本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及橫向電場(chǎng)模式的TFT型液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

TFT型液晶顯示裝置通過(guò)控制經(jīng)由TFT(薄膜晶體管)施加到各像素的液晶層(電氣上稱為“液晶電容”)的電壓，來(lái)調(diào)節(jié)透射各像素的光的量，從而進(jìn)行顯示。施加于各像素的液晶層的電壓，按一定期間極性反轉(zhuǎn)。這樣的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法被稱為交流驅(qū)動(dòng)法，不對(duì)液晶層長(zhǎng)時(shí)間施加直流電壓。這是因?yàn)槿绻麑?duì)液晶層長(zhǎng)時(shí)間施加直流電壓，則會(huì)導(dǎo)致存在于液晶材料中的離子的不均(界面極化)和液晶材料的劣化，顯示品質(zhì)會(huì)下降。

本說(shuō)明書(shū)中，將施加到各像素的液晶層(液晶電容)的電壓稱為像素電壓。像素電壓是施加于像素的像素電極與對(duì)置電極之間的電壓，用相對(duì)于對(duì)置電極的電位的像素電極的電位來(lái)表示。以當(dāng)像素電極的電位比對(duì)置電極的電位高時(shí)的像素電壓的極性為正，當(dāng)像素電極的電位比對(duì)置電極的電位低時(shí)的像素電壓的極性為負(fù)。

TFT型液晶顯示裝置中，對(duì)與TFT的漏極電極連接的像素電極供給從與TFT的源極連接的源極總線(信號(hào)線)供給的顯示信號(hào)電壓。供給到像素電極的顯示信號(hào)電壓與供給到對(duì)置電極的相對(duì)電壓之差，相當(dāng)于像素電壓。

TFT型液晶顯示裝置中，像素電壓的極性典型的是按每個(gè)幀期間反轉(zhuǎn)。在此，TFT型液晶顯示裝置的幀期間是指，為了對(duì)所有的像素供給像素電壓而需要的期間，是指選擇了某個(gè)柵極總線(掃描線)至下一次選擇該柵極總線的期間，也被稱為垂直掃描期間。像素排列成具有行和列的矩陣狀，典型的是，柵極總線與像素的行對(duì)應(yīng)，源極總線與像素的列對(duì)應(yīng)。根據(jù)供給到柵極總線的掃描信號(hào)(柵極信號(hào))每行使像素的TFT導(dǎo)通，由此按每行依次供給像素電壓。

現(xiàn)有的一般的TFT型液晶顯示裝置的幀期間為1/60秒(幀頻為60Hz)。在輸入視頻信號(hào)為例如NTSC信號(hào)的情況下，NTSC信號(hào)是隔行驅(qū)動(dòng)用的信號(hào)，1幀(幀頻為30Hz)由奇數(shù)場(chǎng)和偶數(shù)場(chǎng)2個(gè)場(chǎng)(幀頻為60Hz)構(gòu)成，但是在TFT型液晶顯示裝置中，與NTSC信號(hào)的各場(chǎng)對(duì)應(yīng)地對(duì)所有的像素供給像素電壓，所以TFT型液晶顯示裝置的幀期間變成1/60秒(幀頻為60Hz)。另外，最近市場(chǎng)上銷售有為了提高動(dòng)態(tài)圖像顯示特性或3D顯示而使幀頻為120Hz的倍速驅(qū)動(dòng)、240Hz的4倍速驅(qū)動(dòng)的TFT型液晶顯示裝置。像這樣，TFT型液晶顯示裝置包括以根據(jù)輸入的視頻信號(hào)決定幀期間(幀頻)，在各幀期間對(duì)所有的像素供給像素電壓的方式構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路。

近年來(lái)，廣泛使用以In-Plane Switching(IPS，面內(nèi)開(kāi)關(guān))模式、Fringe Field Switching(FFS，邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān))為代表的橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置。橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置與Vertical Alignment(VA，垂直取向)模式等縱向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置相比，存在容易看到與像素電壓的極性反轉(zhuǎn)相伴的畫面的閃爍(flicker)的問(wèn)題。這可以認(rèn)為是因?yàn)?，液晶層的液晶分子的取向?dāng)伴隨彎曲變形、傾斜變形而發(fā)生變化時(shí)，因液晶分子的取向的不對(duì)稱而導(dǎo)致發(fā)生取向極化。因這樣雙極子(液晶分子)的排列的空間不均勻性而發(fā)生的極化變化，被稱為撓曲電效應(yīng)(Flexo-electric Effect)。

專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種液晶顯示裝置，其將像素電極分割為第一和第二區(qū)域，使第一區(qū)域的梳齒個(gè)數(shù)與第二區(qū)域的梳齒個(gè)數(shù)相差1個(gè)，使形成于像素區(qū)域內(nèi)的梳齒個(gè)數(shù)與梳齒間的狹縫的個(gè)數(shù)為相同數(shù)量，由此來(lái)減輕撓曲電效應(yīng)。

另外，專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了一種液晶顯示裝置，其通過(guò)在相鄰的2個(gè)像素電極間的區(qū)域配置與像素電極所具有的多個(gè)帶狀部分平行的偽電極等來(lái)控制電場(chǎng)的分布。這種方法也能夠減輕撓曲電效應(yīng)。

另外，本發(fā)明申請(qǐng)人還在制造銷售使用了具有氧化物半導(dǎo)體層(例如In-Ga-Zn-O類的半導(dǎo)體層)的TFT的低消耗電力的液晶顯示裝置。具有In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層的TFT，具有高的遷移率(與a-SiTFT相比超過(guò)20倍)和低的泄漏電流(與a-SiTFT相比不到百分之一)。作為像素TFT，使用具有In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層的TFT時(shí)，泄漏電流小，所以通過(guò)應(yīng)用暫停驅(qū)動(dòng)法(也被稱為低頻驅(qū)動(dòng)法)，能夠降低消耗電力。

暫停驅(qū)動(dòng)法例如記載在專利文獻(xiàn)3中。暫停驅(qū)動(dòng)法在通常的60Hz驅(qū)動(dòng)(1幀期間＝1/60秒期間)中，反復(fù)進(jìn)行在1幀期間(1/60秒期間)寫入圖像之后，在接下來(lái)的59幀期間(59/60秒期間)不寫入圖像的循環(huán)。該暫停驅(qū)動(dòng)法在1秒期間僅寫入1次圖像，所以也被稱為1Hz驅(qū)動(dòng)。在此，暫停驅(qū)動(dòng)法是指具有比寫入圖像的期間長(zhǎng)的暫停期間的驅(qū)動(dòng)方法、或幀頻低于60Hz的低頻驅(qū)動(dòng)。

是否容易被視認(rèn)出閃爍，依賴于發(fā)生亮度變化的頻率。例如，在60Hz時(shí)不會(huì)在意的亮度變化，當(dāng)頻率低于60Hz、例如30Hz以下時(shí)容易被視認(rèn)出閃爍。已知特別是當(dāng)亮度以10Hz附近的頻率變化時(shí)，閃爍非常惹人注意。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010-2596號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2011-169973號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開(kāi)第2013/008668號(hào)

專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2013-147657號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)5：日本特開(kāi)2004-182986號(hào)公報(bào)

發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題

用橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置進(jìn)行暫停驅(qū)動(dòng)時(shí)，與進(jìn)行現(xiàn)有的通常動(dòng)作的情況相比容易發(fā)生閃爍。伴隨像素電壓的極性反轉(zhuǎn)，液晶層的液晶分子的取向極化的影響在每幀不同，其結(jié)果，發(fā)生低頻率的亮度的忽明忽滅，這會(huì)被視認(rèn)為閃爍。對(duì)于這種閃爍的產(chǎn)生，專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中記載的技術(shù)是無(wú)法應(yīng)對(duì)的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題點(diǎn)，目的在于提供一種即使以低于60Hz的低頻率驅(qū)動(dòng)也難以產(chǎn)生閃爍的橫向電場(chǎng)模式的TFT型液晶顯示裝置。

用于解決問(wèn)題的方法

本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置包括：一對(duì)基板；被保持于上述一對(duì)基板間的液晶層，上述液晶層包含介電各向異性為正的一種或多種正型液晶化合物和介電各向異性為負(fù)的一種或多種負(fù)型液晶化合物，上述正型液晶化合物的合計(jì)的含有量不低于上述負(fù)型液晶化合物的合計(jì)的含有量；和設(shè)置于上述一對(duì)基板中的一個(gè)基板的像素電極和與上述像素電極絕緣的共用電極，所述像素電極具有多個(gè)直線部分和設(shè)置于相鄰的2個(gè)上述直線部分之間的狹縫，通過(guò)上述像素電極和上述共用電極，對(duì)上述液晶層以低于60Hz的頻率切換施加正極性和負(fù)極性的像素電壓。

在某個(gè)實(shí)施方式中，對(duì)上述液晶層以30Hz以下的頻率切換施加上述正極性和負(fù)極性的像素電壓。

在某個(gè)實(shí)施方式中，對(duì)上述液晶層以10Hz以下的頻率切換施加上述正極性和負(fù)極性的像素電壓。

在某個(gè)實(shí)施方式中，使用包含上述負(fù)型液晶化合物且不包含上述正型液晶化合物的負(fù)型液晶材料以1Hz進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍率，小于使用包含上述正型液晶化合物且不包含上述負(fù)型液晶化合物的正型液晶材料以上述規(guī)定頻率進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍率。

在某個(gè)實(shí)施方式中，上述液晶層包含2體積％以上30體積％以下的上述負(fù)型液晶化合物。

在某個(gè)實(shí)施方式中，上述液晶層包含2體積％以上15體積％以下的上述負(fù)型液晶化合物。

在某個(gè)實(shí)施方式中，包含上述正型液晶化合物且不包含上述負(fù)型液晶化合物的液晶材料，是如下的正型液晶材料：在被切換極性地施加具有實(shí)質(zhì)上相同的絕對(duì)值的正極性電壓和負(fù)極性電壓時(shí)，在上述狹縫上，亮度以第一降低率從施加上述正極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度降低至像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度，且亮度以第二降低率從像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度降低至施加上述負(fù)極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度，并且，在上述多個(gè)直線部分上，亮度以第一上升率從施加上述正極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度上升至像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度，且亮度以第二上升率從像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度上升至施加上述負(fù)極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度，包含上述負(fù)型液晶化合物且不包含上述正型液晶化合物的液晶材料，是如下的負(fù)型液晶材料：在被切換極性地施加具有實(shí)質(zhì)上相同的絕對(duì)值的正極性電壓和負(fù)極性電壓時(shí)，在上述狹縫上，亮度以第三上升率從施加上述正極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度上升至像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度，且亮度以第四上升率從像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度上升至施加上述負(fù)極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度，并且，在上述多個(gè)直線部分上，亮度以第三降低率從施加上述正極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度降低至像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度，且亮度以第四降低率從像素整體的亮度暫時(shí)降低了的狀態(tài)下的亮度降低至施加上述負(fù)極性電壓時(shí)的穩(wěn)定亮度，上述正型液晶材料的上述第二降低率與上述第二上升率的大小之差，大于上述負(fù)型液晶材料的上述第四上升率與上述第四降低率的大小之差。

在某個(gè)實(shí)施方式中，上述正型液晶材料的上述狹縫上的上述第一降低率大于上述第二降低率。

在某個(gè)實(shí)施方式中，上述負(fù)型液晶材料的上述狹縫上的上述第三上升率與上述第四上升率之差，小于上述正型液晶材料的上述第一降低率與上述第二降低率之差。

在某個(gè)實(shí)施方式中，在被切換極性地施加具有實(shí)質(zhì)上相同的絕對(duì)值的正極性電壓和負(fù)極性電壓時(shí)，在上述正極性電壓施加時(shí)的穩(wěn)定的像素整體亮度與上述負(fù)極性電壓施加時(shí)的穩(wěn)定的像素整體亮度實(shí)質(zhì)上相同的情況下，在剛切換上述極性后的規(guī)定期間，從上述穩(wěn)定的像素整體亮度發(fā)生暫時(shí)的像素整體亮度的降低，上述正型液晶化合物由如下的液晶化合物構(gòu)成：在上述狹縫上，作為施加上述正極性電壓時(shí)的穩(wěn)定的亮度與發(fā)生上述暫時(shí)的像素整體亮度的降低時(shí)的亮度之差的第一差，大于作為發(fā)生上述暫時(shí)的像素整體亮度的降低時(shí)的亮度與施加上述負(fù)極性電壓時(shí)的穩(wěn)定的亮度之差的第二差，上述負(fù)型液晶材料由如下的液晶化合物構(gòu)成：在上述狹縫上，作為施加上述正極性電壓時(shí)的穩(wěn)定的亮度與發(fā)生上述暫時(shí)的像素整體亮度的降低時(shí)的亮度之差的第三差，與作為發(fā)生上述暫時(shí)的像素整體亮度的降低時(shí)的亮度與施加上述負(fù)極性電壓時(shí)的穩(wěn)定的亮度之差的第四差的差異，小于上述第一差與上述第二差的差異。

在某個(gè)實(shí)施方式中，還具有與上述像素電極連接的薄膜晶體管，上述薄膜晶體管的活性層(有源層)包含氧化物半導(dǎo)體層。

在某個(gè)實(shí)施方式中，上述氧化物半導(dǎo)體層包含In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層。

在某個(gè)實(shí)施方式中，上述In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層包含結(jié)晶部分。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置，能夠抑制橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置進(jìn)行低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍的產(chǎn)生。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的結(jié)構(gòu)的圖，(a)是液晶顯示裝置100的示意性的俯視圖，(b)是沿(a)的1B-1B’線的示意性的截面圖。

圖2是表示FFS模式的液晶顯示裝置的像素內(nèi)的亮度分布的圖，(a)表示像素電壓為+2V時(shí)的亮度分布，(b)表示像素電壓為-2V時(shí)的亮度分布。

圖3是表示對(duì)以1Hz驅(qū)動(dòng)FFS模式的液晶顯示裝置時(shí)的1個(gè)像素的亮度的時(shí)間變化進(jìn)行測(cè)定的結(jié)果的圖，(a)表示沒(méi)有施加偏移電壓的情況的結(jié)果，(b)表示施加了偏移電壓的情況的結(jié)果。

圖4(a)表示在使用正型液晶材料的情況下使像素電壓的極性反轉(zhuǎn)時(shí)的像素區(qū)域中的亮度分布，(b)表示使用負(fù)型液晶材料的情況下的像素區(qū)域中的亮度分布。

圖5表示使用正型液晶材料的情況的亮度的時(shí)間變化和使用負(fù)型液晶材料的情況的亮度的時(shí)間變化。

圖6是表示負(fù)型液晶材料的混合比例與閃爍率的關(guān)系的圖，分別表示了60Hz驅(qū)動(dòng)、30Hz驅(qū)動(dòng)、1Hz驅(qū)動(dòng)的情況。

圖7(a)是表示由液晶顯示裝置100例示的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的極性反轉(zhuǎn)的序列的一例的圖，(b)是表示亮度的時(shí)間變化的示意圖。

圖8是表示由液晶顯示裝置100例示的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的極性反轉(zhuǎn)的序列的另一例的圖。

圖9是表示由液晶顯示裝置100例示的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的極性反轉(zhuǎn)的序列的又一例的圖。

圖10(a)是表示由液晶顯示裝置100例示的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的極性反轉(zhuǎn)的序列的又一例的圖，(b)是表示亮度的時(shí)間變化的示意圖。

圖11是表示由本發(fā)明的另一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的極性反轉(zhuǎn)的序列的一例的圖。

圖12是示意性地表示包括以按2H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的方式構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示裝置200的像素結(jié)構(gòu)的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置。以下例示FFS模式的液晶顯示裝置，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限定于例示的FFS模式的液晶顯示裝置100，也能夠應(yīng)用于各種公知的FFS模式的液晶顯示裝置。另外，也能夠應(yīng)用于IPS模式等其他方式的橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置。

圖1(a)和(b)示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置100是FFS模式的TFT型液晶顯示裝置。圖1(a)是液晶顯示裝置100的示意性的俯視圖，圖1(b)是沿圖1(a)的1B-1B’線的示意性的截面圖。圖1(a)和(b)表示與液晶顯示裝置100的1個(gè)像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域。

液晶顯示裝置100具有在顯示區(qū)域中具有行和列的矩陣狀排列的多個(gè)像素，在顯示區(qū)域的外側(cè)具有未圖示的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路如下所述只要構(gòu)成為對(duì)像素供給像素電壓即可，可以配置在由多個(gè)像素構(gòu)成的顯示區(qū)域的周邊區(qū)域(邊框區(qū)域)，也可以另外單獨(dú)設(shè)置。另外，圖1(a)中，將行方向的像素的排列間距用Px表示，將列方向的像素的排列間距用Py表示，將有效像素開(kāi)口寬度用Wo表示。

液晶顯示裝置100具有：TFT基板(第一基板)10；對(duì)置基板(第二基板)30；和設(shè)置于TFT基板10與對(duì)置基板30之間的液晶層42。液晶顯示裝置100還具有未圖示的一對(duì)偏光板。一對(duì)偏光板設(shè)置于TFT基板10和對(duì)置基板30的外側(cè)，以一個(gè)偏光板的透射軸(偏光軸)沿水平方向，另一個(gè)偏光板的透射軸沿垂直方向的方式正交尼科耳配置。

TFT基板10從液晶層42側(cè)起依次具有第一取向膜25、第一電極24、電介質(zhì)層23和第二電極22，第一電極24具有彼此平行的多個(gè)直線部分24e(或設(shè)置于相鄰的2個(gè)直線部分24e之間的狹縫24s或缺口)。在此，例示了第一電極24具有多個(gè)直線部分24e的結(jié)構(gòu)，但也可以第二電極22具有多個(gè)直線部分。直線部分24e通過(guò)例如在形成第一電極24的導(dǎo)電膜設(shè)置多個(gè)狹縫而形成。

只要第一電極24和第二電極22中的一者為像素電極，另一者為對(duì)置電極(共用電極)即可。在此，對(duì)第一電極24為像素電極，第二電極22為對(duì)置電極的例子進(jìn)行說(shuō)明。

在本例的情況下，對(duì)置電極(第二電極)22典型地作為整面電極(無(wú)狹縫等的膜電極)設(shè)置。對(duì)置電極可以形成為以與多個(gè)像素共用的方式擴(kuò)展到整個(gè)顯示區(qū)域。

另外，像素電極24具有的多個(gè)直線部分24e各自的寬度L例如為1.5μm以上5.0μm以下，相鄰的2個(gè)直線部分24e的間隙(狹縫24s)的寬度S為例如大于2.0μm，6.0μm以下。像素電極24和對(duì)置電極22由ITO(銦錫氧化物)等透明導(dǎo)電材料形成。

像素電極24與TFT的漏極電極連接，經(jīng)由TFT從與TFT的源極電極連接的源極總線(未圖示)供給顯示信號(hào)電壓。源極總線以在列方向上延伸的方式配置，柵極總線以在行方向上延伸的方式配置。作為TFT，優(yōu)選使用氧化物半導(dǎo)體的TFT。對(duì)于適合用于液晶顯示裝置100的氧化物半導(dǎo)體在后面敘述。作為包括使用了氧化物半導(dǎo)體的TFT的FFS模式的液晶顯示裝置，已知有各種方式。圖1(b)中作為一例示意性地表示了具有底柵型的TFT的情況的層疊結(jié)構(gòu)。

TFT基板10具有：基板(例如玻璃基板)11；形成在其上的柵極金屬層12；覆蓋柵極金屬層12的柵極絕緣層13；形成在柵極絕緣層13上的氧化物半導(dǎo)體層14；形成在氧化物半導(dǎo)體層14上的源極金屬層16；和形成在源極金屬層16上的層間絕緣層17。

在此雖然進(jìn)行了簡(jiǎn)略化，但柵極金屬層12包括柵極電極、柵極總線和對(duì)置電極用配線，氧化物半導(dǎo)體層14包括TFT的活性層，源極金屬層16包括源極電極、漏極電極和源極總線。對(duì)置電極22形成在層間絕緣層17上。根據(jù)需要，有時(shí)還在層間絕緣層17與對(duì)置電極22之間設(shè)置有平坦化層。

對(duì)置基板30在基板(例如玻璃基板)31上從液晶層42側(cè)起依次設(shè)置有第二取向膜35和具有開(kāi)口部32a的遮光層32(黑矩陣)。在遮光層32的開(kāi)口部32a設(shè)置有濾色片層34。遮光層32能夠用例如具有感光性的黑色樹(shù)脂層形成。濾色片層34能夠用具有感光性的著色樹(shù)脂層形成。在基板31的外側(cè)(液晶層42的相反側(cè))，有時(shí)根據(jù)需要設(shè)置有用于防止帶電的、由ITO等構(gòu)成的透明導(dǎo)電層(未圖示)。

本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中，液晶層42包括介電各向異性為正的向列型液晶化合物(以下稱為正型液晶化合物)和介電各向異性為負(fù)的向列型液晶化合物(以下稱為負(fù)型液晶化合物)。更具體地說(shuō)，液晶層42，作為正型液晶化合物包括滿足介電各向異性Δε＞3的液晶化合物，作為負(fù)型液晶化合物包括滿足介電各向異性Δε＜-1.5的液晶化合物。另外，本說(shuō)明書(shū)中，介電各向異性Δε是在1kHz的頻率和20℃的條件下測(cè)定的。

液晶層42可以用混合了正型液晶材料和負(fù)型液晶材料的液晶材料形成。在此，正型液晶材料是指包含單種或多種正型液晶化合物的液晶材料。正型液晶材料除了正型液晶化合物以外也可以包含介電各向異性為中性的化合物。在此，負(fù)型液晶材料是指包含單種或多種負(fù)型液晶化合物的液晶材料。負(fù)型液晶材料也除了負(fù)型液晶化合物以外也可以包含介電各向異性為中性的化合物。

本實(shí)施方式中，液晶層42主要包含正型液晶化合物，液晶層42的正型液晶化合物的合計(jì)的含有量，不低于負(fù)型液晶化合物的合計(jì)的含有量，典型的是比負(fù)型液晶化合物的合計(jì)的含有量多。負(fù)型液晶化合物的合計(jì)的含有量為相對(duì)于液晶材料整體的例如1體積％以上40體積％以下，優(yōu)選為2體積％以上30體積％以下。另外，出于防止液晶響應(yīng)性下降的觀點(diǎn)，優(yōu)選負(fù)型液晶化合物的合計(jì)的含有量為15體積％以下。

作為負(fù)型液晶化合物，能夠使用例如MLC-6608(默克公司制)。另外，作為正型液晶化合物，能夠使用例如ZLI-1565(默克公司制)。

另外，像這樣包含正型液晶化合物和負(fù)型液晶化合物的液晶材料，公開(kāi)在專利文獻(xiàn)4或?qū)＠墨I(xiàn)5中。專利文獻(xiàn)4中記載了，在負(fù)型液晶材料中混合了正型液晶材料時(shí)，響應(yīng)和溫度特性得到改善，專利文獻(xiàn)5中記載了，在正型液晶材料中混合了負(fù)型液晶材料時(shí)，響應(yīng)和溫度特性得到改善。

通過(guò)使液晶層42含有適當(dāng)量的正型液晶化合物和負(fù)型液晶化合物兩者，能夠不損害響應(yīng)速度和透射率，特別是能夠有效抑制進(jìn)行暫停驅(qū)動(dòng)(或低于60Hz的低頻驅(qū)動(dòng))時(shí)的閃爍的產(chǎn)生。對(duì)其原理在后面敘述。

另外，F(xiàn)FS模式的液晶顯示裝置100中，液晶層42中包含的液晶分子，通過(guò)第一取向膜25和第二取向膜35與基板面大致水平(平行)地取向。被第一取向膜25和第二取向膜35限制的取向的方位，可以為平行或反平行。由第一取向膜25和第二取向膜35進(jìn)行的取向限制方位，與直線部分24e的延伸方向大致平行。但是，取向膜的取向限制方位也可以相對(duì)于直線部分24e的延伸方向例如相差3°～7°。由第一取向膜25和第二取向膜35規(guī)定的預(yù)傾斜角(液晶分子相對(duì)于取向膜的膜面立起的角度)為例如0°。

在該結(jié)構(gòu)中，像素電壓施加時(shí)，因像素電極24與對(duì)置電極22之間產(chǎn)生的電場(chǎng)，液晶分子在面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，由此能夠進(jìn)行顯示。

在此，對(duì)應(yīng)現(xiàn)有的FFS模式的液晶顯示裝置的極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的亮度分布的變化進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下說(shuō)明的現(xiàn)有的液晶顯示裝置與本發(fā)明的實(shí)施方式不同，液晶層僅由正型液晶材料形成。

圖2是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的像素內(nèi)的亮度分布的圖，圖2(a)表示像素電壓為+2V的正極性電壓施加時(shí)的亮度分布，圖2(b)表示像素電壓為-2V的負(fù)極性電壓施加時(shí)的亮度分布。在此，像素電壓被規(guī)定為以對(duì)置電極22的電位為基準(zhǔn)時(shí)的像素電極24的電壓。

比較圖2(a)和圖2(b)所示的像素的亮度分布的圖像可知，施加正的像素電壓(＞0V)時(shí)比施加負(fù)的像素電壓(＜0V)時(shí)明亮。此處所示的像素，是用顯微鏡觀察試制的液晶顯示面板的像素得到的圖像，具有圖1(a)和(b)所示的結(jié)構(gòu)，但液晶層由正型的液晶材料形成。

根據(jù)圖2(a)可知，當(dāng)施加正的像素電壓時(shí)，像素電極24的狹縫24s的亮度較高，像素電極24的直線部分24e的亮度較低。另一方面，根據(jù)圖2(b)可知，當(dāng)施加負(fù)的像素電壓時(shí)，像素電極24的直線部分24e的亮度較高，像素電極24的狹縫24s的亮度較低。這可以認(rèn)為是因?yàn)?，在正極性電壓施加時(shí)和負(fù)極性電壓施加時(shí)，即使施加電壓的大小(絕對(duì)值)相同，也會(huì)因各自液晶分子的取向而產(chǎn)生不同。

對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，施加正極性電壓時(shí)，因液晶分子的局部的取向秩序紊亂(例如縱向電場(chǎng)成分導(dǎo)致的傾斜(splay)取向)而產(chǎn)生的撓曲電極化，以不妨礙位于狹縫上的液晶分子的橫向電場(chǎng)成分的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，且妨礙位于直線部分上的液晶分子的橫向電場(chǎng)成分的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的方式起作用。另一方面，施加負(fù)極性電壓時(shí)，因發(fā)生與正極性電壓施加時(shí)不同的取向秩序紊亂和撓曲電極化，其以妨礙位于狹縫上的液晶分子的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，且不妨礙位于直線部分上的液晶分子的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的方式起作用。其結(jié)果推測(cè)為，施加正極性電壓時(shí)和施加負(fù)極性電壓時(shí)，與產(chǎn)生的撓曲電極化的不同相應(yīng)地，亮的區(qū)域與暗的區(qū)域不同。像這樣與像素電壓的極性相應(yīng)地，以亮的區(qū)域和暗的區(qū)域不同的方式形成的情況下，像素整體的亮度(平均亮度)也容易與像素電壓的極性相應(yīng)地變得不同。

另外，當(dāng)對(duì)亮度與像素電壓的極性相應(yīng)地發(fā)生變化的像素進(jìn)行交流驅(qū)動(dòng)時(shí)，與極性的變化相伴的亮度變化特別是在進(jìn)行低頻驅(qū)動(dòng)的情況下，容易被視認(rèn)為閃爍。這是因?yàn)?，即使施加偏移電壓?duì)正極性電壓和負(fù)極性電壓的平衡進(jìn)行調(diào)整，極性切換時(shí)也會(huì)發(fā)生亮度降低。當(dāng)進(jìn)行例如1Hz驅(qū)動(dòng)(反復(fù)進(jìn)行1幀期間(1/60秒期間)寫入圖像之后，接下來(lái)59幀期間(59/60秒期間)不寫入圖像的循環(huán))時(shí)，因極性反轉(zhuǎn)后的短時(shí)間出現(xiàn)的暫時(shí)的亮度的變動(dòng)而視認(rèn)到閃爍。該短暫的亮度變化，是專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中記載的技術(shù)無(wú)法解決的新問(wèn)題。參照?qǐng)D3對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。

圖3是對(duì)進(jìn)行1Hz驅(qū)動(dòng)時(shí)的1個(gè)像素的亮度的時(shí)間變化進(jìn)行測(cè)定的結(jié)果的圖，圖3(a)表示沒(méi)有施加偏移電壓的情況的結(jié)果，圖3(b)表示施加了偏移電壓的情況的結(jié)果。偏移電壓是在一般的液晶顯示裝置中也施加的用于防止閃爍的直流電壓，主要是為了防止因TFT的饋通電壓而使像素電壓的絕對(duì)值在正極性和負(fù)極性時(shí)不同，而對(duì)像素電極和/或?qū)χ秒姌O施加的電壓成分。

如圖3(a)所示，如果不施加偏移電壓，則像素電壓在正極性時(shí)和負(fù)極性時(shí)亮度大為不同。與之相對(duì)地，如果施加偏移電壓，則如圖3(b)所示，能夠?qū)⒄龢O性時(shí)和負(fù)極性時(shí)的亮度差異基本上消除。

但是，根據(jù)圖3(b)可知，即使施加偏移電壓，在剛使像素電壓的極性反轉(zhuǎn)的時(shí)刻，也會(huì)發(fā)生瞬時(shí)的亮度降低。換句話說(shuō)，在剛切換像素電壓的極性后的短時(shí)間(例如幾微秒間)，發(fā)生像素一瞬間變暗，之后，像素再次變回明亮的現(xiàn)象。像這樣在極性切換的時(shí)刻周期性地發(fā)生的亮度的暫時(shí)降低，用包括專利文獻(xiàn)1和2中記載的技術(shù)在內(nèi)的現(xiàn)有的技術(shù)無(wú)法解決。

另外，本說(shuō)明書(shū)中，有時(shí)將上述暫時(shí)降低的亮度稱為亮度min(或降低亮度)。該亮度min是指即使在像素電壓的絕對(duì)值一定的條件下驅(qū)動(dòng)時(shí)也會(huì)在極性切換時(shí)發(fā)生的暫時(shí)的平均亮度(像素整體的亮度)的降低狀態(tài)、或此時(shí)的亮度(平均亮度)的最小值。亮度min并不是指穩(wěn)定地施加正極性像素電壓或負(fù)極性像素電壓期間的規(guī)定區(qū)域(例如狹縫上的區(qū)域)中的最小的亮度。像素電壓的極性切換時(shí)以外的像素內(nèi)的規(guī)定區(qū)域中的最小的亮度，可以低于亮度min。

每次極性切換發(fā)生的上述的亮度下降，以與幀頻相應(yīng)的頻度發(fā)生。因此，在暫停驅(qū)動(dòng)等中，以低于60Hz進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的情況下，亮度的下降也以低于60Hz的頻度發(fā)生，這容易被視認(rèn)為閃爍。

與之相對(duì)地，如果像本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100那樣，使用包含正型液晶化合物和負(fù)型液晶化合物的液晶層42，則能夠抑制特別是低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍的產(chǎn)生。其理由是因?yàn)?，通過(guò)混合規(guī)定量的負(fù)型液晶化合物，能夠緩和上述的極性切換時(shí)的暫時(shí)的亮度降低。

圖4(a)和(b)是表示分別使用正型液晶材料(包含正型液晶化合物且不包含負(fù)型液晶化合物的液晶材料)和負(fù)型液晶材料(包含負(fù)型液晶化合物且不包含正型液晶化合物的液晶材料)的情況下的、像素電極的直線部分上和狹縫上的亮度(像素內(nèi)的亮度分布)。圖4(a)和(b)分別表示正電壓施加時(shí)的亮度分布、負(fù)電壓施加時(shí)的亮度分布、和上述的亮度min時(shí)(即剛進(jìn)行極性切換后的短時(shí)間)的亮度分布。

如圖4(a)所示，在使用正型液晶材料的情況下，當(dāng)像素電壓的極性從正反轉(zhuǎn)為負(fù)時(shí)，在像素電極的狹縫24s上，從亮度高的狀態(tài)(正電壓施加時(shí)的穩(wěn)定狀態(tài))向亮度低的狀態(tài)(負(fù)電壓施加時(shí)的穩(wěn)定狀態(tài))亮度發(fā)生變化。另外，像素電極的直線部分24e上，從亮度低的狀態(tài)向亮度高的狀態(tài)亮度發(fā)生變化。在該過(guò)程中，如圖3(b)所示，發(fā)生像素整體的亮度暫時(shí)下降，實(shí)現(xiàn)與該亮度下降狀態(tài)對(duì)應(yīng)的圖4(a)的亮度min所表示的亮度分布。

在此，根據(jù)圖4(a)可知，在狹縫24s上，從正極性時(shí)亮度至亮度min急劇地發(fā)生亮度降低，之后，從亮度min至負(fù)極性亮度緩慢地發(fā)生亮度降低。另外，與之不同，在直線部分24e上，從正極性時(shí)亮度至亮度min的亮度上升的程度，與從亮度min至負(fù)極性亮度的亮度上升的程度同等。

在這種情況下，由于狹縫24s上的單位時(shí)間的亮度降低率大幅高于直線部分24e上的單位時(shí)間的亮度上升率，所以在某個(gè)時(shí)間陷入作為像素整體的亮度降低度大幅高于亮度上升度的狀態(tài)。因此，像素整體的亮度在剛進(jìn)行極性切換后的某個(gè)時(shí)刻大幅降低，亮度min的亮度的下降較大。

同樣的現(xiàn)象在從負(fù)電壓施加的穩(wěn)定狀態(tài)切換到正電壓施加的穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)也會(huì)發(fā)生。因此，在使用正型液晶材料的情況下，每次從正向負(fù)或從負(fù)向正的極性切換的時(shí)刻，發(fā)生比較大的亮度降低。

另一方面，如圖4(b)所示，在使用負(fù)型液晶材料的情況下，當(dāng)像素電壓的極性從正反轉(zhuǎn)為負(fù)時(shí)，在像素電極的狹縫24s上，從亮度低的狀態(tài)(正電壓施加時(shí)的穩(wěn)定狀態(tài))向亮度高的狀態(tài)(負(fù)電壓施加的穩(wěn)定狀態(tài))亮度發(fā)生變化。另外，像素電極的直線部分24e上，從亮度高的狀態(tài)向亮度低的狀態(tài)亮度發(fā)生變化。在該過(guò)程中，如圖3(b)所示，發(fā)生整體的亮度暫時(shí)下降，實(shí)現(xiàn)與該亮度下降狀態(tài)對(duì)應(yīng)的圖4(b)的亮度min所表示的亮度分布。

在此，根據(jù)圖4(b)可知，在狹縫24s上，從正極性時(shí)亮度至亮度min發(fā)生一定的亮度上升，之后，從亮度min至負(fù)極性亮度同樣地發(fā)生一定的亮度上升。另外，與之同樣，在直線部分24e上，也從正極性時(shí)亮度至亮度min、以及從亮度min至負(fù)極性亮度，發(fā)生比較一定的亮度降低。

在這種情況下，由于狹縫24s上的單位時(shí)間的亮度降低率與直線部分24e上的單位時(shí)間的亮度上升率比較接近，所以作為像素整體的亮度降低度和亮度上升度在極性切換期間總的說(shuō)來(lái)基本上不變。因此，亮度min的亮度的下降的程度比較小。

同樣的現(xiàn)象在從負(fù)電壓施加的穩(wěn)定狀態(tài)切換到正電壓施加的穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)也會(huì)發(fā)生。因此，在使用負(fù)型液晶材料的情況下，在從正向負(fù)或從負(fù)向正的極性切換的時(shí)刻產(chǎn)生的亮度降低的大小，與使用正型液晶材料的情況相比較小。

圖5表示對(duì)正型液晶材料和負(fù)型液晶材料分別進(jìn)行偏移電壓施加的極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的平均亮度的時(shí)間變化。另外，曲線圖的縱軸所示的亮度，用正電壓或負(fù)電壓施加的穩(wěn)定狀態(tài)的最大亮度進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。

另外，圖5所示的是在行方向像素排列間距Px＝27μm、列方向像素排列間距Py＝81μm、有效像素開(kāi)口寬度Wo＝19μm、像素電極的寬度L與狹縫的寬度S之比L/S＝3.1μm/5μm、雙折射率Δn＝1.03、施加電壓±1.5V、晶胞間隙3.4μm的條件下得到的結(jié)果。此處所用的正型液晶材料的介電各向異性Δε＝7.5，負(fù)型液晶材料的介電各向異性Δε＝-7.5。

根據(jù)圖5可知，與使用正型液晶材料時(shí)(實(shí)線)相比，使用負(fù)型液晶材料時(shí)(虛線)的極性切換時(shí)的亮度的下降較小。因此，如果使用負(fù)型液晶材料則能夠減小極性切換時(shí)的亮度下降，特別是能夠抑制暫停驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍的產(chǎn)生。

另外，作為評(píng)價(jià)閃爍的產(chǎn)生的指標(biāo)，能夠使用由(最大亮度-最小亮度)/平均亮度定義的閃爍率。根據(jù)本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，在以1Hz驅(qū)動(dòng)的情況下，使用正型液晶材料的情況的閃爍率為26％，與之相對(duì)地，使用負(fù)型液晶材料的情況的閃爍率為7％。像這樣，如果使用負(fù)型液晶材料，則與使用正型液晶材料的情況相比能夠大幅降低閃爍率。

另外，規(guī)定閃爍率的“最大亮度”、“最小亮度”和“平均亮度”，能夠通過(guò)公知的一般的方法從用光電二極管檢測(cè)出的液晶面板的亮度的波形數(shù)據(jù)容易地求得。即，在得到的波形數(shù)據(jù)中，只要將最明亮的亮度作為最大亮度，將最暗的亮度作為最小亮度，將整體的平均作為平均亮度即可。

但是，僅使用負(fù)型液晶材料來(lái)形成液晶層的情況在實(shí)用上多存在困難。這是因?yàn)?，?fù)型液晶材料與正型液晶材料相比粘性大的情況較多，會(huì)產(chǎn)生液晶的響應(yīng)性降低的問(wèn)題。

于是，本發(fā)明人對(duì)將正型液晶材料和負(fù)型液晶材料混合使用，通過(guò)適當(dāng)選擇它們的混合率(更具體地說(shuō)，是正型液晶材料中包含的正型液晶化合物的合計(jì)量和負(fù)型液晶材料中包含的負(fù)型液晶化合物的合計(jì)量)，得到在透射率和響應(yīng)性的降低不會(huì)對(duì)顯示帶來(lái)壞影響的范圍、特別是在以低于60Hz、尤其在30Hz以下的驅(qū)動(dòng)時(shí)也難以產(chǎn)生閃爍的液晶顯示裝置進(jìn)行了銳意探討。

圖6表示在分別以60Hz、30Hz、10Hz和1Hz驅(qū)動(dòng)的情況下，改變負(fù)型液晶化合物和正型液晶化合物的混合比例，調(diào)查閃爍發(fā)生率的變化的結(jié)果。另外，圖6的曲線圖是用模擬軟件的LCD Master2D(Shintech公司制)得到的曲線圖。

根據(jù)圖6可知，當(dāng)使負(fù)型液晶化合物的合計(jì)相對(duì)于液晶材料整體的比率(體積％)在0％～50％變化時(shí)，含有越多的負(fù)型液晶化合物的一方在任意的驅(qū)動(dòng)頻率閃爍率都降低。另外可知，在特別是以1Hz這樣低的頻率驅(qū)動(dòng)的情況下，與不含負(fù)型液晶化合物的情況相比，能夠大幅降低閃爍率。

根據(jù)以上的結(jié)果可知，在低于60Hz的驅(qū)動(dòng)頻率，通過(guò)在液晶材料中包含50體積％以下的負(fù)型液晶化合物，能夠抑制閃爍的產(chǎn)生，同時(shí)得到實(shí)用的液晶材料。另外可知，在30Hz以下、特別是10Hz以下的頻率驅(qū)動(dòng)的情況下，液晶層包含2～30體積％的負(fù)型液晶化合物(剩下為正型液晶化合物)對(duì)抑制閃爍是有效的。

另外確認(rèn)到，通過(guò)將負(fù)型液晶化合物的含有量抑制到50體積％以下，透射率和液晶的響應(yīng)性也保持良好。另外，根據(jù)圖6可知，特別是進(jìn)行1Hz驅(qū)動(dòng)等驅(qū)動(dòng)頻率非常低的動(dòng)作(例如、10Hz以下)時(shí)，包含10體積％程度的負(fù)型液晶化合物能夠得到充分的閃爍率改善的效果。考慮到透射率和響應(yīng)性，在進(jìn)行例如1Hz～10Hz的驅(qū)動(dòng)的情況下，只要使負(fù)型液晶化合物的含有量為1體積％以上20體積％以上，更特定的是2體積％以上15體積％以下的比較少量即可。

像這樣，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置，盡管是像素電壓的極性切換時(shí)會(huì)發(fā)生暫時(shí)亮度降低的橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置，但當(dāng)令上述發(fā)生暫時(shí)亮度降低時(shí)的最低亮度為降低亮度(亮度min)時(shí)，作為液晶層中包含的正型液晶化合物和負(fù)型液晶化合物，使用滿足如下條件的液晶化合物。

即，本實(shí)施方式中使用的包含正型液晶化合物且不包含負(fù)型液晶化合物的液晶材料(正型液晶材料)，是在像素電極的狹縫24s上如圖4(a)所示，正極性時(shí)亮度與降低亮度之差即差A(yù)1(第一差)比負(fù)極性時(shí)亮度與降低亮度之差B1(第二差)實(shí)質(zhì)上大的材料。差A(yù)1:差B1例如為4:1以上2:1以下。另外，在像素電極的直線部分24e上，正極性時(shí)亮度與降低亮度之差即差A(yù)2(第五差)，與負(fù)極性時(shí)亮度與降低亮度之差B2(第六差)差別不大。差A(yù)2:差B2例如為2:1以上1:1以下。另外，狹縫上的差A(yù)1(亮度降低度)與直線部分上的差A(yù)2(亮度上升度)之差為20％以下。

另一方面，本實(shí)施方式中使用的包含負(fù)型液晶化合物且不包含正型液晶化合物的液晶材料(負(fù)型液晶材料)，是在像素電極的狹縫24s上如圖4(b)所示，正極性時(shí)亮度與降低亮度之差即第三差C1跟負(fù)極性時(shí)亮度與降低亮度之差D1(第四差)差別不大的材料。差C1:差D1例如為1:2以上1:1以下。另外，在像素電極的直線部分24e上，正極性時(shí)亮度與降低亮度之差即差C2(第七差)，與負(fù)極性時(shí)亮度與降低亮度之差D2(第八差)差別不大。差C2:差D2例如為1:2以上1:1以下。

而且，負(fù)型液晶材料的差C1與差D1之差，比正型液晶材料的差A(yù)1與差B1之差小。另外，負(fù)型液晶材料的差D1與差D2之差，比正型液晶材料的差B1與差B2之差小。

如以上說(shuō)明的那樣，液晶顯示裝置100中，使用了包含正型液晶化合物和規(guī)定量的負(fù)型液晶化合物的液晶層，所以在正極性電壓和負(fù)極性電壓交替施加的驅(qū)動(dòng)中極性切換時(shí)的亮度降低得以緩和，閃爍受到抑制。另外，關(guān)于上述的液晶顯示裝置，說(shuō)明了以對(duì)液晶層交替施加正極性電壓和負(fù)極性電壓的方式構(gòu)成的液晶顯示裝置，但也可以不以總是對(duì)液晶層供給超過(guò)0V和低于0V的像素電壓的方式進(jìn)行動(dòng)作。上述的正極性電壓和負(fù)極性電壓可以包含0V，例如可以在遍及多幀期間施加0V的電壓。另外，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中最低灰度等級(jí)電壓并不限定于需要設(shè)定為0V，也可以為具有正或負(fù)的極性的微小的偏移電壓。在這種情況下，在以最低灰度等級(jí)進(jìn)行顯示時(shí)，可以對(duì)液晶層持續(xù)施加微小的正極性或負(fù)極性的電壓。本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置，也包含這樣的情況，作為實(shí)質(zhì)上的像素電壓(最低灰度等級(jí)電壓以外)可以切換正極性的像素電壓和負(fù)極性的像素電壓地進(jìn)行施加。

另外，作為本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的TFT，優(yōu)選使用具有氧化物半導(dǎo)體層的TFT。作為氧化物半導(dǎo)體，優(yōu)選In-Ga-Zn-O類的半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱為“In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體”)，更優(yōu)選包含結(jié)晶部分的In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體。在此，In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體為In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)的三元氧化物，In、Ga和Zn的比例(組成比)并不做特別限定，包括例如In:Ga:Zn＝2:2:1、In:Ga:Zn＝1:1:1、In:Ga:Zn＝1:1:2等。

具有In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層的TFT，具有高的遷移率(與a-SiTFT相比超過(guò)20倍)和低的泄漏電流(與a-SiTFT相比不到百分之一)，因此不僅適用作像素TFT，也適用作驅(qū)動(dòng)TFT。如果使用具有In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層的TFT，則能夠增大顯示裝置的有效開(kāi)口率，同時(shí)削減顯示裝置的耗電。

In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體可以為非晶態(tài)，也可以包含結(jié)晶部分。作為結(jié)晶In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體，優(yōu)選c軸與層面大致垂直地取向的結(jié)晶In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體。這樣的In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，例如公開(kāi)在日本特開(kāi)2012-134475號(hào)公報(bào)中。作為參考，本說(shuō)明書(shū)援引日本特開(kāi)2012-134475號(hào)公報(bào)的全部公開(kāi)內(nèi)容。

氧化物半導(dǎo)體層，也可以替代In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體包含其他的氧化物半導(dǎo)體。例如可以包含Zn-O類半導(dǎo)體(ZnO)、In-Zn-O類半導(dǎo)體(IZO(注冊(cè)商標(biāo)))、Zn-Ti-O類半導(dǎo)體(ZTO)、Cd-Ge-O類半導(dǎo)體、Cd-Pb-O類半導(dǎo)體、CdO(氧化鎘)、Mg-Zn-O類半導(dǎo)體、In-Sn-Zn-O類半導(dǎo)體(例如In₂O₃-SnO₂-ZnO)、In-Ga-Sn-O類半導(dǎo)體等。

另外，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中，能夠應(yīng)用為了降低上述的極性切換時(shí)亮度暫時(shí)下降而適用的驅(qū)動(dòng)方法。這樣的驅(qū)動(dòng)方法，記載在本發(fā)明人申請(qǐng)的國(guó)際公開(kāi)第2015/025772號(hào)中。作為參考，本發(fā)明援引國(guó)際公開(kāi)第2015/025772號(hào)的全部公開(kāi)內(nèi)容。其中，液晶顯示裝置100可以包括能夠?qū)崿F(xiàn)以低于60Hz(例如10Hz以下)的暫停驅(qū)動(dòng)的公知結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路，其結(jié)構(gòu)容易理解。

下面，參照?qǐng)D7～圖10對(duì)液晶顯示裝置100的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖7～圖10中，進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)的像素用粗線圍起來(lái)，對(duì)施加像素電壓的像素附近陰影線。

液晶顯示裝置100所具有驅(qū)動(dòng)電路，構(gòu)成為進(jìn)行如下動(dòng)作：第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，當(dāng)將相當(dāng)于根據(jù)輸入視頻信號(hào)決定的幀期間的時(shí)間間隔作為刷新期間時(shí)，在第一刷新期間內(nèi)僅對(duì)多個(gè)像素中的奇數(shù)行或偶數(shù)行的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓；暫停動(dòng)作，在第一刷新期間之后，遍及具有比刷新期間長(zhǎng)的時(shí)間間隔的暫停期間，對(duì)多個(gè)像素的任一個(gè)都不供給像素電壓；和第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，在剛進(jìn)行暫停動(dòng)作后的第二刷新期間內(nèi)，僅對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行或奇數(shù)行的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓。第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作和第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作都按每1行進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)。有時(shí)將這樣的極性反轉(zhuǎn)稱為“1H反轉(zhuǎn)”。圖7～圖10所示的驅(qū)動(dòng)方法，全部滿足該條件。

圖7～圖9所示的實(shí)施方式中，在第一刷新期間內(nèi)，沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行或奇數(shù)行的像素所保持的電壓的極性不反轉(zhuǎn)。因此，得到能夠在第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作中，對(duì)像素供給像素電壓的時(shí)間比現(xiàn)有技術(shù)長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。

首先，參照?qǐng)D7(a)，對(duì)以1H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)方法的例子進(jìn)行說(shuō)明。圖7(a)是表示由本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的極性反轉(zhuǎn)的序列的一例的圖。

如圖7(a)所示，在某幀A中，以按每列像素電壓的極性相反的方式排列(有時(shí)稱為列反轉(zhuǎn)狀態(tài)或源極總線反轉(zhuǎn)狀態(tài))。

在與下一幀B對(duì)應(yīng)的第一刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)多個(gè)像素中的奇數(shù)行(或偶數(shù)行)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓的第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行或奇數(shù)行的像素不供給像素電壓。因此，在第一刷新期間內(nèi)，通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的期間，能夠超過(guò)刷新期間的二分之一，所以能夠?qū)ο袼爻浞诌M(jìn)行充電。其中，幀B的極性分布，成為列方向和行方向的任一方向上彼此相鄰的像素的像素電壓的極性相反的、所謂點(diǎn)反轉(zhuǎn)(1H點(diǎn)反轉(zhuǎn))狀態(tài)。

幀B之后，遍及具有比刷新期間(幀期間)長(zhǎng)的時(shí)間間隔(在此為59/60幀)的暫停期間，進(jìn)行對(duì)多個(gè)像素的任一個(gè)都不供給像素電壓的暫停動(dòng)作。

接著，在與剛進(jìn)行暫停動(dòng)作后的幀C對(duì)應(yīng)的第二刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行(或奇數(shù)行)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓的第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作。此時(shí)也與前面同樣，對(duì)沒(méi)有通過(guò)第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的奇數(shù)行(或偶數(shù)行)的像素不供給像素電壓。幀C的極性分布，成為列反轉(zhuǎn)狀態(tài)，與幀A時(shí)正負(fù)相反。

之后，在進(jìn)行了暫停動(dòng)作之后，使奇數(shù)行與偶數(shù)行相反，重復(fù)之前的動(dòng)作(幀D和E)，由此回到與幀A相同的極性分布。幀D中，成為點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài)(將“1H點(diǎn)反轉(zhuǎn)”簡(jiǎn)稱為“點(diǎn)反轉(zhuǎn)”)，極性分布與幀B時(shí)正負(fù)相反。幀E具有與幀A相同的極性分布。

像這樣，圖7(a)所例示的驅(qū)動(dòng)方法的極性分布，在每個(gè)刷新期間交替出現(xiàn)列反轉(zhuǎn)狀態(tài)和點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài)。圖7(a)中，表示了以幀A為列反轉(zhuǎn)狀態(tài)，以幀A→B→C→D→E(＝A)使極性變化的情況，但并不限定于此，也可以例如從點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的幀D開(kāi)始以幀D→C→B→A(＝E)使極性變化。

如果采用這樣的驅(qū)動(dòng)方法，則如圖7(b)所示，能夠使極性反轉(zhuǎn)時(shí)的亮度降低為約二分之一。其結(jié)果是，即使以低于60Hz的頻率驅(qū)動(dòng)也難以視認(rèn)閃爍。

另外，也可以以進(jìn)行圖8所示的極性反轉(zhuǎn)的序列的方式構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路。即，圖7(a)所示的序列中，在1刷新期間(幀期間)中，僅進(jìn)行1此極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，與之相對(duì)地，在圖8所示的序列中，在第一刷新期間內(nèi)，僅對(duì)通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給了相反極性的像素電壓的奇數(shù)行(或偶數(shù)行)的像素再次供給相反極性的像素電壓。第二刷新期間也同樣。即，將幀B分割為2個(gè)子幀B1(1/120秒)和B2(1/120秒)，在與各個(gè)子幀對(duì)應(yīng)的期間同樣供給相反極性的像素電壓。此時(shí)，供給相反極性的像素電壓的期間為刷新期間的二分之一以下。TFT型液晶顯示裝置像眾所周知的那樣，僅施加1次像素電壓的話，像素達(dá)不到期望的電壓。當(dāng)然也可以進(jìn)行過(guò)沖驅(qū)動(dòng)，但也可以如圖8例示的那樣，通過(guò)對(duì)像素電壓連續(xù)2次施加像素電壓使之達(dá)到期望的電壓。幀C以后也同樣。

圖7和圖8所示的序列中，僅對(duì)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)的像素供給像素電壓，所以對(duì)多個(gè)像素的各個(gè)供給像素電壓的時(shí)間間隔，成為暫停期間的2倍以上。即，各像素需要遍及比現(xiàn)有技術(shù)長(zhǎng)的時(shí)間(2倍以上)保持像素電壓。根據(jù)TFT的特性，像素所保持的電壓有可能降低。

在這樣的情況下，也可以以進(jìn)行圖9所示的極性反轉(zhuǎn)的序列的方式構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路。即，圖9所示的序列中，在第一刷新期間內(nèi)，除了第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作以外，還進(jìn)行僅對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行(或奇數(shù)行)的像素供給與該像素所保持的電壓相同極性的像素電壓的第一極性維持刷新動(dòng)作。因此，采用圖9的序列時(shí)，在各刷新期間中所有的像素被供給像素電壓，所以對(duì)多個(gè)像素的各個(gè)供給像素電壓的時(shí)間間隔與暫停期間相等。

另外，也可以以進(jìn)行圖10所示的極性反轉(zhuǎn)的序列的方式構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路。圖10所示的序列中，在第一刷新期間內(nèi)，除了第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作以外，還進(jìn)行僅對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行(或奇數(shù)行)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓的第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作。即，將幀B分割為2個(gè)子幀B1(1/120秒)和B2(1/120秒)，在與子幀B1對(duì)應(yīng)的期間內(nèi)進(jìn)行第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，在與子幀B2對(duì)應(yīng)的期間內(nèi)進(jìn)行第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作。

如果采用這樣的驅(qū)動(dòng)方法，則如圖10(b)所示，盡管極性反轉(zhuǎn)時(shí)的亮度降低發(fā)生2次，但是能夠使降低的程度變?yōu)榧s二分之一。因此，即使以低于60Hz的頻率驅(qū)動(dòng)也難以視認(rèn)閃爍。

上述的實(shí)施方式的液晶顯示裝置，具有構(gòu)成為在第一刷新期間內(nèi)和第二刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)奇數(shù)行或偶數(shù)行的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓的極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作(1H反轉(zhuǎn))的驅(qū)動(dòng)電路，但本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置并不限定于此，也可以具有構(gòu)成為在第一刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)以彼此相鄰的奇數(shù)行和偶數(shù)行為一對(duì)的多對(duì)奇數(shù)對(duì)或偶數(shù)對(duì)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓的極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作(2H反轉(zhuǎn))的驅(qū)動(dòng)電路。

這樣的驅(qū)動(dòng)電路具體來(lái)說(shuō)，進(jìn)行如下動(dòng)作：第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，在第一刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)以多個(gè)像素的彼此相鄰的奇數(shù)行和偶數(shù)行為一對(duì)的多對(duì)奇數(shù)對(duì)或偶數(shù)對(duì)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓；暫停動(dòng)作，在第一刷新期間之后，遍及具有比刷新期間長(zhǎng)的時(shí)間間隔的暫停期間，對(duì)多個(gè)像素的任一個(gè)都不供給像素電壓；和第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，在剛進(jìn)行暫停動(dòng)作后的第二刷新期間內(nèi)，僅對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)對(duì)或奇數(shù)對(duì)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓。第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作和第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作都按每2行進(jìn)行，所以有時(shí)稱為“2H反轉(zhuǎn)”。

參照?qǐng)D11，對(duì)以2H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)方法的例子進(jìn)行說(shuō)明。圖11是表示由構(gòu)成為以2H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的極性反轉(zhuǎn)的序列的例子的圖，與以1H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的情況的圖7(a)對(duì)應(yīng)。但是，在此，幀A的極性分布成為2H點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài)。

如圖11所示，在幀A中，以按每2行像素電壓的極性相反的方式排列(2H點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài))。

在與下一幀B對(duì)應(yīng)的第一刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)以多個(gè)像素中彼此相鄰的奇數(shù)行和偶數(shù)行為一對(duì)的多對(duì)奇數(shù)對(duì)(或偶數(shù)對(duì))的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓的第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行或奇數(shù)行的像素不供給像素電壓。因此，在第一刷新期間內(nèi)，通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的期間，能夠超過(guò)刷新期間的二分之一，所以能夠?qū)ο袼爻浞诌M(jìn)行充電。其中，幀B的極性分布，以按每列像素電壓的極性相反的方式排列(列反轉(zhuǎn)狀態(tài)或源極總線反轉(zhuǎn)狀態(tài))。

幀B之后，遍及具有比刷新期間(幀期間)長(zhǎng)的時(shí)間間隔(在此為59/60幀)的暫停期間，進(jìn)行對(duì)多個(gè)像素的任一個(gè)都不供給像素電壓的暫停動(dòng)作。

接著，在與剛進(jìn)行暫停動(dòng)作后的幀C對(duì)應(yīng)的第二刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)對(duì)(或奇數(shù)對(duì))的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓的第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作。此時(shí)也與前面同樣，對(duì)沒(méi)有通過(guò)第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的奇數(shù)對(duì)(或偶數(shù)對(duì))的像素不供給像素電壓。幀C的極性分布，成為2H點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài)，與幀A時(shí)正負(fù)相反。

之后，在進(jìn)行了暫停動(dòng)作之后，使奇數(shù)對(duì)與偶數(shù)對(duì)相反，重復(fù)之前的動(dòng)作(幀D和E)，由此回到與幀A相同的極性分布。幀D中，成為列反轉(zhuǎn)狀態(tài)，極性分布與幀B時(shí)正負(fù)相反。幀E具有與幀A相同的極性分布。

像這樣，圖11所例示的驅(qū)動(dòng)方法的極性分布，在每個(gè)刷新期間交替出現(xiàn)2H點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài)和列反轉(zhuǎn)狀態(tài)。圖11中，表示了以幀A為2H點(diǎn)反轉(zhuǎn)狀態(tài)，以幀A→B→C→D→E(＝A)使極性變化的情況，但并不限定于此，也可以例如從列反轉(zhuǎn)狀態(tài)的幀D開(kāi)始以幀D→C→B→A(＝E)使極性變化。

像這樣以2H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，也與以1H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的情況同樣，能夠得到即使以低于60Hz的頻率驅(qū)動(dòng)也難以視認(rèn)閃爍的效果。同樣，圖8、圖9和圖10(a)所示的其他的極性反轉(zhuǎn)序列的例子也同樣。

圖12示意性地表示包括構(gòu)成為以2H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示裝置200的像素結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置200的驅(qū)動(dòng)電路能夠進(jìn)行圖11所示的極性反轉(zhuǎn)的序列。

液晶顯示裝置200是具有擬似雙疇結(jié)構(gòu)的FFS模式的液晶顯示裝置，液晶顯示裝置200所具有的多個(gè)像素具有電極構(gòu)造不同的2種像素Pa和像素Pb。像素Pa和像素Pb例如像此處例示的那樣，像素電極所具有的直線部分(或狹縫)延伸的方向彼此不同。對(duì)像素Pa和像素Pb施加電壓時(shí)，液晶分子向彼此不同的方向旋轉(zhuǎn)，形成指向矢彼此交叉的2種液晶疇。這2種液晶疇彼此補(bǔ)償相位延遲，所以能夠抑制視角的色不均。在1個(gè)像素內(nèi)形成2種液晶疇的結(jié)構(gòu)被稱為雙疇結(jié)構(gòu)，與之相對(duì)地，在相鄰的2個(gè)像素形成2種液晶疇的結(jié)構(gòu)被稱為擬似雙疇結(jié)構(gòu)。擬似雙疇結(jié)構(gòu)適用于像素小的移動(dòng)設(shè)備用的高精細(xì)的液晶顯示裝置中。具有擬似雙疇結(jié)構(gòu)的FFS模式的液晶顯示裝置，例如公開(kāi)在日本特開(kāi)2009-237414號(hào)公報(bào)中。另外，日本特開(kāi)2000-29072號(hào)公報(bào)公開(kāi)了具有擬似雙疇的IPS模式的液晶顯示裝置。作為參考，本說(shuō)明書(shū)援引日本特開(kāi)2009-237414號(hào)公報(bào)和日本特開(kāi)2000-29072號(hào)公報(bào)的全部公開(kāi)內(nèi)容。

液晶顯示裝置200中，僅由像素Pa構(gòu)成的像素行和與其相鄰的僅由像素Pb構(gòu)成的像素行在列方向上交替地排列。當(dāng)將彼此相鄰的奇數(shù)行和偶數(shù)行作為一對(duì)(Pp)時(shí)，多個(gè)像素由奇數(shù)對(duì)(例如Pp(n))和偶數(shù)對(duì)(例如Pp(n+1))構(gòu)成，奇數(shù)對(duì)和偶數(shù)對(duì)在列方向上交替地排列。在此，n為正整數(shù)，例如在圖12中，令n＝1，則對(duì)Pp(1)由第一行的像素Pa和第二行的像素Pb構(gòu)成，對(duì)Pp(2)由第三行的像素Pa和第四行的像素Pb構(gòu)成。同樣，對(duì)Pp(3)由第五行的像素Pa和第六行的像素Pb構(gòu)成，對(duì)Pp(4)由第七行的像素Pa和第八行的像素Pb構(gòu)成。

因此，通過(guò)將參照?qǐng)D7～10說(shuō)明過(guò)的以1H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)方法中的各行(1H)置換為各個(gè)對(duì)(像素行的對(duì)：2H)，能夠變更為以2H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)方法。

例如如果將圖7(a)的幀D的各行置換為像素行的對(duì)則得到圖11的幀A(＝E)，如果將圖7(a)的幀C的各行置換為像素行的對(duì)則得到圖11的幀B，如果將圖7(a)的幀B的各行置換為像素行的對(duì)則得到圖11的幀C，如果將圖7(a)的幀A(＝E)的各行置換為像素行的對(duì)則得到圖11的幀D。

根據(jù)上述可知，本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置，可以構(gòu)成為以1H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，也可以構(gòu)成為以2H反轉(zhuǎn)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作。

在此例示的具有擬似雙疇結(jié)構(gòu)的FFS模式的液晶顯示裝置、IPS模式的液晶顯示裝置，以電極構(gòu)造彼此不同的2種像素在列方向上相鄰的方式配置。電極構(gòu)造不同，意味著最佳的相對(duì)電壓也可能不同。因此，通過(guò)以包含2種像素的2行單位進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)，能夠有效抑制像素結(jié)構(gòu)不同引起的相對(duì)電壓的偏差導(dǎo)致的閃爍。

另外，作為暫停驅(qū)動(dòng)的例子例示了1Hz，但本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置進(jìn)行的暫停驅(qū)動(dòng)并不限定于此，只要暫停期間比幀期間長(zhǎng)即可，低于60Hz的幀頻的暫停驅(qū)動(dòng)也能得到上述的效果。另外，撓曲電效應(yīng)雖然在使用介電各向異性為正的向列型液晶材料的FFS模式的液晶顯示裝置中顯著，但在使用介電各向異性為負(fù)的向列型液晶材料的FFS模式的液晶顯示裝置中也能夠使得難以視認(rèn)閃爍。另外，如上述的實(shí)施方式所示，通過(guò)在將正型液晶材料和負(fù)型液晶材料混合使用的FFS模式的液晶顯示裝置中應(yīng)用上述的驅(qū)動(dòng)方法，能夠大幅降低低于60Hz(例如30Hz以下、特別是10Hz以下)的暫停驅(qū)動(dòng)時(shí)的閃爍率。

本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置當(dāng)然不僅能夠進(jìn)行上述的暫停驅(qū)動(dòng)，也能夠進(jìn)行通常的驅(qū)動(dòng)(幀頻為60Hz)。另外，通常的驅(qū)動(dòng)的幀頻也可以超過(guò)60Hz，但如果幀頻過(guò)大則消耗電力增大，所以不優(yōu)選。

以上說(shuō)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置，不僅如上述說(shuō)明的那樣具有將正型液晶材料和負(fù)型液晶材料以規(guī)定的比例混合而成的液晶層，而且具有：顯示區(qū)域，其包括具有行和列的矩陣狀排列的多個(gè)像素，所述多個(gè)像素包括使各個(gè)液晶層生成橫向電場(chǎng)的第一電極和第二電極；以及對(duì)多個(gè)像素分別供給像素電壓的驅(qū)動(dòng)電路，其中，當(dāng)將相當(dāng)于根據(jù)輸入視頻信號(hào)決定的幀期間的時(shí)間間隔作為刷新期間時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路可以進(jìn)行如下動(dòng)作：第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，在第一刷新期間內(nèi)，進(jìn)行僅對(duì)以多個(gè)像素中的奇數(shù)行或偶數(shù)行的像素、或者以多個(gè)像素的彼此相鄰的奇數(shù)行和偶數(shù)行為一對(duì)的多對(duì)奇數(shù)對(duì)或偶數(shù)對(duì)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓；暫停動(dòng)作，在第一刷新期間之后，遍及具有比刷新期間長(zhǎng)的時(shí)間間隔的暫停期間，對(duì)多個(gè)像素的任一個(gè)都不供給像素電壓；和第二極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作，在剛進(jìn)行暫停動(dòng)作后的第二刷新期間內(nèi)，僅對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一極性反轉(zhuǎn)刷新動(dòng)作被供給相反極性的像素電壓的偶數(shù)行或奇數(shù)行、或者偶數(shù)對(duì)或奇數(shù)對(duì)的像素供給與該像素所保持的電壓相反極性的像素電壓。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置，能夠廣泛用于電視機(jī)、監(jiān)視器、便攜終端用顯示器等各種顯示裝置、電子設(shè)備。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

10 TFT基板(第一基板)

11 基板

12 柵極金屬層

13 柵極絕緣層

14 氧化物半導(dǎo)體層

16 源極金屬層

17 層間絕緣層

22 對(duì)置電極(第二電極)

23 電介質(zhì)層

24 像素電極(第一電極)

24s 直線部分

25 第一取向膜

30 對(duì)置基板(第二基板)

31 基板。