一種狹縫電極、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種狹縫電極、陣列基板及顯示裝置，用以提供一種新型的狹縫電極，以解決現(xiàn)有狹縫電極的工藝能力較低的問題。本發(fā)明提供的狹縫電極包括：至少一個狹縫電極單元，所述狹縫電極單元包括多個條狀電極，相鄰兩個條狀電極之間具有狹縫；其中，每一條狀電極具有一設(shè)定平均寬度，所述狹縫電極單元中的至少兩個條狀電極的平均寬度不相等。
【專利說明】一種狹縫電極、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種狹縫電極、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-1XD)的顯示模式主要有扭曲向列(Twisted Nematic, TN)模式、垂直取向(VerticalAlignment, VA)模式、平面方向轉(zhuǎn)換(In-Plane-Switching, IPS)模式和高級超維場轉(zhuǎn)換(ADvanced Super Dimension Switch, ADS)模式或其改進技術(shù)等。
[0003]無論哪一種模式的薄膜晶體管液晶顯示器，顯示原理為像素電極和公共電極之間形成電場，電場驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)實現(xiàn)圖像的明暗顯示。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)為了降低像素電極和公共電極正對交疊面之間的電容，將像素電極和/或公共電極制作為狹縫電極，以減少像素電極和公共電極之間的正對交疊面，并且還能夠提高像素的光透過率。
[0005]以像素電極為例說明，參見圖1，為現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電極10 ；
[0006]像素電極10設(shè)置有多個狹縫，相鄰狹縫之間的條狀電極100為條狀電極，條狀電極100的寬度一致均為d。制作圖1所示的像素電極10的工藝能力較低。即工序呈穩(wěn)定狀態(tài)時加工精度降低，制作的產(chǎn)品不良率較高。
[0007]通過軟件模擬結(jié)果可知，本發(fā)明實施例提供的狹縫電極，工藝能力較高。所謂工藝能力就是指生產(chǎn)工序在一定時間內(nèi)處于穩(wěn)定狀態(tài)下的實際加工能力。它反映某一工藝在穩(wěn)定狀態(tài)下，所加工的產(chǎn)品質(zhì)量特性值的總體離散程度。產(chǎn)品質(zhì)量是工藝能力的綜合反映。也就是說在操作者、機器設(shè)備、原材料、操作方法、測量方法和環(huán)境等標(biāo)準(zhǔn)條件下，工序呈穩(wěn)定狀態(tài)時所具有的加工精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明實施例提供了一種狹縫電極、陣列基板及顯示裝置，用以提供一種新型的狹縫電極，以解決現(xiàn)有狹縫電極的工藝能力較低的問題。
[0009]本發(fā)明實施例提供的一種狹縫電極，包括:至少一個狹縫電極單元，所述狹縫電極單元包括多個條狀電極，相鄰兩個條狀電極之間具有狹縫；
[0010]其中，每一條狀電極具有一設(shè)定平均寬度，所述狹縫電極單元中的至少兩個條狀電極的平均寬度不相等。
[0011]較佳地，所述狹縫電極單元中任意兩個條狀電極的所述平均寬度不相等，各條狀電極的平均寬度按照排列次序遞增或遞減；相鄰兩個條狀電極的平均寬度的差值相等。
[0012]較佳地，所述狹縫電極單元中的各條狀電極的平均寬度范圍為2?4μ m。
[0013]較佳地，所述條狀電極的寬度處處相等，或者所述條狀電極的寬度按照自身的延伸方向遞增或遞減。
[0014]較佳地，所述狹縫電極包括兩個狹縫電極單元，兩個狹縫電極單元上的條狀電極呈鏡像分布。
[0015]較佳地，所述狹縫電極單元中的各條狀電極的延伸方向相互平行，或者相鄰兩個條狀電極的延伸方向具有設(shè)定夾角。
[0016]較佳地，相鄰兩個條狀電極的延伸方向具有設(shè)定夾角；
[0017]具體為:所述狹縫電極單元中包括沿第一方向延伸的條狀電極組成的第一條狀電極組，和沿第二方向延伸的條狀電極組成的第二條狀電極組；所述第一條狀電極組和第二條狀電極組中的條狀電極間隔排列。
[0018]較佳地，所述狹縫電極包括兩個狹縫電極單元，所述狹縫電極單元中的各條狀電極的延伸方向相互平行；
[0019]所述兩個狹縫電極單元，其中之一的各條狀電極沿第一方向延伸，另一的各條狀電極沿第二方向延伸。
[0020]較佳地，所述第一方向的條狀電極和第二方向的條狀電極之間的夾角為3?20。。
[0021]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括:呈行列分布的亞像素單元，所述亞像素單元包括相互絕緣的公共電極和像素電極，所述公共電極和像素電極至少之一為上述任一方式提供的狹縫電極。
[0022]較佳地，所述公共電極和像素電極位于不同層，二者之間通過絕緣層相絕緣。
[0023]較佳地，所述公共電極和像素電極為狹縫電極；所述公共電極中的條狀電極和像素電極中的條狀電極在垂直方向上的投影間隔排列，二者之間無重疊區(qū)域。
[0024]較佳地，所述公共電極和像素電極同層設(shè)置，公共電極中的條狀電極和像素電極中的條狀電極間隔排列。
[0025]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括所述任一方式的陣列基板。
[0026]本發(fā)明實施例提供的一種狹縫電極，包括:至少一個狹縫電極單元，所述狹縫電極單元包括多個條狀電極，相鄰兩個條狀電極之間具有狹縫；其中，每一條狀電極具有一設(shè)定平均寬度，所述狹縫電極單元中的至少兩個條狀電極的平均寬度不相等，這樣的設(shè)置方式可以提高制作狹縫電極的精度范圍，提高狹縫電極的工藝能力。在制作所述狹縫電極時，由于其制作過程中的精度范圍較寬，狹縫電極的工藝能力較高，制作狹縫電極時的良品率較聞。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電極結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明實施例提供的狹縫電極結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0029]圖3為本發(fā)明實施例提供的狹縫電極結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0030]圖4為本發(fā)明實施例提供的實施例和比較例對應(yīng)的產(chǎn)品良品率與條狀電極線寬關(guān)系圖；
[0031]圖5為本發(fā)明實施例提供的狹縫電極結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0032]圖6為本發(fā)明實施例提供的狹縫電極結(jié)構(gòu)示意圖之四；
[0033]圖7為本發(fā)明實施例提供的顯示裝置中像素電極和公共電極的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0034]圖8為圖7所示的像素電極和公共電極在AA向的截面圖；[0035]圖9為本發(fā)明實施例提供的顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0036]圖10為圖9在BB向的截面圖之一；
[0037]圖11為本發(fā)明實施例提供的顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0038]圖12為圖9在BB向的截面圖之二。
【具體實施方式】
[0039]本發(fā)明實施例提供了一種狹縫電極、陣列基板及顯示裝置，用以提供一種新型的狹縫電極，以解決現(xiàn)有狹縫電極的工藝能力較低的問題。
[0040]以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案進行說明。
[0041]參見圖2和圖3，本發(fā)明實施例提供的狹縫電極，包括:
[0042]至少一個狹縫電極單元1，狹縫電極單元I包括:
[0043]多個條狀電極11，相鄰兩個條狀電極11之間具有狹縫；
[0044]其中，每一條狀電極11具有一設(shè)定平均寬度，每一狹縫電極單元I中的至少兩個條狀電極11的平均寬度不相等。
[0045]圖2所示的狹縫電極包括一個狹縫電極單元I ;圖3所示的狹縫電極包括兩個狹縫電極單元I。
[0046]由圖2和圖3任一所示的狹縫電極可知，條狀電極11的平均寬度不完全相等。也就是說，至少有兩條條狀電極平均寬度不相等，其中之一的平均寬度為第一平均寬度，另一條的平均寬度為第二平均寬度。
[0047]本發(fā)明所述狹縫電極單元中的至少兩個條狀電極的平均寬度不相等，這樣的設(shè)置方式可以提高制作狹縫電極的精度范圍，提高狹縫電極的工藝能力。在制作所述狹縫電極時，由于其制作過程中的精度范圍較寬，狹縫電極的工藝能力較高，制作狹縫電極時的良品
率較高。
[0048]為了說明本發(fā)明提供的狹縫電極較高的工藝能力，本發(fā)明通過模擬軟件做了測試。以狹縫電極為像素電極為例，設(shè)計了兩種結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板，對應(yīng)下述實施例和比較例；
[0049]實施例:液晶顯示面板滿足:每一條狀電極的平均寬度與其他任一條狀電極的平均寬度不相等，液晶顯示面板除像素電極之外的其他結(jié)構(gòu)與比較例中的液晶顯示面板結(jié)構(gòu)相同；條狀電極的寬度按照排列順序依次為:2.2 μ m>2.4μ m>2.6 μ m>2.8 μ m>3.0 μ m。
[0050]比較例:液晶顯示面板滿足:每一條狀電極的平均寬度與其他任一條狀電極的平均寬度相等。
[0051]實施例和比較例中的狹縫電極的工藝能力做了模擬測試，對狹縫電極的光線透過率、與公共電極之間的電容存儲率做了模擬測試，得到的模擬測試結(jié)構(gòu)如下表一。
[0052]表一:狹縫電極的工藝能力、光線透過率、和電容存儲率模擬結(jié)果。
[0053]
【權(quán)利要求】
1.一種狹縫電極,其特征在于,包括:至少一個狹縫電極單元，所述狹縫電極單元包括多個條狀電極，相鄰兩個條狀電極之間具有狹縫； 其中，每一條狀電極具有一設(shè)定平均寬度，所述狹縫電極單元中的至少兩個條狀電極的平均寬度不相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的狹縫電極，其特征在于，所述狹縫電極單元中任意兩個條狀電極的所述平均寬度不相等，各條狀電極的平均寬度按照排列次序遞增或遞減。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的狹縫電極，其特征在于，相鄰兩個條狀電極的平均寬度的差值相等；所述狹縫電極單元中的各條狀電極的平均寬度范圍為2?4μπι。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的狹縫電極，其特征在于，所述條狀電極的寬度處處相等，或者所述條狀電極的寬度按照自身的延伸方向遞增或遞減。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的狹縫電極，其特征在于，所述狹縫電極包括兩個狹縫電極單元，兩個狹縫電極單元上的條狀電極呈鏡像分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5任一所述的狹縫電極，其特征在于，所述狹縫電極單元中的各條狀電極的延伸方向相互平行，或者相鄰兩個條狀電極的延伸方向具有設(shè)定夾角。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的狹縫電極，其特征在于，相鄰兩個條狀電極的延伸方向具有設(shè)定夾角； 具體為:所述狹縫電極單元中包括沿第一方向延伸的條狀電極組成的第一條狀電極組，和沿第二方向延伸的條狀電極組成的第二條狀電極組； 所述第一條狀電極組和第二條狀電極組中的條狀電極間隔排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的狹縫電極，其特征在于，所述狹縫電極包括兩個狹縫電極單元，所述狹縫電極單元中的各條狀電極的延伸方向相互平行； 所述兩個狹縫電極單元，其中之一的各條狀電極沿第一方向延伸，另一的各條狀電極沿第二方向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的狹縫電極，其特征在于，所述第一方向的條狀電極和第二方向的條狀電極之間的夾角為3?20°。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括:呈行列分布的亞像素單元，所述亞像素單元包括相互絕緣的公共電極和像素電極，所述公共電極和像素電極至少之一為權(quán)利要求1-9任一權(quán)項所述的狹縫電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極和像素電極位于不同層，二者之間通過絕緣層相絕緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極和像素電極為狹縫電極；所述公共電極中的條狀電極和像素電極中的條狀電極在垂直方向上的投影間隔排列，二者之間無重疊區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極和像素電極同層設(shè)置，公共電極中的條狀電極和像素電極中的條狀電極間隔排列。
14.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10-13任一權(quán)項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1343GK103969897SQ201410158760
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】王強濤, 崔賢植, 方正, 田允允 申請人:京東方科技集團股份有限公司