薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜晶體管陣列基板，包括兩個(gè)接線層(170)、柵極線(120a)、數(shù)據(jù)線(150a)及由柵極線(120a)與數(shù)據(jù)線(150a)交叉而限定的像素區(qū)域，像素區(qū)域包括公共電極(180)及設(shè)置在公共電極(180)上的像素電極(190)，像素電極(190)與公共電極(180)電絕緣，數(shù)據(jù)線(150a)包括斷線區(qū)(151)，兩個(gè)接線層(170)分別設(shè)置在斷線區(qū)(151)的兩側(cè)，兩個(gè)接線層(170)均與數(shù)據(jù)線(150a)電接觸，像素電極(190)的鄰近斷線區(qū)(151)的部分去除，公共電極(180)鄰近斷線區(qū)(151)的部分與其余部分電絕緣，兩個(gè)接線層(170)均與公共電極(180)鄰近斷線區(qū)(151)的部分電接觸。本發(fā)明的斷線區(qū)修復(fù)方法去除的像素電極的面積非常小，能夠提升液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地講，涉及一種薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著信息社會(huì)的發(fā)展，人們對(duì)平板顯示器的需求得到了快速的增長(zhǎng)。液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱IXD)具有體積小、功耗低、無(wú)福射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。通常液晶顯示器包括相對(duì)設(shè)置的液晶顯示面板及背光模塊，其中，由于液晶顯示面板無(wú)法自身發(fā)光，所以其必須借用背光模塊提供的面光源而顯示影像。
[0003]液晶顯示面板包括互相對(duì)向設(shè)置的上基板和下基板，以及夾設(shè)于上下基板之間的液晶層。而上基板通常稱為彩色濾光片(Color Filter, CF)基板，下基板通常稱為陣列(Array)基板。在陣列基板中，一般使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)作為驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)高速度、高亮度、高對(duì)比度的顯示屏幕信息。
[0004]然而，在現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的制程過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)大量信號(hào)線斷線的現(xiàn)象，因此需要對(duì)斷線的信號(hào)線進(jìn)行修復(fù)。目前的修復(fù)方法需要采用長(zhǎng)導(dǎo)線跨越陣列基板上的公共電極，從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)線斷點(diǎn)處的修復(fù)。但是，這種方式會(huì)使的長(zhǎng)導(dǎo)線覆蓋到透明像素電極層(即IT0薄膜層)上，為了避免長(zhǎng)導(dǎo)線與透明像素電極層電導(dǎo)通，需要將長(zhǎng)導(dǎo)線所在區(qū)域的透明像素電極層去除。但是，由于長(zhǎng)導(dǎo)線所占區(qū)域較大，需要去除的透明像素電極層的區(qū)域也大，而在去除透明像素電極層后的區(qū)域的相對(duì)處，只有彩色濾光片基板上的公共電極驅(qū)動(dòng)液晶層中的液晶分子旋轉(zhuǎn)，這將會(huì)使該相對(duì)處的液晶分子一直保持偏轉(zhuǎn)，該相對(duì)處出現(xiàn)長(zhǎng)亮狀態(tài)，從而使液晶顯示面板在該相對(duì)處的位置出現(xiàn)微亮點(diǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括柵極線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線交叉而限定的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括公共電極及設(shè)置在所述公共電極上的像素電極，所述像素電極與所述公共電極電絕緣，所述數(shù)據(jù)線包括斷線區(qū)，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個(gè)接線層，所述兩個(gè)接線層分別設(shè)置在所述斷線區(qū)的兩側(cè)，所述兩個(gè)接線層均與所述數(shù)據(jù)線電接觸，所述像素電極的鄰近所述斷線區(qū)的部分去除，所述公共電極鄰近所述斷線區(qū)的部分與其余部分電絕緣，所述兩個(gè)接線層均與所述公共電極鄰近所述斷線區(qū)的部分電接觸。
[0006]進(jìn)一步地，所述像素區(qū)域還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置在所述像素電極與所述公共電極之間。
[0007]進(jìn)一步地，位于所述像素電極的去除部分處的第二絕緣層上設(shè)置有至少兩個(gè)接觸孔，其中，所述兩個(gè)接線層設(shè)置在所述第二絕緣層上，所述兩個(gè)接線層分別填充對(duì)應(yīng)的接觸孔，以與所述公共電極鄰近所述斷線區(qū)的部分電接觸。
[0008]進(jìn)一步地，所述接線層與所述像素電極電絕緣。
[0009]進(jìn)一步地，所述公共電極與所述像素電極的材料均為氧化銦錫，所述接線層的材料為金屬。
[0010]本發(fā)明的另一目的還在于提供一種液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光片基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線交叉而限定的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括公共電極及設(shè)置在所述公共電極上的像素電極，所述像素電極與所述公共電極電絕緣，所述數(shù)據(jù)線包括斷線區(qū)，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個(gè)接線層，所述兩個(gè)接線層分別設(shè)置在所述斷線區(qū)的兩側(cè)，所述兩個(gè)接線層均與所述數(shù)據(jù)線電接觸，所述像素電極的鄰近所述斷線區(qū)的部分去除，所述公共電極鄰近所述斷線區(qū)的部分與其余部分電絕緣，所述兩個(gè)接線層均與所述公共電極鄰近所述斷線區(qū)的部分電接觸。
[0011]進(jìn)一步地，所述像素區(qū)域還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置在所述像素電極與所述公共電極之間。
[0012]進(jìn)一步地，位于所述像素電極的去除部分處的第二絕緣層上設(shè)置有至少兩個(gè)接觸孔，其中，所述兩個(gè)接線層設(shè)置在所述第二絕緣層上，所述兩個(gè)接線層分別填充對(duì)應(yīng)的接觸孔，以與所述公共電極鄰近所述斷線區(qū)的部分電接觸。
[0013]進(jìn)一步地，所述接線層與所述像素電極電絕緣。
[0014]進(jìn)一步地，所述公共電極與所述像素電極的材料均為氧化銦錫，所述接線層的材料為金屬。
[0015]本發(fā)明將像素電極鄰近斷線區(qū)的部分去除，通過(guò)設(shè)置在斷線區(qū)兩側(cè)的兩個(gè)接線層分別與公共電極鄰近斷線區(qū)的部分和數(shù)據(jù)線電接觸，以完成對(duì)斷線區(qū)的修復(fù)，并且這種修復(fù)方法去除的像素電極的面積非常小，避免了現(xiàn)有技術(shù)的采用長(zhǎng)導(dǎo)線而導(dǎo)致的去除大面積的像素電極。而且，由于去除的像素電極的面積非常小，即使在去除處形成微小的微亮點(diǎn)，在視覺(jué)上也不會(huì)受到影響，從而提升液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中:
[0017]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的正視示意圖；
[0018]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。
[0020]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的正視示意圖。整個(gè)薄膜晶體管陣列基板通常包括多條數(shù)據(jù)線、多條柵極線以及多條數(shù)據(jù)線與多條柵極線相互交叉形成的多個(gè)像素區(qū)域，為清楚起見(jiàn)，圖1中只示出了其中一個(gè)像素區(qū)域作為示例。
[0021]參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)陣列(Array)基板100包括由柵極線120a與數(shù)據(jù)線150a交叉而限定的像素區(qū)域。其中，該像素區(qū)域內(nèi)包括設(shè)置在基板(例如，透明的玻璃基板)110上的第一透明導(dǎo)電層180和第二透明導(dǎo)電層190，以及位于柵極線120a與數(shù)據(jù)線150a交叉處附近的薄膜晶體管。其中，第一透明導(dǎo)電層180作為公共電極，第二透明導(dǎo)電層190作為像素電極。
[0022]該薄膜晶體管包括在基板110上依次形成的柵極120b、覆蓋柵極120b的第一絕緣層(未示出)、由非晶硅(a-Si)形成的非晶硅層(即有源層)140、非晶硅層140上的源極150b和漏極150c、第二絕緣層(或稱鈍化層)130、位于漏極150c上方并在第二絕緣層上形成的過(guò)孔160以及第二透明導(dǎo)電層190，其中，第二透明導(dǎo)電層190通過(guò)過(guò)孔160與漏極150c接觸。
[0023]在本實(shí)施例中，柵極線120a及柵極120b由第一金屬層圖案化形成，數(shù)據(jù)線150a、源極150b和漏極150c由第二金屬層圖案化形成。第一透明導(dǎo)電層180與第二透明導(dǎo)電層190均由氧化銦錫(ITO)等透明導(dǎo)電材料形成。
[0024]誠(chéng)如【背景技術(shù)】中所描述，在現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的制程過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)大量信號(hào)線斷線的現(xiàn)象。繼續(xù)參照?qǐng)D1，圖1中在數(shù)據(jù)線150a上的黑色區(qū)域?yàn)閿嗑€區(qū)151。
[0025]為了對(duì)數(shù)據(jù)線150a上的斷線區(qū)151進(jìn)行修復(fù)，在本實(shí)施例中，薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)陣列(Array)基板100還包括至少兩個(gè)接線層170。將第二透明導(dǎo)電層190鄰近斷線區(qū)151的部分去除，以使第二透明導(dǎo)電層190被去除的部分下的第二絕緣層130暴露，并且將第二絕緣層130下方的第一透明導(dǎo)電層180鄰近斷線區(qū)151的部分切斷，也就是說(shuō)，第一透明導(dǎo)電層180鄰近斷線區(qū)151的部分與第一透明導(dǎo)電層180的其余部分不發(fā)生電接觸，即電絕緣。在暴露的第二絕緣層130上開(kāi)設(shè)兩個(gè)接觸孔131。兩個(gè)接線層170分別設(shè)置在第二絕緣層130上以填充對(duì)應(yīng)的接觸孔131，從而與第一透明導(dǎo)電層180鄰近斷線區(qū)151的部分電接觸，并且兩個(gè)接線層170分別設(shè)置在斷線區(qū)151的兩側(cè)，以與數(shù)據(jù)線150a電接觸，進(jìn)而完成對(duì)斷線區(qū)151的修復(fù)。
[0026]由上述可知，將第二透明導(dǎo)電層190鄰近斷線區(qū)151的部分去除，通過(guò)分別設(shè)置在斷線區(qū)151兩側(cè)的接線層170分別與第一透明導(dǎo)電層180鄰近斷線區(qū)151的部分和數(shù)據(jù)線150a電接觸，以完成對(duì)斷線區(qū)151的修復(fù)，并且這種修復(fù)方法去除的第二透明導(dǎo)電層190的面積非常小，避免了現(xiàn)有技術(shù)的采用長(zhǎng)導(dǎo)線而導(dǎo)致的去除大面積的像素電極。而且，由于去除的第二透明導(dǎo)電層190的面積非常小，即使在去除處形成微小的微亮點(diǎn)，在視覺(jué)上也不會(huì)受到影響，從而提升液晶顯不面板的顯不品質(zhì)。
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]參照?qǐng)D2，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示器包括液晶顯示面板以及與該液晶顯示面板相對(duì)設(shè)置的背光模組400，其中，背光模組400提供顯示光源給該液晶顯示面板，以使該液晶顯示面板借由背光模組400提供的光來(lái)顯示影像。而液晶顯示面板具有如下配置:上述的薄膜晶體管陣列基板100 ;第二基板200，其為彩色濾光片(CF)基板，通常包括黑色矩陣以及配向?qū)拥?；液晶?00，夾設(shè)在薄膜晶體管陣列基板100和第二基板200之間；并且薄膜晶體管陣列基板100和第二基板200被布置成彼此面對(duì)。
[0029]鑒于本發(fā)明中采用的第二基板200與現(xiàn)有技術(shù)相同，因此其具體結(jié)構(gòu)可參照相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。而本實(shí)施例的背光模組400也與現(xiàn)有液晶顯示器中的背光模組相同，因此其具體結(jié)構(gòu)也可參照相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，在此也不再贅述。
[0030]雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括柵極線(120a)、數(shù)據(jù)線(150a)以及由所述柵極線(120a)與所述數(shù)據(jù)線(150a)交叉而限定的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括公共電極(180)及設(shè)置在所述公共電極(180)上的像素電極(190)，所述像素電極(190)與所述公共電極(180)電絕緣，所述數(shù)據(jù)線(150a)包括斷線區(qū)(151)，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個(gè)接線層(170)，所述兩個(gè)接線層(170)分別設(shè)置在所述斷線區(qū)(151)的兩偵牝所述兩個(gè)接線層(170)均與所述數(shù)據(jù)線(150a)電接觸，所述像素電極(190)的鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分去除，所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分與其余部分電絕緣，所述兩個(gè)接線層(170)均與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分電接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素區(qū)域還包括第二絕緣層(130)，所述第二絕緣層(130)設(shè)置在所述像素電極(190)與所述公共電極(180)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，位于所述像素電極(190)的去除部分處的第二絕緣層(130)上設(shè)置有至少兩個(gè)接觸孔(131)，其中，所述兩個(gè)接線層(170)設(shè)置在所述第二絕緣層(130)上，所述兩個(gè)接線層(170)分別填充對(duì)應(yīng)的接觸孔(131)，以與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分電接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述接線層(170)與所述像素電極(190)電絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述公共電極(180)與所述像素電極(190)的材料均為氧化銦錫，所述接線層(170)的材料為金屬。
6.—種液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管陣列基板(100)與彩色濾光片基板(200)，所述薄膜晶體管陣列基板包括柵極線(120a)、數(shù)據(jù)線(150a)以及由所述柵極線(120a)與所述數(shù)據(jù)線(150a)交叉而限定的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括公共電極(180)及設(shè)置在所述公共電極(180)上的像素電極(190)，所述像素電極(190)與所述公共電極(180)電絕緣，所述數(shù)據(jù)線(150a)包括斷線區(qū)(151)，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個(gè)接線層(170)，所述兩個(gè)接線層(170)分別設(shè)置在所述斷線區(qū)(151)的兩偵牝所述兩個(gè)接線層(170)均與所述數(shù)據(jù)線(150a)電接觸，所述像素電極(190)的鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分去除，所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分與其余部分電絕緣，所述兩個(gè)接線層(170)均與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分電接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述像素區(qū)域還包括第二絕緣層(130)，所述第二絕緣層(130)設(shè)置在所述像素電極(190)與所述公共電極(180)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，位于所述像素電極(190)的去除部分處的第二絕緣層(130)上設(shè)置有至少兩個(gè)接觸孔(131)，其中，所述兩個(gè)接線層(170)設(shè)置在所述第二絕緣層(130)上，所述兩個(gè)接線層(170)分別填充對(duì)應(yīng)的接觸孔(131)，以與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(qū)(151)的部分電接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述接線層(170)與所述像素電極(190)電絕緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述公共電極 (180)與所述像素電極(190)的材料均為氧化銦錫，所述接線層(170)的材料為金屬。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK104460071SQ201410853092
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月31日
【發(fā)明者】衣志光 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司