基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種基板及其制造方法，以及設(shè)有該基板的顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。解決了現(xiàn)有技術(shù)中的公共金屬層會導(dǎo)致開口率降低的技術(shù)問題。該基板，包括襯底基板，以及形成于所述襯底基板上的黑矩陣和公共金屬層；其中，所述公共金屬層與所述黑矩陣的圖形相同。本發(fā)明可應(yīng)用于液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等顯示裝置。
【專利說明】基板及其制造方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種基板及其制造方法，以及設(shè)有該基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display, TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低、無福射等優(yōu)點,在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]目前的液晶顯示器中，為了降低公共電極的電阻，會在基板中增設(shè)公共金屬層，并使該公共金屬層與公共電極并聯(lián)，以降低公共電極的電阻。但是，本發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:現(xiàn)有技術(shù)中，該公共金屬層通常與薄膜晶體管單元的柵極位于同一層，所以該公共金屬層會阻擋光的射出，導(dǎo)致液晶顯示器的開口率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供了一種基板及其制造方法，以及設(shè)有該基板的顯示裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的公共金屬層會導(dǎo)致開口率降低的技術(shù)問題。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明提供一種基板，包括襯底基板，以及形成于所述襯底基板上的黑矩陣和公共金屬層；其中，所述公共金屬層與所述黑矩陣的圖形相同。
[0007]可選的，所述基板為彩膜基板，所述基板還包括形成于所述襯底基板上的彩膜層。
[0008]或者，所述基板為陣列基板，所述基板還包括形成于所述襯底基板上的薄膜晶體
管單元。
[0009]在一個示例中，所述陣列基板還包括形成于薄膜晶體管單元上方的樹脂層，以及形成于所述樹脂層下方的彩膜層。
[0010]可選的，該陣列基板還包括第一透明電極和第二透明電極；可選的，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極。
[0011]或者，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極。
[0012]本發(fā)明還提供一種基板的制造方法，包括:
[0013]在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，所述黑矩陣和所述公共金屬層的圖形相同。
[0014]進一步，所述制造方法還包括:
[0015]在襯底基板上形成彩膜層的圖形。
[0016]進一步，在所述在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形之前，還包括:
[0017]形成薄膜晶體管單元；
[0018]形成樹脂層的圖形；
[0019]在所述在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形之后，還包括:[0020]形成第一透明電極的圖形；
[0021]形成保護層的圖形；
[0022]形成第二透明電極的圖形。
[0023]進一步，在所述在襯底基板上形成薄膜晶體管單元之后，還包括:
[0024]形成彩膜層的圖形。
[0025]優(yōu)選的，所述形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，具體為:
[0026]形成黑矩陣層；
[0027]利用掩膜版，對所述黑矩陣層進行光刻工藝，形成黑矩陣的圖形；
[0028]形成公共金屬層；
[0029]利用所述掩膜版，對所述公共金屬層進行光刻工藝，形成公共金屬層的圖形。
[0030]或者，所述形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，具體為:
[0031]形成黑矩陣層；
[0032]在所述黑矩陣層上形成公共金屬層；
[0033]利用所述掩膜版，對所述公共金屬層進行光刻工藝，形成公共金屬層的圖形；
[0034]以所述公共金屬層的圖形作為掩膜，對所述黑矩陣層進行灰化工藝，形成黑矩陣的圖形。
[0035]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的基板。
[0036]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點:本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，形成了與黑矩陣的圖形相同的公共金屬層，該公共金屬層與公共電極電連接，因為公共金屬層的材質(zhì)為金屬，所以方塊電阻低，故可降低公共電極的電阻。并且，該公共金屬層與黑矩陣的圖形相同，所以還保持了原有的高開口率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的公共金屬層會導(dǎo)致開口率降低的技術(shù)問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
[0038]圖1為本發(fā)明的實施例1所提供的彩膜基板的示意圖；
[0039]圖2a至圖2d為本發(fā)明的實施例1所提供的彩膜基板的制造過程的示意圖；
[0040]圖3a至圖3d為本發(fā)明的實施例1所提供的彩膜基板的另一種制造過程的示意圖；
[0041]圖4為本發(fā)明的實施例2所提供的陣列基板的示意圖；
[0042]圖5為本發(fā)明的實施例2所提供的陣列基板的另一示意圖。
【具體實施方式】
[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整的描述。
[0044]實施例1:
[0045]如圖1所示，本發(fā)明實施例所提供的基板可應(yīng)用于扭曲向列型(Twi StedNematic，簡稱TN)液晶顯示器中，該基板為彩膜基板包括襯底基板1，以及形成于襯底基板I上的黑矩陣5和公共金屬層6。其中，公共金屬層6與黑矩陣5的圖形相同，優(yōu)選的，公共金屬層6重疊設(shè)置于黑矩陣5的上方。此外，彩膜基板上還包括形成于襯底基板I上的彩膜層3，黑矩陣5將彩膜層3劃分，形成各個像素。
[0046]本發(fā)明實施例提供的彩膜基板中，形成了與黑矩陣5的圖形相同的公共金屬層6，公共金屬層6與公共電極電連接，因為公共金屬層6的材質(zhì)為金屬，所以方塊電阻低，故可降低公共電極的電阻。并且，該公共金屬層6與黑矩陣5的圖形相同，所以還保持了原有的高開口率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的公共金屬層會導(dǎo)致開口率降低的技術(shù)問題。
[0047]本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法，包括:
[0048]S1:在襯底基板I上形成黑矩陣5和公共金屬層6的圖形，黑矩陣5和公共金屬層6的圖形相同。
[0049]作為一個優(yōu)選方案，黑矩陣5和公共金屬層6共用一個掩膜版，且有兩種實現(xiàn)方式。
[0050]第一種方式具體包括:
[0051]Sll:如圖2a所示，在襯底基板I上利用沉積或涂覆黑矩陣層50。當(dāng)然，還可以采用其他可以形成黑矩陣的形式。
[0052]S12:如圖2b所示，利用掩膜版，對黑矩陣層進行光刻工藝，經(jīng)曝光、顯影等過程，形成黑矩陣5的圖形。
[0053]S13:如圖2c所示，在黑矩陣5上利用沉積或涂覆公共金屬層60。當(dāng)然，還可以采用其他可以形成公共金屬層的形式。
[0054]S14:如圖2d所示，利用同一個掩膜版，對公共金屬層進行光刻工藝，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等過程，形成公共金屬層6的圖形。
[0055]這樣，即可利用一個掩膜版形成圖形相同的黑矩陣的公共金屬層。
[0056]第二種方式具體包括:
[0057]SlOl:如圖3a所示，在襯底基板I上利用沉積或涂覆黑矩陣層50。當(dāng)然，還可以采用其他可以形成黑矩陣的形式。
[0058]S102:如圖3b所示，在黑矩陣層50上利用沉積或涂覆公共金屬層60。當(dāng)然，還可以采用其他可以形成公共金屬層的形式。
[0059]S103:如圖3c所示，利用掩膜版，對公共金屬層進行光刻工藝，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等過程，形成公共金屬層6的圖形；
[0060]S104:如圖3d所示，以公共金屬層6的圖形作為掩膜，對黑矩陣層進行灰化工藝，形成黑矩陣5的圖形。也就是，通過灰化工藝，去除公共金屬層6未覆蓋的黑矩陣層，從而形成與公共金屬層6的圖形相同的黑矩陣5。
[0061]此外，還可以包括:
[0062]S2:在完成上述步驟的基礎(chǔ)上，形成彩膜層3的圖形，形成如圖1所示的彩膜基板。
[0063]本步驟S2可采用常規(guī)的光刻工藝進行，此處不再詳細描述。步驟S2可以在步驟SI之后進行,也可以在步驟SI之前進行。
[0064]實施例2:
[0065]本實施例提供的基板為陣列基板，可應(yīng)用于高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced SuperDimension Switch,簡稱ADS)型液晶顯示器,其核心技術(shù)特性為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0066]如圖4和圖5所示，本實施例提供的陣列基板，包括形成于襯底基板I上的薄膜晶體管單元2、樹脂層4、黑矩陣5、公共金屬層6、第一透明電極7、保護層8、第二透明電極9、黑矩陣5和公共金屬層6。其中，公共金屬層6與黑矩陣5的圖形相同，優(yōu)選的，公共金屬層6重疊設(shè)置于黑矩陣5的上方。
[0067]本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，形成了與黑矩陣5的圖形相同的公共金屬層6，公共金屬層6與公共電極電連接，因為公共金屬層6的材質(zhì)為金屬，所以方塊電阻低，故可降低公共電極的電阻。并且，該公共金屬層6與黑矩陣5的圖形相同，所以還保持了原有的高開口率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的公共金屬層會導(dǎo)致開口率降低的技術(shù)問題。
[0068]優(yōu)選的，如圖4所示，第一透明電極7為公共電極，位于保護層8上的第二透明電極9為像素電極。這樣，公共電極就可以直接覆蓋在公共金屬層6上，從而達到降低公共電極電阻的效果；像素電極通過過孔與薄膜晶體管單元2中的漏極相連。
[0069]此外，在其他實施方式中，如圖5所示，也可以將第一透明電極7作為像素電極，位于保護層8上的第二透明電極9作為公共電極，像素電極通過過孔與薄膜晶體管單元2中的漏極相連。因為像素電極均位于各個像素的顯示區(qū)域，而公共金屬層和黑矩陣則位于各個像素四周的非顯示區(qū)域，所以像素電極與公共金屬層在平面上并不存在重疊，或者例如黑矩陣5的厚度稍微大于第一透明電極7的厚度；因此通常不需要在公共金屬層與像素電極之間增設(shè)絕緣材料(當(dāng)然也可以根據(jù)實際需要在公共金屬層與像素電極之間增設(shè)絕緣材料)，而且像素電極也不會對公共電極與公共金屬層之間的電連接造成影響。
[0070]當(dāng)然，在其他示例中，公共金屬層可以通過過孔或其他方式與公共電極電性連接。例如:類似圖5，公共電極位于薄膜晶體管2的柵極同層時，公共金屬層6可以通過樹脂層4以及薄膜晶體管2的絕緣層的過孔與公共電極電性連接(未示出)。
[0071]進一步，本發(fā)明實施例提供的陣列基板上還包括形成于樹脂層4下方的彩膜層3，即COA (Color Filter on Array)技術(shù)。彩膜層和黑矩陣均位于陣列基板上,與彩膜層和黑矩陣位于彩膜基板上相比，不需要考慮對盒時的偏差，因此在適當(dāng)減小黑矩陣的寬度時，也能保證黑矩陣能夠充分遮擋柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管單元等需遮光的結(jié)構(gòu)，同時，減少漏光現(xiàn)象發(fā)生的可能性，在提高分辨率、透過率的同時又保證了顯示裝置的顯示效果。
[0072]本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法包括:
[0073]S21:在襯底基板I上形成薄膜晶體管單元2。該薄膜晶體管單元2可以是底柵型薄膜晶體管單元，也可以是頂柵型薄膜晶體管單元，本實施例中以較為常見的底柵型薄膜晶體管單元為例進行說明。
[0074]進一步，因為本發(fā)明實施例提供的陣列基板采用了 COA技術(shù)，所以在步驟S21之后,還包括:
[0075]S22:形成彩膜層3的圖形。如果在其他實施方式中，該陣列基板不采用COA技術(shù)，則應(yīng)當(dāng)在步驟S21之后直接進行步驟S23。
[0076]S23:形成樹脂層4的圖形。
[0077]上述步驟S21至S23均可采用常規(guī)的光刻工藝進行，此處不再詳細描述。
[0078]S24:形成黑矩陣5和公共金屬層6的圖形，黑矩陣5和公共金屬層6的圖形相同。作為一個可選方案，黑矩陣5和公共金屬層6可共用一個掩膜版，并且可以采用實施例1中的兩種方式實現(xiàn)。
[0079]S25:形成第一透明電極7的圖形。
[0080]S26:形成保護層8的圖形。
[0081]S27:形成第二透明電極9的圖形。
[0082]步驟S25至S27也可采用常規(guī)的光刻工藝進行，此處不再詳細描述。
[0083]應(yīng)當(dāng)說明的是，本實施例中，可以先進行步驟S25，且在第一透明電極7之間預(yù)留黑矩陣5的空位，再進行步驟S24，形成黑矩陣5和公共金屬層6的圖形。
[0084]實施例3:
[0085]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括實施例1提供的彩膜基板或?qū)嵤├?提供的陣列基板。該顯示裝置可以是液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、有機電致發(fā)光顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0086]由于本發(fā)明實施例提供的顯示裝置與上述本發(fā)明實施例1提供的彩膜基板和實施例2所提供的陣列基板具有相同的技術(shù)特征，所以也能產(chǎn)生相同的技術(shù)效果，解決相同的技術(shù)問題。
[0087]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種基板，其特征在于:包括襯底基板，以及形成于所述襯底基板上的黑矩陣和公共金屬層；其中，所述公共金屬層與所述黑矩陣的圖形相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于:所述基板為彩膜基板，所述基板還包括形成于所述襯底基板上的彩膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于:所述基板為陣列基板，所述基板還包括形成于所述襯底基板上的薄膜晶體管單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于:還包括形成于薄膜晶體管單元上方的樹脂層，以及形成于所述樹脂層下方的彩膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的基板，其特征在于:還包括第一透明電極和第二透明電極，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極；或者，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極。
6.一種基板的制造方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，所述黑矩陣和所述公共金屬層的圖形相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，還包括: 在襯底基板上形成彩膜層的圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形之前，還包括: 形成薄膜晶體管單元； 形成樹脂層的圖形； 在所述在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形之后，還包括: 形成第一透明電極的圖形； 形成保護層的圖形； 形成第二透明電極的圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述在襯底基板上形成薄膜晶體管單元之后，還包括: 形成彩膜層的圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，具體為: 形成黑矩陣層； 利用掩膜版，對所述黑矩陣層進行光刻工藝，形成黑矩陣的圖形； 形成公共金屬層； 利用所述掩膜版，對所述公共金屬層進行光刻工藝，形成公共金屬層的圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，具體為: 形成黑矩陣層； 在所述黑矩陣層上形成公共金屬層； 利用所述掩膜版，對所述公共金屬層進行光刻工藝，形成公共金屬層的圖形； 以所述公共金屬層的圖形作為掩膜，對所述黑矩陣層進行灰化工藝，形成黑矩陣的圖形。
12.—種顯示裝置，其特征在 于，包括權(quán)利要求1至5任一項所述的基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK103838044SQ201410067361
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月26日
【發(fā)明者】劉冬妮, 王強濤, 金熙哲 申請人:京東方科技集團股份有限公司