一種掩膜板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種掩膜板。用于解決現(xiàn)有技術(shù)存在的由于掩膜板的過孔產(chǎn)生衍射效應(yīng)導(dǎo)致無法制作4um以下的接觸孔的問題。本發(fā)明的掩膜板中相位反轉(zhuǎn)層可以將經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)層的部分光線進(jìn)行相位反轉(zhuǎn)，此時(shí)，經(jīng)過鏤空區(qū)域的部分光線產(chǎn)生衍射效應(yīng)時(shí)，與經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)的光線抵消，消除了掩膜板的鏤空區(qū)域的衍射效應(yīng)，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域的圖形的尺寸更小，能夠完成更小像素結(jié)構(gòu)的制備；同時(shí)，光線強(qiáng)度的從鏤空區(qū)域的中心向周邊的降低也更快，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域的圖形的坡度角更大。
【專利說明】一種掩膜板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種掩膜板。

【背景技術(shù)】
[0002]目前高像素產(chǎn)品越來越多的出現(xiàn)，像素結(jié)構(gòu)也越來越小，這就要求接觸孔的直徑也越來越小。同樣用于制作像素結(jié)構(gòu)的掩膜板的過孔的直徑也越來越小，但由于掩膜板的過孔會(huì)產(chǎn)生的衍射效應(yīng)及設(shè)備限制，無法制作4um以下的接觸孔；只能通過更新曝光機(jī)，使用鏡口率(Numerical Aperture)更高的曝光機(jī)來實(shí)現(xiàn)分辨率的提升。然而，更新一臺(tái)曝光機(jī)的成本非常昂貴，使許多面板廠商面臨成本壓力。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)存在由于掩膜板的過孔產(chǎn)生衍射效應(yīng)導(dǎo)致無法制作4um以下的接觸孔的問題，提供一種能夠消除衍射效應(yīng)的掩膜板。
[0004]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種掩膜板，包括襯底和在所述襯底上依次設(shè)置的相位反轉(zhuǎn)層、擋光層；
[0005]其中，所述擋光層上設(shè)有鏤空區(qū)域；
[0006]所述相位反轉(zhuǎn)層在所述擋光層上的投影至少部分位于所述鏤空區(qū)域；
[0007]所述相位反轉(zhuǎn)層將從襯底側(cè)入射的光線進(jìn)行相位反轉(zhuǎn)用于抵消所述光線經(jīng)過鏤空區(qū)域產(chǎn)生衍射的光線。
[0008]優(yōu)選的是，在所述的相位反轉(zhuǎn)層和所述襯底之間還設(shè)有增透層；所述增透層在所述擋光層上的投影覆蓋所述鏤空區(qū)域。
[0009]優(yōu)選的是，所述增透層的厚度范圍為200-400埃。
[0010]優(yōu)選的是，所述相位反轉(zhuǎn)層的厚度范圍為400-600埃。
[0011]優(yōu)選的是，所述相位反轉(zhuǎn)層的光線透過率范圍為5-8%。
[0012]優(yōu)選的是，所述擋光層的厚度范圍為1500-2000埃。
[0013]優(yōu)選的是，所述鏤空區(qū)域包括過孔。
[0014]優(yōu)選的是,所述過孔的直徑范圍為1.7-2.0um。
[0015]優(yōu)選的是，所述相位反轉(zhuǎn)層在所述擋光層上的投影的邊緣與所述過孔的邊緣的距離為 0.5-0.8um。
[0016]優(yōu)選的是，所述增透層的材料包括MgF ;所述擋光層的材料包括鉻；所述相位反轉(zhuǎn)層的材料包括SiMo。
[0017]本發(fā)明的掩膜板中相位反轉(zhuǎn)層2可以將經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)層2的部分光線進(jìn)行相位反轉(zhuǎn)，此時(shí)，經(jīng)過鏤空區(qū)域的部分光線產(chǎn)生衍射效應(yīng)時(shí)，與經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)的光線抵消，消除了掩膜板的鏤空區(qū)域的衍射效應(yīng)，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域的圖形的尺寸更小，能夠完成更小像素結(jié)構(gòu)的制備；同時(shí)，光線強(qiáng)度的從鏤空區(qū)域的中心向周邊的降低也更快，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域的圖形的坡度角更大。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中具有相位反轉(zhuǎn)層的掩膜板和不具有相位反轉(zhuǎn)層的掩膜板的光路對(duì)比不意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1中具有增透層的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]附圖標(biāo)記說明:
[0022]1.襯底；2.相位反轉(zhuǎn)層；3.擋光層；4.增透層；5.鏤空區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0024]實(shí)施例1:
[0025]圖1所示，本實(shí)施例提供一種掩膜板，包括襯底I和在所述襯底I上依次設(shè)置的相位反轉(zhuǎn)層2、擋光層3 ；
[0026]其中，擋光層3上設(shè)有鏤空區(qū)域5 ；
[0027]所述相位反轉(zhuǎn)層2在所述擋光層3上的投影至少部分位于所述鏤空區(qū)域5 ；
[0028]所述相位反轉(zhuǎn)層2將從襯底側(cè)入射的光線進(jìn)行相位反轉(zhuǎn)用于抵消所述光線經(jīng)過鏤空區(qū)域5產(chǎn)生衍射的光線。
[0029]如圖2所示，光線經(jīng)過具有相位反轉(zhuǎn)層2的掩膜板和無相位反轉(zhuǎn)層2的掩膜板的對(duì)比圖，從圖2可見，具有相位反轉(zhuǎn)層2的掩膜板可以將經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)層2的部分光線進(jìn)行相位反轉(zhuǎn)，此時(shí)，經(jīng)過鏤空區(qū)域5的部分光線產(chǎn)生衍射效應(yīng)時(shí)，與經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)的光線抵消，消除了掩膜板的鏤空區(qū)域5的衍射效應(yīng)(圖2中黑圓錐的底面積更小)，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域5的圖形的尺寸更小，能夠完成更小像素結(jié)構(gòu)的制備；同時(shí)，光線強(qiáng)度的從鏤空區(qū)域5的中心向周邊的降低也更快(圖2中黑圓錐的高徑比更大)，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域5的圖形的坡度角更大。
[0030]如圖3所示，優(yōu)選的，在所述的相位反轉(zhuǎn)層2和所述襯底I之間還設(shè)有增透層4 ；所述增透層4在所述擋光層3上的投影覆蓋所述鏤空區(qū)域5。
[0031]由上可知，相位反轉(zhuǎn)層2能將透過的光線進(jìn)行180°相位反轉(zhuǎn)，將過鏤空區(qū)域5的衍射效應(yīng)的光線相消，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域5的圖形的坡度角大，但是所需的曝光量非常大，存在產(chǎn)能不足的問題；而增透層4可以使透過的光線增加，對(duì)產(chǎn)能提升很大。但是，若單獨(dú)在掩膜板上設(shè)置增透層4則會(huì)由于衍射效應(yīng)大，曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域5的圖形的坡度角較小、尺寸變大。
[0032]通過在掩膜板上同時(shí)設(shè)置增透層4和相位反轉(zhuǎn)層2能夠?qū)烧叩膬?yōu)勢(shì)互補(bǔ)，在較小曝光量，不影響產(chǎn)能情況下，實(shí)現(xiàn)曝光形成的對(duì)應(yīng)鏤空區(qū)域5的圖形的坡度角更大、尺寸更小。
[0033]優(yōu)選的，所述相位反轉(zhuǎn)層2的厚度范圍為400-600埃。所述相位反轉(zhuǎn)層2的光線透過率范圍為5-8%。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的相位反轉(zhuǎn)層2的厚度和光線透過率可以根據(jù)衍射效應(yīng)的大小進(jìn)行調(diào)整，只要能將衍射效應(yīng)抵消即可。
[0034]具體地，擋光層3的厚度范圍為1500-2000埃。
[0035]優(yōu)選的，所述增透層4的厚度范圍為200-400埃。
[0036]具體地，在曝光制備像素結(jié)構(gòu)中所述鏤空區(qū)域5包括過孔。如圖3所示的直徑為d的過孔，該過孔的直徑范圍為1.7-2.0um。
[0037]優(yōu)選的，所述相位反轉(zhuǎn)層2在所述擋光層3上的投影的邊緣與所述過孔的邊緣的距離 dl 為 0.5-0.8um。
[0038]具有上述的結(jié)構(gòu)的掩膜板，無需更新曝光機(jī)，就可以制作直徑小于等于2.5um的過孔圖形，具有極大的應(yīng)用前景。
[0039]本實(shí)施中增透層4的材料可以為MgF ;擋光層3的材料可以為鉻；相位反轉(zhuǎn)層2的材料可以為SiMo。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述功能層的材料也可以采用現(xiàn)有技術(shù)中其它材料，在此不作限定。
[0040]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述增透層4和相位反轉(zhuǎn)層2的制備方法為現(xiàn)有技術(shù)范疇在此不再贅述。
[0041]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種掩膜板，其特征在于，包括襯底和在所述襯底上依次設(shè)置的相位反轉(zhuǎn)層、擋光層； 其中，所述擋光層上設(shè)有鏤空區(qū)域； 所述相位反轉(zhuǎn)層在所述擋光層上的投影至少部分位于所述鏤空區(qū)域； 所述相位反轉(zhuǎn)層將從襯底側(cè)入射的光線進(jìn)行相位反轉(zhuǎn)用于抵消所述光線經(jīng)過鏤空區(qū)域產(chǎn)生衍射的光線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在所述的相位反轉(zhuǎn)層和所述襯底之間還設(shè)有增透層；所述增透層在所述擋光層上的投影覆蓋所述鏤空區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述增透層的厚度范圍為200-400埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反轉(zhuǎn)層的厚度范圍為400-600埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反轉(zhuǎn)層的光線透過率范圍為5-8%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述擋光層的厚度范圍為1500-2000埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述鏤空區(qū)域包括過孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述過孔的直徑范圍為1.7-2.0um。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反轉(zhuǎn)層在所述擋光層上的投影的邊緣與所述過孔的邊緣的距離為0.5-0.Sum。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述增透層的材料包括MgF;所述擋光層的材料包括鉻；所述相位反轉(zhuǎn)層的材料包括SiMo。
【文檔編號(hào)】G03F1/26GK104267574SQ201410446667
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月3日
【發(fā)明者】張家祥, 郭建 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司