一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠解決公共電極線降低顯示裝置開口率的問題。所述陣列基板包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個像素單元、多個第一連接部和第二連接部。其中，第一連接部沿第一方向，設(shè)置于外圍公共電極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間，將外圍公共電極線與上述公共電極電連接。第二連接部沿第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元的公共電極之間將上述兩個相鄰的公共電極電連接。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管-液晶顯 示器）作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等 特點，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003] TFT-IXD由陣列基板和彩膜基板構(gòu)成。在陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置液晶層，通 過分別向設(shè)置于陣列基板上的像素電極、設(shè)置于彩膜基板或陣列基板上的公共電極施加電 壓，從而在液晶層中形成電場。然后，通過調(diào)節(jié)電場的幅值來調(diào)節(jié)穿過液晶層的光線的透射 率，以獲得預(yù)期的顯示圖像。
[0004] 當(dāng)上述公共電極和像素電極均設(shè)置在陣列基板上時，所述公共電極和所述像素電 極可以異層設(shè)置，其中位于上層的電極為狹縫狀電極，位于下層的電極為板狀電極（或狹 縫狀電極）。采用上述陣列基板構(gòu)成的顯示裝置為AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，簡稱為ADS，高級超維場開關(guān)）型顯示裝置。例如，如圖1所示，公共電極10為 板狀電極位于陣列基板上多個堆疊的薄膜層的最下層，像素電極11為狹縫狀電極位于陣 列基板上多個堆疊的薄膜層的最上層。該顯示裝置通過同一平面內(nèi)狹縫狀電極（像素電極 11)邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫狀電極（像素電極11)與板狀電極（公共電極10)間形成 多維電場，使液晶層內(nèi)狹縫狀電極間、電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從 而提高了液晶工作效率并增大了透光率。因此ADS型顯示裝置具有高畫面品質(zhì)、高分辨率、 高透過率、低功耗、寬視角等優(yōu)點。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)中在向每個像素單元01的公共電極10輸入公共電壓時，一般采用在柵 線100的至少一側(cè)設(shè)置一條與所述柵線100相平行的公共電極線101的方法，以連接位于 同一行的多個像素單元01的公共電極10。通過上述公共電極線101向所述公共電極10提 供公共電壓。
[0006] 然而，上述像素單元01的顯示區(qū)域被一部分公共電極線101占據(jù)，從而降低了顯 示裝置的開口率，對顯示的顯示效果和質(zhì)量造成不利的影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，能夠解決公共電極 線降低顯示裝置開口率的問題。
[0008] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)實施例：
[0009] 本發(fā)明的一方面，提供一種陣列基板，包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線 和多個像素單元；還包括多個第一連接部和第二連接部；
[0010] 所述第一連接部沿第一方向，設(shè)置于所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電 極線一側(cè)像素單元的公共電極之間，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接； toon] 所述第二連接部沿所述第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之 間，用于將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示裝 置，包括如上所述的任意一種陣列基板。
[0012] 本發(fā)明的又一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓 的外圍公共電極線和多個像素單元的方法；還包括：
[0013] 沿第一方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的 公共電極之間設(shè)置第一連接部，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接；
[0014] 沿所述第一方向，在每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之間設(shè)置第二連接部， 用于將所述兩個相鄰像素單元的所述公共電極電連接。
[0015] 本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板包括用于提供 公共電壓的外圍公共電極線和多個像素單元，還包括多個第一連接部和第二連接部。其 中，第一連接部沿第一方向，設(shè)置于上述外圍公共電極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素 單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域），用于將外圍公共電極線與上述公共 電極電連接。此外，第二連接部沿上述第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元的公共電極之 間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域），用于將上述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。由 于，所有像素單元的公共電極均通過上述第二連接部相互電連接，而靠近所述外圍公共電 極線的公共電極通過第一連接部與所述外圍公共電極線電連接。因此，外圍公共電極線可 以將公共電壓通過第一連接部、第二連接部提供至所有公共電極，以實現(xiàn)向公共電極施加 公共電壓，控制液晶偏轉(zhuǎn)的目的。與此同時，因為上述第一連接部與第二連接部均設(shè)置于像 素單元的非顯示區(qū)域，因此不會降低顯示裝置的開口率。這樣一來，采用上述陣列基板制作 的顯示裝置，在向公共電極施加公共電壓的同時，能夠增大開口率，提高產(chǎn)品質(zhì)量和顯示效 果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)實施例，下面將對實施例或 現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是 本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0018] 圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖3a為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖3b為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0021] 圖4a為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖4b為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0023] 圖5為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0025] 圖7為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0026] 圖8a_8d為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)的制作過程示意圖；
[0027] 圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0028] 圖10a-10h為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)的制作過程示意 圖；
[0029] 圖11為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的制備方法流程圖。
【專利附圖】
【附圖說明】 [0030] ：
[0031] 01-像素單元；02-外圍公共電極線；03-襯底基板；04-公共電極層；05-柵極 金屬層；06-光刻膠；07-柵極絕緣層；08-有源層；10-公共電極；11-像素電極；100-柵 線；101-數(shù)據(jù)線；110-第一連接部；120-第二連接部；130-第三連接部；1301-第一孤島； 1302-第一過孔；1303-第一跨線；140-第四連接部；1401-第二孤島；1402-第二過孔； 1403-第三過孔；1404-第二跨線；150-附加線；200-第一光刻膠完全保留區(qū)域；201-第 一光刻膠部分保留區(qū)域；300-第二光刻膠完全保留區(qū)域，301-第二光刻膠部分保留區(qū)域； 400-第三光刻膠部分保留區(qū)域。
【具體實施方式】
[0032] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)實施例進行清楚、 完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其 他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0033] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括用于提供公共電壓Vcom的外 圍公共電極線02和呈矩陣形式排列的多個像素單元01 ;還可以包括多個第一連接部110 和第二連接部120 ;
[0034] 其中，上述第一連接部110沿第一方向，設(shè)置于外圍公共電極線02與靠近該外圍 公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10之間，用于將外圍公共電極線02與上述公 共電極10 (即靠近外圍公共電極線02-側(cè)像素單元01的公共電極）電連接。
[0035] 上述第二連接部120沿第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元01的公共電極之 間，用于將上述兩個相鄰像素單元的公共電極10電連接。
[0036] 需要說明的是，第一、上述第一方向可以是平行于柵線100的方向，第二方向可以 是垂直于柵線100的方向，即平行于數(shù)據(jù)線101的方向；或者，第一方向可以是平行于數(shù)據(jù) 線101的方向，第二方向可以是平行于柵線100的方向。本發(fā)明對此不作限制。但在以下 的實施例中，均是以，第一方向為平行于柵線100的方向，第二方向為平行于數(shù)據(jù)線101的 方向為例進行的說明。
[0037] 其中，多條上述柵線100和多條上述數(shù)據(jù)線101橫縱交叉界定出多個呈矩陣形式 排列的像素單元01.
[0038] 第二、由于外圍公共電極線02設(shè)置于陣列基板的四周，因此靠近該外圍公共電極 線02 -側(cè)像素單元01可以是指，陣列基板上的所有像素單元01中位于所述陣列基板四個 邊緣的，距離上述外圍公共電極線02最近的多個像素單元01。由于，上述像素單元01的公 共電極10與外圍公共電極線02通過第一連接部110電連接，因此通過上述像素單元01的 公共電極10可以接收外圍公共電極線02輸入的公共電壓Vcom。
[0039] 第三、上述像素單元01還包括像素電極11，本發(fā)明對異層設(shè)置的公共電極10和像 素電極11在陣列基板上多個堆疊的薄膜層中的上、下位置不作限定。但是在本發(fā)明的實施 例中，均是以公共電極10位于陣列基板上多個堆疊的薄膜層的最下層，像素電極11位于陣 列基板上多個堆疊的薄膜層的最上層；且公共電極10為板狀電極，像素電極11為狹縫狀電 極為例進行的說明。
[0040] 第四、本發(fā)明對第一連接部110和第二連接部120在像素單元01內(nèi)沿第二方向的 上、下位置不做限定。例如，對于第一行的像素單元01而言，第一連接部110或第二連接部 120的位置可以設(shè)置于像素單元01的最上方，也可以設(shè)置于像素單元01的中心位置，還可 以設(shè)置于像素單元01的最下方。圖2中，是以第一連接部110設(shè)置于像素單元01的最下 方，第二連接部120設(shè)置于像素單元01的中心位置為例進行的說明。
[0041] 第五、在保證不同的像素單元01的公共電極10之間電連接穩(wěn)定性，以及公共電極 10與外圍公共電極線02之間電連接穩(wěn)定性的前提下，可以盡可能的減小第一連接部110或 第二連接部120沿第二方向的寬度（即第一連接部110或第二連接部120的縱向尺寸）。 優(yōu)選的，第一連接部110或第二連接部120沿第二方向的寬度為像素單元10沿第二方向?qū)?度的1/40?1/15。因此，像素單元10的尺寸越大，第一連接部110或第二連接部120的寬 度可以越寬，反之同理。
[0042] 第六、為了使得第一連接部110能夠?qū)⑼鈬搽姌O線01與公共電極10電連接。 可以如圖2所示，將第一連接部110延伸至所述外圍公共電極線02處，并與外圍公共電極 線02相連接。
[0043] 或者，
[0044] 還可以如圖5所示，當(dāng)陣列基板還包括沿所述第二方向（即平行于數(shù)據(jù)線的方 向），設(shè)置于外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10 之間的，與外圍公共電極線02相連接的附加線150。上述第一連接部110可以與該附加線 相連接，以達到將外圍公共電極線01與公共電極10電連接的目的。
[0045] 具體的，可以分別在第二方向上的每兩個相鄰像素單元01的附加線150的表面制 作過孔，并在過孔處形成能夠?qū)щ姷倪B接線，其中，上述連接線可以包括透明導(dǎo)電材料或金 屬材料。使得所述兩個相鄰像素單元01的附加線150電連接。
[0046] 需要說明的是，可以通過普通的掩膜版分別制作公共電極10和附加線150,使得 位于同一個像素單元01中的公共電極10與附加線150無重疊的部分。這樣一來，附加線 150就會位于像素單元01的非顯示區(qū)域，從而能夠增大顯示裝置的開口率。
[0047] 進一步地，為了提高第一連接部110以及附加線150的導(dǎo)電率，可以采用金屬材料 構(gòu)成上述第一連接部110以及附加線150。優(yōu)選的，第一連接部110和附加線150可以與柵 線100同層同材料。由于，用于制作柵線100的柵極金屬層為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此 使得第一連接部110和附加線150的制備過程容易實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110和附加 線150可以與柵線100同層同材料設(shè)置形成時，能夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的 同時，完成第一連接部110和附加線150的制作。
[0048] 以上僅僅是對通過第一連接部110將外圍公共電極線01與公共電極10進行電連 接的舉例說明，其它電連接方式在此不再一一舉例。
[0049] 本發(fā)明提供一種陣列基板。包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個像素 單元，還包括多個第一連接部和第二連接部。其中，第一連接部沿第一方向，設(shè)置于上述外 圍公共電極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非 顯示區(qū)域），用于將外圍公共電極線與上述公共電極電連接。此外，第二連接部沿上述第一 方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域），用于將 上述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。由于，所有像素單元的公共電極均通過上述第 二連接部相互電連接，而靠近所述外圍公共電極線的公共電極通過第一連接部與所述外圍 公共電極線電連接。因此，外圍公共電極線可以將公共電壓通過第一連接部、第二連接部提 供至所有公共電極，以實現(xiàn)向公共電極施加公共電壓，控制液晶偏轉(zhuǎn)的目的。與此同時，因 為上述第一連接部與第二連接部均設(shè)置于像素單元的非顯示區(qū)域，因此不會降低顯示裝置 的開口率。這樣一來，采用上述陣列基板制作的顯示裝置，在向公共電極施加公共電壓的同 時，能夠增大開口率，提高產(chǎn)品質(zhì)量和顯示效果。
[0050] 公共電極10-般采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。例如，氧化銦錫（Indium Tin Oxide, 簡稱ΙΤ0)或氧化銦鋅等。由于上述透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電率小于金屬材料，因此，可以采用 金屬材料制作上述第一連接部110和第二連接部120,以增加公共電極10與外圍公共電極 線02,以及位于兩個不同像素單元01的公共電極10之間的導(dǎo)電率。優(yōu)選的，第一連接部 110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料。由于，用于制作柵線100的柵極金屬層 為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此可以使得第一連接部110、第二連接部120的制備過程容易 實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料設(shè)置形成時，能 夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的同時，完成第一連接部110、第二連接部120的制 作。
[0051] 需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及 刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包 括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本 發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。其中，本發(fā)明實施例中的一次構(gòu)圖工藝，是以通 過一次掩膜曝光工藝形成不同的曝光區(qū)域，然后對不同的曝光區(qū)域進行多次刻蝕、灰化等 去除工藝最終得到預(yù)期圖案為例進行的說明。
[0052] 綜上所述，通過設(shè)置上述第一連接部110和第二連接部120可以將所述外圍公共 電極線02提供的公共電壓Vcom輸入至陣列基板上的所有公共電極10。然而，由于第一連 接部110和第二連接部120均是沿第一方向?qū)⒐搽妷篤com輸入至公共電極10,因此會 使得公共電極10表面上的不同區(qū)域輸入的電壓不均勻。例如，距離第一連接部110或第二 連接部120較近的區(qū)域電壓大，距離第一連接部110或第二連接部120較遠的區(qū)域電壓小。 這樣一來，會導(dǎo)致在控制液晶發(fā)生偏轉(zhuǎn)時，可能會使得應(yīng)當(dāng)偏轉(zhuǎn)同一角度的液晶分子，由于 公共電極10與像素電極11之間電場的不均勻，而使其偏轉(zhuǎn)角度之間存在差異。因此會導(dǎo) 致顯示畫面出現(xiàn)亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象。
[0053] 為了解決上述問題，本發(fā)明提供如下實施例：
[0054] 實施例一
[0055] 如圖3a所示，陣列基板還可以包括多個第三連接部130,沿第二方向，設(shè)置于兩個 相鄰像素單元01之間，用于將上述兩個相鄰像素單元01的公共電極10電連接。
[0056] 具體的，上述第三連接部130可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。當(dāng)?shù)谌B接部130采 用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成時，可以在像素電極11的表面對應(yīng)第三連接部130的位置形成過孔 (圖中未示出），然后制作采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第三連接部130,通過上述過孔將兩個 相鄰的像素單元01的公共電極10電連接。但是由于像素電極11同樣為透明導(dǎo)電材料構(gòu) 成。因此還需要在第三連接部130與像素電極11之間形成絕緣層，并且為了防止過孔處的 像素電極與第三連接部130電連接，還需要通過構(gòu)圖工藝將上述過孔周邊的一部分像素電 極去除掉。
[0057] 或者，為了提高第三連接部130的導(dǎo)電率，上述第三連接部130還可以由金屬材料 構(gòu)成。
[0058] 優(yōu)選的，在陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，如圖3b (圖3a沿A-A'的剖視圖） 所示。
[0059] 第三連接部130可以包括分別設(shè)置于兩個相鄰像素單元的公共電極10表面，與柵 線1〇〇同層同材料的至少一個第一孤島1301。具體的，可以通過一次構(gòu)圖工藝在形成柵線 100的同時完成第一孤島1301和第二連接部120的制作；
[0060] 位于第一孤島1301表面的第一過孔1302 ;
[0061] 以及與數(shù)據(jù)線101同層同材料的第一跨線1303。具體的，數(shù)據(jù)線101 -般采用源 漏金屬層制成，因此可以通過一次構(gòu)圖工藝在形成數(shù)據(jù)線101的同時，完成第一跨線1303 的制作。
[0062] 其中，第一跨線1303沿第二方向，通過第一過孔1302,將上述兩個相鄰像素單元 01的公共電極10電連接。
[0063] 這樣一來，不僅沿第一方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10電連接，沿第 二方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10也電連接。從而使得輸入至公共電極10 的公用電壓Vcom更加的均勻。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0064] 實施例二
[0065] 如圖4a所示，可以在實施例一的基礎(chǔ)上，所述陣列基板還可以包括多個第四連接 部140,沿第二方向，設(shè)置于外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)的像素單元 01的公共電極10之間，用于將外圍公共電極線02與上述像素單元01的公共電極10電連 接。
[0066] 如同實施例一的第三連接部130,第四連接部140也可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0067] 或者，為了提高第四連接部140的導(dǎo)電率，上述第四連接部140還可以由金屬材料 構(gòu)成。
[0068] 優(yōu)選的，在所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，如圖4b (圖4a沿B- B'的剖 視圖）所示。
[0069] 第四連接部140可以包括設(shè)置于靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共 電極10表面，與柵線100同層同材料的第二孤島1401。
[0070] 位于第二孤島1401表面的第二過孔1402以及位于外圍公共電極線02表面的第 三過孔1403 ;
[0071] 以及與數(shù)據(jù)線101同層同材料的第二跨線1404。具體的，數(shù)據(jù)線101 -般采用源 漏金屬層制成，因此可以通過一次構(gòu)圖工藝在形成數(shù)據(jù)線101的同時，完成第二跨線1404 的制作。
[0072] 其中，第二跨線1404沿第二方向，通過第二過孔1402、第三過孔1403,將外圍公共 電極線02與靠近該外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10電連接。
[0073] 這樣一來，外圍公共電極線02不僅可以向沿第二方向靠近該外圍公共電極線02 一側(cè)像素單元〇1的公共電極10提供公共電壓Vcom，還可以向沿第一方向靠近該外圍公共 電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10提供公共電壓Vcom。從而更進一步地提高了輸 入公共電極10電壓的均勻性。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0074] 本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。具有與前 述實施例中的陣列基板相同的有益效果，由于陣列基板的詳細(xì)結(jié)構(gòu)以及有益效果已在前述 實施例中做了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。
[0075] 需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，顯示裝置具體至少可以包括液晶顯示裝置和 有機發(fā)光二極管顯示裝置，例如該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機 或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0076] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓Vcom 的外圍公共電極線02和呈矩陣形式排列的多個像素單元01的方法；如圖6所示，還可以包 括：
[0077] S101、如圖2所示，沿第一方向（平行于柵線100的方向），在外圍公共電極線02 與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10之間設(shè)置第一連接部110,用于 將外圍公共電極線02與上述公共電極10 (即靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的 公共電極）電連接。
[0078] 需要說明的是，為了使得第一連接部110能夠?qū)⑼鈬搽姌O線01與公共電極10 電連接。上述在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電 極10之間設(shè)置第一連接部110的方法可以包括：
[0079] 如圖2所示，在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02-側(cè)像素單元01的 公共電極10之間，形成與外圍公共電極線02相連接的第一連接部110。
[0080] 或者，
[0081] 如圖5所示，可以先沿第二方向，在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 一側(cè)像素單元01的公共電極10之間，形成與外圍公共電極線02相連接的附加線150。具 體的，可以分別在第二方向上的每兩個相鄰像素單元01的附加線150的表面制作過孔，并 在過孔處形成能夠?qū)щ姷倪B接線，其中，上述連接線可以包括透明導(dǎo)電材料或金屬材料。使 得所述兩個相鄰像素單元01的附加線150電連接。
[0082] 然后，在附加線150與靠近附加線150 -側(cè)像素單元01的公共電極10之間形成 與附加線150相連接的第一連接部110,以達到將外圍公共電極線01與公共電極10電連接 的目的。
[0083] 此外、為了提高第一連接部110以及附加線150的導(dǎo)電率，可以采用金屬材料構(gòu)成 上述第一連接部110以及附加線150。優(yōu)選的，第一連接部110和附加線150可以與柵線 100同層同材料。由于，用于制作柵線100的柵極金屬層為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此使 得第一連接部110和附加線150的制備過程容易實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110和附加線 150可以與柵線100同層同材料設(shè)置形成時，能夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的同 時，完成第一連接部110和附加線150的制作。
[0084] 需要說明的是，在制作過程中，可以通過普通的掩膜版分別制作公共電極10和附 加線150,使得位于同一個像素單元01中的公共電極10與附加線150無重疊的部分。這樣 一來，附加線150就會位于像素單元01的非顯示區(qū)域，從而能夠增大顯示裝置的開口率。
[0085] 上述僅僅是對第一連接部110的制作方法的舉例說明，其它制作方法在此不再 舉例。
[0086] S102、沿上述第一方向，在每兩個相鄰像素單元01的公共電極10之間形成第二連 接部120,用于將上述兩個相鄰像素單元的公共電極10電連接。
[0087] 需要說明的是，本發(fā)明對上述步驟S101和步驟S102制作順序不作限制?？梢韵?進行步驟S101，后進行步驟S102?；蛘?，可以先進行步驟S102,后進行步驟S101?；蛘弋?dāng) 第一連接部110和第二連接部120為同層同材料形成時，還可以同時進行步驟S101和步驟 S102。
[0088] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓的外圍 公共電極線和呈矩陣形式排列的多個像素單元的方法。還包括沿第一方向，在外圍公共電 極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域） 形成第一連接部，以將外圍公共電極線與公共電極電連接。此外，所述第一方向，在每兩個 相鄰像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域）形成第二連接部，用于將兩 個相鄰像素單元的公共電極電連接。由于，所有像素單元的公共電極均通過上述第二連接 部相互電連接，而靠近所述外圍公共電極線的公共電極通過第一連接部與所述外圍公共電 極線電連接。因此，外圍公共電極線可以將公共電壓通過第一連接部、第二連接部提供至所 有公共電極，以實現(xiàn)向公共電極施加公共電壓，控制液晶偏轉(zhuǎn)的目的。與此同時，因為上述 第一連接部與第二連接部均形成于像素單元的非顯示區(qū)域，因此不會降低顯示裝置的開口 率。這樣一來，采用上述陣列基板制作的顯示裝置，在向公共電極施加公共電壓的同時，能 夠增大開口率，提高產(chǎn)品質(zhì)量和顯示效果。
[0089] 需要說明的是，公共電極10 -般采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。例如，氧化銦錫（Indium Tin Oxide，簡稱ΙΤ0)、氧化銦鋅等。由于上述透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電率小于金屬材料，因此， 可以采用金屬材料制作上述第一連接部110和第二連接部120,以增加公共電極10與外圍 公共電極線02,以及位于兩個不同像素單元01的公共電極10之間的導(dǎo)電率。優(yōu)選的，第 一連接部110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料形成。由于，用于制作柵線100 的柵極金屬層為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此使得第一連接部110、第二連接部120的制備 過程容易實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料形成 時，能夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的同時，完成第一連接部110、第二連接部120 的制作。
[0090] 具體的，當(dāng)?shù)谝贿B接部110、第二連接部120與柵線100同層同材料形成的方法，見 實施例三。
[0091] 實施例三
[0092] 如圖7所示，包括：
[0093] S201、如圖8a所示，在襯底基板03上形成公共電極層04。
[0094] 具體的，上述公共電極層04可以為透明導(dǎo)電材料，例如ΙΤ0構(gòu)成?？梢圆捎么趴?濺射法將公共電極層04沉積于上述襯底基板03的表面。
[0095] S202、在上述公共電極層04的表面形成柵極金屬層05。
[0096] 具體的上述柵極金屬層05可以通過涂覆或磁控濺射法形成于公共電極層04的表 面。
[0097] S203、如圖8b所示（其中，圖8b - 8d為沿圖3a的C一C'的剖視圖，是以第二連接 部120為例進行的說明，第一連接部110的制作過程同理可得），在柵極金屬層05的表面涂 覆一層光刻膠06,采用雙色調(diào)掩膜版或單狹縫掩膜版通過一次曝光顯影工藝后形成第一光 刻膠完全保留區(qū)域200、第一光刻膠部分保留區(qū)域201和第一光刻膠完全去除區(qū)域（圖中未 示出）。
[0098] 其中，第一光刻膠完全保留區(qū)域200對應(yīng)待形成的柵線100、薄膜晶體管（Thin Film Transistor,簡稱TFT)的柵極（圖中未示出）、第一連接部110以及第二連接部120 的圖案。所述第一光刻膠部分保留區(qū)域201對應(yīng)待形成的公共電極10的圖案。所述第一 光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)該柵極金屬層05表面的其余區(qū)域。
[0099] 需要說明的是，雙色調(diào)掩膜版為一種半透式掩膜版，可以在柵極金屬層05表面形 成兩種不同厚度的光刻膠06 (第一光刻膠完全保留區(qū)域200的光刻膠、第一光刻膠部分保 留區(qū)域201的光刻膠）。該雙色調(diào)掩膜版可以包括：灰色調(diào)掩膜版（Gray-tone mask)和半 色調(diào)掩膜版（Half-tone mask)。
[0100] S204、刻蝕對應(yīng)第一光刻膠完全去除區(qū)域的柵極金屬層05、所述公共電極層04。
[0101] S205、如圖8c所示，采用灰化工藝去除第一光刻膠部分保留區(qū)域201的光刻膠06， 并對第一光刻膠部分保留區(qū)域201對應(yīng)的柵極金屬層05進行刻蝕，形成公共電極10的圖 案。在此過程中，第一光刻膠完全保留區(qū)域200的光刻膠的厚度變薄。
[0102] S206、如圖8d所示，對第一光刻膠完全保留區(qū)域200的光刻膠06進行剝離，最終 形成柵線100、TFT的柵極、第一連接部110 (如圖3a所示）以及第二連接部120的圖案。
[0103] 綜上所述，通過形成上述第一連接部110和第二連接部120可以將所述外圍公共 電極線02提供的公共電壓Vcom輸入至陣列基板上的所有公共電極10。然而，由于第一連 接部110和第二連接部120均是沿第一方向?qū)⒐搽妷篤com輸入至公共電極10,因此會 使得公共電極10表面上的不同區(qū)域輸入的電壓不均勻。例如，距離第一連接部110或第二 連接部120較近的區(qū)域電壓大，距離第一連接部110或第二連接部120較遠的區(qū)域電壓小。 這樣一來，會導(dǎo)致在控制液晶發(fā)生偏轉(zhuǎn)時，可能會使得應(yīng)當(dāng)偏轉(zhuǎn)同一角度的液晶分子，由于 公共電極10與像素電極11之間電場的不均勻，而使其偏轉(zhuǎn)角度之間存在差異。因此會導(dǎo) 致顯示畫面出現(xiàn)亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象。
[0104] 為了解決上述問題，本發(fā)明對陣列基板的制備方法提供如下實施例：
[0105] 實施例四
[0106] 上述陣列基板的制備方法還可以包括：
[0107] 如圖3a所示，沿第二方向，在兩個相鄰像素單元01之間形成多個第三連接部130， 用于將上述兩個相鄰像素單元01的公共電極10電連接。
[0108] 具體的，上述第三連接部130可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。當(dāng)?shù)谌B接部130采用 透明導(dǎo)電材料構(gòu)成時可以在像素電極11的表面對應(yīng)第三連接部130的位置形成過孔（圖 中未示出），然后制作采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第三連接部130,通過上述過孔將兩個相鄰 的像素單元01的公共電極10電連接。但是由于像素電極11同樣為透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。因 此還需要在第三連接部130與像素電極11之間形成絕緣層，并且為了防止過孔處的像素電 極與第三連接部130電連接，還需要通過構(gòu)圖工藝將上述過孔周邊的一部分像素電極去除 掉。
[0109] 或者，為了提高第三連接部130的導(dǎo)電率，上述第三連接部130還可以由金屬材料 構(gòu)成。例如在陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，制作上述第三連接部130的方法，如圖9 所示，可以包括：
[0110] S301、在兩個相鄰像素電極01的公共電極10的表面，分別形成與柵線100同層同 材料的第一孤島1301 ;
[0111] S302、在第一孤島1301的表面形成第一過孔1302。
[0112] S303、在第一過孔1302的表面形成與數(shù)據(jù)線101同層同材料的第一跨線1303。
[0113] 其中，上述第一孤島1301、第一過孔1302以及第一跨線1303構(gòu)成上述第三連接部 130。第一跨線1303沿第二方向，通過第一過孔1302,將上述兩個相鄰像素單元01的公共 電極10電連接。
[0114] 這樣一來，不僅沿第一方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10電連接，沿第 二方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10也電連接。從而使得輸入至公共電極10 的公用電壓Vcom更加的均勻。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0115] 具體的，如以下實施例所述。
[0116] 實施例四
[0117] 上述步驟S202之后，制作第三連接部130的方法，可以包括：
[0118] 首先、如圖l〇a所不（其中，圖10b -10d為沿圖3a的A-A'的剖視圖，剖視圖中 未包含第一連接部110,但同理可得出第一連接部110的制作方法）在所述柵極金屬層05 的表面涂覆一層光刻膠06,通過一次曝光顯影工藝后形成第二光刻膠完全保留區(qū)域300、 第二光刻膠部分保留區(qū)域301和第二光刻膠完全去除區(qū)域（圖中未示出）。
[0119] 其中，第二光刻膠完全保留區(qū)域300對應(yīng)待形成的柵線100、TFT的柵極、第一連接 部110、第二連接部120以及第一孤島1301的圖案，第二光刻膠部分保留區(qū)域301對應(yīng)待形 成的公共電極10的圖案，第二光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)柵極金屬層05表面的其余區(qū)域。
[0120] 接下來、刻蝕對應(yīng)第二光刻膠完全去除區(qū)域的柵極金屬層05、公共電極層04。
[0121] 接下來、如圖l〇b所示，采用灰化工藝去除第二光刻膠部分保留區(qū)域301的光刻膠 06,并對第二光刻膠部分保留區(qū)域301對應(yīng)的柵極金屬層05進行刻蝕，形成公共電極10的 圖案。在此過程中，第二光刻膠完全保留區(qū)域300的厚度減薄。
[0122] 接下來、如圖10c所示，對第二光刻膠完全保留區(qū)域300的光刻膠進行剝離，最終 形成柵線、TFT的柵極、第一連接部110、第二連接部120以及第一孤島1301的圖案。
[0123] 接下來、如圖10d所示，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面制作柵極絕緣層07。
[0124] 接下來、在上述柵極絕緣層07的表面制作有源層08。其中，上述有源層08可 以由a-Si層和n+a-Si層構(gòu)成。具體的可以通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱 PECVD)分別米用反應(yīng)氣體娃燒（SiH4)和氫 氣（H2)形成上述a-Si層；然后采用反應(yīng)氣體硅烷（SiH4)和磷化氫（PH3)形成n+a-Si層。 這樣一來，由于n+a-Si層為磷摻雜半導(dǎo)體，因此其具有導(dǎo)電率高的特點，能夠減少有源層8 與接下來的步驟中形成于該有源層8表面的源漏金屬層之間的電阻。
[0125] 此外，上述有源層08還可以由氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu)成，例如IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide，為銦鎵鋅氧化物）。當(dāng)采用IGZ0制作有源層08時，由于IGZ0對氧氣或氫離子 較為敏感，并且對位于有源層08表面的源漏金屬層進行濕法刻蝕時，會對IGZ0產(chǎn)生影響。 因此一般需要在IGZ0的表面制作刻蝕阻擋層（Etch Stopper Lay，簡稱ESL)以對IGZ0進 行保護。
[0126] 接下來、如圖10e所示，在有源層08的表面涂覆一層光刻膠06，通過一次曝光顯影 工藝后形成第三光刻膠完全保留區(qū)域（圖中未示出）、第三光刻膠部分保留區(qū)域（圖中未示 出）和第三光刻膠完全去除區(qū)域400。
[0127] 其中，第三光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)待形成的TFT的半導(dǎo)體有源層（圖中未示出， 位于TFT的溝道處）的圖案。第三光刻膠完全去除區(qū)域400對應(yīng)待形成的第一過孔1302 的圖案；第三光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層08表面的其余區(qū)域。
[0128] 接下來、如圖10f所示，刻蝕對應(yīng)第三光刻膠完全去除區(qū)域400的有源層08和柵 極絕緣層07。露出柵極金屬層07以形成第一過孔1302的圖案。
[0129] 接下來、如圖10g所示，利用灰化工藝去除第三光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠06， 然后采用干法刻蝕法對上述第三光刻膠部分保留區(qū)域400的有源層08進行刻蝕，露出柵極 絕緣層薄膜07。最后對第三光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠進行剝離，以形成TFT的半導(dǎo)體 有源層。
[0130] 最后、如圖10h所示，在形成上述結(jié)構(gòu)的基板表面制作源漏金屬層，通過一次構(gòu)圖 工藝形成TFT的源級、漏極（圖中未示出）、數(shù)據(jù)線101以及第一跨線1303的圖案。
[0131] 在上述實施例四的基礎(chǔ)上，所述陣列基板的制備方法還可以包括：
[0132] 沿第二方向，在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)的像素單元01 之間形成多個第四連接部140,用于將外圍公共電極線02與上述公共電極10電連接。
[0133] 如同實施例一的第三連接部130,第四連接部140也可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0134] 或者，為了提高第四連接部140的導(dǎo)電率，上述第四連接部140還可以由金屬材料 構(gòu)成。例如，在陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，制作第四連接部140的方法，如圖11所 示，可以包括：
[0135] S401、在靠近外圍公共電極線02-側(cè)像素單元01的公共電極10表面，形成與柵 線100同層同材料的第二孤島1041。
[0136] S402、在第二孤島1041的表面形成第二過孔1042。
[0137] S403、在外圍公共電極線02表面形成第三過孔1043。
[0138] S404、在第二過孔1042和第三過孔1043的表面形成與數(shù)據(jù)線101同層同材料的 第二跨線1044。
[0139] 其中，第二孤島1041、第二過孔1042、第三過孔1043以及第二跨線1044構(gòu)成上述 第四連接部140。第二跨線140沿第二方向，通過第二過孔1042、第三過孔1043,將外圍公 共電極線01與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10電連接。
[0140] 其中，第四連接部140的詳細(xì)制作過程可以參考第三連接部130的制作過程，此處 不再贅述。
[0141] 這樣一來，外圍公共電極線02不僅可以向沿第二方向靠近該外圍公共電極線02 一側(cè)像素單元01的公共電極10提供公共電壓Vcom，還可以向沿第一方向靠近該外圍公共 電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10提供公共電壓Vcom。從而更進一步地提高了輸 入公共電極10電壓的均勻性。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0142] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個像素單元；其特征 在于，還包括多個第一連接部和第二連接部； 所述第一連接部沿第一方向，設(shè)置于所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線 一側(cè)像素單元的公共電極之間，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接； 所述第二連接部沿所述第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之間， 用于將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板包括柵線情況下， 所述第一連接部、所述第二連接部與所述柵線同層同材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板還包括多個第三連接部，沿第二方向，設(shè)置于兩個相鄰所述像素單元之 間，用于將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線的情況 下， 所述第三連接部包括分別設(shè)置于所述兩個相鄰像素單元的公共電極表面，與所述柵線 同層同材料的第一孤島； 位于所述第一孤島表面的第一過孔； 與所述數(shù)據(jù)線同層同材料的第一跨線； 其中，所述第一跨線沿所述第二方向，通過所述第一過孔，將所述兩個相鄰像素單元的 公共電極電連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 還包括多個第四連接部，沿所述第二方向，設(shè)置于所述外圍公共電極線與靠近所述外 圍公共電極線一側(cè)的像素單元的公共電極之間，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電 極電連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線的情況 下， 所述第四連接部包括設(shè)置于靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極表面， 與所述柵線同層同材料的第二孤島； 位于所述第二孤島表面的第二過孔以及位于所述外圍公共電極線表面的第三過孔； 與所述數(shù)據(jù)線同層同材料的第二跨線； 其中，所述第二跨線沿第二方向，通過所述第二過孔、第三過孔，將所述外圍公共電極 線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極電連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一連接部與所述外圍公共電 極線相連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括沿所述第二方向，設(shè)置于所述 外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間的，與所述外圍 公共電極線相連接的附加線； 所述第一連接部與所述附加線相連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一連接部或第二連接部沿所述第二方向的寬度為所述像素單元沿所述第二方 向?qū)挾鹊?/40?1/15。
10. -種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的陣列基板。
11. 一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個 像素單元的方法；其特征在于，還包括： 沿第一方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共 電極之間形成第一連接部，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接； 沿所述第一方向，在每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之間形成第二連接部，用于 將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括 柵線的情況下， 所述第一連接部和所述第二連接部與所述柵線同層同材料形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括： 沿第二方向，在兩個相鄰所述像素單元之間形成多個第三連接部，用于將所述兩個相 鄰像素單元的公共電極電連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括 數(shù)據(jù)線的情況下，制作所述第三連接部的方法包括： 在所述兩個相鄰像素電極的公共電極的表面，分別形成與所述柵線同層同材料的第一 孤島； 在所述第一孤島的表面形成第一過孔； 在所述第一過孔的表面形成與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層同材料的第一跨線； 其中，所述第一孤島、所述第一過孔以及所述第一跨線構(gòu)成所述第三連接部；所述第一 跨線沿第二方向，通過所述第一過孔，將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括： 沿所述第二方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)的像素單 元的公共電極之間形成多個第四連接部，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連 接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括 所述數(shù)據(jù)線的情況下，制作所述第四連接部的方法包括： 在靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極表面，形成與所述柵線同層同材 料的第二孤島； 在所述第二孤島的表面形成第二過孔； 在所述外圍公共電極線表面形成第三過孔； 在所述第二過孔和所述第三過孔的表面形成與所述數(shù)據(jù)線同層同材料的第二跨線； 其中，所述第二孤島、所述第二過孔、所述第三過孔以及所述第二跨線構(gòu)成所述第四連 接部；所述第二跨線沿第二方向，通過所述第二過孔、所述第三過孔，將所述外圍公共電極 線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極電連接。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述外圍公共 電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間形成第一連接部的方法 包括： 在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間形 成與所述外圍公共電極線相連接的所述第一連接部。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述外圍公共 電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間形成第一連接部的方法 包括： 沿第二方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共 電極之間，形成與所述外圍公共電極線相連接的附加線； 在所述附加線與靠近所述附加線一側(cè)像素單元的公共電極之間形成與所述附加線相 連接的所述第一連接部。
【文檔編號】G02F1/1345GK104216183SQ201410431286
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月28日
【發(fā)明者】馮偉 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠解決公共電極線降低顯示裝置開口率的問題。所述陣列基板包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個像素單元、多個第一連接部和第二連接部。其中，第一連接部沿第一方向，設(shè)置于外圍公共電極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間，將外圍公共電極線與上述公共電極電連接。第二連接部沿第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元的公共電極之間將上述兩個相鄰的公共電極電連接。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管-液晶顯 示器）作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等 特點，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003] TFT-IXD由陣列基板和彩膜基板構(gòu)成。在陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置液晶層，通 過分別向設(shè)置于陣列基板上的像素電極、設(shè)置于彩膜基板或陣列基板上的公共電極施加電 壓，從而在液晶層中形成電場。然后，通過調(diào)節(jié)電場的幅值來調(diào)節(jié)穿過液晶層的光線的透射 率，以獲得預(yù)期的顯示圖像。
[0004] 當(dāng)上述公共電極和像素電極均設(shè)置在陣列基板上時，所述公共電極和所述像素電 極可以異層設(shè)置，其中位于上層的電極為狹縫狀電極，位于下層的電極為板狀電極（或狹 縫狀電極）。采用上述陣列基板構(gòu)成的顯示裝置為AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，簡稱為ADS，高級超維場開關(guān)）型顯示裝置。例如，如圖1所示，公共電極10為 板狀電極位于陣列基板上多個堆疊的薄膜層的最下層，像素電極11為狹縫狀電極位于陣 列基板上多個堆疊的薄膜層的最上層。該顯示裝置通過同一平面內(nèi)狹縫狀電極（像素電極 11)邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫狀電極（像素電極11)與板狀電極（公共電極10)間形成 多維電場，使液晶層內(nèi)狹縫狀電極間、電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從 而提高了液晶工作效率并增大了透光率。因此ADS型顯示裝置具有高畫面品質(zhì)、高分辨率、 高透過率、低功耗、寬視角等優(yōu)點。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)中在向每個像素單元01的公共電極10輸入公共電壓時，一般采用在柵 線100的至少一側(cè)設(shè)置一條與所述柵線100相平行的公共電極線101的方法，以連接位于 同一行的多個像素單元01的公共電極10。通過上述公共電極線101向所述公共電極10提 供公共電壓。
[0006] 然而，上述像素單元01的顯示區(qū)域被一部分公共電極線101占據(jù)，從而降低了顯 示裝置的開口率，對顯示的顯示效果和質(zhì)量造成不利的影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，能夠解決公共電極 線降低顯示裝置開口率的問題。
[0008] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)實施例：
[0009] 本發(fā)明的一方面，提供一種陣列基板，包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線 和多個像素單元；還包括多個第一連接部和第二連接部；
[0010] 所述第一連接部沿第一方向，設(shè)置于所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電 極線一側(cè)像素單元的公共電極之間，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接； toon] 所述第二連接部沿所述第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之 間，用于將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示裝 置，包括如上所述的任意一種陣列基板。
[0012] 本發(fā)明的又一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓 的外圍公共電極線和多個像素單元的方法；還包括：
[0013] 沿第一方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的 公共電極之間設(shè)置第一連接部，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接；
[0014] 沿所述第一方向，在每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之間設(shè)置第二連接部， 用于將所述兩個相鄰像素單元的所述公共電極電連接。
[0015] 本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板包括用于提供 公共電壓的外圍公共電極線和多個像素單元，還包括多個第一連接部和第二連接部。其 中，第一連接部沿第一方向，設(shè)置于上述外圍公共電極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素 單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域），用于將外圍公共電極線與上述公共 電極電連接。此外，第二連接部沿上述第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元的公共電極之 間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域），用于將上述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。由 于，所有像素單元的公共電極均通過上述第二連接部相互電連接，而靠近所述外圍公共電 極線的公共電極通過第一連接部與所述外圍公共電極線電連接。因此，外圍公共電極線可 以將公共電壓通過第一連接部、第二連接部提供至所有公共電極，以實現(xiàn)向公共電極施加 公共電壓，控制液晶偏轉(zhuǎn)的目的。與此同時，因為上述第一連接部與第二連接部均設(shè)置于像 素單元的非顯示區(qū)域，因此不會降低顯示裝置的開口率。這樣一來，采用上述陣列基板制作 的顯示裝置，在向公共電極施加公共電壓的同時，能夠增大開口率，提高產(chǎn)品質(zhì)量和顯示效 果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)實施例，下面將對實施例或 現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是 本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0018] 圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖3a為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖3b為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0021] 圖4a為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖4b為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0023] 圖5為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0025] 圖7為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0026] 圖8a_8d為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)的制作過程示意圖；
[0027] 圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0028] 圖10a-10h為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)的制作過程示意 圖；
[0029] 圖11為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的制備方法流程圖。
【專利附圖】
【附圖說明】 [0030] ：
[0031] 01-像素單元；02-外圍公共電極線；03-襯底基板；04-公共電極層；05-柵極 金屬層；06-光刻膠；07-柵極絕緣層；08-有源層；10-公共電極；11-像素電極；100-柵 線；101-數(shù)據(jù)線；110-第一連接部；120-第二連接部；130-第三連接部；1301-第一孤島； 1302-第一過孔；1303-第一跨線；140-第四連接部；1401-第二孤島；1402-第二過孔； 1403-第三過孔；1404-第二跨線；150-附加線；200-第一光刻膠完全保留區(qū)域；201-第 一光刻膠部分保留區(qū)域；300-第二光刻膠完全保留區(qū)域，301-第二光刻膠部分保留區(qū)域； 400-第三光刻膠部分保留區(qū)域。
【具體實施方式】
[0032] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)實施例進行清楚、 完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其 他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0033] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括用于提供公共電壓Vcom的外 圍公共電極線02和呈矩陣形式排列的多個像素單元01 ;還可以包括多個第一連接部110 和第二連接部120 ;
[0034] 其中，上述第一連接部110沿第一方向，設(shè)置于外圍公共電極線02與靠近該外圍 公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10之間，用于將外圍公共電極線02與上述公 共電極10 (即靠近外圍公共電極線02-側(cè)像素單元01的公共電極）電連接。
[0035] 上述第二連接部120沿第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元01的公共電極之 間，用于將上述兩個相鄰像素單元的公共電極10電連接。
[0036] 需要說明的是，第一、上述第一方向可以是平行于柵線100的方向，第二方向可以 是垂直于柵線100的方向，即平行于數(shù)據(jù)線101的方向；或者，第一方向可以是平行于數(shù)據(jù) 線101的方向，第二方向可以是平行于柵線100的方向。本發(fā)明對此不作限制。但在以下 的實施例中，均是以，第一方向為平行于柵線100的方向，第二方向為平行于數(shù)據(jù)線101的 方向為例進行的說明。
[0037] 其中，多條上述柵線100和多條上述數(shù)據(jù)線101橫縱交叉界定出多個呈矩陣形式 排列的像素單元01.
[0038] 第二、由于外圍公共電極線02設(shè)置于陣列基板的四周，因此靠近該外圍公共電極 線02 -側(cè)像素單元01可以是指，陣列基板上的所有像素單元01中位于所述陣列基板四個 邊緣的，距離上述外圍公共電極線02最近的多個像素單元01。由于，上述像素單元01的公 共電極10與外圍公共電極線02通過第一連接部110電連接，因此通過上述像素單元01的 公共電極10可以接收外圍公共電極線02輸入的公共電壓Vcom。
[0039] 第三、上述像素單元01還包括像素電極11，本發(fā)明對異層設(shè)置的公共電極10和像 素電極11在陣列基板上多個堆疊的薄膜層中的上、下位置不作限定。但是在本發(fā)明的實施 例中，均是以公共電極10位于陣列基板上多個堆疊的薄膜層的最下層，像素電極11位于陣 列基板上多個堆疊的薄膜層的最上層；且公共電極10為板狀電極，像素電極11為狹縫狀電 極為例進行的說明。
[0040] 第四、本發(fā)明對第一連接部110和第二連接部120在像素單元01內(nèi)沿第二方向的 上、下位置不做限定。例如，對于第一行的像素單元01而言，第一連接部110或第二連接部 120的位置可以設(shè)置于像素單元01的最上方，也可以設(shè)置于像素單元01的中心位置，還可 以設(shè)置于像素單元01的最下方。圖2中，是以第一連接部110設(shè)置于像素單元01的最下 方，第二連接部120設(shè)置于像素單元01的中心位置為例進行的說明。
[0041] 第五、在保證不同的像素單元01的公共電極10之間電連接穩(wěn)定性，以及公共電極 10與外圍公共電極線02之間電連接穩(wěn)定性的前提下，可以盡可能的減小第一連接部110或 第二連接部120沿第二方向的寬度（即第一連接部110或第二連接部120的縱向尺寸）。 優(yōu)選的，第一連接部110或第二連接部120沿第二方向的寬度為像素單元10沿第二方向?qū)?度的1/40?1/15。因此，像素單元10的尺寸越大，第一連接部110或第二連接部120的寬 度可以越寬，反之同理。
[0042] 第六、為了使得第一連接部110能夠?qū)⑼鈬搽姌O線01與公共電極10電連接。 可以如圖2所示，將第一連接部110延伸至所述外圍公共電極線02處，并與外圍公共電極 線02相連接。
[0043] 或者，
[0044] 還可以如圖5所示，當(dāng)陣列基板還包括沿所述第二方向（即平行于數(shù)據(jù)線的方 向），設(shè)置于外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10 之間的，與外圍公共電極線02相連接的附加線150。上述第一連接部110可以與該附加線 相連接，以達到將外圍公共電極線01與公共電極10電連接的目的。
[0045] 具體的，可以分別在第二方向上的每兩個相鄰像素單元01的附加線150的表面制 作過孔，并在過孔處形成能夠?qū)щ姷倪B接線，其中，上述連接線可以包括透明導(dǎo)電材料或金 屬材料。使得所述兩個相鄰像素單元01的附加線150電連接。
[0046] 需要說明的是，可以通過普通的掩膜版分別制作公共電極10和附加線150,使得 位于同一個像素單元01中的公共電極10與附加線150無重疊的部分。這樣一來，附加線 150就會位于像素單元01的非顯示區(qū)域，從而能夠增大顯示裝置的開口率。
[0047] 進一步地，為了提高第一連接部110以及附加線150的導(dǎo)電率，可以采用金屬材料 構(gòu)成上述第一連接部110以及附加線150。優(yōu)選的，第一連接部110和附加線150可以與柵 線100同層同材料。由于，用于制作柵線100的柵極金屬層為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此 使得第一連接部110和附加線150的制備過程容易實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110和附加 線150可以與柵線100同層同材料設(shè)置形成時，能夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的 同時，完成第一連接部110和附加線150的制作。
[0048] 以上僅僅是對通過第一連接部110將外圍公共電極線01與公共電極10進行電連 接的舉例說明，其它電連接方式在此不再一一舉例。
[0049] 本發(fā)明提供一種陣列基板。包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個像素 單元，還包括多個第一連接部和第二連接部。其中，第一連接部沿第一方向，設(shè)置于上述外 圍公共電極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非 顯示區(qū)域），用于將外圍公共電極線與上述公共電極電連接。此外，第二連接部沿上述第一 方向，設(shè)置于每兩個相鄰像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域），用于將 上述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。由于，所有像素單元的公共電極均通過上述第 二連接部相互電連接，而靠近所述外圍公共電極線的公共電極通過第一連接部與所述外圍 公共電極線電連接。因此，外圍公共電極線可以將公共電壓通過第一連接部、第二連接部提 供至所有公共電極，以實現(xiàn)向公共電極施加公共電壓，控制液晶偏轉(zhuǎn)的目的。與此同時，因 為上述第一連接部與第二連接部均設(shè)置于像素單元的非顯示區(qū)域，因此不會降低顯示裝置 的開口率。這樣一來，采用上述陣列基板制作的顯示裝置，在向公共電極施加公共電壓的同 時，能夠增大開口率，提高產(chǎn)品質(zhì)量和顯示效果。
[0050] 公共電極10-般采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。例如，氧化銦錫（Indium Tin Oxide, 簡稱ΙΤ0)或氧化銦鋅等。由于上述透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電率小于金屬材料，因此，可以采用 金屬材料制作上述第一連接部110和第二連接部120,以增加公共電極10與外圍公共電極 線02,以及位于兩個不同像素單元01的公共電極10之間的導(dǎo)電率。優(yōu)選的，第一連接部 110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料。由于，用于制作柵線100的柵極金屬層 為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此可以使得第一連接部110、第二連接部120的制備過程容易 實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料設(shè)置形成時，能 夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的同時，完成第一連接部110、第二連接部120的制 作。
[0051] 需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及 刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包 括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本 發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。其中，本發(fā)明實施例中的一次構(gòu)圖工藝，是以通 過一次掩膜曝光工藝形成不同的曝光區(qū)域，然后對不同的曝光區(qū)域進行多次刻蝕、灰化等 去除工藝最終得到預(yù)期圖案為例進行的說明。
[0052] 綜上所述，通過設(shè)置上述第一連接部110和第二連接部120可以將所述外圍公共 電極線02提供的公共電壓Vcom輸入至陣列基板上的所有公共電極10。然而，由于第一連 接部110和第二連接部120均是沿第一方向?qū)⒐搽妷篤com輸入至公共電極10,因此會 使得公共電極10表面上的不同區(qū)域輸入的電壓不均勻。例如，距離第一連接部110或第二 連接部120較近的區(qū)域電壓大，距離第一連接部110或第二連接部120較遠的區(qū)域電壓小。 這樣一來，會導(dǎo)致在控制液晶發(fā)生偏轉(zhuǎn)時，可能會使得應(yīng)當(dāng)偏轉(zhuǎn)同一角度的液晶分子，由于 公共電極10與像素電極11之間電場的不均勻，而使其偏轉(zhuǎn)角度之間存在差異。因此會導(dǎo) 致顯示畫面出現(xiàn)亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象。
[0053] 為了解決上述問題，本發(fā)明提供如下實施例：
[0054] 實施例一
[0055] 如圖3a所示，陣列基板還可以包括多個第三連接部130,沿第二方向，設(shè)置于兩個 相鄰像素單元01之間，用于將上述兩個相鄰像素單元01的公共電極10電連接。
[0056] 具體的，上述第三連接部130可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。當(dāng)?shù)谌B接部130采 用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成時，可以在像素電極11的表面對應(yīng)第三連接部130的位置形成過孔 (圖中未示出），然后制作采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第三連接部130,通過上述過孔將兩個 相鄰的像素單元01的公共電極10電連接。但是由于像素電極11同樣為透明導(dǎo)電材料構(gòu) 成。因此還需要在第三連接部130與像素電極11之間形成絕緣層，并且為了防止過孔處的 像素電極與第三連接部130電連接，還需要通過構(gòu)圖工藝將上述過孔周邊的一部分像素電 極去除掉。
[0057] 或者，為了提高第三連接部130的導(dǎo)電率，上述第三連接部130還可以由金屬材料 構(gòu)成。
[0058] 優(yōu)選的，在陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，如圖3b (圖3a沿A-A'的剖視圖） 所示。
[0059] 第三連接部130可以包括分別設(shè)置于兩個相鄰像素單元的公共電極10表面，與柵 線1〇〇同層同材料的至少一個第一孤島1301。具體的，可以通過一次構(gòu)圖工藝在形成柵線 100的同時完成第一孤島1301和第二連接部120的制作；
[0060] 位于第一孤島1301表面的第一過孔1302 ;
[0061] 以及與數(shù)據(jù)線101同層同材料的第一跨線1303。具體的，數(shù)據(jù)線101 -般采用源 漏金屬層制成，因此可以通過一次構(gòu)圖工藝在形成數(shù)據(jù)線101的同時，完成第一跨線1303 的制作。
[0062] 其中，第一跨線1303沿第二方向，通過第一過孔1302,將上述兩個相鄰像素單元 01的公共電極10電連接。
[0063] 這樣一來，不僅沿第一方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10電連接，沿第 二方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10也電連接。從而使得輸入至公共電極10 的公用電壓Vcom更加的均勻。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0064] 實施例二
[0065] 如圖4a所示，可以在實施例一的基礎(chǔ)上，所述陣列基板還可以包括多個第四連接 部140,沿第二方向，設(shè)置于外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)的像素單元 01的公共電極10之間，用于將外圍公共電極線02與上述像素單元01的公共電極10電連 接。
[0066] 如同實施例一的第三連接部130,第四連接部140也可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0067] 或者，為了提高第四連接部140的導(dǎo)電率，上述第四連接部140還可以由金屬材料 構(gòu)成。
[0068] 優(yōu)選的，在所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，如圖4b (圖4a沿B- B'的剖 視圖）所示。
[0069] 第四連接部140可以包括設(shè)置于靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共 電極10表面，與柵線100同層同材料的第二孤島1401。
[0070] 位于第二孤島1401表面的第二過孔1402以及位于外圍公共電極線02表面的第 三過孔1403 ;
[0071] 以及與數(shù)據(jù)線101同層同材料的第二跨線1404。具體的，數(shù)據(jù)線101 -般采用源 漏金屬層制成，因此可以通過一次構(gòu)圖工藝在形成數(shù)據(jù)線101的同時，完成第二跨線1404 的制作。
[0072] 其中，第二跨線1404沿第二方向，通過第二過孔1402、第三過孔1403,將外圍公共 電極線02與靠近該外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10電連接。
[0073] 這樣一來，外圍公共電極線02不僅可以向沿第二方向靠近該外圍公共電極線02 一側(cè)像素單元〇1的公共電極10提供公共電壓Vcom，還可以向沿第一方向靠近該外圍公共 電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10提供公共電壓Vcom。從而更進一步地提高了輸 入公共電極10電壓的均勻性。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0074] 本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。具有與前 述實施例中的陣列基板相同的有益效果，由于陣列基板的詳細(xì)結(jié)構(gòu)以及有益效果已在前述 實施例中做了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。
[0075] 需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，顯示裝置具體至少可以包括液晶顯示裝置和 有機發(fā)光二極管顯示裝置，例如該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機 或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0076] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓Vcom 的外圍公共電極線02和呈矩陣形式排列的多個像素單元01的方法；如圖6所示，還可以包 括：
[0077] S101、如圖2所示，沿第一方向（平行于柵線100的方向），在外圍公共電極線02 與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10之間設(shè)置第一連接部110,用于 將外圍公共電極線02與上述公共電極10 (即靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的 公共電極）電連接。
[0078] 需要說明的是，為了使得第一連接部110能夠?qū)⑼鈬搽姌O線01與公共電極10 電連接。上述在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電 極10之間設(shè)置第一連接部110的方法可以包括：
[0079] 如圖2所示，在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02-側(cè)像素單元01的 公共電極10之間，形成與外圍公共電極線02相連接的第一連接部110。
[0080] 或者，
[0081] 如圖5所示，可以先沿第二方向，在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 一側(cè)像素單元01的公共電極10之間，形成與外圍公共電極線02相連接的附加線150。具 體的，可以分別在第二方向上的每兩個相鄰像素單元01的附加線150的表面制作過孔，并 在過孔處形成能夠?qū)щ姷倪B接線，其中，上述連接線可以包括透明導(dǎo)電材料或金屬材料。使 得所述兩個相鄰像素單元01的附加線150電連接。
[0082] 然后，在附加線150與靠近附加線150 -側(cè)像素單元01的公共電極10之間形成 與附加線150相連接的第一連接部110,以達到將外圍公共電極線01與公共電極10電連接 的目的。
[0083] 此外、為了提高第一連接部110以及附加線150的導(dǎo)電率，可以采用金屬材料構(gòu)成 上述第一連接部110以及附加線150。優(yōu)選的，第一連接部110和附加線150可以與柵線 100同層同材料。由于，用于制作柵線100的柵極金屬層為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此使 得第一連接部110和附加線150的制備過程容易實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110和附加線 150可以與柵線100同層同材料設(shè)置形成時，能夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的同 時，完成第一連接部110和附加線150的制作。
[0084] 需要說明的是，在制作過程中，可以通過普通的掩膜版分別制作公共電極10和附 加線150,使得位于同一個像素單元01中的公共電極10與附加線150無重疊的部分。這樣 一來，附加線150就會位于像素單元01的非顯示區(qū)域，從而能夠增大顯示裝置的開口率。
[0085] 上述僅僅是對第一連接部110的制作方法的舉例說明，其它制作方法在此不再 舉例。
[0086] S102、沿上述第一方向，在每兩個相鄰像素單元01的公共電極10之間形成第二連 接部120,用于將上述兩個相鄰像素單元的公共電極10電連接。
[0087] 需要說明的是，本發(fā)明對上述步驟S101和步驟S102制作順序不作限制?？梢韵?進行步驟S101，后進行步驟S102?；蛘?，可以先進行步驟S102,后進行步驟S101?；蛘弋?dāng) 第一連接部110和第二連接部120為同層同材料形成時，還可以同時進行步驟S101和步驟 S102。
[0088] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓的外圍 公共電極線和呈矩陣形式排列的多個像素單元的方法。還包括沿第一方向，在外圍公共電 極線與靠近外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域） 形成第一連接部，以將外圍公共電極線與公共電極電連接。此外，所述第一方向，在每兩個 相鄰像素單元的公共電極之間（對應(yīng)像素單元的非顯示區(qū)域）形成第二連接部，用于將兩 個相鄰像素單元的公共電極電連接。由于，所有像素單元的公共電極均通過上述第二連接 部相互電連接，而靠近所述外圍公共電極線的公共電極通過第一連接部與所述外圍公共電 極線電連接。因此，外圍公共電極線可以將公共電壓通過第一連接部、第二連接部提供至所 有公共電極，以實現(xiàn)向公共電極施加公共電壓，控制液晶偏轉(zhuǎn)的目的。與此同時，因為上述 第一連接部與第二連接部均形成于像素單元的非顯示區(qū)域，因此不會降低顯示裝置的開口 率。這樣一來，采用上述陣列基板制作的顯示裝置，在向公共電極施加公共電壓的同時，能 夠增大開口率，提高產(chǎn)品質(zhì)量和顯示效果。
[0089] 需要說明的是，公共電極10 -般采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。例如，氧化銦錫（Indium Tin Oxide，簡稱ΙΤ0)、氧化銦鋅等。由于上述透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電率小于金屬材料，因此， 可以采用金屬材料制作上述第一連接部110和第二連接部120,以增加公共電極10與外圍 公共電極線02,以及位于兩個不同像素單元01的公共電極10之間的導(dǎo)電率。優(yōu)選的，第 一連接部110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料形成。由于，用于制作柵線100 的柵極金屬層為本領(lǐng)域的常用金屬材料，因此使得第一連接部110、第二連接部120的制備 過程容易實現(xiàn)。并且，當(dāng)?shù)谝贿B接部110、第二連接部120可以與柵線100同層同材料形成 時，能夠采用一次構(gòu)圖工藝，在形成柵線100的同時，完成第一連接部110、第二連接部120 的制作。
[0090] 具體的，當(dāng)?shù)谝贿B接部110、第二連接部120與柵線100同層同材料形成的方法，見 實施例三。
[0091] 實施例三
[0092] 如圖7所示，包括：
[0093] S201、如圖8a所示，在襯底基板03上形成公共電極層04。
[0094] 具體的，上述公共電極層04可以為透明導(dǎo)電材料，例如ΙΤ0構(gòu)成?？梢圆捎么趴?濺射法將公共電極層04沉積于上述襯底基板03的表面。
[0095] S202、在上述公共電極層04的表面形成柵極金屬層05。
[0096] 具體的上述柵極金屬層05可以通過涂覆或磁控濺射法形成于公共電極層04的表 面。
[0097] S203、如圖8b所示（其中，圖8b - 8d為沿圖3a的C一C'的剖視圖，是以第二連接 部120為例進行的說明，第一連接部110的制作過程同理可得），在柵極金屬層05的表面涂 覆一層光刻膠06,采用雙色調(diào)掩膜版或單狹縫掩膜版通過一次曝光顯影工藝后形成第一光 刻膠完全保留區(qū)域200、第一光刻膠部分保留區(qū)域201和第一光刻膠完全去除區(qū)域（圖中未 示出）。
[0098] 其中，第一光刻膠完全保留區(qū)域200對應(yīng)待形成的柵線100、薄膜晶體管（Thin Film Transistor,簡稱TFT)的柵極（圖中未示出）、第一連接部110以及第二連接部120 的圖案。所述第一光刻膠部分保留區(qū)域201對應(yīng)待形成的公共電極10的圖案。所述第一 光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)該柵極金屬層05表面的其余區(qū)域。
[0099] 需要說明的是，雙色調(diào)掩膜版為一種半透式掩膜版，可以在柵極金屬層05表面形 成兩種不同厚度的光刻膠06 (第一光刻膠完全保留區(qū)域200的光刻膠、第一光刻膠部分保 留區(qū)域201的光刻膠）。該雙色調(diào)掩膜版可以包括：灰色調(diào)掩膜版（Gray-tone mask)和半 色調(diào)掩膜版（Half-tone mask)。
[0100] S204、刻蝕對應(yīng)第一光刻膠完全去除區(qū)域的柵極金屬層05、所述公共電極層04。
[0101] S205、如圖8c所示，采用灰化工藝去除第一光刻膠部分保留區(qū)域201的光刻膠06， 并對第一光刻膠部分保留區(qū)域201對應(yīng)的柵極金屬層05進行刻蝕，形成公共電極10的圖 案。在此過程中，第一光刻膠完全保留區(qū)域200的光刻膠的厚度變薄。
[0102] S206、如圖8d所示，對第一光刻膠完全保留區(qū)域200的光刻膠06進行剝離，最終 形成柵線100、TFT的柵極、第一連接部110 (如圖3a所示）以及第二連接部120的圖案。
[0103] 綜上所述，通過形成上述第一連接部110和第二連接部120可以將所述外圍公共 電極線02提供的公共電壓Vcom輸入至陣列基板上的所有公共電極10。然而，由于第一連 接部110和第二連接部120均是沿第一方向?qū)⒐搽妷篤com輸入至公共電極10,因此會 使得公共電極10表面上的不同區(qū)域輸入的電壓不均勻。例如，距離第一連接部110或第二 連接部120較近的區(qū)域電壓大，距離第一連接部110或第二連接部120較遠的區(qū)域電壓小。 這樣一來，會導(dǎo)致在控制液晶發(fā)生偏轉(zhuǎn)時，可能會使得應(yīng)當(dāng)偏轉(zhuǎn)同一角度的液晶分子，由于 公共電極10與像素電極11之間電場的不均勻，而使其偏轉(zhuǎn)角度之間存在差異。因此會導(dǎo) 致顯示畫面出現(xiàn)亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象。
[0104] 為了解決上述問題，本發(fā)明對陣列基板的制備方法提供如下實施例：
[0105] 實施例四
[0106] 上述陣列基板的制備方法還可以包括：
[0107] 如圖3a所示，沿第二方向，在兩個相鄰像素單元01之間形成多個第三連接部130， 用于將上述兩個相鄰像素單元01的公共電極10電連接。
[0108] 具體的，上述第三連接部130可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。當(dāng)?shù)谌B接部130采用 透明導(dǎo)電材料構(gòu)成時可以在像素電極11的表面對應(yīng)第三連接部130的位置形成過孔（圖 中未示出），然后制作采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第三連接部130,通過上述過孔將兩個相鄰 的像素單元01的公共電極10電連接。但是由于像素電極11同樣為透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。因 此還需要在第三連接部130與像素電極11之間形成絕緣層，并且為了防止過孔處的像素電 極與第三連接部130電連接，還需要通過構(gòu)圖工藝將上述過孔周邊的一部分像素電極去除 掉。
[0109] 或者，為了提高第三連接部130的導(dǎo)電率，上述第三連接部130還可以由金屬材料 構(gòu)成。例如在陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，制作上述第三連接部130的方法，如圖9 所示，可以包括：
[0110] S301、在兩個相鄰像素電極01的公共電極10的表面，分別形成與柵線100同層同 材料的第一孤島1301 ;
[0111] S302、在第一孤島1301的表面形成第一過孔1302。
[0112] S303、在第一過孔1302的表面形成與數(shù)據(jù)線101同層同材料的第一跨線1303。
[0113] 其中，上述第一孤島1301、第一過孔1302以及第一跨線1303構(gòu)成上述第三連接部 130。第一跨線1303沿第二方向，通過第一過孔1302,將上述兩個相鄰像素單元01的公共 電極10電連接。
[0114] 這樣一來，不僅沿第一方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10電連接，沿第 二方向上的相鄰兩個像素單元01的公共電極10也電連接。從而使得輸入至公共電極10 的公用電壓Vcom更加的均勻。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0115] 具體的，如以下實施例所述。
[0116] 實施例四
[0117] 上述步驟S202之后，制作第三連接部130的方法，可以包括：
[0118] 首先、如圖l〇a所不（其中，圖10b -10d為沿圖3a的A-A'的剖視圖，剖視圖中 未包含第一連接部110,但同理可得出第一連接部110的制作方法）在所述柵極金屬層05 的表面涂覆一層光刻膠06,通過一次曝光顯影工藝后形成第二光刻膠完全保留區(qū)域300、 第二光刻膠部分保留區(qū)域301和第二光刻膠完全去除區(qū)域（圖中未示出）。
[0119] 其中，第二光刻膠完全保留區(qū)域300對應(yīng)待形成的柵線100、TFT的柵極、第一連接 部110、第二連接部120以及第一孤島1301的圖案，第二光刻膠部分保留區(qū)域301對應(yīng)待形 成的公共電極10的圖案，第二光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)柵極金屬層05表面的其余區(qū)域。
[0120] 接下來、刻蝕對應(yīng)第二光刻膠完全去除區(qū)域的柵極金屬層05、公共電極層04。
[0121] 接下來、如圖l〇b所示，采用灰化工藝去除第二光刻膠部分保留區(qū)域301的光刻膠 06,并對第二光刻膠部分保留區(qū)域301對應(yīng)的柵極金屬層05進行刻蝕，形成公共電極10的 圖案。在此過程中，第二光刻膠完全保留區(qū)域300的厚度減薄。
[0122] 接下來、如圖10c所示，對第二光刻膠完全保留區(qū)域300的光刻膠進行剝離，最終 形成柵線、TFT的柵極、第一連接部110、第二連接部120以及第一孤島1301的圖案。
[0123] 接下來、如圖10d所示，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面制作柵極絕緣層07。
[0124] 接下來、在上述柵極絕緣層07的表面制作有源層08。其中，上述有源層08可 以由a-Si層和n+a-Si層構(gòu)成。具體的可以通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱 PECVD)分別米用反應(yīng)氣體娃燒（SiH4)和氫 氣（H2)形成上述a-Si層；然后采用反應(yīng)氣體硅烷（SiH4)和磷化氫（PH3)形成n+a-Si層。 這樣一來，由于n+a-Si層為磷摻雜半導(dǎo)體，因此其具有導(dǎo)電率高的特點，能夠減少有源層8 與接下來的步驟中形成于該有源層8表面的源漏金屬層之間的電阻。
[0125] 此外，上述有源層08還可以由氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu)成，例如IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide，為銦鎵鋅氧化物）。當(dāng)采用IGZ0制作有源層08時，由于IGZ0對氧氣或氫離子 較為敏感，并且對位于有源層08表面的源漏金屬層進行濕法刻蝕時，會對IGZ0產(chǎn)生影響。 因此一般需要在IGZ0的表面制作刻蝕阻擋層（Etch Stopper Lay，簡稱ESL)以對IGZ0進 行保護。
[0126] 接下來、如圖10e所示，在有源層08的表面涂覆一層光刻膠06，通過一次曝光顯影 工藝后形成第三光刻膠完全保留區(qū)域（圖中未示出）、第三光刻膠部分保留區(qū)域（圖中未示 出）和第三光刻膠完全去除區(qū)域400。
[0127] 其中，第三光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)待形成的TFT的半導(dǎo)體有源層（圖中未示出， 位于TFT的溝道處）的圖案。第三光刻膠完全去除區(qū)域400對應(yīng)待形成的第一過孔1302 的圖案；第三光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層08表面的其余區(qū)域。
[0128] 接下來、如圖10f所示，刻蝕對應(yīng)第三光刻膠完全去除區(qū)域400的有源層08和柵 極絕緣層07。露出柵極金屬層07以形成第一過孔1302的圖案。
[0129] 接下來、如圖10g所示，利用灰化工藝去除第三光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠06， 然后采用干法刻蝕法對上述第三光刻膠部分保留區(qū)域400的有源層08進行刻蝕，露出柵極 絕緣層薄膜07。最后對第三光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠進行剝離，以形成TFT的半導(dǎo)體 有源層。
[0130] 最后、如圖10h所示，在形成上述結(jié)構(gòu)的基板表面制作源漏金屬層，通過一次構(gòu)圖 工藝形成TFT的源級、漏極（圖中未示出）、數(shù)據(jù)線101以及第一跨線1303的圖案。
[0131] 在上述實施例四的基礎(chǔ)上，所述陣列基板的制備方法還可以包括：
[0132] 沿第二方向，在外圍公共電極線02與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)的像素單元01 之間形成多個第四連接部140,用于將外圍公共電極線02與上述公共電極10電連接。
[0133] 如同實施例一的第三連接部130,第四連接部140也可以采用透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0134] 或者，為了提高第四連接部140的導(dǎo)電率，上述第四連接部140還可以由金屬材料 構(gòu)成。例如，在陣列基板包括數(shù)據(jù)線101的情況下，制作第四連接部140的方法，如圖11所 示，可以包括：
[0135] S401、在靠近外圍公共電極線02-側(cè)像素單元01的公共電極10表面，形成與柵 線100同層同材料的第二孤島1041。
[0136] S402、在第二孤島1041的表面形成第二過孔1042。
[0137] S403、在外圍公共電極線02表面形成第三過孔1043。
[0138] S404、在第二過孔1042和第三過孔1043的表面形成與數(shù)據(jù)線101同層同材料的 第二跨線1044。
[0139] 其中，第二孤島1041、第二過孔1042、第三過孔1043以及第二跨線1044構(gòu)成上述 第四連接部140。第二跨線140沿第二方向，通過第二過孔1042、第三過孔1043,將外圍公 共電極線01與靠近外圍公共電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10電連接。
[0140] 其中，第四連接部140的詳細(xì)制作過程可以參考第三連接部130的制作過程，此處 不再贅述。
[0141] 這樣一來，外圍公共電極線02不僅可以向沿第二方向靠近該外圍公共電極線02 一側(cè)像素單元01的公共電極10提供公共電壓Vcom，還可以向沿第一方向靠近該外圍公共 電極線02 -側(cè)像素單元01的公共電極10提供公共電壓Vcom。從而更進一步地提高了輸 入公共電極10電壓的均勻性。解決了上述由于公用電壓Vcom不均勻而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn) 亮度不均或閃爍等等的不良現(xiàn)象的問題。
[0142] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，包括用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個像素單元；其特征 在于，還包括多個第一連接部和第二連接部； 所述第一連接部沿第一方向，設(shè)置于所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線 一側(cè)像素單元的公共電極之間，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接； 所述第二連接部沿所述第一方向，設(shè)置于每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之間， 用于將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板包括柵線情況下， 所述第一連接部、所述第二連接部與所述柵線同層同材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板還包括多個第三連接部，沿第二方向，設(shè)置于兩個相鄰所述像素單元之 間，用于將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線的情況 下， 所述第三連接部包括分別設(shè)置于所述兩個相鄰像素單元的公共電極表面，與所述柵線 同層同材料的第一孤島； 位于所述第一孤島表面的第一過孔； 與所述數(shù)據(jù)線同層同材料的第一跨線； 其中，所述第一跨線沿所述第二方向，通過所述第一過孔，將所述兩個相鄰像素單元的 公共電極電連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 還包括多個第四連接部，沿所述第二方向，設(shè)置于所述外圍公共電極線與靠近所述外 圍公共電極線一側(cè)的像素單元的公共電極之間，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電 極電連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線的情況 下， 所述第四連接部包括設(shè)置于靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極表面， 與所述柵線同層同材料的第二孤島； 位于所述第二孤島表面的第二過孔以及位于所述外圍公共電極線表面的第三過孔； 與所述數(shù)據(jù)線同層同材料的第二跨線； 其中，所述第二跨線沿第二方向，通過所述第二過孔、第三過孔，將所述外圍公共電極 線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極電連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一連接部與所述外圍公共電 極線相連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括沿所述第二方向，設(shè)置于所述 外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間的，與所述外圍 公共電極線相連接的附加線； 所述第一連接部與所述附加線相連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一連接部或第二連接部沿所述第二方向的寬度為所述像素單元沿所述第二方 向?qū)挾鹊?/40?1/15。
10. -種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的陣列基板。
11. 一種陣列基板的制備方法，包括制作用于提供公共電壓的外圍公共電極線和多個 像素單元的方法；其特征在于，還包括： 沿第一方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共 電極之間形成第一連接部，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連接； 沿所述第一方向，在每兩個相鄰所述像素單元的公共電極之間形成第二連接部，用于 將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括 柵線的情況下， 所述第一連接部和所述第二連接部與所述柵線同層同材料形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括： 沿第二方向，在兩個相鄰所述像素單元之間形成多個第三連接部，用于將所述兩個相 鄰像素單元的公共電極電連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括 數(shù)據(jù)線的情況下，制作所述第三連接部的方法包括： 在所述兩個相鄰像素電極的公共電極的表面，分別形成與所述柵線同層同材料的第一 孤島； 在所述第一孤島的表面形成第一過孔； 在所述第一過孔的表面形成與所述陣列基板的數(shù)據(jù)線同層同材料的第一跨線； 其中，所述第一孤島、所述第一過孔以及所述第一跨線構(gòu)成所述第三連接部；所述第一 跨線沿第二方向，通過所述第一過孔，將所述兩個相鄰像素單元的公共電極電連接。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括： 沿所述第二方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)的像素單 元的公共電極之間形成多個第四連接部，用于將所述外圍公共電極線與所述公共電極電連 接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括 所述數(shù)據(jù)線的情況下，制作所述第四連接部的方法包括： 在靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極表面，形成與所述柵線同層同材 料的第二孤島； 在所述第二孤島的表面形成第二過孔； 在所述外圍公共電極線表面形成第三過孔； 在所述第二過孔和所述第三過孔的表面形成與所述數(shù)據(jù)線同層同材料的第二跨線； 其中，所述第二孤島、所述第二過孔、所述第三過孔以及所述第二跨線構(gòu)成所述第四連 接部；所述第二跨線沿第二方向，通過所述第二過孔、所述第三過孔，將所述外圍公共電極 線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極電連接。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述外圍公共 電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間形成第一連接部的方法 包括： 在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間形 成與所述外圍公共電極線相連接的所述第一連接部。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述外圍公共 電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共電極之間形成第一連接部的方法 包括： 沿第二方向，在所述外圍公共電極線與靠近所述外圍公共電極線一側(cè)像素單元的公共 電極之間，形成與所述外圍公共電極線相連接的附加線； 在所述附加線與靠近所述附加線一側(cè)像素單元的公共電極之間形成與所述附加線相 連接的所述第一連接部。
【文檔編號】G02F1/1345GK104216183SQ201410431286
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月28日
【發(fā)明者】馮偉 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
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