一種顯示裝置及其陣列基板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種顯示裝置及其陣列基板，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠防止高分辨率的LCD中的相鄰像素電極形成相互干擾的電場，保證LCD的顯示效果。該陣列基板，包括：襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的信號線，所述信號線兩側(cè)設(shè)置有像素電極，所述襯底基板形成有與全部或部分所述信號線位置對應(yīng)的突起。
【專利說明】—種顯示裝置及其陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種顯示裝置及其陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜晶體管液晶顯示(TFT-1XD Display)技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，液晶顯示器裝置已經(jīng)取代了陰極射線管顯示裝置成為了日常顯示領(lǐng)域的主流顯示裝置。
[0003]目前，為了不斷提高液晶顯示裝置顯示圖像的質(zhì)量，其分辨率在不斷地提高，力求為消費(fèi)者提供更為清晰逼真的顯示畫面。分辨率定義為液晶顯示裝置中每英寸面積內(nèi)的像素的數(shù)量，這樣一來，分辨率越高則液晶顯示裝置中像素區(qū)域的尺寸就越小，相應(yīng)地，如圖1所示，相鄰的兩個像素單元區(qū)域中的像素電極4之間的間距也越來越小，當(dāng)給像素電極4通入一定的工作電壓時，將導(dǎo)致相鄰的兩個像素電極4之間的電場發(fā)生干擾(如圖中箭頭所示)，從而影響顯示畫面的質(zhì)量。
[0004]例如，如圖2所示，當(dāng)僅要求某一像素單元區(qū)域(標(biāo)記為a)對應(yīng)的液晶分子12偏轉(zhuǎn)而與該像素單元區(qū)域相鄰的另一個像素單元區(qū)域(標(biāo)記為b)對應(yīng)液晶分子12不發(fā)生偏轉(zhuǎn)時，由于像素單元區(qū)域a與像素單元區(qū)域b之間的間隔很小，使得相鄰的兩個像素電極4之間的電場發(fā)生干擾，導(dǎo)致相鄰的像素單元區(qū)域a與像素單元區(qū)域b之間的液晶分子12、以及像素單元區(qū)域b靠近像素單元區(qū)域a的邊緣處對應(yīng)的液晶分子12發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而如圖3所示，使液晶顯示裝置中相鄰的像素單元區(qū)域產(chǎn)生混色、漏光等現(xiàn)象，影響了液晶顯示裝置的顯示的效果。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種顯示裝置及其陣列基板，當(dāng)該陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時，可減少相鄰的兩個像素電極之間電場的干擾，降低相鄰的兩個像素單元區(qū)域之間的混色、漏光現(xiàn)象，提高顯示裝置的顯示效果。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0007]本實(shí)用新型的第一方面提供了一種陣列基板，包括:襯底基板、設(shè)置于所述襯底基板上的信號線，所述信號線兩側(cè)設(shè)置有像素電極，所述襯底基板形成有與全部或部分所述信號線位置對應(yīng)的突起。
[0008]所述突起與所有奇數(shù)行或所有偶數(shù)行的信號線位置對應(yīng)。
[0009]所述信號線包括數(shù)據(jù)線和/或柵線。
[0010]所述突起的高度為I?2微米，所述突起的寬度大于或等于所述信號線的寬度。
[0011]所述突起的寬度為3?6微米。
[0012]在本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案中，由于所述襯底基板形成有與全部或部分所述信號線位置對應(yīng)的突起，并且所述信號線兩側(cè)設(shè)置有像素電極，顯然，突起導(dǎo)致兩像素電極之間的高度較大，大于像素電極的高度，使得像素電極不易形成電場，該突起可以減少相鄰的兩個像素電極之間電場的干擾，降低相鄰的兩個像素單元區(qū)域之間的混色、漏光現(xiàn)象，提高顯示裝置的顯示效果。
[0013]本實(shí)用新型的第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板，還包括與所述陣列基板配合的對盒基板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板驅(qū)動液晶分子的偏轉(zhuǎn)不意圖；
[0017]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板漏光性測試結(jié)果示意圖；
[0018]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0019]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板驅(qū)動液晶分子的偏轉(zhuǎn)不意圖；
[0020]圖6為本 實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板漏光性測試結(jié)果示意圖；
[0021]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖一；
[0022]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖二 ；
[0023]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖三；
[0024]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖四；
[0025]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖五；
[0026]圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖六；
[0027]圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖七；
[0028]圖14為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0029]圖15為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0030]圖16為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0031]圖17為本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的制作方法的流程示意圖。
[0032]附圖標(biāo)記說明:
[0033]I一襯底基板；2—?目號線；3—突起；
[0034]4一像素電極；5—第一絕緣層；6—第二絕緣層；
[0035]7—第三絕緣層；8—公共電極；9一第四絕緣層；
[0036]10—黑矩陣；11一彩膜；12—液晶分子；
[0037]13—預(yù)設(shè)區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0039]實(shí)施例一[0040]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖4所示，該陣列基板包括:
[0041]襯底基板I和設(shè)置于所述襯底基板I上的信號線2，所述信號線2兩側(cè)設(shè)置有像素電極4，所述襯底基板I形成有與全部或部分所述信號線2位置對應(yīng)的突起3。
[0042]在本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案中，由于所述襯底基板形成有與全部或部分所述信號線位置對應(yīng)的突起，并且所述信號線兩側(cè)設(shè)置有像素電極，顯然，突起導(dǎo)致兩像素電極之間的高度較大，大于像素電極的高度，使得像素電極不易形成電場，該突起可以減少相鄰的兩個像素電極之間電場的干擾，降低相鄰的兩個像素單元區(qū)域之間的混色、漏光現(xiàn)象，提高顯示裝置的顯示效果。
[0043]進(jìn)一步的，如圖5所示，在所述陣列基板應(yīng)用于顯示裝置并工作時，當(dāng)像素單元區(qū)域a內(nèi)的像素電極4對應(yīng)的液晶分子12發(fā)生偏轉(zhuǎn)時，由于上述的所述突起3的隔離作用，可以減小該像素電極4對與其相鄰的像素單元區(qū)域b內(nèi)的另一個像素電極4的電場干擾，從而避免了相鄰兩個像素電極4之間的液晶分子12以及像素單元區(qū)域b靠近像素單元區(qū)域a的邊緣處對應(yīng)的液晶分子12發(fā)生偏轉(zhuǎn)，如圖6所示，當(dāng)所述陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時，宏觀上表現(xiàn)為減少了顯示裝置中的相鄰的兩個像素單元區(qū)域之間的混色、漏光現(xiàn)象，提聞了顯不效果。
[0044]其中，如圖4所示，若襯底基板I為玻璃制成，可利用氟化氫(HF)等玻璃腐蝕液對襯底基板I上的預(yù)設(shè)區(qū)域13進(jìn)行腐蝕處理，形成對應(yīng)全部或部分所述信號線2設(shè)置的突起3，顯然，該預(yù)設(shè)區(qū)域13恰好是陣列基板上的像素單元區(qū)域的對應(yīng)區(qū)域。
[0045]顯然，由于襯底基板I上形成有突起3，該突起3的存在導(dǎo)致陣列基板制成后，突起3的對應(yīng)區(qū)域的表面會高于其他區(qū)域的表面，如圖4所示，突起3的存在使得突起3所對應(yīng)的陣列基板的表面高于其他區(qū)域的表面，例如像素電極4的表面，所述突起3所對應(yīng)的陣列基板的表面和像素電極4的表面之間的高度差較大時，突起3所起到的隔離相鄰兩個像素電極4之間的電場干擾作用更為明顯，優(yōu)選的，所述突起3所對應(yīng)的陣列基板的表面和像素電極4之間的高度差d至少為I μ m。
[0046]由現(xiàn)有技術(shù)可知，每一像素單元區(qū)域都為矩形，即像素單元區(qū)域包括長邊和短邊，并且由于顯示裝置在工作時，每一像素單元區(qū)域的像素電極4的電勢不相等，因此，像素單元區(qū)域相互不接觸，如圖6所示，在像素單元區(qū)域排布于陣列基板上時，像素單元區(qū)域的長邊和長邊相鄰，短邊和短邊相鄰，長邊和短邊相垂直.由于像素電極4通常充滿像素單元區(qū)域，即像素電極4的長邊和長邊相鄰，短邊和短邊相鄰，長邊和短邊相垂直，像素電極4之間有間隙，突起3可位于像素電極4之間的間隙處，因此，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，突起3的設(shè)置可有如下三種:如圖7所示，所述突起3可以僅設(shè)置在相鄰的像素電極4的長邊之間，即兩列像素單元區(qū)域之間對應(yīng)設(shè)置一個突起3 ;或者，如圖8所示，所述突起3可以僅設(shè)置在相鄰的像素電極4的短邊之間，即兩行像素單元區(qū)域之間對應(yīng)設(shè)置一個突起3 ;或者，如圖9所示，所述突起3可以既設(shè)置在相鄰的像素電極4的長邊之間，也設(shè)置在相鄰的像素電極4的短邊之間，即兩行或兩列像素單元區(qū)域之間都對應(yīng)設(shè)置有一個突起3。
[0047]進(jìn)一步的，如圖7所示，每一個突起3之間可以形成有空隙，也可以如圖10所示，位于兩列相鄰的像素電極4的長邊之間的突起3和突起3相連形成一整體。相應(yīng)的，圖9中的沿長邊設(shè)置的突起可以與沿短邊設(shè)置的突起相連，如圖11所示，形成包圍每一像素電極4的多個小格子。具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，本實(shí)用新型實(shí)施例對此不進(jìn)行限制。[0048]類似的，突起3還可以間隔數(shù)列像素電極4設(shè)置，例如，如圖12所示，突起3間隔兩列像素電極4設(shè)置，即每兩列像素電極4之間形成有突起3。相應(yīng)的，突起3也可以間隔數(shù)行像素電極4設(shè)置，例如，如圖13所示，突起3可間隔兩行像素電極4設(shè)置，即每兩行像素電極4之間形成有突起3。
[0049]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例中的信號線2可包括數(shù)據(jù)線和/或柵線，即，所述突起3可對應(yīng)數(shù)據(jù)線設(shè)置、可對應(yīng)柵線設(shè)置、也可對應(yīng)柵線和數(shù)據(jù)線設(shè)置，其中，應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，本實(shí)用新型實(shí)施例對此不進(jìn)行具體限制。
[0050]進(jìn)一步的，位于兩列像素電極的長邊之間的突起即為對應(yīng)數(shù)據(jù)線設(shè)置的突起，考慮到當(dāng)所述突起3與相互靠近的所述相鄰的兩個像素電極4之間的距離較小時，對實(shí)現(xiàn)上述的電場干擾的隔離效果更為有效，因此，參考圖3所示，所述突起3的寬度大于等于所述數(shù)據(jù)線的寬度，為3?6微米。
[0051]類似的，位于兩行像素電極4的短邊之間的突起3即為對應(yīng)柵線設(shè)置的突起，優(yōu)選的，所述突起3的寬度大于等于所述柵線的寬度，為3?6微米。
[0052]顯然，如圖3所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例的第一具體實(shí)施例中，該陣列基板可為扭曲向列型(Twisted Nematic，簡稱TN)模式的陣列基板，此時，該陣列基板的襯底基板I之上至少還形成有位于所述信號線2之下的第一絕緣層5、信號線2之上的第二絕緣層6和第三絕緣層7，像素電極4具體位于第三絕緣層7之上。
[0053]在本實(shí)用新型實(shí)施例的第二具體實(shí)施例中，如圖14所示，該陣列基板也可為高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)模式的陣列基板，即在圖3的基礎(chǔ)上，在像素電極4之上形成狹縫狀的公共電極8和位于像素電極4和公共電極8之間的第四絕緣層9，顯然，第四絕緣層9將公共電極8和像素電極4絕緣，保證陣列基板的正常工作。
[0054]所謂高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimension Switch),簡稱ADS,其核心技術(shù)特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(pushMura)等優(yōu)點(diǎn)。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0055]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，上述實(shí)施例的公共電極8可以為板狀或者狹縫狀，像素電極4也是如此；當(dāng)然，像素電極4和公共電極8的上下順序可顛倒，如圖15所示，而且像素電極4和公共電極8均可以為狹縫狀電極。
[0056]另外，為了減少制作成本、簡化工藝流程，圖3、圖14和圖15中的第二絕緣層6可以略去不制作。
[0057]由于近年來人們對于顯示裝置的透光率、分辨率、功耗等的要求越來越高，顯示裝置都在向著高透過率、高分辨率、低功耗等方向發(fā)展。其中，分辨率越高，使得每一個像素單元的尺寸越小，當(dāng)像素單元的邊長由幾十微米變?yōu)槭畮孜⒚讜r，顯然，像素單元的尺寸得到了大幅度的減小，此時，若黑矩陣的寬度仍然保持不變，相對于像素單元而言，黑矩陣將變得明顯，將會影響顯示裝置的顯示效果。因此，黑矩陣的寬度應(yīng)相應(yīng)的減小以保證顯示裝置的顯示效果。
[0058]但是，黑矩陣的寬度減小有可能導(dǎo)致陣列基板和彩膜基板之間的對盒出現(xiàn)偏差，導(dǎo)致漏光等不良現(xiàn)象的產(chǎn)生，因此位于彩膜基板上的黑矩陣的寬度不能任意減小。人們?yōu)榱丝朔诰仃嚋p小帶來的漏光等不良現(xiàn)象，將黑矩陣和彩色濾色層設(shè)置在陣列基板上。具體的，在形成數(shù)據(jù)線、柵線、像素單元等慣常技術(shù)中的陣列基板所具有的結(jié)構(gòu)后，在柵線、數(shù)據(jù)線和像素單元的薄膜晶體管4上方的對應(yīng)位置形成黑矩陣，之后，在黑矩陣圈出來的對應(yīng)像素單元的顯示區(qū)域上方形成濾色部分，其中，每一個濾色部分對應(yīng)一個像素單元。
[0059]由于此時黑矩陣位于陣列基板上，在適當(dāng)減小黑矩陣的寬度時，也能保證黑矩陣能夠充分遮擋柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管等需遮光的結(jié)構(gòu)，同時，減少漏光現(xiàn)象發(fā)生的可能性，在提高分辨率、透過率的同時又保證了顯示裝置的顯示效果。這種技術(shù)又叫做COA(Color Filter on Array)技術(shù)。
[0060]因此，在本實(shí)用新型實(shí)施例的第三具體實(shí)施例中，如圖16所示，相對于圖3而言，圖16中第二絕緣層6之上形成有黑矩陣10和彩膜11，之后，依次在彩膜11之上形成第三絕緣層7、公共電極8、第四絕緣層9和像素電極4，此處的像素電極4為狹縫狀。
[0061]其中，需要說明的是，由于一般黑矩陣10兩側(cè)的彩膜11的顏色不同，即黑矩陣10為兩種顏色的彩膜11的交界處，因此，在圖16中，黑矩陣10對應(yīng)的彩膜11處畫上一條線來表示線左右的彩膜11的顏色不同。
[0062]顯然，第三具體實(shí)施例中的公共電極8可以為板狀或者狹縫狀，像素電極4也是如此；當(dāng)然，像素電極4和公共電極8的上下順序可顛倒，而且像素電極4和公共電極8均可以為狹縫狀電極，在此不再贅述。
[0063]進(jìn)一步的，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，為了保證像素電極4之間互不干擾，所述襯底基板I的突起3的高度可為I?2微米，同時，為了便于信號線2的制作，所述突起3的寬度大于或等于所述信號線2的寬度，一般的，所述突起3的寬度可為3?6微米。
[0064]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板，具體的，該顯示裝置可以為:液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0065]實(shí)施例二
[0066]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖17所示，包括:
[0067]步驟S101、對襯底基板進(jìn)行處理，使得所述襯底基板形成與全部或部分信號線位置對應(yīng)的突起。
[0068]步驟S102、在所述襯底基板上形成所述信號線和位于所述信號線兩側(cè)的像素電極。
[0069]進(jìn)一步的，若襯底基板I為玻璃制成，所述步驟SlOl可包括:
[0070]對所述襯底基板I進(jìn)行刻蝕，使得所述襯底基板I與全部或部分信號線2位置對應(yīng)的突起3。
[0071]其中，若襯底基板I為玻璃制成，可利用氟化氫(HF)等玻璃腐蝕液對襯底基板I上的預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行腐蝕處理，形成對應(yīng)全部或部分所述信號線2設(shè)置的突起3。
[0072]其中，突起3可對應(yīng)全部信號線2設(shè)置，也可在保證像素電極4互不干擾的前提下，僅對應(yīng)部分信號線2設(shè)置，例如，所述突起3與所有奇數(shù)行或所有偶數(shù)行的信號線2位置對應(yīng)。
[0073]顯然，本實(shí)用新型實(shí)施例中的信號線2可包括數(shù)據(jù)線和/或柵線，即，所述突起3可對應(yīng)數(shù)據(jù)線設(shè)置、可對應(yīng)柵線設(shè)置、也可對應(yīng)柵線和數(shù)據(jù)線設(shè)置，其中，突起3的位置應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，本實(shí)用新型實(shí)施例對此不進(jìn)行具體限制。
[0074]進(jìn)一步的，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，為了保證像素電極4之間互不干擾，所述襯底基板I的突起3的高度可為I?2微米，同時，為了便于信號線2的制作，所述突起3的寬度大于或等于所述信號線2的寬度，一般的，所述突起3的寬度可為3?6微米。
[0075]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的信號線，所述信號線兩側(cè)設(shè)置有像素電極，所述襯底基板形成有與全部或部分所述信號線位置對應(yīng)的關(guān)起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于:所述突起與所有奇數(shù)行或所有偶數(shù)行的信號線位置對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述信號線包括數(shù)據(jù)線和/或柵線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述突起的高度為I?2微米，所述突起的寬度大于或等于所述信號線的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述突起的寬度為3?6微米。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1368GK203811953SQ201420243254
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
【發(fā)明者】張鋒, 曹占鋒, 姚琪, 齊永蓮 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司