電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。電子照相感光構(gòu)件的感光層或電荷產(chǎn)生層含有鎵酞菁和特定的二胺化合物如1,2-二氨基乙烷或1,3-二氨基丙烷?；阪壧?，在感光層或電荷產(chǎn)生層中的所述特定的二胺化合物的含量為10ppm至1,000ppm(質(zhì)量比)。
【專利說明】電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、包括電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]電子照相感光構(gòu)件包括各種材料作為電荷產(chǎn)生材料。此類材料之中，具有高感光度的酞菁顏料常用作電子照相感光構(gòu)件的電荷產(chǎn)生材料。
[0003]然而，在為了提高感光度而增大電子照相感光構(gòu)件的感光層或電荷產(chǎn)生層中的酞菁顏料含量時(shí)，暗衰減(dark attenuation)傾向于增大。暗衰減是在電子照相感光構(gòu)件的表面帶電時(shí)，電子照相感光構(gòu)件的表面電位在暗處隨時(shí)間降低(衰減)的現(xiàn)象。大的暗衰減是指在暗處電子照相感光構(gòu)件的表面電位降低(衰減)的程度大。
[0004]暗衰減增大導(dǎo)致圖像對比度降低、黑點(diǎn)和背景起霧，這可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降。
[0005]日本專利特開2006-72304公開了一種技術(shù)，其中通過特定的方法生產(chǎn)酞菁顏料和有機(jī)電子受體的復(fù)合體，和通過使用該復(fù)合體降低暗衰減。
[0006]日本專利特開2008-15428公開了一種技術(shù)，其中通過在感光層中引入特定的鹽和特定的電荷產(chǎn)生材料來降低暗衰減。
[0007]然而，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行的研究，日本專利特開2006-72304和2008-15428中公開的技術(shù)在一些情況下并未充分降低暗衰減。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供抑制暗衰減的電子照相感光構(gòu)件、包括該電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0009]本發(fā)明的第一方面提供電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體和形成在所述支承體上的感光層。所述感光層含有由下式(I)表示的化合物和鎵酞菁，和基于所述鎵酞菁，在感光層中的由式(I)表示的化合物的含量為IOppm至1，OOOppm(質(zhì)量比)。
[0010]H2N-CH2-R1-CH2-NH2 (I)
[0011]在式(I)中，R1表示單鍵或者取代或未取代的具有1-10個(gè)主鏈碳原子的亞烷基。所述取代的亞烷基的取代基是具有1-3個(gè)碳原子的烷基、被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的烷基、或羥基。所述亞烷基的主鏈中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式-NR2-表示的二價(jià)基團(tuán)代替，R2表示氫原子、具有1-3個(gè)碳原子的烷基，或被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的燒基。
[0012]本發(fā)明的第二方面提供電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體和形成在所述支承體上的感光層，所述感光層包括電荷產(chǎn)生層和形成在所述電荷產(chǎn)生層上的電荷輸送層。所述電荷產(chǎn)生層含有由式(I)表示的化合物和鎵酞菁，和基于所述鎵酞菁，在電荷產(chǎn)生層中的由式⑴表示的化合物的含量為IOppm至1，000ppm(質(zhì)量比)。
[0013]本發(fā)明的第三方面提供可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體的處理盒。所述處理盒一體化地支承上述電子照相感光構(gòu)件和選自由充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組中的至少一種裝置。
[0014]本發(fā)明的第四方面提供電子照相設(shè)備，其包括上述電子照相感光構(gòu)件、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的所述方面，可以提供具有良好的電子照相特性且抑制暗衰減的電子照相感光構(gòu)件、包括所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0016]參考附圖，從下述示例性實(shí)施方案的描述，本發(fā)明的進(jìn)一步特征將變得明顯。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是顯示包括包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的示意結(jié)構(gòu)的實(shí)例的圖。
[0018]圖2是涉及電子照相感光構(gòu)件的暗衰減的評價(jià)的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的電子照相感光構(gòu)件包括支承體和形成在所述支承體上的感光層。 [0020]所述感光層可以是在單層中含有電荷輸送材料和電荷產(chǎn)生材料的單層型感光層?？蛇x地，所述感光層可以是多層型(功能分離型)感光層，其包括含有電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生層和含有電荷輸送材料的電荷輸送層。從電子照相特性的觀點(diǎn)，優(yōu)選多層型感光層。多層型感光層可以是包括電荷產(chǎn)生層和設(shè)置在該電荷產(chǎn)生層上的電荷輸送層的順層型感光層?？蛇x地，多層型感光層可以是包括電荷輸送層和設(shè)置在該電荷輸送層上的電荷產(chǎn)生層的逆層型感光層。從電子照相特性的觀點(diǎn)，優(yōu)選順層型感光層。
[0021]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相感光構(gòu)件的感光層或電荷產(chǎn)生層含有由下式(I)表示的化合物(二胺化合物)和鎵酞菁?；阪壧?，在感光層或電荷產(chǎn)生層中的式(I)表示的化合物的含量為IOppm至1，000ppm(質(zhì)量比)。
[0022]H2N-CH2-R1-CH2-NH2 (I)
[0023]在式(I)中，R1表示單鍵，或者取代或未取代的具有1-10個(gè)主鏈碳原子的亞烷基。所述取代的亞烷基的取代基是具有1-3個(gè)碳原子的烷基、被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的烷基、或羥基。所述亞烷基的主鏈中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式-NR2-表示的二價(jià)基團(tuán)代替，R2表示氫原子、具有1-3個(gè)碳原子的烷基，或被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的烷基。
[0024]由式(I)表示的化合物的實(shí)例包括1，2_ 二氨基乙烷(乙二胺)、1，3_ 二氨基丙烷、I, 4- 二氨基丁烷、I, 5- 二氨基戊烷、I, 6- 二氨基己烷、I, 7- 二氨基庚烷、I, 8- 二氨基辛烷、1，9- 二氨基壬烷、1，10- 二氨基癸烷、1，11- 二氨基十一烷、1，12- 二氨基十二烷、2-甲基_1，5-二氨基戍燒、二亞乙基二胺、二(2-氨基乙基)胺、2，2’ -硫代雙(乙胺)、1，2-二氨基丙烷，I, 2- 二氨基-2-甲基丙烷、2-甲基-1，3-丙二胺、1，3- 二氨基-2-丙醇、2，2- 二甲基-1，3-丙二胺、2，2’ -氧代雙(乙胺)、2_甲基-1，5- 二氨基戍燒、2，2’ - 二氨基-N-甲基二乙胺、3，3’ - 二氨基二丙胺、雙(3-氨基丙基)醚、3，3’ - 二氨基-N-甲基二丙胺、N, N’ -雙(3-氨基丙基)乙二胺、乙二醇雙(3-氨基丙基)醚、三(3-氨基丙基)胺、1，4-丁二醇雙(3-氨基丙基)醚、雙(六亞甲基)三胺、三亞乙基四胺、1，2-雙(2-氨基乙氧基)乙烷、N, N’ -雙(2-氨基乙基)-1，3-丙二胺、1，11- 二氨基-3，6, 9- 二氧雜十一燒、2_(氨基甲基)-2-甲基-1，3-丙二胺和四亞乙基五胺。由式(I)表示的化合物(溶劑)可單獨(dú)使用，或以兩種以上的化合物(溶劑)的組合方式使用。
[0025]本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)為如下:在式(I)表示的化合物的兩端的氨基容易與鎵酞菁的鎵原子形成螯合鍵。因此，由式(I)表示的化合物起到抑制鎵酞菁顆粒聚集的間隔物(spacer)的功能并抑制在感光層或電荷產(chǎn)生層中鎵酞菁顆粒彼此連續(xù)地連接的長載流子路徑(long carrier path)的形成。結(jié)果，當(dāng)電子照相感光構(gòu)件的表面帶電時(shí)，電子照相感光構(gòu)件的表面電位不容易降低(衰減)。即，暗衰減被抑制。當(dāng)基于鎵酞菁感光層或電荷產(chǎn)生層中含有的式(I)表示的化合物的含量小于IOppm時(shí)，抑制暗衰減的效果降低。當(dāng)式(I)表示的化合物的含量超過1，OOOppm時(shí)，感光層或電荷產(chǎn)生層中的鎵酞菁的顆粒尺寸變得過于小，電荷產(chǎn)生效率傾向于降低。
[0026]從上述的觀點(diǎn)，在本發(fā)明的實(shí)施方案中，基于鎵酞菁，感光層或電荷產(chǎn)生層中含有的式⑴表示的化合物的含量為IOppm至1，OOOppm(質(zhì)量比)。由式⑴表示的化合物的含量特別優(yōu)選為20ppm至500ppm(質(zhì)量比)。
[0027]在這里，術(shù)語〃鎵酞菁〃是指含有鎵原子作為中心金屬原子的酞菁。鎵酞菁還包括含有具有配體(軸向配體)如氯原子或羥基的鎵原子的酞菁。此外，鎵酞菁還包括具有具有取代基如鹵素原子(例如氯原子)的酞菁環(huán)的酞菁。
[0028]在本發(fā)明中，在鎵酞菁之中，優(yōu)選氯鎵酞菁和羥基鎵酞菁。這些之中，更優(yōu)選羥基鎵酞菁。氯鎵酞菁是含有具有氯原子作為配體的鎵原子的鎵酞菁。羥基鎵酞菁是含有具有羥基作為配體的鎵原子的鎵酞菁。在氯鎵酞菁和羥基鎵酞菁之中，優(yōu)選由下式(2)表示的鎵酞菁。由式(2)表示的鎵酞菁具有不具有取代基的酞菁環(huán)。
[0029]
【權(quán)利要求】
1.一種電子照相感光構(gòu)件，其包含:支承體；和形成在所述支承體上的感光層， 其中所述感光層包含:由下式⑴表示的化合物；和鎵酞菁，和其中， 基于所述鎵酞菁，在所述感光層中的所述由式(1)表示的化合物的含量以質(zhì)量比計(jì)為1Oppm 至 1, OOOppm,
H2N-CH2-R1-CH2-NH2 (1) 其中，在式(1)中， R1表示單鍵、取代或未取代的具有1-10個(gè)主鏈碳原子的亞烷基， 所述取代的亞烷基的取代基是具有1-3個(gè)碳原子的烷基、被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的烷基、或羥基， 所述亞烷基的主鏈中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式-NR2-表示的二價(jià)基團(tuán)代替，和 R2表示氫原子、具有1-3個(gè)碳原子的烷基，或被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的烷基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中，在所述感光層中的所述由式(1)表示的化合物的含量以質(zhì)量比計(jì)為20ppm至500ppm。
3.一種電子照相感光構(gòu)件，其包含:支承體；和形成在所述支承體上的感光層，所述感光層包含電荷產(chǎn)生層和形成在所述電荷產(chǎn)生層上的電荷輸送層， 其中所述電荷產(chǎn)生層包含:由下式(1)表示的化合物；和鎵酞菁，和其中， 基于所述鎵酞菁，在所述電荷產(chǎn)生層中的所述由式(1)表示的化合物的含量以質(zhì)量比計(jì)為 1Oppm 至 1，OOOppm,
H2N-CH2-R1-CH2-NH2 (1) 其中，在式(1)中， R1表示單鍵、取代或未取代的具有1-10個(gè)主鏈碳原子的亞烷基， 所述取代的亞烷基的取代基是具有1-3個(gè)碳原子的烷基、被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的烷基、或羥基， 所述亞烷基的主鏈中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式-NR2-表示的二價(jià)基團(tuán)代替，和 R2表示氫原子、具有1-3個(gè)碳原子的烷基，或被氨基取代的具有1-3個(gè)碳原子的烷基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子照相感光構(gòu)件，其中，在所述電荷產(chǎn)生層中的所述式(1)表示的化合物的含量以質(zhì)量比計(jì)為20ppm至500ppm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述鎵酞菁是選自由氯鎵酞菁和羥基鎵酞菁組成的組中的至少一種鎵酞菁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述鎵酞菁是具有在CuKa特性X射線衍射中在布拉格角2 Θ為7.4° ±0.3°和28.3° ±0.3°處具有峰的晶形的羥基鎵酞菁晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述由式(1)表示的化合物是由下式(1a)表示的化合物:
H2N-CH2-R3-CH2-NH2 (1a) 其中，在式(1a)中， R3表示取代或未取代的具有1-3個(gè)主鏈碳原子的亞烷基，所述取代的亞烷基的取代基是具有I或2個(gè)碳原子的烷基、或被氨基取代的具有I或.2個(gè)碳原子的烷基， 所述亞烷基的主鏈中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式-NR4-表示的二價(jià)基團(tuán)代替，和 R4表示具有I或2個(gè)碳原子的烷基，或被氨基取代的具有I或2個(gè)碳原子的烷基。
8.—種處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體，其中所述處理盒一體化地支承: 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件，和 選自充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組中的至少一種裝置。
9.一種電子照相設(shè)備,其包含: 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件； 充電裝置； 曝光裝置； 顯影裝置；和 轉(zhuǎn)印裝置。
【文檔編號(hào)】G03G21/18GK103969973SQ201410038233
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月31日
【發(fā)明者】西田孟, 田中正人, 川原正隆 申請人:佳能株式會(huì)社