本申請案主張2014年3月31日申請的第61/973,151號美國臨時專利申請案的權(quán)益，所述臨時申請案的全文以引用的方式全部并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計量的領(lǐng)域，且更特定來說，本發(fā)明涉及使用散射術(shù)計量的焦點(diǎn)測量。

背景技術(shù)：

光刻工具是用以將所要圖案印刷到襯底上的機(jī)器。所述工具用以將圖案從掩模轉(zhuǎn)印到印刷于晶片上的個別集成電路層。轉(zhuǎn)印通常經(jīng)由成像到感光層(稱為抗蝕劑)上而實(shí)施。隨著圖案元件的目標(biāo)臨界尺寸(CD)縮小，成像工藝窗(process window)縮小，這導(dǎo)致根據(jù)焦點(diǎn)深度(DOF)的更小的工藝窗。為控制印刷圖案均勻性，必須測量光刻工具的參數(shù)且尤其是焦點(diǎn)的參數(shù)。舉例來說，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)需要極其嚴(yán)密的焦點(diǎn)控制，例如跨晶片3σ<10nm。

王(Wong)等人2013年(《國際光學(xué)工程學(xué)會學(xué)報(Proc.of SPIE)》第8681,868137卷中的“用于擴(kuò)展光學(xué)光刻的CD優(yōu)化方法(CD optimization methodology for extending optical lithography)”)(所述文章的全文以引用的方式并入本文中)教示使用其中不對稱性(即，左邊緣與右邊緣處的有效側(cè)壁角度(SWA)之間的差異)通過焦點(diǎn)單調(diào)地改變的不對稱目標(biāo)以進(jìn)行焦點(diǎn)測量(參見參考1)。SWA差異展現(xiàn)為介于所測量散射術(shù)信號中的+1與-1衍射級之間的強(qiáng)度差。然而，由王等人教示的目標(biāo)間距是產(chǎn)品間距的至少四倍，這使得目標(biāo)對光刻工具像差敏感。另一問題在于，當(dāng)SWA角度不對稱性小時，信號差異變小，從而導(dǎo)致不準(zhǔn)確結(jié)果。

斯帕齊亞尼(Spaziani)等人2012年(《國際光學(xué)工程學(xué)會學(xué)報》第8324，83241L卷中的“使用內(nèi)聯(lián)計量的光刻工藝控制(Lithography process control using in-line metrology)”)以及布倫納(Brunner)及奧許希茨(Ausschnitt)2007年(《國際光學(xué)工程學(xué)會學(xué)報》第6518-2卷中的“工藝監(jiān)測器光柵(Process Monitor Gratings)”)(所述文章的全文以引用的方式并入本文中)教示使用其中針對對劑量及焦點(diǎn)變化的更高敏感性設(shè)計目標(biāo)的焦點(diǎn)劑量圖案及工藝監(jiān)測光柵以進(jìn)行焦點(diǎn)測量。通過使用散射條技術(shù)、線端技術(shù)及禁用間距，目標(biāo)變得更敏感。然而，關(guān)于目標(biāo)的小景深(DOF)及圖案在整個工藝窗范圍內(nèi)的印刷性，所述目標(biāo)是不利的。測量方法使用散射術(shù)模型庫方法，這使其對模型誤差更敏感。

第20140141536號美國專利公開案(所述公開案的全文以引用的方式并入本文中)揭示包含一組單元結(jié)構(gòu)的分段掩模。每一單元結(jié)構(gòu)包含具有沿第一方向的不可分辨分段間距的一組特征。沿所述第一方向的所述不可分辨分段間距小于光刻印刷工具的照明。所述單元結(jié)構(gòu)具有沿垂直于所述第一方向的第二方向的間距。所述不可分辨分段間距適于產(chǎn)生印刷圖案，以使光刻工具的最佳焦點(diǎn)位置移位選定量，以實(shí)現(xiàn)焦點(diǎn)敏感性的選定水平。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

以下是提供對本發(fā)明的初始理解的簡化概述。所述概述不一定識別關(guān)鍵元件也不限制本發(fā)明的范圍，而僅用作對以下描述的引言。

本發(fā)明的一個方面提供一種目標(biāo)設(shè)計，其包括包含具有特征為在第一方向上的第一間距的多個重復(fù)(recurring)元件的周期性結(jié)構(gòu)的目標(biāo)設(shè)計，其中所述元件沿垂直于所述第一方向的第二方向以第二間距為周期且在所述第二方向上的特征為具有所述第二間距的交替的對焦點(diǎn)敏感及對焦點(diǎn)不敏感的圖案。

本發(fā)明的這些額外及/或其它方面及/或優(yōu)點(diǎn)闡述于以下詳細(xì)描述中；可從所述詳細(xì)描述推論；及/或可通過本發(fā)明的實(shí)踐學(xué)習(xí)。

附圖說明

為更好理解本發(fā)明的實(shí)施例且展示可如何實(shí)施所述實(shí)施例，現(xiàn)將僅經(jīng)由實(shí)例的方式參考附圖，其中相似數(shù)字始終指定對應(yīng)元件或區(qū)段。

在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的掩模上的目標(biāo)設(shè)計、所產(chǎn)生目標(biāo)及其散射術(shù)測量的階層示意圖。

圖2A到2F是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的目標(biāo)設(shè)計的高階示意圖。

圖3A到3C示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于產(chǎn)生元件110的模擬結(jié)果。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的使用晶片上使用目標(biāo)設(shè)計產(chǎn)生的目標(biāo)來測量焦點(diǎn)的高階示意圖。

圖5A及5B是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的目標(biāo)設(shè)計的高階示意圖。

圖6A到6C是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的目標(biāo)設(shè)計的高階示意圖。

圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的方法的高階流程圖。

具體實(shí)施方式

在闡述詳細(xì)描述之前，闡述下文中將使用的某些術(shù)語的定義可為有幫助的。

如本申請案中使用的術(shù)語“對焦點(diǎn)不敏感的圖案”指代連續(xù)的且未經(jīng)再分且特征為均勻臨界尺寸的目標(biāo)設(shè)計中的元件的區(qū)域。如本申請案中使用的術(shù)語“對焦點(diǎn)敏感的圖案”指代經(jīng)再分(例如，在任何方向上分段或包含間隙)及/或特征為非均勻臨界尺寸的目標(biāo)設(shè)計中的元件的區(qū)域。

現(xiàn)詳細(xì)特定參考圖式，強(qiáng)調(diào)所示的詳情是作為實(shí)例且僅出于對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的闡釋性論述的目的，且經(jīng)呈現(xiàn)以便提供被認(rèn)為是對本發(fā)明的原理及概念方面的最有用且更容易理解的描述。在這方面，并未試圖比本發(fā)明的基礎(chǔ)理解所必需的描述更詳細(xì)地展示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，圖式所采取描述使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員明白如何可在實(shí)踐中體現(xiàn)本發(fā)明的若干形式。

在詳細(xì)說明本發(fā)明的至少一個實(shí)施例之前，應(yīng)理解，本發(fā)明并不使其應(yīng)用受限于以下描述中所闡述或圖式中所說明的組件的構(gòu)造及布置的細(xì)節(jié)。本發(fā)明適用于其它實(shí)施例或以各種方式實(shí)踐或?qū)嵤４送?，?yīng)理解，本文中所采用的措辭及術(shù)語是出于描述的目的且不應(yīng)視為限制性。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的掩模上的目標(biāo)設(shè)計100、所產(chǎn)生目標(biāo)101及其散射術(shù)測量96A、96B的階層示意圖。

目標(biāo)設(shè)計100包括具有特征為第一方向(x)上的第一間距135的多個重復(fù)元件110的周期性結(jié)構(gòu)。元件110自身沿垂直于第一方向的第二方向(y)以第二間距130為周期。元件110在第二方向上的特征為分別具有第二間距130的交替的對焦點(diǎn)敏感的圖案120及對焦點(diǎn)不敏感的圖案125。對焦點(diǎn)不敏感的圖案125在從掩模上的元件寬度140產(chǎn)生之后可具有第一臨界尺寸(CD_a)。對焦點(diǎn)敏感的圖案125在從掩模印刷之后可展現(xiàn)第二臨界尺寸(CD_b)。在某些實(shí)施例中，第二臨界尺寸CD_b取決于在目標(biāo)101的產(chǎn)生期間的焦點(diǎn)。在某些實(shí)施例中，在晶片上產(chǎn)生第二臨界尺寸CD_b之后，僅在滿足指定焦點(diǎn)要求時，第二臨界尺寸CD_b才可等于第一臨界尺寸CD_a。

具有所產(chǎn)生元件111的所產(chǎn)生目標(biāo)101特征為第一方向(x)上的間距P_x，且在CD_b不同于CD_a(以放大方式說明)的情況下特征可為第二方向(y)上的間距P_y。間距P_y可設(shè)計為間距P_x(其可類似于裝置間距)的數(shù)倍大小，且除零衍射級(zeroth diffraction order)之外，還通過計量工具80實(shí)現(xiàn)±一衍射級(first diffraction order)的散射術(shù)測量(96B)。因此散射術(shù)測量可用以估計以其產(chǎn)生目標(biāo)101的焦點(diǎn)。

圖2A到2F是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的目標(biāo)設(shè)計100的高階示意圖。圖2A到2F表示用以產(chǎn)生晶片上的目標(biāo)101的相應(yīng)光刻掩模上的目標(biāo)設(shè)計100。應(yīng)注意，如上文說明，取決于例如焦點(diǎn)及劑量的產(chǎn)生參數(shù)，晶片上的目標(biāo)設(shè)計100的實(shí)際產(chǎn)生形式101可不同于掩模上的目標(biāo)設(shè)計100。圖2A到2F示意性地說明目標(biāo)設(shè)計100的非限制性可能，其可根據(jù)下文呈現(xiàn)的原理而修改。

目標(biāo)設(shè)計100可包括具有特征為第一方向(x)上的第一間距135且沿垂直于第一方向的第二方向(y)也以第二間距130為周期的多個重復(fù)元件110的周期性結(jié)構(gòu)。元件110在第二方向上的特征可為以第二間距130交替的交替的對焦點(diǎn)敏感的圖案120及對焦點(diǎn)不敏感的圖案125。

在某些實(shí)施例中，在產(chǎn)生之后，第一對焦點(diǎn)不敏感的圖案125可具有標(biāo)記為CD_a的第一臨界尺寸，且第二對焦點(diǎn)敏感的圖案120可具有標(biāo)記為CD_b的第二臨界尺寸。在某些實(shí)施例中，在晶片上產(chǎn)生所述后者對焦點(diǎn)敏感的圖案120之后，僅在滿足指定焦點(diǎn)要求時，對焦點(diǎn)敏感的圖案120才可展現(xiàn)第一臨界尺寸(CD_a)。在不當(dāng)聚焦之后，可產(chǎn)生例如在CD_b與CD_a之間的不同臨界尺寸。

在某些實(shí)施例中，第一間距135可經(jīng)產(chǎn)生以產(chǎn)出接近于產(chǎn)品間距的P_x，且所產(chǎn)生第一臨界尺寸(CD_a)可小于所產(chǎn)生間距P_x的一半。在某些實(shí)施例中，第二間距130可經(jīng)產(chǎn)生以產(chǎn)出可為第一臨界尺寸(CD_a)的1¹/₂到2倍的P_y。在某些實(shí)施例中，第二臨界尺寸(CD_b)可為第一臨界尺寸(CD_a)的1/2到1倍。在某些實(shí)施例中，P_y可為P_x的4到6倍。在某些實(shí)施例中，目標(biāo)設(shè)計100可經(jīng)配置以在散射術(shù)測量之后產(chǎn)生產(chǎn)出零衍射級信號96A的P_x，且產(chǎn)生產(chǎn)出零衍射級信號以及±一衍射級信號96B的P_y。

在某些實(shí)施例中，第二對焦點(diǎn)敏感的圖案120可以次分辨率間距分段?？梢圆煌绞皆O(shè)計對焦點(diǎn)敏感的圖案120，所述不同方式中的一些在圖2A到2F中說明。舉例來說，對焦點(diǎn)敏感的圖案120可包括水平元件121及/或垂直元件122。術(shù)語“水平”在此上下文中理解為沿x方向(即，沿第一間距135且分別沿元件110的短尺寸)，而術(shù)語“垂直”在此上下文中理解為沿y方向(即，沿第二間距130且分別沿元件110的長尺寸)。水平元件121或垂直元件122可單獨(dú)界定對焦點(diǎn)敏感的圖案120(例如，參見圖2A、2F)，或水平元件121及垂直元件122可經(jīng)組合以形成對焦點(diǎn)敏感的圖案120(圖2B到2E)。水平元件121及/或垂直元件122可為周期性的(圖2A到2F說明水平元件121為周期性的，然而水平元件121不必為周期性的；且圖2C、2E說明垂直元件122具有不同的周期性方向)，且在對焦點(diǎn)敏感的圖案120內(nèi)的長度可變化(例如，圖2F)?？筛鶕?jù)產(chǎn)生及測量工具及參數(shù)以及根據(jù)所需焦點(diǎn)敏感性優(yōu)化次分辨率元件121、122的尺寸。示范性特征尺寸包括取決于具體設(shè)計的水平元件121的長度141、145及寬度142、垂直元件122的長度(未標(biāo)定)及寬度143、144。

可使用目標(biāo)設(shè)計100測量光刻工具焦點(diǎn)偏移。目標(biāo)設(shè)計100可經(jīng)配置以穩(wěn)健、對焦點(diǎn)敏感且與產(chǎn)品相關(guān)。測量方法可經(jīng)配置以使用零衍射級信號及第一衍射級信號或其部分(例如，+1及/或-1級)。所產(chǎn)生目標(biāo)設(shè)計100的間距(P_x)及/或所產(chǎn)生目標(biāo)設(shè)計100的臨界尺寸(CD_a)可接近于產(chǎn)品間距。以非限制性方式，使用線圖案來說明目標(biāo)設(shè)計100，且CD_a是說明為約或小于一半的P_x。在某些實(shí)施例中，CD_a可接近于產(chǎn)品CD及/或可為例如P_x的30％到70％。

沿不同于主測量方向(P_x沿所述方向設(shè)計)的方向(通常垂直于主測量方向)可實(shí)現(xiàn)所產(chǎn)生目標(biāo)101對焦點(diǎn)參數(shù)的增強(qiáng)的敏感性。因此，沿所述方向，通過沿元件110產(chǎn)生交替的圖案120、125而形成次間距P_y。應(yīng)注意，雖然圖2A到2F中僅說明一個對焦點(diǎn)敏感的圖案120，但取決于元件110的長度，可沿其設(shè)計多種改變及多個對焦點(diǎn)敏感的圖案120。目標(biāo)設(shè)計100中的一些或全部元件110可(分別)包括交替的對焦點(diǎn)敏感的圖案120及對焦點(diǎn)不敏感的圖案125，且不同元件110可包括不同圖案120及/或125，而產(chǎn)出不同間距P_y及/或不同臨界尺寸CD_b。

在某些實(shí)施例中，次間距130可大于第一間距135，例如高達(dá)四到六倍大，且例如介于400nm到1200nm之間。第一臨界尺寸(CD_a)可接近于產(chǎn)品CD且可為例如P_x的30％到70％。第二臨界尺寸(CD_b)可為例如P_y的30％到70％。

可由次分辨率特征121、122圖案化第二對焦點(diǎn)敏感的圖案120，即，所產(chǎn)生目標(biāo)101中不必復(fù)制但影響所產(chǎn)生元件111的相應(yīng)部分的臨界尺寸的特征。因此，至少在例如焦點(diǎn)及劑量的正確光刻參數(shù)的情況中，目標(biāo)設(shè)計100可印刷為第一與第二圖案120、125之間無區(qū)別的周期性結(jié)構(gòu)，且通過與此預(yù)期周期性結(jié)構(gòu)的偏差可指示例如焦點(diǎn)及劑量的不當(dāng)光刻參數(shù)的使用，例如參數(shù)超出指定公差范圍?？墒褂们以O(shè)計對焦點(diǎn)敏感的圖案120的細(xì)節(jié)來界定及調(diào)整敏感區(qū)域及公差范圍。

在某些實(shí)施例中，對焦點(diǎn)敏感的圖案120及對焦點(diǎn)不敏感的圖案125對劑量改變可具有類似敏感性，而圖案120、125在其焦點(diǎn)敏感性方面可不同，即，在劑量改變下，CD_b可保持近似等于CD_a，而在焦點(diǎn)改變下，CD_b可取決于焦點(diǎn)偏差的程度而從CD_a偏離。在某些實(shí)施例中，元件111的均勻性或元件111內(nèi)的所產(chǎn)生圖案120、125之間的對稱性可用作用于估計焦點(diǎn)偏差或焦點(diǎn)正確性的度量。

圖3A到3C示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于產(chǎn)生元件110的模擬結(jié)果。使用PROLITH作為模擬工具，圖3A說明由所說明的目標(biāo)設(shè)計(類似于圖2B)產(chǎn)生的抗蝕劑結(jié)構(gòu)111的CD_a-CD_b與具有值-60nm、0及+60nm的焦點(diǎn)改變及具有值-1mJ/cm²、0、+1mJ/cm²的劑量改變的相依性。圖3B及3C描繪每一CD_a、CD_b對于焦點(diǎn)改變(圖3B)及劑量改變(圖3C)的結(jié)果。在所說明的實(shí)施例中，CD_b不等于CD_a，且差CD_a-CD_b明顯取決于焦點(diǎn)偏差，且因此可用以指示焦點(diǎn)偏差。應(yīng)注意，CD_a及CD_b以類似方式取決于劑量，且因此可獨(dú)立于劑量參數(shù)測量焦點(diǎn)參數(shù)。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的使用晶片90上使用目標(biāo)設(shè)計100產(chǎn)生的目標(biāo)101測量焦點(diǎn)的高階示意圖。照明源85用以從目標(biāo)101導(dǎo)出衍射信號95。衍射信號95示意性地說明于圖4的右手側(cè)，展示零級信號96A依據(jù)波長(沿x方向)而變化，且沿y方向展示零衍射級信號及±一衍射級信號兩者96B。

圖5A及5B是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的目標(biāo)設(shè)計100的高階示意圖。某些實(shí)施例包括具有多個子目標(biāo)100A、100B、包括類似元件110且以不同于第一間距135的間距136分離成相異群組的目標(biāo)設(shè)計100(圖5A)。某些實(shí)施例包括具有兩種或兩種以上類型的元件110(例如，具有不同對焦點(diǎn)敏感的圖案120的元件110A、110B)的目標(biāo)設(shè)計100。在圖5B中說明的非限制性實(shí)例中，元件110A、110B是圖2A、2B中所呈現(xiàn)的類型，分別由圖2A中的水平元件121A及圖2B中的水平元件121B及垂直元件122B組成。因此，目標(biāo)設(shè)計100特征為兩個相異水平間距，鄰近元件110A、110B之間的間距135及鄰近類似元件110A(或類似元件110B)之間的另一間距136(＝2·間距135)。元件110A、110B中的對焦點(diǎn)敏感的圖案120之間的差異可用以增強(qiáng)從其導(dǎo)出焦點(diǎn)測量的準(zhǔn)確性。示范性特征尺寸包括取決于具體設(shè)計的水平元件121、121A、121B的長度141、146及寬度142、148，垂直元件122、122B的長度(未標(biāo)定)及寬度143、147。

某些實(shí)施例包括具有兩個或兩個以上子目標(biāo)100A、100B的目標(biāo)設(shè)計100，其中元件110在其對焦點(diǎn)敏感的圖案120方面不同。使用多個對焦點(diǎn)敏感的圖案120增強(qiáng)從其導(dǎo)出焦點(diǎn)測量的準(zhǔn)確性。圖6A到6C是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的目標(biāo)設(shè)計100的高階示意圖。在非限制性實(shí)例中，所述三種設(shè)計中的子目標(biāo)100A類似于圖2A(具有水平元件121A)，而子目標(biāo)100B分別根據(jù)圖2B、圖2F及2E中引入的圖案修改(在圖6A及6C中具有水平元件121B及垂直元件122)。兩個或兩個以上子目標(biāo)設(shè)計的任何組合可用作目標(biāo)設(shè)計100。在所說明的情況中，子目標(biāo)100A、100B特征為第一間距135，而子目標(biāo)100A、100B以較大間距136設(shè)計。示范性特征尺寸包括取決于具體設(shè)計的水平元件121A、121B的長度141、146及寬度142、148、149，垂直元件122的長度(未標(biāo)定)及寬度147、150。

圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的方法200的高階流程圖。方法200中的設(shè)計階段可至少部分由計算機(jī)處理器實(shí)施。

方法200可包括設(shè)計周期性目標(biāo)以具有在第一方向上的第一間距以及具有沿垂直方向的第二間距的具有交替的對焦點(diǎn)敏感及對焦點(diǎn)不敏感的圖案的元件(階段210)。在某些實(shí)施例中，方法200可包括以次分辨率間距分段對焦點(diǎn)敏感的圖案(階段212)。

方法200可進(jìn)一步包括設(shè)計對焦點(diǎn)不敏感的圖案以在產(chǎn)生之后具有第一臨界尺寸，及設(shè)計對焦點(diǎn)敏感的圖案以在產(chǎn)生之后具有第二臨界尺寸，僅在滿足指定焦點(diǎn)要求時，第二臨界尺寸才等于第一臨界尺寸(階段215)。

舉例來說，方法200可包括將第二間距設(shè)計為第一間距的4到6倍，且將第二臨界尺寸設(shè)計為第一臨界尺寸的1/2到1倍(階段220)。

方法200可包括配置目標(biāo)以由散射術(shù)測量，其中第一間距經(jīng)配置以產(chǎn)出零級信號，且第二間距經(jīng)配置以產(chǎn)出零級信號及至少一個一級信號(階段225)。

方法200可包括產(chǎn)生經(jīng)設(shè)計目標(biāo)(階段230)及通過測量所產(chǎn)生的對焦點(diǎn)敏感的圖案而確認(rèn)工具的焦點(diǎn)(階段240)。

方法200可進(jìn)一步包括從具有不同臨界尺寸及/或間距的經(jīng)設(shè)計目標(biāo)制備FEM(焦點(diǎn)曝光矩陣)晶片(階段250)，及從所測量目標(biāo)信號與從FEM晶片測量的信號的比較導(dǎo)出焦點(diǎn)參數(shù)(階段255)。

方法200可進(jìn)一步包括從具有不同臨界尺寸及/或間距的經(jīng)設(shè)計目標(biāo)的散射術(shù)測量導(dǎo)出模型(階段260)，及根據(jù)所述模型從所測量目標(biāo)信號導(dǎo)出焦點(diǎn)參數(shù)(階段265)。所述模型可通過第2013/0110477號美國專利申請案中描述的方法導(dǎo)出，所述專利申請案揭示用于計量的以工藝變化為基礎(chǔ)的模型優(yōu)化，且其全文以引用的方式并入本文中。

有利地，與現(xiàn)有技術(shù)相比，目標(biāo)設(shè)計100及方法200提供對掃描器焦點(diǎn)的更高敏感性以及良好的目標(biāo)印刷性。使用CD變化、散射術(shù)信號參數(shù)與焦點(diǎn)之間的關(guān)系來導(dǎo)出焦點(diǎn)偏差。在某些實(shí)施例中，所產(chǎn)生目標(biāo)101以接近于產(chǎn)品間距的主間距(P_x)為周期，且包括具有至少一個重復(fù)的對焦點(diǎn)敏感的圖案的垂直結(jié)構(gòu)，所述圖案具有大于由散射計工具使用的照明波長的間距P_y。目標(biāo)設(shè)計100可包括具有不同焦點(diǎn)敏感性的兩個或兩個以上子目標(biāo)?？墒褂眯盘柲Ｐ突騾⒖寄繕?biāo)從相應(yīng)衍射信號(例如，零級、+一級及/或–一級)導(dǎo)出焦點(diǎn)?？墒褂枚鄠€目標(biāo)或子目標(biāo)以解相關(guān)焦點(diǎn)及劑量測量及/或偏差。

在某些實(shí)施例中，膜墊目標(biāo)可用于底層解相關(guān)?？蓮哪|目標(biāo)的測量提取衍射級信號(例如，零級)。使用膜墊目標(biāo)測量的信號可前饋到具有上述敏感性焦點(diǎn)目標(biāo)(focus target)的光柵上的測量。在某些實(shí)施例中，使用膜墊目標(biāo)的底層解相關(guān)可增加焦點(diǎn)測量的準(zhǔn)確性。

在上文描述中，實(shí)施例是本發(fā)明的實(shí)例或?qū)嵤┓桨浮！耙粋€實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“某些實(shí)施例”或“一些實(shí)施例”的各種出現(xiàn)不一定都指代相同實(shí)施例。

盡管可在單一實(shí)施例的上下文中描述本發(fā)明的各種特征，但所述特征也可單獨(dú)提供或以任何合適組合提供。相反，盡管為清楚起見在本文中可在單獨(dú)實(shí)施例的上下文中描述本發(fā)明，但本發(fā)明也可實(shí)施于單個實(shí)施例中。

本發(fā)明的某些實(shí)施例可包含來自上文所揭示的不同實(shí)施例的特征且某些實(shí)施例可并入來自上文所揭示的其它實(shí)施例的元件。本發(fā)明的元件在特定實(shí)施例的上下文中的揭示不應(yīng)被視為限制其僅用于所述特定實(shí)施例中。

此外，應(yīng)理解，可以各種方式實(shí)施或?qū)嵺`本發(fā)明，且本發(fā)明可實(shí)施于除上文描述中概述的實(shí)施例外的某些實(shí)施例中。

本發(fā)明不限于所述圖式或?qū)?yīng)描述。舉例來說，流程無需移動通過每一所說明的圖框或狀態(tài)，或以與所說明及描述完全相同的順序進(jìn)行。

除非另外定義，否則本文使用的技術(shù)術(shù)語及科學(xué)術(shù)語的意義應(yīng)為本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所常理解的意義。

雖然已關(guān)于有限數(shù)目個實(shí)施例描述本發(fā)明，但這些實(shí)施例不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明的范圍，而是應(yīng)作為一些優(yōu)選實(shí)施例的例證。其它可能變化、修改及應(yīng)用也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)由迄今已描述的內(nèi)容限制，而是由所附權(quán)利要求書及其合法等效物限制。