案形成裝置的吸收體的影響可以由衍射級中的相位來描述。于是，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)包含所有必須的信息。

在一實施例中，如同上述計算光刻術(shù)，圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)計算涉及圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息。也就是說，數(shù)學/模擬計算涉及圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息。對于一些基本的特征，使用該相位可能足以計算優(yōu)化的圖案形成裝置/照射模式的組合。

在一實施例中，附加地或替代地，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息用作圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)計算的檢查或控制。例如，在一實施例中，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息用于限制照射、圖案形成裝置和/或其它光刻參數(shù)的范圍或限定照射、圖案形成裝置和/或其它光刻參數(shù)的范圍的界限，且傳統(tǒng)的圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)過程在該范圍內(nèi)執(zhí)行或受該范圍所約束。例如，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息可以針對于多個入射角獲得并被分析以辨別可接受的角度范圍，在該角度范圍內(nèi)，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)是可接受的。之后傳統(tǒng)的圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)過程可以在該角度范圍內(nèi)執(zhí)行。在一實施例中，傳統(tǒng)的圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)過程可以產(chǎn)生圖案形成裝置的布局和照射模式的一種或更多種提出的組合。這些一種或更多種的組合的一個或更多個參數(shù)可以被針對于圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的信息來測試。例如，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)與衍射級針對于各種入射角的圖表可以用于在所提出的照射模式的入射角產(chǎn)生了超過閾值的相位幅值的情況下排除該照射模式。

參考圖7，解釋圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)的方法的示例性的實施例。在701中，定義了光刻問題。該光刻問題表示了待印刷至襯底上的特定圖案。該圖案用于調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)光刻設備的參數(shù)和選擇照射系統(tǒng)的正確的配置。期望地，其代表包括在圖案中的積極的配置，例如同時對密集特征和孤立特征進行分組的圖案。

在702中，選擇模擬模型，該模擬模型計算圖案的輪廓。在一實施例中，該模擬模型可以包括空間圖像模型。在該情況下，入射輻射能量分布在光敏抗蝕劑上的分配將被計算?？臻g圖像的計算可以以傅立葉光學的標量或矢量形式來完成。特別地，該模擬可以借助于商業(yè)上可獲得的模擬器(例如prolith、solid-c或類似軟件)來執(zhí)行。光刻設備的不同元件的特性，如數(shù)值孔徑或具體圖案，可以被采用作為模擬的輸入?yún)?shù)。可以使用不同的模型，如集總參數(shù)模型(lumpedparametermodel)或變量閾值抗蝕劑模型(variablethresholdresistmodel)。

在該具體實施例中，用于運行空間圖像模擬的相關(guān)參數(shù)可以包括至最佳聚焦平面所在的平面的距離、照射系統(tǒng)的空間部分相干性程度的量度、照射偏振、用于照射器件襯底的光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑、光學系統(tǒng)的像差和表示圖案形成裝置的空間傳遞函數(shù)的描述。在一實施例中，如上所述，該相關(guān)參數(shù)可以包括圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息。

應當理解，在702中所選擇的模擬模型的使用不限于例如抗蝕劑輪廓的計算。模擬模型可以被執(zhí)行以提取附加的/補充的響應，如過程寬容度、密集/孤立特征偏置、側(cè)瓣印刷、對圖案形成裝置的誤差的靈敏度等等。

在限定模型及其參數(shù)(包括圖案和照射模式的初始條件)之后，則該方法處理至703，在703中，模擬模型被運行以計算響應。在一實施例中，關(guān)于計算光刻術(shù)，該模擬模型可以基于如上所述的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息來進行計算。于是，在一實施例中，該模擬模型體現(xiàn)多個設計變量的多變量函數(shù)，所述設計變量是光刻過程的特性，所述設計變量包括圖案的照射特性和該圖案的特性，其中該多變量函數(shù)是所計算的光學波前相位信息的函數(shù)。

在704中，照射模式的一種或更多種照射條件(例如，改變強度分布的類型、改變強度分布的參數(shù)(如σ)、改變劑量等)和/或圖案形成裝置的圖案的布局或形貌的一個或更多個方面(例如，施加偏置、添加光學鄰近效應校正、改變吸收體厚度、改變折射率或消光系數(shù)等)基于該響應的分析來調(diào)整。

在該實施例中所計算的響應可以相對于一個或更多個光刻量度來進行評估以判定是否例如存在足夠的對比度來成功地將期望的圖案特征印刷在襯底上的抗蝕劑中。例如，可以通過聚焦范圍來分析空間圖像，以提供曝光寬容度和焦深的估計且可以迭代地執(zhí)行該程序以到達最佳的光學條件。實際上，空間圖像的品質(zhì)可以通過使用對比度或空間圖像對數(shù)斜率(ils)量度(例如規(guī)范化的圖像對數(shù)斜率(nils)，該規(guī)范化的圖像對數(shù)斜率例如針對于特征尺寸被規(guī)范化)來確定。該值對應于圖像強度(或空間圖像)的斜率。在一實施例中，光刻度量可以包括臨界尺寸均一性、曝光寬容度、過程窗口、過程窗口的尺寸、掩模誤差增強因子(meef)、規(guī)范化的圖像對數(shù)斜率(nils)、邊緣定位誤差和/或圖案保真度量度。

如上所述，在一實施例中，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息可以用于評估或約束該響應的計算。例如，在一實施例中，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息用于限制照射、圖案形成裝置和/或其它光刻參數(shù)的范圍或限定照射、圖案形成裝置和/或其它光刻參數(shù)的范圍的界限，且傳統(tǒng)的圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)過程在該范圍內(nèi)執(zhí)行或受該范圍所約束，以生成響應。例如，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息可以針對于多個入射角獲得并被分析以辨別可接受的角度范圍，在該角度范圍內(nèi)，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)是可接受的。之后傳統(tǒng)的圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)過程可以在該角度范圍內(nèi)執(zhí)行。在一實施例中，傳統(tǒng)的圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)過程可以產(chǎn)生圖案形成裝置的圖案配置和照射模式的一種或更多種提出的組合，作為響應。這些一種或更多種的組合的一個或更多個參數(shù)可以被針對于圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的信息來測試。例如，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)與衍射級針對于各種入射角的圖表可以用于在所提出的照射模式的入射角產(chǎn)生了超過閾值的相位幅值的情況下排除該照射模式。

在705中，該模擬/計算、該響應的確定和該響應的評估可以被重復直至滿足一定的終止條件為止。例如，該調(diào)整可以持續(xù)至一數(shù)值被最小化或最大化為止。例如，光刻量度，例如臨界尺寸、曝光寬容度、對比度等等，可以被評估其是否滿足設計準則(例如臨界尺寸小于一定的第一值和/或大于一定的第二值)。如果光刻量度不滿足設計準則，則該調(diào)整可以持續(xù)。在一實施例中，對于調(diào)整，可以使用或獲得(例如計算)新的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)信息。

進而，除去圖案形成裝置/照射調(diào)節(jié)之外，還可以調(diào)節(jié)光刻設備或過程的一個或更多個其它參數(shù)。例如，可以調(diào)節(jié)光刻設備的投影系統(tǒng)的一個或更多個參數(shù)，例如數(shù)值孔徑、像差參數(shù)(例如與可以調(diào)節(jié)束路徑中的像差的裝置相關(guān)聯(lián)的參數(shù))等等。

因此，在一實施例中，提供一種方法，包括：對于通過光刻圖案形成裝置的圖案的輻射進行的照射，獲得所計算的、由圖案的三維形貌所造成的光學波前相位信息；和基于光學波前相位信息和使用計算機處理器，調(diào)整照射參數(shù)和/或調(diào)整圖案的參數(shù)。在一實施例中，該方法還包括：對于所調(diào)整的照射和/或圖案參數(shù)，獲得所計算的、由圖案的三維形貌所造成的光學波前相位信息和調(diào)整照射參數(shù)和/或調(diào)整圖案參數(shù)，其中該獲得和調(diào)整步驟重復直到滿足一定的終止條件為止。在一實施例中，該調(diào)整步驟包括：基于光學波前相位信息來計算光刻量度和基于光刻量度來調(diào)整照射和/或圖案的參數(shù)。在一實施例中，光刻量度包括選自下列中的一個或更多個：臨界尺寸均一性、曝光寬容度、過程窗口、過程窗口的尺寸、掩模誤差增強因子(meef)、規(guī)范化的圖像對數(shù)斜率(nils)、邊緣定位誤差或圖案保真度量度。在一實施例中，該獲得步驟包括針對于照射輻射的多個不同的入射角來獲得所計算的光學波前相位信息；且其中該調(diào)整步驟包括基于所計算的光學波前相位信息來定義入射照射輻射的可接受的角度范圍，并在該定義的角度范圍內(nèi)調(diào)整照射和/或圖案的參數(shù)。在一實施例中，該調(diào)整步驟包括執(zhí)行照射/圖案形成裝置的優(yōu)化。在一實施例中，該調(diào)整步驟包括計算多個設計變量的多變量函數(shù)，所述設計變量是光刻過程的特性，所述設計變量包括對于圖案的照射的特性和該圖案的特性，其中所述多變量函數(shù)是所計算的光學波前相位信息的函數(shù)。

在一實施例中，提供一種用于改進光刻過程以將光刻圖案形成裝置的圖案的至少一部分成像到襯底上的方法，該方法包括：獲得所計算的、由所述圖案的三維形貌所造成的光學波前相位信息；使用計算機處理器來計算多個參數(shù)的多變量函數(shù)，所述參數(shù)是光刻過程的特性，所述參數(shù)包括對于圖案的照射的特性和該圖案的特性，其中所述多變量函數(shù)是所計算的光學波前相位信息的函數(shù)；以及通過調(diào)整所述參數(shù)中的一個或更多個參數(shù)直至滿足預定終止條件為止來調(diào)整光刻過程的特性。

在一實施例中，該調(diào)整步驟還包括計算多個設計變量的另一多變量函數(shù)，所述設計變量是光刻過程的特性，其中該另一多變量函數(shù)不是所計算的光學波前相位信息的函數(shù)。在一實施例中，該多變量函數(shù)用于圖案的臨界區(qū)域且該另一多變量函數(shù)用于非臨界區(qū)域。在一實施例中，該調(diào)整步驟提高圖案的成像的對比度。在一實施例中，所計算的光學波前相位信息包括跨衍射級的奇相位分布或其數(shù)學描述。在一實施例中，該獲得步驟包括獲得圖案的三維形貌信息并基于該三維形貌信息來計算由三維形貌所造成的光學波前相位信息。在一實施例中，該圖案是器件的設計布局且光學波前相位信息僅僅被針對于該圖案的子圖案指定。在一實施例中，該方法包括調(diào)整照射參數(shù)，其中調(diào)整照射參數(shù)包括調(diào)整照射強度分布。在一實施例中，該方法包括調(diào)整圖案參數(shù)，其中調(diào)整圖案參數(shù)包括將光學鄰近效應校正特征和/或分辨率增強技術(shù)施加至該圖案。在一實施例中，光學波前相位信息包括針對于輻射的多個入射角和/或圖案的側(cè)壁角的光學波前相位信息。在一實施例中，所述獲得步驟包括嚴格計算光學波前相位信息。

圖案形成裝置疊層調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)主要通過查看可制造性方面(例如蝕刻)來實現(xiàn)。如果使用圖案形成裝置的成像是調(diào)節(jié)步驟的一部分，則其使用量度的一個或更多個衍生的成像品質(zhì)因數(shù)(例如曝光寬容度)來完成。這些衍生的成像品質(zhì)因數(shù)是依賴于特征和照射設定的。當使用用于調(diào)節(jié)的衍生的成像品質(zhì)因數(shù)(例如曝光寬容度)時，如果所衍生的經(jīng)過調(diào)節(jié)的堆疊在所有的成像相關(guān)的主題上基本上更好，則其可能不是清楚的，因為該調(diào)節(jié)步驟依賴于特征、照射設定等等。

相應地，替代或附加于評估諸如曝光寬容度等衍生的成像量度，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)被評估。通過評估圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)對于一個或更多個圖案形成裝置的疊層屬性(例如折射率、消光系數(shù)、吸收體或其他高度/厚度、側(cè)壁角等)的依賴性，可以辨別經(jīng)過改進的圖案形成裝置的疊層，該經(jīng)過改進的圖案形成裝置的疊層減小或最小化掩模3d引入的相位的幅值。以此方式衍生的掩模疊層對于所有的特征和/或照射設定而言，可以從根本上在多個成像屬性上是更好的。

參照圖8a，示出了二元掩模和具有大約6％的mosi吸收體的優(yōu)化的相移掩模、以正入射193nm照射來曝光的衍射級的模擬的強度(在衍射效率方面)的圖表。參照圖8b，示出了二元掩模和具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模、以正入射193nm照射來曝光的衍射級的模擬的相位的圖表。所述圖表示出了二元掩模800和相移掩模802的結(jié)果。

圖8a和圖8b中的圖表示出了測量衍射效率和波前相位如何分別作為衍射級的函數(shù)改變的模擬結(jié)果。該模擬對掩模圖案在由所述的193nm照射曝光時的投影進行建模，且可以例如使用hyperlith軟件(其可以從panoramictechnology，inc獲得)來執(zhí)行。該相位是以弧度為單位的且衍射級是整數(shù)，0對應于第0衍射級。該模擬針對于二元掩模800和相移掩模802執(zhí)行。

參照圖8a，可以看出，兩個不同的掩模800、802在衍射級的范圍上提供了十分相當?shù)难苌湫市阅?。另外，相移掩?02的衍射效率對于第一衍射級和第二衍射級略高一些。于是，相移掩模802可以提供比二元掩模800更好的性能。

在此，參照圖8b，可以看出二元掩模800和相移掩模802提供了在衍射級的范圍上十分不同的波前相位性能。尤其是，對于相移掩模802，跨衍射級中的一個或更多個衍射級的相位范圍通常相比二元掩模800被降低。也就是說，對于相移掩模802，跨衍射級的相位范圍相比于二元掩模800被降低或最小化。這可以在圖8b中看成表示相移掩模802的線總體上相比于表示二元掩模800的線被“平坦化”。換言之，表示相移掩模802的線相比于二元掩模800總體更接近于水平線。

參照圖9a，示出對于二元掩模被正入射193nm照射曝光的情形、模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與衍射級(其中第0衍射級對應于7.5)關(guān)系的圖表。該圖表示出對于三種不同的吸收體厚度(名義值、比名義值小6nm(-6nm)和比名義值大6nm)的二元掩模的結(jié)果。該圖表示出更薄的吸收體(-6nm)與其它情形相比隨著其線更加平坦化而產(chǎn)生略微更好的性能。

在此，參照圖9b，可以看出吸收體厚度的效應的更具體的細節(jié)。圖9b示出對于圖9a的二元掩模、所模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與吸收體厚度從名義值的變化(單位為納米)的關(guān)系的圖表。在該圖表中，三個不同的品質(zhì)因數(shù)被應用于相位與衍射級的關(guān)系圖表。第一品質(zhì)因數(shù)是總相位范圍(參見插圖中的“總”)。第二品質(zhì)因數(shù)是峰范圍(參見插圖中的“峰”)。而且，第三品質(zhì)因數(shù)是高階的范圍(參見插圖中的“高階”)。參照圖9b，可以看出相位的峰范圍(“峰”)是基本上恒定的。但是，對于高階(“高階”)，相位范圍隨著吸收體的厚度而增加并因此高階主要地驅(qū)動總相位范圍(“總”)的變化。于是，這些品質(zhì)因數(shù)中的一個或更多個可以用于驅(qū)動圖案形成裝置的疊層的配置。例如，高階的品質(zhì)因數(shù)推薦更薄的吸收體以減小相位范圍。相應地，例如高階的品質(zhì)因數(shù)的最小值(或在該最小值的5％、10％、15％、20％、25％或30％中的值)可以實現(xiàn)二元掩模的合適的厚度。但是，由于相位峰范圍在所示出的厚度上是一基本上恒定的非零數(shù)，因此除去減小高階相位范圍或使用非常大的厚度(這可能是不可制造的)之外，減小相位范圍的進一步的益處即使有，也不會太多。相應地，可能需要折射率和/或消光系數(shù)的變化。

參照圖10a，示出對于具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模(即圖案形成裝置具有不同的折射率)被正入射193nm照射曝光的情形、模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與衍射級(其中第0衍射級對應于7.5)關(guān)系的圖表。該圖表示出對于三種不同的吸收體厚度(名義值(其是優(yōu)化的數(shù)且對應于圖8a和8b中的相移掩模802)、比名義值小6nm(-6nm)和比名義值大6nm)的結(jié)果。該圖表示出名義值厚度與其它情形相比隨著其線更加平坦化而產(chǎn)生明顯更好的性能。

在此，參照圖10b，可以看出吸收體厚度的效應的更具體的細節(jié)。圖10b示出對于圖10a的具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模的、模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與吸收體厚度從名義值的變化(單位是納米)的關(guān)系的圖表。如在圖9b的圖表中，三個不同的品質(zhì)因數(shù)(“總”、“峰”和“高階”)被辨別成施加至相位與衍射級的關(guān)系的圖表。

參照圖10b，可以看出相位峰范圍(“峰”)、對于高階的相位范圍(“高階”)和總相位范圍(“總”)都是變化的。因此，為了調(diào)節(jié)疊層，這些品質(zhì)因數(shù)中的一個或更多個可以用于驅(qū)動圖案形成裝置疊層的配置。例如，峰品質(zhì)因數(shù)可以驅(qū)動疊層的配置以減小相位范圍。相應地，例如，峰品質(zhì)因數(shù)的最小值(或在該最小值的5％、10％、15％、20％、25％或30％內(nèi)的值)可以實現(xiàn)掩模的合適的厚度(例如在圖10b中的名義厚度)?；蛘?，多于一個品質(zhì)因數(shù)可以用于驅(qū)動圖案形成裝置的疊層的配置。于是，該調(diào)節(jié)過程可以涉及共同優(yōu)化的問題(或許合適的權(quán)重被給予某些品質(zhì)因數(shù)和/或不超過被施加至這些品質(zhì)因數(shù)的閾值)，該共同優(yōu)化問題涉及多于一個品質(zhì)因數(shù)。相應地，例如，共同優(yōu)化的最小值(或在該最小值的5％、10％、15％、20％、25％或30％內(nèi)的值)可以實現(xiàn)掩模的合適的厚度。

應當理解，同樣的分析可以應用于具有不同的折射率、不同的消光系數(shù)等的圖案形成裝置的吸收體以調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)圖案形成裝置疊層。于是，除去上述針對折射率、消光系數(shù)等的特殊組合對于厚度的上述優(yōu)化之外，還可以針對厚度、消光系數(shù)等的特殊組合對于不同的折射率進行類似的優(yōu)化、針對厚度、折射率等的特殊組合對于不同的消光系數(shù)等進行類似的優(yōu)化，等等。并且因此，這些結(jié)果可以用于共同優(yōu)化功能以到達經(jīng)過調(diào)節(jié)的(例如優(yōu)化的)疊層。盡管已經(jīng)描述了圖案形成裝置的形貌的物理參數(shù)，但是可以類似地考慮形成圖案形成裝置的形貌的參數(shù)(例如蝕刻)。

參照圖11，示出對于圖8a和圖8b的相移掩模802和非優(yōu)化的相移掩模1100的空間圖像模擬的、模擬的最佳聚焦位置差(單位是納米)與節(jié)距(單位是納米)的關(guān)系的圖表。從圖11可以看出，相移掩模802提供了比相移掩模1100總體更低的最佳聚焦位置差并補償了在大約80-110納米的節(jié)距下明顯的圖案形成裝置的形貌引入的最佳聚焦位置差。

參照圖12a和12b，示出了具有薄吸收體的二元掩模與具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模(對應于圖8a和8b中的相移掩模802且具有圖10a中的名義值厚度)的性能對比。在此，該對比還針對于各種照射入射角示出。因此，圖12a示出對于二元掩模被對應于-16.5度入射角的為-0.9的σ(sigma)、對應于0度入射角的為0的σ以及對應于16.5度入射角的為0.9的σ的193nm照射曝光情況下的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與衍射級的關(guān)系的圖表。該圖表示出了對于每個照射角，相位范圍δ是十分明顯的，包括總相位范圍、峰相位范圍以及在一定程度上包括高階相位范圍。因此，該二元掩模給出了對比度損失且具有明顯的最佳聚焦位置差。

圖12b示出對于具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模(對應于圖8a和8b中的相移掩模802且具有圖10a中的名義值厚度)被對應于-16.5度入射角的為-0.9的σ(sigma)、對應于0度入射角的為0的σ以及對應于16.5度入射角的為0.9的σ的193nm照射曝光情況下的模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與衍射級(整數(shù)形式)的關(guān)系的圖表。該圖表示出了對于每個照射角，相位范圍δ在衍射級上是十分窄的并因此該掩模給出了低的對比度損失、低的最佳聚焦位置差、低的定位誤差和相對低的圖案不對稱度。

參照圖13a和13b，示出了具有薄吸收體的二元掩模與具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模(對應于圖8a和8b中的相移掩模802且具有圖10a中的名義值厚度)的最佳聚焦和對比度的對比。在此，示出該對比還針對于圖案的密集特征1300和半孤立特征1302。因此，圖13a示出對于二元掩模被193nm照射曝光情況下的測量的劑量靈敏度(單位是nm/mj/cm²)與最佳聚焦(單位是nm)的關(guān)系的圖表。在左手側(cè)上的劑量靈敏度比例是針對于密集特征1300的，在右手側(cè)上的劑量靈敏度比例是針對于半孤立特征1302的。該圖表示出，例如，對于密集特征1300的劑量靈敏度(由箭頭1304標記)的最小值與對于半孤立特征1302的劑量靈敏度(由箭頭1306標記)的最小值相比處在明顯不同的最佳聚焦位置。

圖13b示出對于具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模(對應于圖8a和8b中的相移掩模802且具有圖10a中的名義值厚度)的被測量的劑量靈敏度(單位是nm/mj/cm²)與最佳聚焦位置(單位是nm)的關(guān)系的圖表。在左手側(cè)上的劑量靈敏度比例是針對于密集特征1300的，在右手側(cè)上的劑量靈敏度比例是針對于半孤立特征1302的。與圖13a相比，該圖表示出，例如，對于密集特征1300的劑量靈敏度(由箭頭1304標記)的最小值處在靠近于對于半孤立特征1302的劑量靈敏度(由箭頭1306標記)的最小值的最佳聚焦位置。而且，對于密集特征和半孤立特征跨最佳聚焦位置范圍的劑量靈敏度總體對于相移掩模比二元掩模更低。事實上，對于半孤立特征，劑量靈敏度總體上如水平箭頭所示明顯減小。圖13b也示出最佳聚焦位置范圍(大約-190nm至-50nm)對于密集特征和半孤立特征相比于圖13a中的最佳聚焦位置范圍(大約-190nm至0nm)被明顯地減小。于是，經(jīng)過調(diào)節(jié)的具有大約6％的mosi吸收體的相移掩模(對應于圖8a和8b中的相移掩模802且具有圖10a中的名義值厚度)能夠為最佳聚焦位置和對比度提供明顯的益處。

參照圖14a和圖14b，示出對于具有22nm線/間隔圖案通過節(jié)距的euv掩模的、模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與衍射級的關(guān)系的圖表。圖14a示出用于在第一方向上的特征(豎直特征)的結(jié)果，圖14b示出在基本上與第一方向正交的第二方向上的特征(水平特征)的結(jié)果。在一euv布置中，在掩模是反射性掩模的情況下，主光線以與圖案形成裝置成非零和非90度的角度的方式入射到圖案形成裝置上。在一實施例中，主光線角度是大約6度。相應地，參考圖14b，由于主光線的入射角，相位分布通常對于水平特征總是奇的(類似于關(guān)于圖5的上述的非正入射角)(并因此可以使用例如澤尼克項z2或z7的圖案來校正)。而且，參照圖14a，相位分布對于豎直特征通常是偶的(并因此可以使用例如澤尼克項z9或z16的圖案來校正)。

參照圖15a和圖15b，示出對于具有22nm線/間隔圖案通過節(jié)距的euv掩模的且對于相對于傾斜的主光線的各種角度、模擬的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)(單位是弧度)與衍射級的關(guān)系的圖表。圖15a示出用于在第一方向上的特征(豎直特征)的結(jié)果，圖15b示出在基本上與第一方向正交的第二方向上的特征(水平特征)的結(jié)果。如圖15a中對于-4.3度至4.5度相對于主光線角度(在該情況下，是6度)的角度范圍所見，相位分布對于豎直特征大體上是偶的并因此可以使用例如澤尼克項z9或z16圖案來校正。而且，參照圖15b，對于-4.3度至4.5度相對于主光線角度(在該情況下，是6度)的角度范圍，相位分布對于水平特征是奇的并因此可以使用例如澤尼克項z2或z7的圖案來校正。

因此，在一實施例中，盡管吸收體特性可以被修改以幫助校正euv掩模的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)，但是用于校正圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的另一種方式是提供離軸照射，該離軸照射解決與水平線關(guān)聯(lián)的奇相位分布和緩解衰退。例如，雙極照射(在合適的位置具有極)可以為水平線和豎直線兩者提供照射，但與水平線適合得更好。圖16示出對于具有0.33的數(shù)值孔徑且使用具有0.2環(huán)寬度的雙極照射的euv光刻設備的圖案形成裝置的各種線和間隔圖案的、模擬的調(diào)制傳遞函數(shù)(mtf)與相干性的關(guān)系。線1600表示16納米線和間隔圖案的結(jié)果，線1602表示13納米線和間隔圖案的結(jié)果，線1604表示12納米線和間隔圖案的結(jié)果，線1606表示11納米線和間隔圖案的結(jié)果。該mtf是由投影系統(tǒng)捕獲的第一級衍射輻射的量的量度。在圖16的圖表上的相干性的值給出了對于各種線和間隔圖案相對于傾斜的主光線的雙極照射的極位置(σ)的中心。于是，可以從圖16看出，對于被euv輻射照射的16nm線和間隔圖案以及更大的，可以選擇相對于傾斜的主光線的相對低的角度(相干性＞0.3)以在保持最大調(diào)制的同時控制圖案形成裝置的形貌引入的相位。與之相比，對于193nm(的輻射)，40nm線和間隔圖案可能需要σ＝0.9(17度入射角)。

而且，對于euv照射，例如，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的效應可以不僅對于每個取向是不同的(例如豎直特征或水平特征)，而且對于每種節(jié)距也是不同的。對于不同的特征取向和不同的節(jié)距，存在最佳焦距位置差、波桑(bossung)曲線斜率、通過節(jié)距的對比度差異和/或焦深差。

在一實施例中，用于評估相位的技術(shù)(例如使用品質(zhì)因數(shù)、共同優(yōu)化等)可以在此應用于其它的實施例中，其中，替代或附加于圖案形成裝置疊層屬性，所改變的參數(shù)是照射輻射的入射角、側(cè)壁角、臨界尺寸等。

因此，在一實施例中，提供一種方法，該方法包括：獲得由光刻圖案形成裝置的圖案的三維形貌所造成的光學波前相位信息；基于該光學波前相位信息且使用計算機處理器來調(diào)整圖案的物理參數(shù)。在一實施例中，該圖案是器件的設計布局且光學波前相位信息僅僅被針對于該圖案的子圖案指定。在一實施例中，該方法還包括：針對于所調(diào)整的圖案的物理參數(shù)，獲得由圖案的三維形貌所造成的光學波前相位信息和調(diào)整圖案的物理參數(shù)中的參數(shù)，其中該獲得步驟和調(diào)整步驟被重復直至滿足一定的終止條件為止。在一實施例中，該調(diào)整步驟提高圖案的成像的對比度。在一實施例中，所計算的光學波前相位信息包括跨衍射級的奇相位分布或其數(shù)學描述。在一實施例中，該調(diào)整步驟包括確定由光刻圖案形成裝置的圖案的三維形貌所造成的相位的最小值。在一實施例中，該物理參數(shù)包括選自下列的一個或更多個：折射率、消光系數(shù)、側(cè)壁角、厚度、特征寬度、節(jié)距和/或疊層的參數(shù)(例如順序/成分/等等)。在一實施例中，調(diào)整物理參數(shù)包括從吸收體的庫中選擇圖案的吸收體。在一實施例中，獲得光學波前相位信息包括嚴格計算光學波前相位信息。

于是，在一實施例中，圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)用于調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)圖案形成裝置的疊層。尤其是，波前相位效應可以通過吸收體調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)來緩解。在一實施例中，如上所述，不透明的二元掩?？赡苁遣缓线m的，而具有優(yōu)化的吸收體厚度的透射式相移掩?？梢栽诓ㄇ跋辔缓驮谝r底上的光刻性能方面給出最佳性能。

而且，對于euv圖案形成裝置，由于奇相位分布效應導致的對比度損失可以由照射模式調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)來被最好的緩解。

在一實施例中，可以使用圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)來調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)圖案形成裝置至圖案形成裝置的差異。也就是說，每個獨立的圖案形成裝置的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)的信息可以被比較或監(jiān)測以識別圖案形成裝置之間的差別，例如將校正應用于光刻過程的參數(shù)(例如對于一個或更多個圖案形成裝置的校正、對于照射模式的改變、在光刻設備中補償相位的應用等)以使它們在性能上類似(這可以涉及使性能“變差”或“變好”)。于是，在一實施例中，提供對于不同的圖案形成裝置(例如一個或更多個類似的臨界圖案、特征或結(jié)構(gòu)的圖案形成裝置)之間的相位差的監(jiān)控和調(diào)節(jié)光刻過程以補償所確定的差異(例如對于一個或更多個圖案形成裝置的校正、對于照射模式的改變、在光刻設備中補償相位的應用等)。

在一實施例中，可以使用圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)來調(diào)節(jié)(例如優(yōu)化)圖案形成裝置上的變化。也就是說，在圖案形成裝置上的不同的區(qū)域的圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)可以被比較以識別該區(qū)域之間的差異并例如將校正應用于光刻過程的參數(shù)(例如對于圖案形成裝置的一個或更多個區(qū)域的校正、對于照射模式的改變、在光刻設備中補償相位的應用等)以使它們在性能上類似(這可以涉及使性能“變差”或“變好”)。于是，在一實施例中，提供對于跨圖案形成裝置(例如一個或更多個類似的臨界圖案、特征或結(jié)構(gòu)的圖案形成裝置)的相位差的監(jiān)控和調(diào)節(jié)光刻過程以補償所確定的差異(例如對于一個或更多個圖案形成裝置的校正、對于照射模式的改變、在光刻設備中補償相位的應用等)。

于是，這些技術(shù)中的一種或更多種可以提供對于光刻設備可以投影圖案到襯底上的精確度的顯著改進。

用于校正波前相位的此處的技術(shù)中的一些，例如用于通過改變吸收體厚度來緩解聚焦位置差，可以減小使用圖案形成裝置形成的空間圖像的對比度。在一些應用的區(qū)域內(nèi)，這可能不是非常關(guān)心的。例如，如果光刻設備正在用于對將形成邏輯電路的圖案進行成像，則對比度可以被考慮成比聚焦位置差更不重要。由聚焦位置差的改進提供的好處(例如更好的臨界密度均一性)可以被考慮成比所減小的對比度更重要。合適的優(yōu)化函數(shù)(例如具有光刻量度的權(quán)重)可以被用于到達平衡(例如最優(yōu)值)。例如，在一實施例中，由圖案形成裝置提供的相移以及其提供的對比度改進可以被考慮，以及圖案形成裝置的形貌引入的相位在例如校正圖案形成裝置的形貌引入的相位時可以被考慮?？梢哉业皆谔峁p小的圖案形成裝置的形貌引入的相位的同時提供必需程度的對比度的折中。

在上述實施例中，吸收材料通常已經(jīng)被描述為單一材料。然而，該吸收材料可以是多于一種材料。該材料可以例如被提供成層，且可以例如被提供成交替層的疊層。為了改變折射率或消光系數(shù)，可以采用具有期望的折射率/消光系數(shù)的不同的材料，摻雜劑可以被以吸收體材料的構(gòu)成要素的相對比例(例如鉬和硅化物的比例)添加到吸收材料中。

在一實施例中，輻射束b被偏振。如果輻射束沒有被偏振，則構(gòu)成輻射束的不同的偏振可能減少或抵消圖案形成裝置的形貌引入的聚焦位置差，以使得不會看到明顯的圖案形成裝置的形貌引入的效應(例如聚焦位置差)。但是，期望地可以使用偏振輻射束，且如果輻射束被偏振，則可能不會出現(xiàn)該減小或抵消，且相應地，在此所述的實施例可以被用于減小圖案形成裝置的形貌引入的效應。偏振輻射可以被用在浸沒式光刻術(shù)中，因此此處描述的這些實施例可能對于浸沒光刻術(shù)是有利的。euv光刻設備的輻射束典型地具有例如對于其主光線大約6度的角度，并因此不同的偏振態(tài)為輻射束提供不同的貢獻。因此，反射束對于兩個偏振方向而言是不同的，同樣可以考慮成是偏振的(至少在一定程度上)。本發(fā)明的實施例因此可以有利地被用于euv光刻術(shù)。

在一實施例中，圖案形成裝置可以設置有功能圖案(即將形成操作裝置的一部分的圖案)。替代地或附加地，圖案形成裝置可以設置有測量圖案，該測量圖案不形成功能圖案的一部分。該測量圖案可以例如位于功能圖案的一側(cè)。該測量圖案例如可以用于測量圖案形成裝置相對于光刻設備的襯底臺wt(見圖1)的對準或可以用于測量一些其它參數(shù)(例如重疊)。在此所述的技術(shù)可以應用于這種測量圖案。因此，例如，在一實施例中，用于形成測量圖案的吸收材料可以與用于形成功能圖案的吸收材料相同或不同。作為另一示例，測量圖案的吸收材料可以是提供對輻射束基本上完全吸收的材料。作為另一示例，用于形成測量圖案的吸收材料可以設置有與用于形成功能圖案的吸收材料不同的厚度。

對于空間圖像，在此所討論的對比度包括圖像對數(shù)斜率(ils)和/或規(guī)范化的圖像對數(shù)斜率(nils)，而對于抗蝕劑，在此所討論的對比度包括劑量靈敏度和/或曝光寬容度。

盡管在說明書中不時可能僅僅討論了圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)，但是應當理解，這種參考可以包括使用圖案形成裝置的形貌引入的強度(波前強度)。類似地，在可能僅僅討論了圖案形成裝置的形貌引入的強度(波前強度)的情況下，應當理解，這種參考可以包括使用圖案形成裝置的形貌引入的相位(波前相位)。

在本文中所用的術(shù)語“使優(yōu)化”、“進行優(yōu)化”、“優(yōu)化”意思是調(diào)整光刻過程參數(shù)，以使得光刻術(shù)的過程和/或結(jié)果具有更可期望的特性，例如在襯底上的設計布局的投影的更高的精確度、更大的過程窗口等等。

本發(fā)明的實施例可以采取如下形式：計算機程序，包含對如本文中所披露方法加以描述的一個或更多機器可讀指令序列；或數(shù)據(jù)儲存介質(zhì)(例如，半導體存儲器、磁盤或光盤)，其中儲存有這樣的計算機程序。此外，計算機可讀指令可以體現(xiàn)于兩個或更多計算機程序中。所述兩個或更多計算機程序可以儲存于一個或更多不同存儲器和/或數(shù)據(jù)儲存介質(zhì)上。

該計算機程序可以例如被圖1的成像設備所包括或包括在圖1的成像設備中和/或被圖2的控制單元lacu所包括或包括在圖2的控制單元lacu中。在已有的設備(例如如圖1-2所示類型的示例)已經(jīng)處于生產(chǎn)中和/或使用中的情況下，一個實施例可以通過提供用于使設備的處理器執(zhí)行本文所描述方法的經(jīng)更新的計算機程序產(chǎn)品來實現(xiàn)。

當一個或更多計算機程序由位于光刻設備的至少一個部件內(nèi)的一個或更多計算機處理器讀取時，本文中所描述的任何控制器可以是各自或組合地可操作的。控制器可以各自或組合地具有用于接收、處理和發(fā)送信號的任何合適配置。一個或更多處理器被配置成用以與控制器中至少一個控制器通信。例如，每個控制器可包括用于執(zhí)行包括用于上述方法的計算機可讀指令的計算機程序的一個或更多處理器?？刂破骺梢园ㄓ糜趦Υ孢@樣的計算機程序的數(shù)據(jù)儲存介質(zhì)，和/或用以接收這樣的介質(zhì)的硬件。因此，控制器可以根據(jù)一個或更多的計算機程序的計算機可讀指令而操作。

雖然上文已經(jīng)做出了具體參考，將所述實施例用于使用輻射的光刻術(shù)的情況中，將理解本發(fā)明的實施例可以用在其它的應用中，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于使用輻射的光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的形貌限定了在襯底上產(chǎn)生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的形貌印刷到提供給所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置被從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。

此外，盡管在本文中可以對用于制造集成電路(ic)的光刻設備作出了具體引用，但是應理解到，本文中所描述的光刻設備可以具有其它應用，諸如制造集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(lcd)、薄膜磁頭，等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會到，在這些替代應用的情形下，本文中使用的任何術(shù)語“晶片”或“管芯”可以被認為分別與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標部分”同義的。本文中所稱的襯底可以在曝光之前或之后被處理，例如在軌道(一種通常將一層抗蝕劑涂覆到襯底上并且使得被曝光的抗蝕劑顯影的工具)中，量測工具和/或檢驗工具中。在適合的情況下，本文的公開內(nèi)容可以適用于這些和其它襯底處理工具。此外，所述襯底可以被多于一次地處理，例如以便產(chǎn)生多層集成電路，從而使得本文中所用的術(shù)語襯底也可以表示已包含多個經(jīng)過處理的層的襯底。

本發(fā)明還可使用下列方面加以描述：

1.一種方法，所述方法包括：

獲得由光刻圖案形成裝置的圖案的三維形貌導致的波前相位信息；以及

基于所述波前相位信息且使用計算機處理器來調(diào)整所述圖案的物理參數(shù)。

2.根據(jù)方面1所述的方法，其中所述圖案是器件的設計布局且所述波前相位信息僅僅針對于所述圖案的子圖案來指定。

3.根據(jù)方面1或2所述的方法，還包括：對于所述圖案的經(jīng)過調(diào)整的物理參數(shù)，獲得由所述圖案的三維形貌導致的波前相位信息并調(diào)整所述圖案的物理參數(shù)的參數(shù)，其中所述獲得步驟和調(diào)整步驟被重復直至滿足一定的終止條件為止。

4.根據(jù)方面1至3中任一個方面所述的方法，其中所述調(diào)整步驟改進所述圖案的成像的對比度。

5.根據(jù)方面1至4中任一個方面所述的方法，其中所述計算的波前相位信息包括跨衍射級的奇相位分布或其數(shù)學描述。

6.根據(jù)方面1至5中任一個方面所述的方法，其中所述調(diào)整步驟包括確定由光刻圖案形成裝置的所述圖案的三維形貌導致的相位的最小值。

7.根據(jù)方面6所述的方法，其中所述相位的最小值在衍射級的范圍上。

8.根據(jù)方面1至7中任一個方面所述的方法，其中所述物理參數(shù)包括選自下列中的一種或多種：折射率、消光系數(shù)、側(cè)壁角、厚度、特征寬度、節(jié)距和/或疊層的參數(shù)。

9.根據(jù)方面1至8中任一個方面所述的方法，其中，調(diào)整物理參數(shù)包括從吸收體的庫中選擇圖案的吸收體。

10.根據(jù)方面1至9中任一個方面所述的方法，其中，獲得波前相位信息包括嚴格計算波前相位信息。

11.根據(jù)方面1至10中任一個方面所述的方法，其中，一組基函數(shù)用于描述波前相位信息，例如澤尼克、瓊斯、貝塞爾或穆勒表達式。

12.根據(jù)方面1至11中任一個方面所述的方法，其中所述調(diào)整步驟包括使用波前相位信息作為模擬模型中的核心。

13.根據(jù)方面1至12中任一個方面所述的方法，還包括基于波前相位信息來調(diào)整光刻設備的參數(shù)。

14.一種非易失性計算機程序產(chǎn)品，包括配置成使處理器執(zhí)行根據(jù)方面1至13中任一個方面所述的方法的機器可讀指令。

15.一種制造器件的方法，其中器件圖案被使用光刻過程施加至一系列的襯底，所述方法包括使用根據(jù)方面1至13中任一個方面的方法來制備所述器件圖案和將所述器件圖案曝光到襯底上。

在本文所述的圖案形成裝置可以被稱為光刻圖案形成裝置。于是，術(shù)語“光刻圖案形成裝置”可以被解釋成意味著適用于光刻設備中的圖案形成裝置。

這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括：紫外輻射(uv)(例如具有或約為365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(euv)輻射(例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。

在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以表示各種類型的光學部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的以及靜電的光學部件。

所述的實施例和說明書中對“實施例”、“示例”等的提及表示所述實施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個實施例可能不一定包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。另外，這種措辭不一定表示同一實施例。進而，當特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性結(jié)合實施例來描述，應當理解，不論是否被明確描述，實現(xiàn)這種特征、結(jié)構(gòu)或特性以及其它實施例在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識范圍內(nèi)。

上文的描述意圖是示例性的而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應該明白，在不背離下文所闡述的權(quán)利要求的范圍的情況下可以對所述的本發(fā)明做出修改。例如，一個或更多實施例的一個或更多方面可酌情與一個或更多其它實施例的一個或更多方面相組合、或替代一個或更多其它實施例的一個或更多方面。因此，基于這里給出的教導和啟示，這種修改和適應意欲在所公開的實施例的等價物的范圍和含義內(nèi)。應該理解，這里的術(shù)語或措辭是為了舉例描述的目的，而不是限制性的，使得本說明書的術(shù)語或措辭由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)教導和啟示進行解釋。本發(fā)明的覆蓋度和范圍不應該受到上述的示例性實施例中的任一個限制，而應該僅根據(jù)隨附的權(quán)利要求及其等價物進行限定。