一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠直接對像素電極進行測試。該陣列基板，包括顯示區(qū)域，該顯示區(qū)域包括多個像素單元，像素單元又包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域包括薄膜晶體管，第二區(qū)域包括像素電極。其中，多個第一區(qū)域中的至少一個為測試區(qū)域，在此情況下，第一區(qū)域還可以包括位于薄膜晶體管漏極表面的測試層。在測試時間，測試層與像素電極電連接；在非測試時間，測試層與像素電極絕緣。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。 一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

【背景技術(shù)】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管-液晶顯 示器）作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等 特點，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003] TFT-IXD由陣列基板和彩膜基板構(gòu)成。在陣列基板和彩膜基板中充入液晶，通過控 制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)對光線強弱的控制，然后通過彩膜基板的濾光作用，實現(xiàn)彩色圖像 顯示。其中，陣列基板通過Array(陣列基板制造）工藝制成。在實際生產(chǎn)過程中，陣列基 板會因為其制作環(huán)境或者工藝水平等因素的影響，使其出現(xiàn)Mura(斑痕）、暗點、色差等不 良現(xiàn)象，從而嚴(yán)重影響顯示器件的顯示效果。
[0004] 因此，當(dāng)出現(xiàn)上述不良現(xiàn)象時，可以通過探針對陣列基板上的像素電極進行檢測。 然而當(dāng)像素電極并非位于陣列基板各個層級結(jié)構(gòu)中的最上端時，探針無法對像素電極直接 進行測試?，F(xiàn)有技術(shù)中，可以對位于顯示面板周邊區(qū)域的測試端口進行測試。然而該測試端 口得到的數(shù)據(jù)并不能直接、真實的反映陣列基板實際的缺陷狀態(tài)，從而降低了測試的精度， 對顯示裝置的質(zhì)量和顯示效果造成不利的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠直接對像素電 極進行測試。
[0006] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] 本發(fā)明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括多 個像素單元，所述像素單元包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括薄膜晶體管，所述 第二區(qū)域包括像素電極；其特征在于，多個所述第一區(qū)域中的至少一個為測試區(qū)域，在此情 況下，所述第一區(qū)域還包括位于所述薄膜晶體管漏極表面的測試層；
[0008] 其中，在測試時間，所述測試層與所述像素電極電連接；
[0009] 在非測試時間，所述測試層與所述像素電極絕緣。
[0010] 本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括形成顯示區(qū)域的方法；所述顯 示區(qū)域包括多個像素單元，所述像素單元包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括薄 膜晶體管，所述第二區(qū)域包括像素電極；其特征在于，當(dāng)多個所述第一區(qū)域中的至少一個為 測試區(qū)域時，形成所述第一區(qū)域的方法包括：
[0011] 在所述薄膜晶體管漏極的表面形成測試層；
[0012] 在測試時間，將所述測試層與所述像素電極電連接；
[0013] 在非測試時間，將所述測試層與所述像素電極絕緣。
[0014] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板，包括顯示 區(qū)域，該顯示區(qū)域包括多個像素單元，像素單元又包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域包括 薄膜晶體管，第二區(qū)域包括像素電極。其中，多個第一區(qū)域中的至少一個為測試區(qū)域，在此 情況下，第一區(qū)域還可以包括位于薄膜晶體管漏極表面的測試層。在測試時間，測試層與像 素電極電連接，以對陣列基板的特性進行測試；在非測試時間，測試層與像素電極絕緣。這 樣一來，可以在不影響陣列基板正常使用的前提下，通過測試探針直接對陣列基板上的像 素電極進行測試，從而能夠保證測試的準(zhǔn)確性，提高測試的精度及顯示產(chǎn)品的質(zhì)量和顯示 效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016] 圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖3為本發(fā)明實施例提供的一種TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0021] 圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制作方法流程圖。

【具體實施方式】
[0022] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0023] 實施例一
[0024] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖1所示，包括顯示區(qū)域200(Active Area, 簡稱AA區(qū)域，即有效顯示區(qū)域），該顯示區(qū)域200包括多個像素單元201 (由橫縱交叉的柵 線2001和數(shù)據(jù)線2002交叉界定而成），像素單元201包括第一區(qū)域211和第二區(qū)域212。 上述第一區(qū)域211包括薄膜晶體管TFT10,第二區(qū)域212包括像素電極30。其中，多個第一 區(qū)域211中的至少一個為測試區(qū)域213 (如圖2所示），在此情況下，第一區(qū)域211還包括位 于TFT10漏極101表面的測試層40。
[0025] 其中，在測試時間，測試層40與像素電極30電連接。這樣一來，測試探針能夠通 過位于鈍化層20表面的過孔50與測試層40相接觸，并對像素電極30進行測試。
[0026] 在非測試時間，測試層40與像素電極30絕緣
[0027] 需要說明的是，上述測試時間具體是指，為了及時發(fā)現(xiàn)陣列基板制作存在的各種 不良，確保陣列基板的質(zhì)量，在Array工藝過程中或在Array工藝之后，需要對TFT陣列基 板的特性進行檢測。具體的，可以采用測試探針對陣列基板上的像素電極進行測試。因此 上述測試時間為測試探針對陣列基板進行特性測試的時間。通過上述測試可以對TFT基板 存在的缺陷例如Mura (斑痕）、暗點等不良現(xiàn)象進行檢出，從而提高顯示裝置的質(zhì)量及其顯 示效果。當(dāng)檢測結(jié)束后，該陣列基板將進入后續(xù)的制作工序以最終形成顯示面板，這時該測 試層40可以與像素電極30絕緣以確保陣列基板可以正常使用，因此，在制作過程中，除了 上述測試時間以外的其它時間為非測試時間。
[0028] 需要說明的是，上述TFT可以如圖3所示，包括依次位于透明基板01表面的柵極 102、柵極絕緣層103、半導(dǎo)體有源層104和摻雜半導(dǎo)體層105,以及位于該摻雜半導(dǎo)體層105 表面的源極106。當(dāng)然上述僅僅是對TFT結(jié)構(gòu)的舉例說明，其他類型的TFT結(jié)構(gòu)在此不再 一一贅述，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0029] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，該陣列基板，包括顯示區(qū)域，該顯示區(qū)域包括多 個像素單元，像素單元又包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域包括薄膜晶體管，第二區(qū)域包 括像素電極。其中，多個第一區(qū)域中的至少一個為測試區(qū)域，在此情況下，第一區(qū)域還可以 包括位于薄膜晶體管漏極表面的測試層。在測試時間，測試層與像素電極電連接，以對陣列 基板的特性進行測試；在非測試時間，測試層與像素電極絕緣。這樣一來，可以在不影響陣 列基板正常使用的前提下，通過測試探針直接對陣列基板上的像素電極進行測試，從而能 夠保證測試的準(zhǔn)確性，提高測試的精度及顯示產(chǎn)品的質(zhì)量和顯示效果。
[0030] 需要說明的是，如圖2所示，與TFT的漏極101相連接的像素電極30可以位于該 TFT10漏極101遠離鈍化層20的一側(cè)表面。這樣一來，像素電極30與TFT10的漏極101連 接處薄膜層的斷差較小，從而可以防止由于薄膜層斷差較大而易造成薄膜層斷裂的現(xiàn)象產(chǎn) 生。
[0031] 實施例二
[0032] 多個上述測試區(qū)域213可以均勻分布于該陣列基板上。例如在陣列基板上均勻分 布16個測試區(qū)域213,每個測試區(qū)域213對應(yīng)一個像素單元201的第一區(qū)域211，則該第一 區(qū)域211中包括位于TFT10漏極101表面的測試層40。其它未設(shè)置測試層40的第一區(qū)域 101不具備測試功能。這樣一來，通過上述16個測試區(qū)域可以對與之相對應(yīng)的像素單元201 中的像素電極30進行測試，并對測試結(jié)果進行對比分析，根據(jù)測試結(jié)果之間的區(qū)別特征對 陣列基板出現(xiàn)的缺陷進行確認。由于，上述測試區(qū)域213均勻分布，因此能夠更好的掌握整 個陣列基板的特性。并且，通過上述測試方法，經(jīng)過多次測試后可以發(fā)現(xiàn)陣列基板上容易出 現(xiàn)缺陷的位置，從而能夠針對性的對生產(chǎn)工藝、環(huán)境等加工條件進行改進。
[0033] 實施例三
[0034] 測試區(qū)域213可以分布于陣列基板的四個角。需要說明的是，上述陣列基板的四 個角，具體是指，假設(shè)陣列基板為矩形，那么上述四個角可以是指該矩形的四個角。其中，陣 列基板的每個角所在區(qū)域?qū)?yīng)至少一個像素單元201。這樣一來，對于一些容易在邊角位置 出現(xiàn)缺陷的陣列基板，可以只對上述容易出現(xiàn)缺陷的位置進行測試，而無需對整個陣列基 板測試。從而能夠減小測試的時間和工序，提高生產(chǎn)效率。
[0035] 或者，
[0036] 上述測試區(qū)域213可以位于陣列基板的中心區(qū)域。其中上述中心區(qū)域只是位于整 個陣列基板中央位置的區(qū)域，該中心區(qū)域包括至少一個像素單元201。由于，采用上述陣列 基板構(gòu)成的顯示面板在顯示的過程中，用戶的視線大多情況下會停留于上述顯示面板的中 央位置。因此，中央位置的顯示缺陷會大大降低顯示效果。所以可以通過將測試區(qū)域213 設(shè)置于陣列基板的中心區(qū)域，以便對上述位置出現(xiàn)的缺陷進行檢出。
[0037] 當(dāng)然上述僅僅是對多個測試區(qū)域213在陣列基板上的分布情況的舉例說明，其它 分布方式在此不再一一贅述，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0038] 進一步地，測試層40可以由金屬氧化物半導(dǎo)體材料例如：IGZ0(In-Ga-Zn-0)、 ITZO (In-Sn-Zn-0)、ITGO (In-Sn-Ga-0)、ZnON、ZnO等構(gòu)成。由于金屬氧化物半導(dǎo)體材料通 過氫化處理后可以成為導(dǎo)體，而通過氧化處理后可以成為絕緣體。因此當(dāng)測試層40采用金 屬氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu)成的情況下，在對陣列基板進行測試時，可以對測試層40進行氫化 處理，以使得測試層40具有導(dǎo)電性能，從而可以通過TFT的漏極101與像素電極30電連接， 以實現(xiàn)測試探針對像素電極30進行直接測試。在非測試時間，可以對測試層40進行氧化 處理，使得測試層40具有絕緣性能，從而能夠保證陣列基板在非測試時間能夠正常使用。
[0039] 進一步地，如圖4所示，公共電極60可以位于鈍化層20的表面。其中，公共 電極60如圖所示為狹縫狀，像素電極30為平板狀，以形成HADS(High Advanced-Super Dimensional Switching,簡稱為HADS，高開口率高級超維場開關(guān)）型顯示裝置。這樣，設(shè)置 于陣列基板上的相互平行的公共電極60和像素電極30,通過該公共電極60和像素電極30 之間的水平電場來驅(qū)動面板內(nèi)切換模式的液晶。水平電場液晶顯示器具有約160°的寬視 角的優(yōu)點。
[0040] 具體的，HADS模式是平面電場寬視角核心技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為：通過同 一平面內(nèi)狹縫電極（公共電極60)邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層（像素 電極30)間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶 分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。HADS模式的開關(guān)技術(shù) 可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、 低色差、無擠壓水波紋（push Mura)等優(yōu)點。
[0041] 本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。具有與本 發(fā)明前述實施例提供的陣列基板相同的有益效果，由于陣列基板在前述實施例中已經(jīng)進行 了詳細說明，此處不再贅述。
[0042] 上述顯示裝置具體至少可以包括液晶顯示裝置和有機發(fā)光二極管顯示裝置，例如 該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能 的產(chǎn)品或者部件。
[0043] 本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括陣列基板。該陣列基板，包括顯示區(qū)域，該 顯示區(qū)域包括多個像素單元，像素單元又包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域包括薄膜晶 體管，第二區(qū)域包括像素電極。其中，多個第一區(qū)域中的至少一個為測試區(qū)域，在此情況下， 第一區(qū)域還可以包括位于薄膜晶體管漏極表面的測試層。在測試時間，測試層與像素電極 電連接，以對陣列基板的特性進行測試；在非測試時間，測試層與像素電極絕緣。這樣一來， 可以在不影響陣列基板正常使用的前提下，通過測試探針直接對陣列基板上的像素電極進 行測試，從而能夠保證測試的準(zhǔn)確性，提高測試的精度及顯示產(chǎn)品的質(zhì)量和顯示效果。
[0044] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括形成顯示區(qū)域200的方法。該 顯示區(qū)域200包括多個像素單元201 (由橫縱交叉的柵線2001和數(shù)據(jù)線2002交叉界定而 成）。像素單元201包括第一區(qū)域211和第二區(qū)域212。上述第一區(qū)域211包括薄膜晶體 管TFT10,第二區(qū)域212包括像素電極30。其中，當(dāng)多個第一區(qū)域211中的至少一個為測試 區(qū)域213時，形成上述第一區(qū)域211的方法，如圖5所示，包括：
[0045] S101、在薄膜晶體管TFT漏極101的表面形成測試層40。
[0046] S102、在測試時間，將測試層40與像素電極30電連接；以使得測試探針能夠?qū)ο?素電極30進行測試。
[0047] S103、在非測試時間，將測試層40與像素電極30絕緣。
[0048] 需要說明的是，上述測試時間具體是指，為了及時發(fā)現(xiàn)陣列基板制作存在的各種 不良，確保陣列基板的質(zhì)量，在Array工藝過程中或在Array工藝之后，需要對TFT陣列基 板的特性進行檢測。具體的，可以采用測試探針對陣列基板上的像素電極進行測試。因此 上述測試時間為測試探針對陣列基板進行特性測試的時間。通過上述測試可以對TFT基板 存在的缺陷例如Mura (斑痕）、暗點等不良現(xiàn)象進行檢出，從而提高顯示裝置的質(zhì)量及其顯 示效果。當(dāng)檢測結(jié)束后，該陣列基板將進入后續(xù)的制作工序以最終形成顯示面板，這時該測 試層40可以與像素電極30絕緣以確保陣列基板可以正常使用，因此，在制作過程中，除了 上述測試時間以外的其它時間為非測試時間。因此，在制作過程中，除了上述測試時間以外 的其它時間為非測試時間。所以，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際生產(chǎn)加工的需要，對上述步 驟S102和步驟S103的順序進行調(diào)整。
[0049] 需要說明的是，在通過上述步驟S101形成測試層40之后，測試工序進行之前，該 陣列基板的制作方法，如圖6所示，可以包括：
[0050] S201、在形成有測試層40圖案的基板表面形成鈍化層20的圖案。
[0051] S202、在鈍化層20圖案的表面對應(yīng)測試層40圖案的位置通過構(gòu)圖工藝形成過孔 50 〇
[0052] 需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及 刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包 括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。可根據(jù)本 發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0053] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管TFT的方法還 包括在顯示區(qū)域的方法。該顯示區(qū)域包括多個像素單元。像素單元包括第一區(qū)域和第二區(qū) 域。上述第一區(qū)域包括薄膜晶體管，第二區(qū)域包括像素電極。其中，當(dāng)多個第一區(qū)域中的至 少一個為測試區(qū)域時，形成上述第一區(qū)域的方法包括：在薄膜晶體管漏極的表面形成測試 層。在測試時間，將測試層與像素電極電連接，以對陣列基板的特性進行測試；在非測試時 間，將測試層與像素電極絕緣。這樣一來，可以在不影響陣列基板正常使用的前提下，通過 測試探針直接對陣列基板上的像素電極進行測試，從而能夠保證測試的準(zhǔn)確性，提高測試 的精度及顯示產(chǎn)品的質(zhì)量和顯示效果。
[0054] 進一步地，測試層40由金屬氧化物半導(dǎo)體材料例如：IGZ0 (In-Ga-Zn-Ο)、 ITZO(In-Sn-Zn-O)、ITG0(In-Sn-Ga-0)、Ζη0Ν、Ζη0等構(gòu)成。這樣一來，金屬氧化物半導(dǎo)體材 料通過氫化處理后可以成為導(dǎo)體，而通過氧化處理后可以成為絕緣體。從而可以在不同的 制作階段（測試時間或非測試時間）對金屬氧化物半導(dǎo)體材料進行相對應(yīng)的工藝處理，以 滿足制作需要。
[0055] 進一步地，當(dāng)測試層40由金屬氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu)成時，上述步驟S102可以包 括：
[0056] 對測試層40進行氫化處理，以使得測試層40具有導(dǎo)電性能，從而可以通過TFT的 漏極101與像素電極30電連接，以實現(xiàn)測試探針對像素電極30進行直接測試。
[0057] 進一步地，當(dāng)測試層40由金屬氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu)成時，上述步驟S103可以包 括：
[0058] 對測試層40進行氧化處理，使得測試層40具有絕緣性能，從而能夠保證陣列基板 在非測試時間能夠正常使用。
[0059] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括多個像素單元，所述像素單元包括 第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括薄膜晶體管，所述第二區(qū)域包括像素電極；其特征 在于，多個所述第一區(qū)域中的至少一個為測試區(qū)域，在此情況下，所述第一區(qū)域還包括位于 所述薄膜晶體管漏極表面的測試層； 其中，在測試時間，所述測試層與所述像素電極電連接； 在非測試時間，所述測試層與所述像素電極絕緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，多個所述測試區(qū)域均勻分布。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述測試區(qū)域分布于所述陣列基板 的四個角。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的陣列基板，其特征在于，所述測試區(qū)域位于所述陣列基板 的中心區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述測試層由金屬氧化物半導(dǎo)體材 料構(gòu)成。
6. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7. -種陣列基板的制作方法，包括形成顯示區(qū)域的方法；所述顯示區(qū)域包括多個像素 單元，所述像素單元包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括薄膜晶體管，所述第二區(qū) 域包括像素電極；其特征在于，當(dāng)多個所述第一區(qū)域中的至少一個為測試區(qū)域時，形成所述 第一區(qū)域的方法包括： 在所述薄膜晶體管漏極的表面形成測試層； 在測試時間，將所述測試層與所述像素電極電連接； 在非測試時間，將所述測試層與所述像素電極絕緣。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述測試層由金屬氧化 物半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在測試時間，將所述 測試層與所述像素電極電連接的方法包括： 對所述測試層進行氫化處理，以使得所述測試層具有導(dǎo)電性能。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在非測試時間，將 所述測試層與所述像素電極絕緣的方法包括： 對所述測試層進行氧化處理，以使得所述測試層具有絕緣性能。
【文檔編號】G02F1/1368GK104091804SQ201410267799
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月16日
【發(fā)明者】黎午升, 曹占鋒 申請人:京東方科技集團股份有限公司