相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)主張2014年10月23日提交的歐洲申請(qǐng)14190079.5的權(quán)益，并且它們通過援引而全文合并到本發(fā)明中。

本發(fā)明涉及一種用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)、一種加載襯底的方法、一種光刻設(shè)備和一種用于使用光刻設(shè)備來制造器件的方法。

背景技術(shù)：

光刻設(shè)備是一種將所需圖案施加到襯底上(通常應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上)的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成于所述ic的單層上的電路圖案?？梢詫⑺鰣D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。所述圖案的轉(zhuǎn)移通常經(jīng)由將圖案成像到設(shè)置于襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層來進(jìn)行。通常，單個(gè)襯底將包括被連續(xù)地形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。常規(guī)的光刻設(shè)備包括：所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與所述方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印至襯底上而將圖案從圖案形成轉(zhuǎn)移至襯底。

在浸沒式光刻設(shè)備中，浸沒流體被流體處置系統(tǒng)或設(shè)備處置。在實(shí)施例中，所述流體處置系統(tǒng)或設(shè)備可供應(yīng)浸沒流體并且因此包括流體供應(yīng)系統(tǒng)或設(shè)備，或由流體供應(yīng)系統(tǒng)或設(shè)備組成。在實(shí)施例中，流體處置系統(tǒng)或設(shè)備可至少部分地限制浸沒流體。在實(shí)施例中，流體處置系統(tǒng)或設(shè)備可提供對(duì)于浸沒流體而言的阻擋，且由此包括阻擋構(gòu)件(諸如流體限制結(jié)構(gòu))，或由阻擋構(gòu)件(諸如流體限制結(jié)構(gòu))組成。在實(shí)施例中，流體處置系統(tǒng)或設(shè)備可產(chǎn)生或使用氣流，例如用來幫助控制所述浸沒流體的流動(dòng)和/或位置。氣流可形成密封以限制浸沒流體，因此所述流體處置系統(tǒng)或設(shè)備可被稱為密封構(gòu)件；這樣的密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在所述情況下，所述流體處置系統(tǒng)或設(shè)備可以是液體處置系統(tǒng)或設(shè)備。在下列描述中，對(duì)關(guān)于流體而限定的特征的提及可被理解為包括關(guān)于液體而限定的特征。

襯底可在光刻過程期間由支撐臺(tái)支撐?？商峁┯糜趯⒁r底轉(zhuǎn)移至支撐臺(tái)和/或從支撐臺(tái)轉(zhuǎn)移襯底的襯底輸送裝置。真空夾持系統(tǒng)可用來將襯底夾持至支撐臺(tái)。在一種布置中，可將襯底從襯底輸送裝置轉(zhuǎn)移至支撐銷上。支撐銷被配置成緩慢下降，直至襯底從支撐銷轉(zhuǎn)移至支撐臺(tái)上為止。襯底可從支撐銷轉(zhuǎn)移至例如從支撐臺(tái)的基部表面突起的突節(jié)上。支撐銷有時(shí)被稱作e銷釘。當(dāng)襯底正被降低至支撐銷上時(shí)，可從所述襯底下方的區(qū)域泵吸抽走氣體。這種泵吸抽走氣體可在襯底下方產(chǎn)生部分真空。非均一的壓力輪廓可在襯底接近支撐臺(tái)時(shí)積聚。非均一的壓力輪廓可造成內(nèi)部應(yīng)力被賦予至襯底。當(dāng)使襯底與支撐臺(tái)接觸時(shí)，產(chǎn)生部分密封并且襯底下方的壓力快速下降。快速下降的壓力引起襯底被快速且牢固地夾持至支撐臺(tái)。一旦被夾持，襯底的后續(xù)移動(dòng)受約束。在夾持之前存在于襯底中的內(nèi)部應(yīng)力可在夾持之后繼續(xù)存在且造成襯底的后續(xù)變形。

具有內(nèi)部應(yīng)力的襯底的夾持可導(dǎo)致重疊誤差。據(jù)估計(jì)，內(nèi)部應(yīng)力通?？舍槍?duì)最初平坦的襯底貢獻(xiàn)約1納米的重疊誤差。內(nèi)部應(yīng)力將傾向于對(duì)于最初不平坦的襯底貢獻(xiàn)甚至更多重疊誤差。

對(duì)于最初平坦的襯底，內(nèi)部應(yīng)力將傾向于造成在夾持之后所述襯底的變形。對(duì)于最初非平坦的襯底，內(nèi)部應(yīng)力將傾向于造成在夾持之后變形的增加。重疊誤差將傾向于對(duì)于最初非平坦的襯底而言較大，這是因?yàn)槌跏疾黄教苟群头蔷粔毫烧叩恼T發(fā)應(yīng)力將傾向于累積地貢獻(xiàn)于在夾持之后的較大總體變形。

因此，例如，需要通過減少襯底在它們已被加載至支撐臺(tái)上之后發(fā)生變形的程度來減輕前述問題中的一個(gè)或更多個(gè)，或一個(gè)或更多個(gè)其它問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)一方面，提供一種用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)被配置成用以支撐襯底，其中所述支撐臺(tái)包括：基部表面，當(dāng)所述襯底由所述支撐臺(tái)支撐時(shí)所述基部表面面對(duì)所述襯底的底部表面；和所述基部表面上方的一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件，所述氣墊構(gòu)件中的每個(gè)包括凹部，所述凹部被成形和配置成使得所述襯底降低至所述支撐臺(tái)上的所述襯底由所述支撐臺(tái)支撐處的位置會(huì)造成所述凹部?jī)?nèi)的壓力的局部化積聚，壓力的局部化積聚提供在所述襯底的所述降低期間的局部化氣體緩沖效應(yīng)。

根據(jù)一方面，提供一種用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)被配置成用以支撐襯底，其中所述支撐臺(tái)包括：基部表面；在所述基部表面上方突起的多個(gè)突節(jié)，所述多個(gè)突節(jié)中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端，所述多個(gè)突節(jié)被布置成使得當(dāng)所述襯底由所述支撐臺(tái)支撐時(shí)，所述襯底由所述多個(gè)突節(jié)的所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端支撐；在所述基部表面上方突起的多個(gè)突起部，所述多個(gè)突起部中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端，所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端被配置成使得當(dāng)所述襯底由所述多個(gè)突節(jié)的所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端支撐時(shí)，所述突起部的所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端與所述襯底間隔開；和一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件，每個(gè)氣墊構(gòu)件包括形成于所述多個(gè)突起部中的一個(gè)中的氣體供應(yīng)通道，所述氣體供應(yīng)通道被配置成允許將氣流通過所述支撐臺(tái)及所述突起部供應(yīng)至所述突起部的所述遠(yuǎn)端中的開口。

根據(jù)一方面，提供一種將襯底加載至光刻設(shè)備中的支撐臺(tái)上的方法，其中所述支撐臺(tái)被配置成用以支撐襯底，所述方法包括：提供所述支撐臺(tái)，其中所述支撐臺(tái)包括：基部表面；在所述基部表面上方突起的多個(gè)突節(jié)，所述多個(gè)突節(jié)中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端，所述多個(gè)突節(jié)被布置成使得當(dāng)所述襯底由所述支撐臺(tái)支撐時(shí)，所述襯底由所述多個(gè)突節(jié)的所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端支撐；在所述基部表面上方突起的多個(gè)突起部，所述多個(gè)突起部中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端，所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端被配置成使得當(dāng)所述襯底由所述支撐臺(tái)支撐時(shí)，所述遠(yuǎn)端與所述襯底間隔開；和一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件，形成于所述多個(gè)突起部中的一個(gè)或更多個(gè)中，每個(gè)氣墊構(gòu)件包括：開口和氣體供應(yīng)通道，所述開口被配置成在所述襯底正被降低至所述支撐臺(tái)上時(shí)面向所述襯底，所述氣體供應(yīng)通道通過所述支撐臺(tái)而通向所述開口，其中：所述方法還包括在所述襯底正被降低至所述支撐臺(tái)上時(shí)將氣流通過所述氣體供應(yīng)通道而提供至一個(gè)所述開口或多個(gè)所述開口。

根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括：使用光刻設(shè)備以將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底，其中所述光刻設(shè)備包括：支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)被配置成用以支撐襯底，所述支撐臺(tái)包括：一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件，所述氣墊構(gòu)件中的每個(gè)包括凹部，所述凹部被成形和配置成使得所述襯底降低至所述支撐臺(tái)上的所述襯底由所述支撐臺(tái)支撐處的位置造成所述凹部?jī)?nèi)的壓力的局部化積聚，所述壓力的局部化積聚提供在所述襯底的所述降低期間的局部化氣體緩沖效應(yīng)。

根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括：使用光刻設(shè)備以將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底，其中所述光刻設(shè)備包括：支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)被配置成用以支撐襯底，所述支撐臺(tái)包括：基部表面；在所述基部表面上方突起的多個(gè)突節(jié)，所述多個(gè)突節(jié)中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端，所述多個(gè)突節(jié)被布置成使得當(dāng)所述襯底由所述支撐臺(tái)支撐時(shí)，所述襯底由所述多個(gè)突節(jié)的所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端支撐；在所述基部表面上方突起的多個(gè)突起部，所述多個(gè)突起部中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端，所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端被配置成使得當(dāng)所述襯底由所述多個(gè)突節(jié)的所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端支撐時(shí)，所述突起部的所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端與所述襯底間隔開；和一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件，每個(gè)氣墊構(gòu)件包括形成于所述多個(gè)突起部中的一個(gè)中的氣體供應(yīng)通道，所述氣體供應(yīng)通道被配置成允許將氣流通過所述支撐臺(tái)及所述突起部供應(yīng)至所述突起部的所述遠(yuǎn)端中的開口。

附圖說明

現(xiàn)在將僅作為舉例、參考所附的示意圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，并且其中：

圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備；

圖2描繪用于光刻設(shè)備中的液體供應(yīng)系統(tǒng)；

圖3是描繪根據(jù)實(shí)施例的另外的液體供應(yīng)系統(tǒng)的側(cè)視截面圖；

圖4是描繪包括多個(gè)氣墊構(gòu)件的支撐臺(tái)100的示意性俯視圖；

圖5是描繪在襯底朝向單一氣墊構(gòu)件正被降低時(shí)所述氣墊構(gòu)件的示意性側(cè)視剖視圖；

圖6是描繪在襯底朝向多個(gè)示例性氣墊構(gòu)件正被降低時(shí)所述氣墊構(gòu)件的示意性側(cè)視剖視圖；

圖7是描繪氣墊構(gòu)件的示意性俯視圖；

圖8是描繪包括氣體通道的氣墊構(gòu)件的示意性側(cè)視剖視圖；

圖9是描繪圖8中所描繪的類型的氣墊構(gòu)件的示意性俯視圖；

圖10是描繪包括可替代的氣體通道的氣墊構(gòu)件的示意性俯視圖；

圖11是描繪支撐臺(tái)的一部分的示意性側(cè)視剖視圖，其包括支撐著襯底的多個(gè)突節(jié)和形成在比突節(jié)更低的突起部中的多個(gè)氣墊構(gòu)件；

圖12是描繪支撐臺(tái)的一部分的示意性側(cè)視剖視圖，其包括多個(gè)突節(jié)，氣墊構(gòu)件形成在突節(jié)中；

圖13是描繪支撐臺(tái)的一部分的示意性側(cè)視剖視圖，支撐臺(tái)包括支撐著襯底的多個(gè)突節(jié)和多個(gè)氣墊構(gòu)件，氣墊構(gòu)件中形成有氣體供應(yīng)通道，氣體供應(yīng)通道允許將氣流通過所述支撐臺(tái)而供應(yīng)至比突節(jié)更低的突起部中；和

圖14描繪示出在襯底的加載期間氣墊構(gòu)件中的壓力隨著時(shí)間的模擬變化的曲線圖。

具體實(shí)施方式

圖1示意地描繪根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括：照射系統(tǒng)(照射器)il，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束b(例如，紫外(uv)輻射或任何其它合適輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))mt，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)ma，并與被配置用于根據(jù)特定參數(shù)精確地定位圖案形成裝置ma的第一定位裝置pm相連。所述設(shè)備也包括襯底臺(tái)(例如，晶片臺(tái))wt或“襯底支撐件”，所述襯底臺(tái)wt或“襯底支撐件”被構(gòu)造用以保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)w并且與配置用于根據(jù)特定參數(shù)精確地定位襯底w的第二定位裝置pw相連。所述設(shè)備還包括投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))ps，其配置用于將由圖案形成裝置ma賦予輻射束b的圖案投影到襯底w的目標(biāo)部分c(例如包括一根或多根管芯)上。

照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。

所述支撐結(jié)構(gòu)支撐所述圖案形成裝置，即承載所述圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其它條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩模”都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。

這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果所述圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。

圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程lcd面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。

這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其它因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。

這里如圖所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。

光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(“雙平臺(tái)”)或更多個(gè)襯底臺(tái)或襯底支撐件(和/或兩個(gè)或更多個(gè)掩模臺(tái)或或“掩模支撐件”)的類型。在這種“多平臺(tái)”機(jī)器中，可以平行地使用額外的臺(tái)或支撐件，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)或支撐件上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，一個(gè)或多個(gè)其它的臺(tái)或支撐件被用于曝光。

所述光刻設(shè)備也可以是這種類型：其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以施加到光刻設(shè)備中的其它空間，例如介于掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)能夠用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語“浸沒”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而是儀意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和所述襯底之間。

參照?qǐng)D1，所述照射器il接收來自輻射源so的輻射束。所述源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)所述源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將所述源看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)bd的幫助，將所述輻射束從所述源so傳到所述照射器il。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈磗o和所述照射器il、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)bd一起稱作輻射系統(tǒng)。

所述照射器il可以包括被配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器ad。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器il可以包括各種其它部件，例如積分器in和聚光器co?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。與源so類似，照射器il可以被看作或不被看作形成光刻設(shè)備的一部分。例如，照射器il可以是光刻設(shè)備的組成部分或可以是與光刻設(shè)備分開的實(shí)體。在后一種情形中，光刻設(shè)備可以配置成允許照射器il安裝其上?？蛇x地，照射器il是可分離的并且可以單獨(dú)地設(shè)置(例如，由光刻設(shè)備制造商或其它供應(yīng)商提供)。

所述輻射束b入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)mt(例如，掩模臺(tái))上的所述圖案形成裝置ma(例如，掩模)上，并且通過所述圖案形成裝置ma來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模之后，所述輻射束b通過投影系統(tǒng)ps，所述投影系統(tǒng)ps將輻射束b聚焦到所述襯底w的目標(biāo)部分c上。通過第二定位裝置pw和位置傳感器if(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述支撐臺(tái)100，例如以便將不同的目標(biāo)部分c定位于所述輻射束b的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置pm和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束b的路徑精確地定位掩模。通常，可以通過形成所述第一定位裝置pm的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置pw的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)wt或“襯底支撐件”的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，掩模臺(tái)可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀?duì)準(zhǔn)標(biāo)記m1、m2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記p1、p2來對(duì)準(zhǔn)掩模和襯底w。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分c之間的空間(這些公知為劃線對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。

用以將液體提供到投影系統(tǒng)ps的最終元件和襯底之間的布置可以被分成三大類。它們是浴器類型布置、所謂的局部浸沒系統(tǒng)和全浸濕浸沒系統(tǒng)。在浴器類型布置中，基本上整個(gè)所述襯底和可選地所述襯底臺(tái)wt的一部分被浸沒于液體的浴中。

已提出的布置被用來向液體供應(yīng)系統(tǒng)提供液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)沿著介于投影系統(tǒng)的最終元件與所述襯底、襯底臺(tái)、或襯底和襯底臺(tái)二者之間的空間的邊界的至少一部分而延伸。這樣的布置在圖2中示出。圖2中所圖示且在下文所描述的所述布置可被應(yīng)用于上文所描述且在圖1中所圖示的光刻設(shè)備。

圖2示意性地描繪具有液體限制結(jié)構(gòu)ih的局部化液體供應(yīng)系統(tǒng)或流體處置系統(tǒng)，所述液體限制結(jié)構(gòu)ih沿著介于投影系統(tǒng)ps的最終元件與襯底臺(tái)wt或襯底w之間的空間11的邊界的至少一部分而延伸。(請(qǐng)注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對(duì)襯底w的表面的提及也另外或替代地是指對(duì)于襯底臺(tái)wt的表面)。在實(shí)施例中，密封件被形成于液體限制結(jié)構(gòu)ih與襯底w的表面之間，且其可以是非接觸式密封件，諸如氣體密封件16(歐洲專利申請(qǐng)公開第ep-a-1,420,298號(hào)中披露了具有氣體密封件的這種系統(tǒng))或液體密封件。

液體限制結(jié)構(gòu)ih至少部分地將液體包含在介于投影系統(tǒng)ps的最終元件與襯底w之間的空間11中?？臻g11是由定位于投影系統(tǒng)ps的最終元件下方且圍繞投影系統(tǒng)ps的最終元件的所述液體限制結(jié)構(gòu)ih而至少部分地形成。液體通過開口13而被帶入至位于投影系統(tǒng)ps下方且在液體限制結(jié)構(gòu)ih內(nèi)的空間11內(nèi)。液體可通過開口13而被移除。液體是通過開口13而帶入至空間11中、還是通過開口13從空間11而被移除，這可取決于襯底w及襯底臺(tái)wt的移動(dòng)方向。

液體可借助于氣體密封件16而被包含于空間11中，氣體密封件16在使用期間被形成于液體限制結(jié)構(gòu)ih的底部與襯底w的表面之間。氣體密封件16中的氣體經(jīng)由氣體入口15而在負(fù)壓下被提供至介于液體限制結(jié)構(gòu)ih與襯底w之間的間隙。經(jīng)由與出口14相關(guān)聯(lián)的通道來抽取氣體。氣體入口15上的過壓、出口14上的真空水平和所述間隙的幾何形狀被布置成使得在內(nèi)部存在有限制所述液體的高速氣流。氣體對(duì)在液體限制結(jié)構(gòu)ih與襯底w之間的液體的力將液體包含于空間11中。美國專利申請(qǐng)公開第us2004-0207824號(hào)中披露了這種系統(tǒng)，該美國專利申請(qǐng)公開的全文通過援引而被合并到本文中。在實(shí)施例中，液體限制結(jié)構(gòu)ih不具有氣體密封件。

在局部化區(qū)域液體供應(yīng)系統(tǒng)中，在投影系統(tǒng)ps和液體供應(yīng)系統(tǒng)下方移動(dòng)所述襯底w。當(dāng)例如襯底w的邊緣待成像時(shí)、或當(dāng)襯底臺(tái)上(或測(cè)量臺(tái)上)的傳感器待成像或襯底臺(tái)wt待移動(dòng)使得偽襯底(dummysubstrate)或所謂的封閉板可被定位于液體供應(yīng)系統(tǒng)下方以使得例如襯底交換能夠發(fā)生時(shí)，襯底w(或其它物體)的邊緣將在空間11下方穿過。液體可泄漏至介于襯底w與襯底臺(tái)wt之間的間隙內(nèi)。這種液體可在流體靜壓力或流體動(dòng)壓力或氣刀或其它氣流產(chǎn)生裝置的力下被推動(dòng)進(jìn)入。

圖3是描繪了根據(jù)實(shí)施例的另外的液體供應(yīng)系統(tǒng)或流體處置系統(tǒng)的側(cè)視截面圖。圖3中所圖示的且在下文所描述的布置可被應(yīng)用于上文所描述且圖1中所圖示的光刻設(shè)備。所述液體供應(yīng)系統(tǒng)具備液體限制結(jié)構(gòu)ih，液體限制結(jié)構(gòu)ih沿著介于投影系統(tǒng)ps的最終元件與襯底臺(tái)wt或襯底w之間的空間的邊界的至少一部分而延伸。(請(qǐng)注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對(duì)襯底w的表面的提及也另外或可替代地是指對(duì)于襯底臺(tái)wt的表面)。

液體限制結(jié)構(gòu)ih至少部分地將液體包含在介于投影系統(tǒng)ps的最終元件與襯底w之間的空間11中?？臻g11由定位于投影系統(tǒng)ps的最終元件下方且圍繞投影系統(tǒng)ps的最終元件的液體限制結(jié)構(gòu)ih而至少部分地形成。在實(shí)施例中，液體限制結(jié)構(gòu)ih包括主體構(gòu)件53和多孔構(gòu)件83。多孔構(gòu)件83是板狀的且具有多個(gè)孔(即，開口或微孔)。在實(shí)施例中，多孔構(gòu)件83是網(wǎng)板，其中眾多小孔84被形成為呈網(wǎng)眼的形式。美國專利申請(qǐng)公開第us2010/0045949a1號(hào)中披露了這種系統(tǒng)，所述美國專利申請(qǐng)公開的全文通過援引而合并到本文中。

主體構(gòu)件53包括：供應(yīng)端口72，其能夠?qū)⒁后w供應(yīng)至空間11；和回收端口73，其能夠從空間11回收液體。供應(yīng)端口72經(jīng)由通路74而連接至液體供應(yīng)設(shè)備75。液體供應(yīng)設(shè)備75能夠?qū)⒁后w供應(yīng)至供應(yīng)端口72。從液體供應(yīng)設(shè)備75饋送的液體通過對(duì)應(yīng)通路74而供應(yīng)至供應(yīng)端口72中的每個(gè)供應(yīng)端口。供應(yīng)端口72在光學(xué)路徑附近安置于主體構(gòu)件53的面對(duì)光學(xué)路徑的規(guī)定位置處。回收端口73能夠從空間11回收液體?；厥斩丝?3經(jīng)由通路79而連接至液體回收設(shè)備80。液體回收設(shè)備80包括真空系統(tǒng)且能夠通過經(jīng)由回收端口73吸入液體來回收液體。液體回收設(shè)備80通過通路79回收經(jīng)由回收端口73而回收的液體lq。多孔構(gòu)件83安置于回收端口73中。

在實(shí)施例中，為了在一側(cè)上在投影系統(tǒng)ps與液體限制結(jié)構(gòu)ih之間、以及在另一側(cè)上在投影系統(tǒng)ps與襯底w之間以液體形成空間11，液體被從供應(yīng)端口72供應(yīng)至空間11，且將液體限制結(jié)構(gòu)ih中的回收腔室81中的壓力調(diào)整至負(fù)壓以便經(jīng)由多孔構(gòu)件83的孔84(即，回收端口73)來回收液體。使用供應(yīng)端口72來執(zhí)行液體供應(yīng)操作、以及使用多孔構(gòu)件83來執(zhí)行液體回收操作會(huì)在一側(cè)上在投影系統(tǒng)ps與液體限制結(jié)構(gòu)ih之間及在另一側(cè)上在投影系統(tǒng)ps與襯底w之間用液體形成空間11。

如在說明書的引言部分中所描述，在真空夾持工藝期間在襯底w內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力能夠?qū)е轮丿B誤差。在諸如下文參看圖4至圖14所描述那些實(shí)施例中，通過在用于支撐所述襯底w的支撐臺(tái)100上提供一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件來減少重疊誤差。上文參看圖1所提及的襯底臺(tái)wt是這種支撐臺(tái)100的實(shí)例。下文所描述的實(shí)施例中的任一實(shí)施例可在上文參看圖1至圖3中的任一圖所描述的類型的光刻設(shè)備中、以及在其它光刻設(shè)備中實(shí)施?？稍诮]光刻設(shè)備及非浸沒光刻設(shè)備中實(shí)施所描述的實(shí)施例。在實(shí)施例中，氣墊構(gòu)件中的每個(gè)氣墊構(gòu)件被配置成用以施加局部化氣體緩沖效應(yīng)。局部化氣體緩沖效應(yīng)包括將局部化的力向上施加至襯底w的底側(cè)上的局部化區(qū)，而同時(shí)將襯底w朝向氣墊構(gòu)件降低。在實(shí)施例中，局部化力的大小將隨著襯底w接近氣墊構(gòu)件而增加。局部化力導(dǎo)致襯底w的局部化減速。在襯底w并不平坦的情況下，襯底w的下部區(qū)域?qū)A向于比襯底的較高區(qū)域更多地減速，這是因?yàn)橐r底w的下部區(qū)域?qū)A向于更接近所述氣墊構(gòu)件。結(jié)果是，襯底w的較高區(qū)域?qū)A向于在襯底w的夾持之前至少部分地趕上所述襯底w的下部區(qū)域。因此，理想地，提供了多個(gè)氣墊構(gòu)件以便允許在襯底w下方的不同位置處施加不同氣體緩沖力。因此，可在夾持之前改善襯底w的平坦度，由此改善重疊。

替代地或補(bǔ)充地，由氣墊構(gòu)件施加的力可用以延遲襯底w至支撐臺(tái)100上的夾持。延遲所述夾持可提供更多的時(shí)間以供襯底w內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)力在夾持之前松弛。這些內(nèi)部應(yīng)力可例如由可在襯底w朝向支撐臺(tái)100的降低期間已在襯底w下方積聚的非均一壓力輪廓而造成。在夾持之后由于內(nèi)部應(yīng)力的存在而導(dǎo)致的襯底w的變形可因此被減少，由此改善重疊。替代地或另外，內(nèi)部應(yīng)力的改善型管理可允許在重疊誤差不超過一可接受量的情況下增加夾持力。因此，可改善夾持工藝的效率。

下文參看圖4至圖13描述特定的非限制性實(shí)例。

提供了用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)100。支撐臺(tái)100被配置成用以支撐襯底w。支撐臺(tái)100包括基部表面101?；勘砻?01被配置成當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí)面對(duì)襯底w的底部表面103。在實(shí)施例中，基部表面101是實(shí)質(zhì)上平面的?；勘砻?01可當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí)實(shí)質(zhì)上平行于襯底w。

在基部表面101上方提供一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件102。在圖4所示的特定實(shí)例中，提供多個(gè)氣墊構(gòu)件102。在此特定實(shí)例中的氣墊構(gòu)件102的數(shù)目不受限制。氣墊構(gòu)件102可在基部表面101上實(shí)質(zhì)上均一地分布。在圖4所示的特定實(shí)例中，單一氣墊構(gòu)件102位于中心位置處，且兩組氣墊構(gòu)件102位于更多的周邊位置處。第一組氣墊構(gòu)件102是沿著位于與單一氣墊構(gòu)件102相距第一半徑的圓形路徑而分布。在此特定實(shí)例中，第一組氣墊構(gòu)件102包括五個(gè)氣墊構(gòu)件102。第二組氣墊構(gòu)件102是沿著位于與單一氣墊構(gòu)件102相距第二半徑的圓形路徑而分布。第二半徑大于第一半徑。在此特定實(shí)例中，第二組氣墊構(gòu)件102包括十個(gè)氣墊構(gòu)件102。因而，在此特定實(shí)例中提供了總共16個(gè)氣墊構(gòu)件102。在其它實(shí)施例中，可提供更多或更少氣墊構(gòu)件102。另外或替代地，氣墊構(gòu)件102可以不同的方式分布。

在實(shí)施例中，氣墊構(gòu)件102中的每個(gè)氣墊構(gòu)件包括凹部108。凹部108被成形和配置成使得襯底w降低至支撐臺(tái)100上的襯底w由襯底臺(tái)wt支撐的位置會(huì)造成凹部108內(nèi)的壓力的局部化積聚。由于由下降襯底w所造成的凹部108內(nèi)的氣體的壓縮而引起所述凹部108中的壓力的局部化積聚。壓力的局部化積聚提供了在襯底w的降低期間的局部化氣體緩沖效應(yīng)。氣體緩沖效應(yīng)包括局部化力的施加至襯底w的局部化區(qū)域。氣體緩沖效應(yīng)的大小及形狀將通常取決于各種因素，包括以下各個(gè)因素中的一個(gè)或多個(gè)因素：氣墊構(gòu)件102的幾何形狀、凹部108的幾何形狀、襯底w的位置、襯底w的移動(dòng)速度、襯底w下方的氣體的名義壓力，和襯底w的先前移動(dòng)的細(xì)節(jié)。一種重要因素將是(例如，在氣墊構(gòu)件102的遠(yuǎn)端與襯底w之間)多少空間可以利用，以供氣體當(dāng)襯底w降低時(shí)從凹部108逸出。此空間越大，氣體可從凹部108逸出越快速，此情形將傾向于限制氣體被壓縮的程度。限制氣體被壓縮的程度將限制凹部108中的壓力上升。相反地，空間越小，則氣體能夠越不太快地從凹部108逸出，此情形將傾向于導(dǎo)致氣體的較大壓縮和凹部108中的較大壓力上升。

圖5中示意性地圖示了實(shí)例氣墊構(gòu)件102的操作原理。在圖5中，箭頭104指示了襯底w朝向下方的氣墊構(gòu)件102降低。在此實(shí)施例中，氣墊構(gòu)件102包括凹部108，凹部108具有由側(cè)向壁111和基部112限定的內(nèi)表面。側(cè)向壁111可以是例如圓柱形，或可呈其它形狀。凹部108用以約束氣流(例如，通過在一個(gè)或更多個(gè)側(cè)向方向上限制流動(dòng))，而襯底w是以使凹部108內(nèi)的氣體被壓縮的方式下降。如上文所討論，壓縮可受到能夠從凹部108逸出(由箭頭106所圖示)的一些氣體限制。氣體能夠逸出的速率將取決于介于凹部108的遠(yuǎn)端邊緣110與下降襯底w之間的間隙的大小。較小間隙將提供對(duì)于流106的較大流阻，這將減少能夠逸出的氣體的量。隨著下降襯底w變得較接近遠(yuǎn)端邊緣110，則可用于流106的間隙變得較小并且流阻變得較高。在這種類型的實(shí)施例中，預(yù)期的是，流阻將大約隨著(1/間隙大小)³而變化。因此，凹部108內(nèi)的壓力將傾向于在襯底w的較低位置處是較高的。因此，氣墊構(gòu)件102提供局部化氣體緩沖效應(yīng)，這當(dāng)襯底w變得較接近支撐臺(tái)100和氣墊構(gòu)件102時(shí)增加強(qiáng)度。

在襯底w的加載期間，氣墊構(gòu)件102中的壓力隨著時(shí)間推移的變化將極大程度地取決于凹部108的形狀和尺寸。作為非限制性實(shí)例，圖14示出仿真/模擬的結(jié)果，其示出預(yù)期在定位于根據(jù)重力而下降的襯底w下方的單一20mm直徑氣墊構(gòu)件102中壓力如何變化。此實(shí)例中的氣墊構(gòu)件102是由中空?qǐng)A柱壁形成，其在一端部處封閉且在另一端部處敞開。壁的厚度為0.5mm。圓柱的高度與當(dāng)襯底w與支撐臺(tái)100接觸時(shí)將支撐襯底w的突節(jié)的高度相比低3微米。在圖14中，襯底w從t＝0開始向下移動(dòng)。襯底w在壓力到達(dá)其最大值3000pa時(shí)觸及所述支撐臺(tái)100。與此對(duì)比，襯底w上的重力壓力是18pa。重力壓力可在若襯底w被支撐于襯底中心時(shí)造成襯底w的大約10微米的變形，或在若襯底w被支撐于典型支撐銷(e銷釘)上時(shí)造成襯底w的大約3微米的變形。如可看出，對(duì)于大比例的降低時(shí)間，壓力由于在襯底w下方的氣體不具有任何顯著約束而保持大約恒定。當(dāng)襯底w接近氣體緩沖構(gòu)件102時(shí)，壓力開始下降，這是因?yàn)榕c真空夾持工藝相關(guān)聯(lián)的泵吸開始在降低壓力時(shí)有效。然而，氣體緩沖構(gòu)件102中的氣體隨后開始被壓縮，且壓力朝向?yàn)?000pa的最大值快速上升。壓縮接著在襯底w開始擱置于支撐臺(tái)100的突節(jié)上時(shí)停止。與真空夾持工藝相關(guān)聯(lián)的泵吸隨后接管起作用，且造成壓力快速地下降。當(dāng)壓力下降成低于大氣壓力時(shí)，襯底w變得被夾持至支撐臺(tái)100。

圖6圖示出圖5所示的類型的多個(gè)氣墊構(gòu)件102a至102c作用于非平坦的下降襯底w(出于圖示性目的，相對(duì)于實(shí)際上很可能遭遇的不平坦度，夸大并且簡(jiǎn)化了所顯示的不平坦度)的實(shí)施例。不平坦度可由各種因素造成。例如，作用于襯底w上的在所有底部表面103上未被均一地支撐的重力可造成不平坦度。作用于由支撐銷(e銷釘)所支撐的襯底w上的重力可造成不平坦度。在所示的圖示性實(shí)例中，在圖6中所描繪的時(shí)間瞬間，襯底w在中心區(qū)中由于不平坦度而比在周邊區(qū)中更低。結(jié)果，襯底w相比于接近氣墊構(gòu)件102b及102a的程度而言，更接近中心氣墊構(gòu)件102c。因此，由氣墊構(gòu)件102c施加的氣體緩沖效應(yīng)比由氣墊構(gòu)件102b施加的氣體緩沖效應(yīng)更強(qiáng)。由氣墊構(gòu)件102b提供的氣體緩沖效應(yīng)也比由氣墊構(gòu)件102a提供的氣體緩沖效應(yīng)更強(qiáng)。因此，襯底w的中心區(qū)將傾向于被減速至與襯底w的較側(cè)向的區(qū)相比更大的減速程度。因此，襯底w的側(cè)向區(qū)將傾向于趕上較中心的區(qū)，由此展平所述襯底w且減少重疊誤差。

在實(shí)施例中，氣墊構(gòu)件102中的一個(gè)或更多個(gè)被形成于突起部109中。支撐臺(tái)100可包括多個(gè)突起部109。在實(shí)施例中，突起部109中的每個(gè)包括單一氣墊構(gòu)件102(例如，突起部109中的每個(gè)包括單一凹部108)。在其它實(shí)施例中，突起部109中的一個(gè)或更多個(gè)可各自包括一個(gè)以上氣墊構(gòu)件102(例如，突起部109中的一個(gè)或更多個(gè)中的每個(gè)包括多個(gè)凹部108)。將氣墊構(gòu)件102設(shè)置于突起部109中會(huì)使得有可能使限定所述凹部108的遠(yuǎn)端邊緣110更接近于襯底w。使遠(yuǎn)端邊緣110較接近襯底w會(huì)增加對(duì)于從凹部108逸出的氣體的流阻。增加用于從凹部108逸出的氣體的流阻將傾向于增加所述氣體的壓縮，且在凹部108內(nèi)導(dǎo)致較高壓力。每個(gè)突起部109在支撐臺(tái)100的基部表面101上方突起。突起部109可并非是在支撐臺(tái)100的基部表面101上方突起的唯一特征。每個(gè)突起部109具有遠(yuǎn)端。突起部109的遠(yuǎn)端是與基部表面101上的所述突起部109突出處的部分的最遠(yuǎn)離的突起部的部分。在基部表面101實(shí)質(zhì)上水平的情況下，每個(gè)突起部109的遠(yuǎn)端將是所述突起部109的最高部分。在實(shí)施例中，突起部109被配置成使得當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí)，每個(gè)突起部109的遠(yuǎn)端與襯底w間隔開。因此，當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí)，突起部109的任何部分都不與襯底w接觸。例如，圖11中示出此類型的實(shí)例實(shí)施例。在實(shí)施例中，突起部109中的一個(gè)或更多個(gè)中的每個(gè)可在所述突起部109的遠(yuǎn)端中包括一個(gè)或更多個(gè)氣墊構(gòu)件102。在實(shí)施例中，氣墊構(gòu)件102的凹部108在突起部109的遠(yuǎn)端處敞開。在存在著通往凹部108內(nèi)的一個(gè)以上開口的情況下，最大開口可被配置成面向襯底w。

在實(shí)施例中，凹部108的內(nèi)表面可被認(rèn)為是由多個(gè)部分組成，且所述內(nèi)表面的所述部分中的每個(gè)部分是與直接與氣墊構(gòu)件102相鄰的基部表面101的一部分齊平、或在直接與氣墊構(gòu)件102相鄰的基部表面101的所述部分上方。在圖5的實(shí)例中，凹部108的所有內(nèi)表面都在基部表面101上方。在其它實(shí)施例中，凹部108的基部可由基部表面101的一部分形成，或與基部表面101的一部分齊平。在這樣的實(shí)施例中，可通過用被形成為呈閉合回路形式的壁來圍封所述基部表面101的一部分而形成氣墊構(gòu)件102。例如，圖6中示出此類型的氣墊構(gòu)件102的實(shí)例。

設(shè)置與突節(jié)116分離的突起部109也可幫助改善支撐臺(tái)100與襯底w之間的熱耦合，由此改善重疊。

在實(shí)施例中，支撐臺(tái)100還包括多個(gè)突節(jié)116。例如，圖11中示出這種實(shí)施例的實(shí)例。多個(gè)突節(jié)116中的每個(gè)在支撐臺(tái)100的基部表面101上方突出。多個(gè)突節(jié)116中的每個(gè)具有相應(yīng)遠(yuǎn)端117。多個(gè)突節(jié)116被布置成使得當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí)，所述襯底w是由多個(gè)突節(jié)116的相應(yīng)遠(yuǎn)端117支撐。在實(shí)施例中，介于襯底w與突起部109中的至少一個(gè)的遠(yuǎn)端之間的間隔118小于突節(jié)116中的一個(gè)或更多個(gè)的高度120的10％(當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí))、視情況小于8％、視情況小于6％、視情況小于4％、視情況小于2％、視情況小于1％、視情況小于0.1％。將突起部109的遠(yuǎn)端布置成接近于襯底w會(huì)確保從凹部108逸出的氣體的流阻是相對(duì)較高的，由此促進(jìn)凹部108內(nèi)的氣體的壓縮。

在實(shí)施例中，可在形成于突起部109內(nèi)的凹部108中的一個(gè)或更多個(gè)的內(nèi)部設(shè)置突節(jié)116中的一個(gè)或更多個(gè)。在其它實(shí)施例中，可在形成于突起部109內(nèi)的所有凹部108外部設(shè)置所有突節(jié)116。

在實(shí)施例中，支撐臺(tái)100包括多個(gè)突節(jié)116，且氣墊構(gòu)件102中的至少一個(gè)被形成于所述突節(jié)116中的一個(gè)或更多個(gè)中。圖12中示出這種實(shí)施例的實(shí)例。在這種實(shí)施例中，可存在或可不存在低于突節(jié)116的突起部109。在設(shè)置低于突節(jié)116的突起部109的情況下，突起部109可包括或也可不包括氣墊構(gòu)件102中的一個(gè)或更多個(gè)。

在氣墊構(gòu)件102包括形成于突節(jié)116中的凹部108的實(shí)施例中，凹部108中的氣體緩沖壓力與形成在比突節(jié)116更低的突起部109中的凹部108中的壓力相比，在襯底w接近突節(jié)116時(shí)將傾向于上升至更高值。然而，突節(jié)116中的凹部108中的壓力將通常比突起部109中的凹部108中的壓力而言作用于更小區(qū)域之上。這是因?yàn)橥ǔ⑿枰雇还?jié)116較小以便作為突節(jié)116而有效地起作用(例如，用以提供與襯底w相接觸的足夠小總表面積，使得污染物顆粒存在于突節(jié)與襯底w之間(由此造成不平坦度)的機(jī)率可接受地低)。

在實(shí)施例中，凹部108由側(cè)向壁111限定，側(cè)向壁111當(dāng)被垂直地觀察時(shí)形成閉合回路(例如，當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí)在垂直于襯底w平面的方向上)。圖7中示意性地示出這種布置的實(shí)例。閉合回路中的側(cè)向壁111提供凹部108內(nèi)的氣體的有效約束，由此促進(jìn)所述氣體的壓縮。

在實(shí)施例中，凹部108具有面對(duì)襯底w的單一開口。所述單一開口可被例如遠(yuǎn)端邊緣110圍繞。在這種實(shí)施例中，凹部108可被描述為盲凹部。在其它實(shí)施例中，可設(shè)置一個(gè)或更多個(gè)額外開口115。在實(shí)施例中，設(shè)置氣體通道114，其通向一個(gè)或更多個(gè)額外開口115。所述一個(gè)或更多個(gè)額外開口115可向外朝向位于遠(yuǎn)端邊緣110下方的凹部108的一部分敞開。所述一個(gè)或更多個(gè)額外開口115和氣體通道114可允許氣體從凹部108更快速地逸出。允許氣體更快速地逸出可以用期望的方式改變所述氣體緩沖效應(yīng)。替代地或另外，允許氣體更快速地逸出可促進(jìn)在襯底w由支撐臺(tái)100支撐之后建立夾持力。

圖8及圖9中示意性地圖示了包括額外開口115和通向額外開口115的氣體通道114的實(shí)施例的實(shí)例?？商峁┯糜跉饬魍ǖ?14的各種其它形狀和配置。圖10描繪了提供呈狹縫的形式的氣體通道114的一個(gè)特定實(shí)例的俯視圖。所述狹縫從基部表面101延伸至氣墊構(gòu)件102的遠(yuǎn)端邊緣110，且因此防止了凹部108的側(cè)向壁111形成閉合回路。在所示出的特定實(shí)例中，狹縫被垂直地定向，但這并非是必須的。

圖13描繪了提供一種氣體供應(yīng)系統(tǒng)124的替代實(shí)施例。氣體供應(yīng)系統(tǒng)124被配置成用以驅(qū)動(dòng)氣流通過多個(gè)氣墊構(gòu)件102。氣墊構(gòu)件102被形成于支撐臺(tái)100中的突起部109中。在這種類型的實(shí)施例中，提供了具有基部表面101的支撐臺(tái)100。提供多個(gè)突節(jié)116。突節(jié)116在基部表面101上方突起。多個(gè)突節(jié)116中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端117。多個(gè)突節(jié)116被布置成使得當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí)，所述襯底w是由多個(gè)突節(jié)116的遠(yuǎn)端117支撐。所述多個(gè)突起部109在基部表面101上方突起。多個(gè)突起部109中的每個(gè)具有相應(yīng)的遠(yuǎn)端105。所述相應(yīng)的遠(yuǎn)端105被配置成使得當(dāng)襯底w由多個(gè)突節(jié)116的相應(yīng)遠(yuǎn)端117支撐時(shí)，突起部102的相應(yīng)遠(yuǎn)端105與襯底w間隔開。氣體供應(yīng)通道122形成于多個(gè)突起部109中的一個(gè)或更多個(gè)中。在所示出的特定實(shí)施例中，氣體供應(yīng)通道122被形成于突起部109中的每個(gè)或任一個(gè)中，但這并非是必需的。氣體供應(yīng)通道122中的每個(gè)被配置成允許將氣流通過支撐臺(tái)100和突起部109而供應(yīng)至所述突起部109的遠(yuǎn)端中的開口。因此，在這種類型的實(shí)施例中，能夠?qū)怏w主動(dòng)供應(yīng)至突起部109的遠(yuǎn)端105以便在襯底w下方提供氣體緩沖效應(yīng)。在實(shí)施例中，介于襯底w與突起部109中的至少一個(gè)的遠(yuǎn)端105之間的間隔118小于一個(gè)或更多個(gè)突節(jié)116的高度120的10％(當(dāng)襯底w由支撐臺(tái)100支撐時(shí))、視情況小于8％、視情況小于6％、視情況小于4％、視情況小于2％、視情況小于1％、視情況小于0.1％。將突起部109的遠(yuǎn)端105布置成接近于襯底w會(huì)確保用于從凹部108逸出的氣體的流阻是相對(duì)較高的，由此促進(jìn)在氣墊構(gòu)件102與襯底w之間維持高壓力。

在圖13所示出的類型的實(shí)施例中，形成于突起部109中的至少一個(gè)中的氣體供應(yīng)通道122的一部分是由側(cè)向壁限定，所述側(cè)向壁當(dāng)在垂直于基部表面101的方向上被觀察時(shí)形成閉合回路。

在實(shí)施例中，提供一種將襯底w加載至支撐臺(tái)100上的方法，其使用圖13所示出類型的實(shí)施例的支撐臺(tái)100。所述方法包括：提供這種支撐臺(tái)100；和當(dāng)襯底w正被降低至支撐臺(tái)100上時(shí)將氣流通過氣體供應(yīng)通道122而提供至突起部109中的所述開口或多個(gè)所述開口。

在實(shí)施例中，提供一種器件制造方法，包括：將襯底w加載至根據(jù)實(shí)施例的支撐臺(tái)100上；和使用包括所述支撐臺(tái)100的光刻設(shè)備來將圖案從圖案形成裝置ma轉(zhuǎn)移至襯底w。

雖然本發(fā)明具體參考光刻設(shè)備在制造ic中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解，這里所述的光刻設(shè)備可以具有其它應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(lcd)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到，在這樣替換的應(yīng)用情形中，此處的任何使用的術(shù)語“晶片”或“管芯”可以分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、測(cè)量工具和/或檢查工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將此處的公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層ic，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包括多個(gè)已處理層的襯底。

此處所用的術(shù)語“輻射”和“束”包括全部類型的電磁輻射，包括紫外(uv)輻射(例如具有等于或約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(euv)輻射(例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng))，以及粒子束，例如離子束或電子束。

在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以表示不同類型的光學(xué)部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性式的、電磁式的和靜電光學(xué)式的部件。

雖然上文已描述本發(fā)明的特定實(shí)施例，但應(yīng)了解，可以用與所描述的方式不同的其它方式來實(shí)踐本發(fā)明。以上的描述是圖示性的，而不是限制性的。因此，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白，在不背離下面所闡述的權(quán)利要求書的范圍的情況下，可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行修改。