1.一種電泳顯示裝置，包括：(a)填充有電泳流體的微單元，以及(b)至少一個介電層，其包括至少兩種類型的填充物材料，其中，一種類型的填充物材料對磁場敏感。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述介電層是形成所述微單元的材料的層、密封層、粘合層或底漆層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述兩種類型的填充物的材料獨立地從由以下組成的組中選擇：鎳、鈷或鐵顆?；蚣{米線、涂布銀或金的鎳顆粒、涂布鎳的碳納米管以及金/鎳/石墨核-殼結(jié)構(gòu)顆粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述介電層是所述密封層或所述粘合層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，另一種類型的填充物材料對磁場不敏感。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，另一種類型的填充物材料對磁場敏感。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，包括多于一種類型的對磁場敏感的填充物材料以及至少一種類型的對磁場不敏感的填充物材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，包括至少一種類型的對磁場敏感的填充物材料以及多于一種類型的對磁場不敏感的填充物材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，包括多于一種類型的對磁場敏感的填充物材料以及多于一種類型的對磁場不敏感的填充物材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，對磁場敏感的填充物材料從由以下組成的組中選擇：鎳顆粒或納米線、鈷顆?；蚣{米線、鐵顆?；蚣{米線、鋁鎳鈷合金顆粒、涂布銀或金的鎳顆粒、涂布鎳的碳納米管以及金/鎳/石墨核-殼結(jié)構(gòu)顆粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，對磁場敏感的填充物材料是導(dǎo)電的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，敏感和導(dǎo)電的填充物材料是鎳顆?；蚣{米線、鈷顆?；蚣{米線、或者鐵顆?；蚣{米線。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，對磁場敏感的填充物材料是不導(dǎo)電的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中，敏感和不導(dǎo)電的填充物材料是基于鎳、鈷或鐵的化合物或合金材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，對磁場不敏感的填充物材料從由以下組成的組中選擇：粘土、二氧化硅、銀、金、炭黑、石墨、碳納米管和PEDOT[聚(3,4-乙烯二氧噻吩)]。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，對磁場不敏感的填充物材料是導(dǎo)電的。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中，不敏感和導(dǎo)電的填充物材料從由以下組成的組中選擇：銀、金、炭黑、石墨、碳納米管和PEDOT[聚(3,4-乙烯二氧噻吩)]。
18.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，對磁場不敏感的填充物材料是不導(dǎo)電的。
19.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中，不敏感和不導(dǎo)電的填充物材料是粘土或二氧化硅。