技術(shù)特征：

1.一種液晶顯示屏的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包括：

一襯底；

一金屬層，設(shè)置于所述襯底上；

一第一絕緣層，設(shè)置于所述金屬層上；

一公用電極層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，且所述公用電極層與所述第一絕緣層直接接觸；

一第二絕緣層，設(shè)置于所述公用電極層上；以及

一第一像素電極層及一第二像素電極層，設(shè)置于所述第二絕緣層上，其中所述第一像素電極層及第二像素電極層位于同一像素結(jié)構(gòu)內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第一及第二像素電極層以一預(yù)定間距排列，且所述預(yù)定間距介于1.46μm至2.0μm之間。

3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第一像素電極層及所述第二像素電極層具有一線寬，所述線寬介于1.5μm至4μm之間。

4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第一絕緣層的厚度范圍介于至之間。

5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第二絕緣層的厚度范圍介于至之間。

6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第一絕緣層包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第二絕緣層包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第一像素電極層及第二像素電極層包括銦錫氧化物、氧化銦或氧化錫。

9.一種液晶顯示屏像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步驟：

提供一襯底；以及

形成一像素單元于所述襯底上，其中形成所述像素單元的步驟，包括下列步驟：

形成一圖案化金屬層于所述襯底上；

形成一第一絕緣層于所述圖案化金屬層及所述襯底上；

形成一公用電極層于所述第一絕緣層及所述圖案化金屬層上；

形成一第二絕緣層于所述公用電極層上；以及

形成一第一像素電極層及一第二像素電極層于所述第二絕緣層上，其中第一及第二像素電極層位于同一像素結(jié)構(gòu)內(nèi)。

10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括以下步驟：

以一微影程序，形成所述第一像素電極層及所述第二像素電極層，并以一預(yù)定間距排列；

其中，所述微影程序，至少包括以下步驟：

沉積一透明導(dǎo)電層；

形成一圖案化光阻于所述透明導(dǎo)電層上；

刻蝕所述透明導(dǎo)電層，以形成所述第一像素電極層及所述第二像素電極層；以及

移除所述圖案化光阻。