一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的陣列基板金屬層穩(wěn)定性差的問題。一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的柵金屬層和源漏金屬層，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。
[0003]陣列基板100如圖1所不，包括襯底基板101以及設(shè)置在所述襯底基板101上的柵極102、柵絕緣層103、源極1041、漏極1042、有源半導(dǎo)體層105、像素電極106以及鈍化層107。一般形成柵極102、源極1041和漏極1042的材料主要是銅。隨著顯示器的使用時間加長，襯底基板上的金屬會發(fā)生擴(kuò)散和遷移，金屬層穩(wěn)定性差，進(jìn)而影響器件的穩(wěn)定性，導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，解決了現(xiàn)有的陣列基板金屬層穩(wěn)定性差的問題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的柵金屬層和源漏金屬層，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層。
[0007]可選的，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的上面設(shè)置有柵頂層保護(hù)層和/或源漏頂層保護(hù)層。
[0008]可選的，所述柵底層保護(hù)層、所述柵頂層保護(hù)層、所述源漏底層保護(hù)層以及所述源漏頂層保護(hù)層為單層或多層。
[0009]可選的，所述柵底層保護(hù)層包括:第一柵底層保護(hù)層、第二柵底層保護(hù)層以及第三柵底層保護(hù)層。
[0010]可選的，形成所述第一柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化硅、硅化鉭；
[0011]形成所述第二柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭、硅化鉭以及氮化鉭和硅化鉭的置層材料；
[0012]形成所述第三柵底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；
[0013]形成所述柵金屬層的材料包括:銅以及銅合金。
[0014]可選的，所述第一柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二柵底層保護(hù)層的厚度為1-100納米；所述第三柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。
[0015]可選的，所述柵頂層保護(hù)層包括:第一柵頂層保護(hù)層以及第二柵頂層保護(hù)層。
[0016]可選的，形成所述柵金屬層的材料包括:銅以及銅合金；
[0017]形成所述第一柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；
[0018]形成所述第二柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
[0019]可選的，所述第一柵頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米；所述第二柵頂層保護(hù)層的厚度為1-100納米。
[0020]可選的，所述源漏底層保護(hù)層包括:第一源漏底層保護(hù)層、第二源漏底層保護(hù)層以及第三源漏底層保護(hù)層。
[0021]可選的，形成所述第一源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鎵、氮氧化鎵、氮化鋅、氮氧化鋅、氮化銦、氮氧化銦、氮化錫、氮氧化錫以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料；
[0022]形成所述第二源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭；
[0023]形成所述第三源漏底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；
[0024]形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金。
[0025]可選的，所述第一源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-100納米所述第三源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。
[0026]可選的，所述源漏頂層保護(hù)層包括:第一源漏頂層保護(hù)層以及第二源漏頂層保護(hù)層。
[0027]可選的，形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金；
[0028]形成所述第一源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；
[0029]形成所述第二源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
[0030]可選的，所述第一源漏頂層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米。
[0031]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上形成柵金屬層以及在襯底基板上形成源漏金屬層，所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層；
[0032]所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。
[0033]可選的，所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層；
[0034]所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層。
[0035]可選的，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層具體包括:
[0036]在襯底基板上依次形成第一柵底層保護(hù)薄膜、第二柵底層保護(hù)薄膜、第三柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜；[0037]通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一柵底層保護(hù)層。第二柵底層保護(hù)層、第三柵底層保護(hù)層以及柵金屬層。
[0038]可選的，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層包括:
[0039]在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一柵頂層保護(hù)薄膜、第二柵頂層保護(hù)薄膜；
[0040]通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及第一柵頂層保護(hù)層以及第二柵頂層保護(hù)層。
[0041]可選的，所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層具體包括:
[0042]在襯底基板上依次形成第一源漏底層保護(hù)薄膜、第二源漏底層保護(hù)薄膜、第三源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜；
[0043]通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一源漏底層保護(hù)層。第二源漏底層保護(hù)層、第三源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。
[0044]可選的，所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層具體包括:
[0045]在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一源漏頂層保護(hù)薄膜以及第二源漏頂層保護(hù)薄膜；
[0046]通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及第一源漏頂層保護(hù)層和第二源漏頂層保護(hù)層。
[0047]本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的陣列基板。
[0048]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的柵金屬層和源漏金屬層，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層，通過所述柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層可以有效的穩(wěn)定金屬層的穩(wěn)定性，提高顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0049]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；
[0050]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種柵極結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種源極結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層的方法示意圖；
[0053]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層的方法示意圖；
[0054]圖6為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層的方法示意圖；[0055]圖7為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層的方法示意圖；
[0056]圖8為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法示意圖。
[0057]附圖標(biāo)記:
[0058]11-第一柵底層保護(hù)層；12_第二柵底層保護(hù)層；13_第三柵底層保護(hù)層；21_第一柵頂層保護(hù)層；22_第二柵頂層保護(hù)層；31_第一源漏底層保護(hù)層；32_第二源漏底層保護(hù)層；33_第三源漏底層保護(hù)層；41_第一源漏頂層保護(hù)層；42_第二源漏頂層保護(hù)層；100_陣列基板；101-襯底基板；102-柵極；103-柵絕緣層；1041-源極；1042-漏極；105-有源半導(dǎo)體層；106-像素電極；107_鈍化層。
【具體實施方式】
[0059]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0060]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的柵金屬層和源漏金屬層，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層。
[0061]需要說明的是，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層，可以是柵金屬層或源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層或源漏底層保護(hù)層，可以是僅在柵金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層，或者僅在源漏金屬層的下面設(shè)置有源漏底層保護(hù)層，還可以是在柵金屬層和源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和源漏底層保護(hù)層。
[0062]所述保護(hù)層主要用于避免金屬層中的金屬擴(kuò)散和遷移，進(jìn)而提升金屬層的穩(wěn)定性。另外，柵金屬層的下面設(shè)置的柵底層保護(hù)層還可以進(jìn)一步避免柵金屬層直接形成在襯底基板上而容易脫落的問題。源漏金屬層的下面設(shè)置有源漏底層保護(hù)層可以防止源漏金屬層的金屬擴(kuò)散到有源層，進(jìn)一步提升器件的質(zhì)量。
[0063]需要說明的是，陣列基板上柵極、源極和漏極是薄膜晶體管的三個電極，根據(jù)電極的位置關(guān)系將薄膜晶體管分為兩類。一類是柵極位于源極和漏極的下面，這類稱之為底柵型薄膜晶體管；一類是柵極位于源極和漏極的上面，這類稱之為頂柵型薄膜晶體管。本發(fā)明實施例中僅以底柵型薄膜晶體管為例，頂柵型薄膜晶體管可以參照本發(fā)明中的實施例，在這里就不作贅述。
[0064]另外，陣列基板上除了柵金屬層和源漏金屬層之外，還包括其他的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例僅列舉與本發(fā)明的發(fā)明點相關(guān)的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)的設(shè)置在這里不作贅述，參考現(xiàn)有的陣列基板的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)即可。
[0065]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的柵金屬層和源漏金屬層，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層，通過所述柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層可以有效的穩(wěn)定金屬層的穩(wěn)定性，提高顯示效果。[0066]可選的，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的上面設(shè)置有柵頂層保護(hù)層和/或源漏頂層保護(hù)層。
[0067]具體的，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的上面設(shè)置有柵頂層保護(hù)層和/或源漏頂層保護(hù)層可以是柵金屬層或源漏金屬層的上面設(shè)置有柵頂層保護(hù)層和/或源漏頂層保護(hù)層，可以是僅在柵金屬層的上面設(shè)置有柵頂層保護(hù)層，或者僅在源漏金屬層的上面設(shè)置有源漏頂層保護(hù)層，還可以是在柵金屬層和源漏金屬層的上面設(shè)置有柵頂層保護(hù)層和源漏頂層保護(hù)層。
[0068]所述柵頂層保護(hù)層和所述源漏頂層保護(hù)層可用于進(jìn)一步在柵金屬層以及源漏金屬層的上面形成保護(hù)層。
[0069]可選的，所述柵底層保護(hù)層、所述柵頂層保護(hù)層、所述源漏底層保護(hù)層以及所述源漏頂層保護(hù)層為單層或多層。
[0070]即所述柵底層保護(hù)層、所述柵頂層保護(hù)層、所述源漏底層保護(hù)層以及所述源漏頂層保護(hù)層可以是一層薄膜形成的保護(hù)層，也可以是由多層薄膜形成的保護(hù)層。具體的，當(dāng)柵金屬層或源漏金屬層的底層或頂層保護(hù)層包括多層時，使得與柵金屬層或源漏金屬層相近的保護(hù)層的材料的特性與柵金屬層或源漏金屬層的材料的特性相同或相近，與柵金屬層或源漏金屬層相對較遠(yuǎn)的保護(hù)層的材料的特性與柵金屬層或源漏金屬層的相鄰的材料特性相同或相近。
[0071]可選的，如圖2所示，所述柵底層保護(hù)層包括:第一柵底層保護(hù)層11、第二柵底層保護(hù)層12以及第三柵底層保護(hù)層13。需要說明的是，如圖2所示，以柵極102下面的柵底層保護(hù)層包括:第一柵底層保護(hù)層11、第二柵底層保護(hù)層12以及第三柵底層保護(hù)層13為例進(jìn)行詳細(xì)說明，其中柵極102的形狀僅以附圖所示為例。
[0072]可選的，如圖2所示，形成所述第一柵底層保護(hù)層11的材料包括:氮化硅、硅化鉭；形成所述第二柵底層保護(hù)層12的材料包括:氮化鉭、硅化鉭以及氮化鉭和硅化鉭的疊層材料；形成所述第三柵底層保護(hù)層13的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；形成所述柵金屬層102的材料包括:銅以及銅合金。
[0073]需要說明的是，形成柵金屬層的材料為銅以及銅合金，當(dāng)然還可以是其他金屬或金屬的合金材料，本發(fā)明實施例僅以形成柵金屬層的材料為銅以及銅合金為例進(jìn)行詳細(xì)說明。且形成第一柵底層保護(hù)層的材料還可以是與氮化硅、硅化鉭的性質(zhì)相同或相近的其他無機絕緣材料。形成第二柵底層保護(hù)層的材料中氮化鉭、硅化鉭以及氮化鉭和硅化鉭的疊層材料的鉭元素還可以是W、Zr、Nb、Cu、V、N1、Cr、Hf、Rh、Co、Pd、Pt、Al、Me等，還可以是采用與上述物質(zhì)特性相同或相近的其他金屬。
[0074]可選的，所述第一柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二柵底層保護(hù)層的厚度為1-100納米；所述第三柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。且一般情況下，所述柵金屬層的厚度為100-700納米。
[0075]可選的，如圖2所示，所述柵頂層保護(hù)層包括:第一柵頂層保護(hù)層21以及第二柵頂層保護(hù)層22。需要說明的是，如圖2所示，本發(fā)明實施例及附圖僅以柵極102上的柵頂層保護(hù)層包括:第一柵頂層保護(hù)層21以及第二柵頂層保護(hù)層22為例進(jìn)行詳細(xì)說明，其中柵極102的形狀僅以附圖所示為例。
[0076]可選的，如圖2所示，形成所述柵金屬層102的材料包括:銅以及銅合金；形成所述第一柵頂層保護(hù)層21的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；
[0077]形成所述第二柵頂層保護(hù)層22的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
[0078]另外需要說明的是，形成第二柵頂層保護(hù)層的材料中Mo-S1-N中的Si還可以是被N、Al、Cu、W、Zr、V、Ta、N1、Cr、Co、Pd、Pt、Hf、Rh、Me、Ti 等材料所代替。其中 N 元素可以被Cl、P等元素特性相同或相近的元素所代替。本發(fā)明實施例僅列舉部分材料為例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0079]可選的，所述第一柵頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米；所述第二柵頂層保護(hù)層的厚度為ι-loo納米。
[0080]可選的，如圖3所示，所述源漏底層保護(hù)層包括:第一源漏底層保護(hù)層31、第二源漏底層保護(hù)層32以及第三源漏底層保護(hù)層33。需要說明的是，源漏金屬層包括源極和漏極，本發(fā)明附圖中如圖3所示，僅以源極1041下面設(shè)置有源漏底層保護(hù)層為例，漏極下面的源漏底層保護(hù)層與源極相同。如圖3所示，源極下面的源漏底層保護(hù)層包括:第一源漏底層保護(hù)層31、第二源漏底層保護(hù)層32以及第三源漏底層保護(hù)層33為例進(jìn)行詳細(xì)說明，其中源極1041的形狀僅以附圖所示為例。
[0081]可選的，如圖3所示，形成所述第一源漏底層保護(hù)層31的材料包括:氮化鎵、氮氧化鎵、氮化鋅、氮氧化鋅、氮化銦、氮氧化銦、氮化錫、氮氧化錫以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料；形成所述第二源漏底層保護(hù)層32的材料包括:氮化鉭；形成所述第三源漏底層保護(hù)層的材料33包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；形成所述源漏金屬層(即源極1041)的材料包括:銅以及銅合金。
[0082]需要說明的是，形成源漏金屬層的材料還可以是其他金屬或金屬的合金材料，本發(fā)明實施例僅以形成源漏金屬層的材料為銅以及銅合金為例進(jìn)行詳細(xì)說明。且各保護(hù)層的材料也不局限于上述材料，還可以是與上述材料的特性相同或相近的其他材料。
[0083]可選的，所述第一源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-100納米，所述第三源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。且一般情況下，所述源漏金屬層的厚度為100-700納米。
[0084]可選的，如圖3所示，所述源漏頂層保護(hù)層包括:第一源漏頂層保護(hù)層41以及第二源漏頂層保護(hù)層42。需要說明的是，如圖2所示，本發(fā)明實施例及附圖僅以源極1041上的源漏頂層保護(hù)層包括:第一源漏頂層保護(hù)層41以及第二源漏頂層保護(hù)層42為例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0085]可選的，如圖3所示，形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金；形成所述第一源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；形成所述第二源漏頂層保護(hù)層的材料包括:娃化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
[0086]需要說明的是，形成第二源漏頂層保護(hù)層的材料中Mo-S1-N中的Si還可以是被N、Al、Cu、W、Zr、V、Ta、N1、Cr、Co、Pd、Pt、Hf、Rh、Me、Ti等材料所代替。本發(fā)明實施例僅列舉部分材料為例進(jìn)行詳細(xì)說明。其中，TaxNy(硅化鉭)中的X可以為l_3，y可以為1-5。
[0087]可選的，所述第一源漏頂層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米。[0088]本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、電子紙、OLED(Organic Light-Emitting Diode (有機發(fā)光二極管鑰顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0089]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上形成柵金屬層以及在襯底基板上形成源漏金屬層，所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層；和/或
[0090]所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。
[0091]需要說明的是，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層；則形成的陣列基板上的柵金屬層的下面形成有柵底層保護(hù)層。所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層；則形成的陣列基板上的源漏金屬層的下面形成有源漏底層保護(hù)層。
[0092]所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層；和/或所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。即可以是所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層。即形成的陣列基板上僅在柵金屬層下面形成有柵底層保護(hù)層，源漏金屬層與現(xiàn)有的相同。
[0093]還可以是所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。即形成的陣列基板上僅在源漏金屬層下面設(shè)置有源漏底層保護(hù)層，柵金屬層與現(xiàn)有的相同。
[0094]還可以是所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層；同時，所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。則形成的陣列基板上的柵金屬層設(shè)置有柵底層保護(hù)層，且源漏金屬層的下面設(shè)置有源漏底層保護(hù)層。
[0095]另外，陣列基板上除了形成柵金屬層和源漏金屬層之外，還包括形成其他的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例僅列舉與本發(fā)明的發(fā)明點相關(guān)的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)的設(shè)置在這里不作贅述，參考現(xiàn)有的陣列基板的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)即可。
[0096]所謂“構(gòu)圖工藝”是將薄膜形成包含至少一個圖案的層的工藝；而構(gòu)圖工藝通常包含:在薄膜上涂膠，利用掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，再利用顯影液將需去除的光刻膠沖蝕掉，再刻蝕掉未覆蓋光刻膠的薄膜部分，最后將剩下的光刻膠剝離。而在本發(fā)明所有實施例中，“一次構(gòu)圖工藝”是指經(jīng)過一次曝光形成所需要的層結(jié)構(gòu)工藝。[0097]可選的，所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層；和/或，
[0098]所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層。
[0099]需要說明的是，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層；即形成的陣列基板上的柵金屬層的下面形成有柵底層保護(hù)層，柵金屬層的上面形成有柵頂層保護(hù)層。所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層。即形成的陣列基板上的源漏金屬層的下面形成有源漏底層保護(hù)層，源漏金屬層的上面形成有源漏頂層保護(hù)層。
[0100]所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層；和/或，
[0101]所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層。即可以是所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層。則形成的陣列基板上僅在柵金屬層下面形成有柵底層保護(hù)層，柵金屬層的上面形成有柵頂層保護(hù)層，源漏金屬層與現(xiàn)有的相同。
[0102]還可以是所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層。即可以是形成的陣列基板上的源漏金屬層的底下形成有源漏底層保護(hù)層，源漏金屬層的上面形成有源漏頂層保護(hù)層，且柵金屬層與現(xiàn)有的相同。
[0103]還可以是所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層；同時，所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層。即形成的陣列基板上的柵金屬層的下面形成有柵底層保護(hù)層，柵金屬層的上面形成有柵頂層保護(hù)層，源漏金屬層的下面形成有源漏底層保護(hù)層，源漏金屬層的上面形成有源漏頂層保護(hù)層。且本發(fā)明實施例僅以這一種為例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0104]可選的，如圖4所示，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層具體包括:
[0105]步驟101、在襯底基板上依次形成第一柵底層保護(hù)薄膜、第二柵底層保護(hù)薄膜、第三柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜。
[0106]具體的可以是通過磁控灘射或者是PECVD (Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)在襯底基板上依次形成第一柵底層保護(hù)薄膜、第二柵底層保護(hù)薄膜、第三柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜。其中，形成所述第一柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化硅、硅化鉭；形成所述第二柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭、硅化鉭以及氮化鉭和硅化鉭的疊層材料；形成所述第三柵底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；形成所述柵金屬層的材料包括:銅以及銅合金。
[0107]步驟102、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一柵底層保護(hù)層、第二柵底層保護(hù)層、第三柵底層保護(hù)層以及柵金屬層。
[0108]其中，所述第一柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二柵底層保護(hù)層的厚度為1-100納米；所述第三柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。且一般情況下，所述柵金屬層的厚度為100-700納米。
[0109]可選的，如圖5所示，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層包括:
[0110]步驟201、在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一柵頂層保護(hù)薄膜、第二柵頂層保護(hù)薄膜。
[0111]具體的在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一柵頂層保護(hù)薄膜、第二柵頂層保護(hù)薄膜可以參照上述步驟101。其中，形成所述柵金屬層的材料包括:銅以及銅合金；形成所述第一柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；形成所述第二柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
[0112]步驟202、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及第一柵頂層保護(hù)層以及第二柵頂層保護(hù)層。
[0113]具體的，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層可以參照上述步驟102。所述第一柵頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米；所述第二柵頂層保護(hù)層的厚度為1-100納米。
[0114]可選的，如圖6所示，所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層具體包括:
[0115]步驟301、在襯底基板上依次形成第一源漏底層保護(hù)薄膜、第二源漏底層保護(hù)薄膜、第三源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜。
[0116]具體的在襯底基板上依次形成第一源漏底層保護(hù)薄膜、第二源漏底層保護(hù)薄膜、第三源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜可以參照上述步驟101。其中，形成所述第一源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鎵、氮氧化鎵、氮化鋅、氮氧化鋅、氮化銦、氮氧化銦、氮化錫、氮氧化錫以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料；形成所述第二源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭；形成所述第三源漏底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金。
[0117]步驟302、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一源漏底層保護(hù)層、第二源漏底層保護(hù)層、第三源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。[0118]具體的，所述第一源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-100納米，所述第三源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。且一般情況下，所述源漏金屬層的厚度為100-700納米。
[0119]可選的，如圖7所示，所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層具體包括:
[0120]步驟401、在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一源漏頂層保護(hù)薄膜以及第二源漏頂層保護(hù)薄膜。
[0121]具體的在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一源漏頂層保護(hù)薄膜以及第二源漏頂層保護(hù)薄膜可以參照上述步驟101。其中，形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金；形成所述第一源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；形成所述第二源漏頂層保護(hù)層的材料包括:化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
[0122]步驟402、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及第一源漏頂層保護(hù)層和第二源漏頂層保護(hù)層。
[0123]具體的，所述第一源漏頂層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米。
[0124]下面將列舉一具體的實施例，用以完整的說明形成陣列基板的制作方法，如圖8所示，所述方法包括:
[0125]步驟501、在襯底基板上依次形成第一柵底層保護(hù)薄膜、第二柵底層保護(hù)薄膜、第三柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜、以及第一柵頂層保護(hù)薄膜、第二柵頂層保護(hù)薄膜。
[0126]具體的可以是通過磁控派射或者是PECVD (Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)在襯底基板上依次形成第一柵底層保護(hù)薄膜、第二柵底層保護(hù)薄膜、第三柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一柵頂層保護(hù)薄膜、第二柵頂層保護(hù)薄膜。
[0127]步驟502、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一柵底層保護(hù)層、第二柵底層保護(hù)層、第三柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及第一柵頂層保護(hù)層、第二柵頂層保護(hù)層。
[0128]其中，形成所述第一柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化硅、硅化鉭；形成所述第二柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭、硅化鉭以及氮化鉭和硅化鉭的疊層材料；形成所述第三柵底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；形成所述柵金屬層的材料包括:銅以及銅合金；形成所述第一柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；形成所述第二柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。其中，所述第一柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二柵底層保護(hù)層的厚度為1-100納米；所述第三柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述柵金屬層的厚度為100-700納米；所述第一柵頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米；所述第二柵頂層保護(hù)層的厚度為1-100納米。
[0129]步驟503、在襯底基板上形成柵絕緣層。
[0130]其中，柵極絕緣層的材料包括:二氧化硅，氧化鋁，氧化鈦、氮氧化硅、氧化鋯、氧化鉭、鈦酸鋇、氧化釹、氮氧化硅、氮氧化鋁、氮氧化鋯、氮氧化鉭、氮氧化釹、氮化硅、氮化鋁、氮化鋯以及氮化鉭；還可以與上述各物質(zhì)的材料特性相同或相近的其他無機絕緣材料形成的薄膜。同時本發(fā)明中的柵極絕緣層還可以是上述柵絕緣層半導(dǎo)體中的一種或幾種材料的
疊層材料。
[0131]當(dāng)柵極絕緣層使用一層氮化物或者氮氧化物時，可以結(jié)合退火工藝來對柵極絕緣層進(jìn)行處理。其中，退火溫度為250°C _500°C，時間為10min-200min。柵極絕緣層的厚度為50-600 納米。
[0132]步驟504、在襯底基板上形成氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0133]需要說明的是，有源層可以是金屬氧化物半導(dǎo)體，如IGZO、ITZO、IZO、TZO及其性質(zhì)類似的金屬氧化物，也可以是非晶硅、微晶硅和多晶硅等。本發(fā)明實施例僅以有源層為氧化物半導(dǎo)體有源層為例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0134]其中，在對氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行退火工藝以后，對其進(jìn)行圖形化的處理工藝可以采用濕法、干法或者濕法干法相結(jié)合的蝕刻工藝。
[0135]有源層328的厚度為20-100納米。有源層采用的制作方法是磁控濺射或者PECVD。
[0136]步驟505、在襯底基板上形成刻蝕阻擋層。
[0137]其中，刻蝕阻擋層的材料包括:二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮氧化硅、氧化鋯、氧化鉭、鈦酸鋇、氧化釹、氮氧化娃、氮氧化招、氮氧化錯、氮氧化鉭和氮氧化釹；還可以采用與上述各物質(zhì)的材料特性相同或相近的其他無機絕緣材料形成的薄膜以及上述任意兩種或多種材料的疊層材料。
[0138]刻蝕阻擋層的厚度為50-300納米。刻蝕阻擋層采用的制作方法可以是PECVD或者磁控濺射。
[0139]步驟506、在襯底基板上依次形成第一源漏底層保護(hù)薄膜、第二源漏底層保護(hù)薄膜、第三源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一源漏頂層保護(hù)薄膜、第二源漏頂層保護(hù)薄膜。
[0140]具體的可以是通過磁控灘射或者是PECVD (Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)在襯底基板上依次形成第一源漏底層保護(hù)薄膜、第二源漏底層保護(hù)薄膜、第三源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一源漏頂層保護(hù)薄膜、第二源漏頂層保護(hù)薄膜。
[0141]步驟507、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一源漏底層保護(hù)層、第二源漏底層保護(hù)層、第三源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及第一源漏頂層保護(hù)層、第二源漏頂層保護(hù)層。
[0142]其中，形成所述第一源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鎵、氮氧化鎵、氮化鋅、氮氧化鋅、氮化銦、氮氧化銦、氮化錫、氮氧化錫以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料；形成所述第二源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭；形成所述第三源漏底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料；形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金；形成所述第一源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料；形成所述第二源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
[0143]所述第一源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-100納米；所述第三源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述源漏金屬層的厚度為100-700納米；所述第一源漏頂層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米。
[0144]步驟508、在襯底基板上形成鈍化層。
[0145]其中，鈍化層的材料包括:二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮氧化硅、氧化鋯、氧化鉭、鈦酸鋇、氧化釹膜、氮氧化硅、氮氧化鋁、氮氧化鋯、氮氧化鉭、氮氧化釹、氮化硅、氮化鋁、氮化鋯以及氮化鉭。還可以是與上述各物質(zhì)的材料特性相同或相近的其他無機絕緣材料形成的薄膜。同時本發(fā)明中的鈍化層還可以是上述鈍化層材料中的任意一種或多種材料的疊層材料。鈍化層的材料還可以是上述無機絕緣材料和有機絕緣層材料相結(jié)合，其中，有機材料的包括樹脂系材料或亞克力系材料。
[0146]鈍化層的厚度為100-500納米。鈍化層的制作方法是PECVD或者磁控濺射。
[0147]步驟509、在襯底基板上形成像素電極。
[0148]其材料可以采用銦錫氧化物，并通過濕法刻蝕的方法對其進(jìn)行圖形化。
[0149]需要說明的是，上述陣列基板的制作方法的制作順序也不是確定的，例如上述制作方法僅為底柵類薄膜晶體管的制作方法，還可以根據(jù)上述制作方法制作出頂柵類薄膜晶體管。其具體制作方法可以參照上述制作方法，在這里就不贅述。
[0150]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的柵金屬層和源漏金屬層，其特征在于，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的下面設(shè)置有柵底層保護(hù)層和/或源漏底層保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵金屬層和/或所述源漏金屬層的上面設(shè)置有柵頂層保護(hù)層和/或源漏頂層保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵底層保護(hù)層、所述柵頂層保護(hù)層、所述源漏底層保護(hù)層以及所述源漏頂層保護(hù)層為單層或多層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵底層保護(hù)層包括:第一柵底層保護(hù)層、第二柵底層保護(hù)層以及第三柵底層保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，形成所述第一柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化硅、硅化鉭； 形成所述第二柵底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭、硅化鉭以及氮化鉭和硅化鉭的疊層材料； 形成所述第三柵底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料； 形成所述柵金屬層的材料包括:銅以及銅合金。
6.根據(jù)權(quán)要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二柵底層保護(hù)層的厚度為1-100納米；所述第三柵底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵頂層保護(hù)層包括:第一柵頂層保護(hù)層以及第二柵頂層保護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，形成所述柵金屬層的材料包括:銅以及銅合金； 形成所述第一柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料； 形成所述第二柵頂層保護(hù)層的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
9.根據(jù)權(quán)要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米；所述第二柵頂層保護(hù)層的厚度為1-100納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏底層保護(hù)層包括:第一源漏底層保護(hù)層、第二源漏底層保護(hù)層以及第三源漏底層保護(hù)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，形成所述第一源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鎵、氮氧化鎵、氮化鋅、氮氧化鋅、氮化銦、氮氧化銦、氮化錫、氮氧化錫以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料； 形成所述第二源漏底層保護(hù)層的材料包括:氮化鉭； 形成所述第三源漏底層保護(hù)層的材料包括:鉭、鉭合金以及鉭和鉭合金的疊層材料； 形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金。
12.根據(jù)權(quán)要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述第一源漏保護(hù)層底層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-100納米所述第三源漏底層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏頂層保護(hù)層包括:第一源漏頂層保護(hù)層以及第二源漏頂層保護(hù)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，形成所述源漏金屬層的材料包括:銅以及銅合金； 形成所述第一源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化銅、氮化銅、氮化鉭、硅化鉭以及其中的任意兩種或多種材料的疊層材料，以及鑰、鋁、鈮三種金屬的合金材料； 形成所述第二源漏頂層保護(hù)層的材料包括:硅化鉭、Mo-S1-N形成的復(fù)合材料。
15.根據(jù)權(quán)要求14所述的陣列基板，其特征在于，所述第一源漏頂層保護(hù)層的厚度為0.5-20納米；所述第二源漏頂層保護(hù)層的厚度為1-200納米。
16.一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上形成柵金屬層以及在襯底基板上形成源漏金屬層，其特征在于，所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層； 所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成柵金屬層包括:在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層； 所述在襯底基板上形成源漏金屬層包括:在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層以及柵金屬層具體包括: 在襯底基板上依次形成第一柵底層保護(hù)薄膜、第二柵底層保護(hù)薄膜、第三柵底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜； 通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一柵底層保護(hù)層。第二柵底層保護(hù)層、第三柵底層保護(hù)層以及柵金屬層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及柵頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及柵頂層保護(hù)層包括: 在襯底基板上依次形成柵底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一柵頂層保護(hù)薄膜、第二柵頂層保護(hù)薄膜； 通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵底層保護(hù)層、柵金屬層以及第一柵頂層保護(hù)層以及第二柵頂層保護(hù)層。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層具體包括: 在襯底基板上依次形成第一源漏底層保護(hù)薄膜、第二源漏底層保護(hù)薄膜、第三源漏底層保護(hù)薄膜以及金屬薄膜；通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一源漏底層保護(hù)層。第二源漏底層保護(hù)層、第三源漏底層保護(hù)層以及源漏金屬層。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及源漏頂層保護(hù)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及源漏頂層保護(hù)層具體包括: 在襯底基板上依次形成源漏底層保護(hù)薄膜、金屬薄膜以及第一源漏頂層保護(hù)薄膜以及第二源漏頂層保護(hù)薄膜； 通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏底層保護(hù)層、源漏金屬層以及第一源漏頂層保護(hù)層和第二源漏頂層保護(hù)層。
22.—種顯示 裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-15任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK103943639SQ201410150794
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月15日
【發(fā)明者】袁廣才 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司