薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用以解決了現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板制作工藝復(fù)雜的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括公共電極，該公共電極的圖案為狹縫狀，且該公共電極包括條狀電極和狹縫，其中，該公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且該公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。采用本發(fā)明提供的陣列基板，公共電極中的條狀電極還可以作為該陣列基板的反射區(qū)域，且公共電極的狹縫可以作為該陣列基板的透射區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)了半透半反特性，由于僅需一次掩膜工藝即可制作出狹縫狀的公共電極，從而簡(jiǎn)化了制作工藝。
【專利說(shuō)明】薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法以及包括上述薄膜晶體管陣列基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板(LCD,Liquid Crystal Display Panel)具有功耗低、福射低及制造成本低等特點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示裝置、電視、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等數(shù)字電子設(shè)備。液晶顯示面板是被動(dòng)發(fā)光器件，按照光源可以分為:反射式、透射式和半透半反式。
[0003]反射式液晶顯示面板是利用液晶顯示面板周圍的環(huán)境光作為光源，在反射式液晶顯示面板中設(shè)有用于反射環(huán)境光的反射面，反射式液晶顯示面板由于自身沒(méi)有背光源，其耗電量相對(duì)較低，但是在周圍的環(huán)境光偏暗的情況下，畫(huà)面不易觀看，具有局限性。透射式液晶顯示面板是在薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板的背面設(shè)置背光源，背光源發(fā)出的光線透過(guò)液晶顯示面板，以顯示需要畫(huà)面，由于需要提供背光源的電能，因此，透射式液晶顯示面板的耗電量相對(duì)較高。
[0004]半透半反式液晶顯示面板結(jié)合了透射式液晶顯示面板和反射式液晶顯示面板的特點(diǎn)，同時(shí)具備背光源和反射層，在使用時(shí)既可以利用自身的背光源發(fā)出的光線，也可以利用環(huán)境光，兼具了兩者的優(yōu)點(diǎn)，無(wú)論在強(qiáng)光下或是偏暗的環(huán)境下都能提供良好的觀看品質(zhì)。
[0005]目前，現(xiàn)有的半透半反式液晶顯示面板在制作時(shí)，一般都是在采用掩膜工藝制作完像素電極之后，在像素電極上的部分區(qū)域再采用一次掩膜工藝制作一層反射層，以將環(huán)境光反射到液晶層中。由于在半透半反式液晶顯示面板的制作過(guò)程中，增加了反射層的制作工序，使得制作工藝復(fù)雜，同時(shí)也加大了工藝難度；由于增加了掩膜板的數(shù)量，使得制作成本提聞。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用以解決了現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板制作工藝復(fù)雜的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括多個(gè)像素單元，所述像素單元包括公共電極，所述公共電極的圖案為狹縫狀，所述公共電極包括條狀電極和狹縫，其中，所述公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且所述公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例中，薄膜晶體管陣列基板包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元的公共電極的圖案為狹縫狀，該公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且該公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。因此，該薄膜晶體管陣列基板，每個(gè)公共電極中的條狀電極可以作為反射區(qū)域，該公共電極中的狹縫可以作為透射區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)了半透半反的特性，由于僅需一次掩膜工藝即可制作出狹縫狀的公共電極，因此無(wú)需增加掩膜工藝，即可制作出具有半透半反特性的薄膜晶體管陣列基板，從而簡(jiǎn)化了制作工藝。
[0009]進(jìn)一步，所述條狀電極的材料為電阻率不高于50 Q/cm2且具有反射功能的金屬材料。
[0010]由于公共電極中的狹縫能夠透射入射到該狹縫的光線，因而不會(huì)影響液晶層中液晶的正常偏轉(zhuǎn)；另外，由于條狀電極采用電阻較低的金屬材料，增強(qiáng)了公共電極的充電能力，使得充電時(shí)間更短。
[0011]優(yōu)選的，所述條狀電極的材料為鋁Al金屬、或鈦Ti金屬。
[0012]為了使公共電極與像素電極產(chǎn)生均勻電場(chǎng)，優(yōu)選的，每個(gè)公共電極中，任意兩個(gè)條狀電極的寬度相等。
[0013]為了使公共電極與像素電極產(chǎn)生均勻電場(chǎng)，優(yōu)選的，每個(gè)公共電極中，任意兩個(gè)狹縫的寬度相等。
[0014]為了達(dá)到較好的反射及透射效果，上述公共電極中，條狀電極所在區(qū)域的總面積與狹縫所在區(qū)域的總面積之比為3:5。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例中，每個(gè)公共電極中，
[0016]所述狹縫平行于所述薄膜晶體管陣列基板的柵極信號(hào)線設(shè)置；或者，
[0017]所述狹縫平行于所述薄膜晶體管陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線設(shè)置；或者，
[0018]所述狹縫的設(shè)置方向與所述薄膜晶體管陣列基板的柵極信號(hào)線的方向具有傾斜角度。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，該方法中公共電極的制備包括:
[0020]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成具有狹縫狀結(jié)構(gòu)的公共電極的圖形，其中，所述公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且所述公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其中，該顯示裝置包括上述任一所述的薄膜晶體管陣列基板。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1A為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種公共電極的優(yōu)選排布示意圖；
[0023]圖1B為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種公共電極的優(yōu)選排布示意圖；
[0024]圖1C為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種公共電極的優(yōu)選排布示意圖；
[0025]圖2A?圖2G為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)施例一中制作薄膜晶體管陣列基板各步驟的不意圖；
[0026]圖3A?圖3F為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)施例二中制作薄膜晶體管陣列基板各步驟的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板及其制備方法以及包括該薄膜晶體管陣列基板的顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括多個(gè)像素單元，像素單元包括公共電極，該公共電極的圖案為狹縫狀，該公共電極包括條狀電極和狹縫，其中，該公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且該公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例中，薄膜晶體管陣列基板包括多個(gè)像素單元，像素單元公共電極的圖案為狹縫狀，該公共電極包括條狀電極和狹縫，其中，該公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且該公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。因此，該薄膜晶體管陣列基板中，公共電極中的條狀電極還可以作為該薄膜晶體管陣列基板的反射區(qū)域，該公共電極中的狹縫可以作為該薄膜晶體管陣列基板的透射區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)了半透半反的特性，由于僅需一次掩膜工藝即可制作出狹縫狀的公共電極，因此無(wú)需增加掩膜工藝，即可制作出具有半透半反特性的薄膜晶體管陣列基板，從而簡(jiǎn)化了制作工藝。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例中，條狀電極的材料為電阻率不高于50 Q/cm2且具有反射功能的金屬材料。
[0031]由于公共電極中的狹縫能夠透射入射到該狹縫的光線，因而不會(huì)影響液晶層中液晶的正常偏轉(zhuǎn)；另外，由于條狀電極采用電阻較低的金屬材料，增強(qiáng)了公共電極的充電能力，使得充電時(shí)間更短。
[0032]優(yōu)選的，上述條狀電極的材料為鋁Al金屬、或鈦Ti金屬。當(dāng)然，條狀電極也可采用其他符合上述條件的金屬材料。
[0033]為了使公共電極與像素電極產(chǎn)生均勻電場(chǎng)，防止由于液晶偏轉(zhuǎn)不同而造成同一亞像素的亮度不均的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例的公共電極采用以下任一優(yōu)選結(jié)構(gòu):
[0034]第一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)、任意兩個(gè)條狀電極的寬度相等。該優(yōu)選結(jié)構(gòu)還可以使每個(gè)條狀電極(即反射區(qū)域)反射的光線強(qiáng)度均勻。
[0035]第二種優(yōu)選結(jié)構(gòu)、任意兩個(gè)狹縫的寬度相等。該優(yōu)選結(jié)構(gòu)還可以使每個(gè)狹縫(即透射區(qū)域)透射的光線強(qiáng)度均勻。
[0036]第三種優(yōu)選結(jié)構(gòu)、任意兩個(gè)條狀電極的寬度相等，且任意兩個(gè)狹縫的寬度相等。該優(yōu)選結(jié)構(gòu)既還可以使每個(gè)條狀電極(即反射區(qū)域)反射的光線強(qiáng)度均勻，又可以使每個(gè)狹縫(即透射區(qū)域)透射的光線強(qiáng)度均勻。
[0037]為了達(dá)到較好的反射及透射效果，每個(gè)公共電極中，條狀電極所在區(qū)域的總面積與狹縫所在區(qū)域的總面積之比為3:5。當(dāng)然，條狀電極所在區(qū)域的總面積與狹縫所在區(qū)域的總面積也可以采用其他比例。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例中，每個(gè)公共電極中每個(gè)狹縫可以采用以下任一方式排布:
[0039]方式一、每個(gè)狹縫平行于薄膜晶體管陣列基板的柵極信號(hào)線設(shè)置。
[0040]舉例說(shuō)明，以一個(gè)像素單元為例進(jìn)行說(shuō)明，具體參見(jiàn)圖1A所示，該像素單元的公共電極包括多個(gè)等間距設(shè)置的狹縫，且每個(gè)狹縫平行于柵極信號(hào)線設(shè)置。
[0041]方式二、每個(gè)狹縫平行于薄膜晶體管陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線設(shè)置。
[0042]舉例說(shuō)明，以一個(gè)像素單元為例進(jìn)行說(shuō)明，具體參見(jiàn)圖1B所示，該像素單元的公共電極包括多個(gè)等間距設(shè)置的狹縫，且每個(gè)狹縫平行于數(shù)據(jù)信號(hào)線設(shè)置。
[0043]方式三、每個(gè)狹縫的設(shè)置方向與薄膜晶體管陣列基板的柵極信號(hào)線的方向具有傾斜角度，如每個(gè)狹縫的設(shè)置方向與柵極信號(hào)線的方向呈45度傾斜。
[0044]舉例說(shuō)明，以一個(gè)像素單元為例進(jìn)行說(shuō)明，具體參見(jiàn)圖1C所示，該像素單元的公共電極包括多個(gè)等間距設(shè)置的狹縫，且每個(gè)狹縫的設(shè)置方向與柵極信號(hào)線的方向具有傾斜角度，如45度角。
[0045]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，該方法中公共電極的制備包括:
[0046]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成具有狹縫狀結(jié)構(gòu)的公共電極的圖形，其中，該公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且該公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。
[0047]下面以圖1B所示的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板的制作工藝進(jìn)行說(shuō)明。
[0048]實(shí)施例一、參見(jiàn)圖2A?圖2G所示，其中，圖2A?圖2G為圖1B中A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例的制作工藝包括以下幾個(gè)步驟:
[0049](I)在襯底基板I上形成柵極2，如圖2A所示；
[0050]具體的，在襯底基板(如玻璃glass基板)上沉積金屬層(如鑰Mo，鋁Al等)，通過(guò)第一次光刻技術(shù)，濕法刻蝕形成柵極的圖案(pattern )。
[0051](2)在形成了柵極2的襯底基板上形成柵絕緣層3以及有源層4，如圖2B所示；
[0052]具體的,在形成了柵極的襯底基板上連續(xù)沉積柵絕緣層(Gate Insulator, GI)薄膜和氧化物半導(dǎo)體薄膜(如銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)等),通過(guò)第二次光刻技術(shù)，濕法刻蝕形成有源層的圖案(pattern)；
[0053]其中，柵絕緣層薄膜一般為SiNx (氮化硅)、Si0x (氧化硅)或SiOxNy (氮氧化硅)的單層膜,也可以為SiNx、Si0x和SiOxNy中至少兩種材料的復(fù)合膜。
[0054]需要說(shuō)明的是，本步驟中，也可以采用非晶硅(a-Si)薄膜制作有源層，由于有源層的材料不會(huì)影響本發(fā)明實(shí)施例產(chǎn)生的效果，因此，本步驟不對(duì)有源層的材料進(jìn)行限定。
[0055](3)在形成了有源層4的襯底基板上形成刻蝕阻擋層5，如圖2C所示；
[0056]具體的，在形成了有源層的襯底基板上沉積刻蝕阻擋層薄膜(如二氧化硅SiO2等)，通過(guò)第三次光刻技術(shù)，干法刻蝕形成刻蝕阻擋層的圖案(pattern)。
[0057](4)在形成了刻蝕阻擋層5的襯底基板上形成源/漏電極6，如圖2D所示；
[0058]具體的，在形成了刻蝕阻擋層的襯底基板上，沉積金屬薄膜(如鋁Al、鈦Ti等)，通過(guò)第四次光刻技術(shù)，濕法刻蝕形成源/漏極。
[0059](5)在形成了源/漏電極6的襯底基板上形成像素電極7，如圖2E所示；
[0060]具體的，在形成了源/漏電極的襯底基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜(如氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, IT0)薄膜等),通過(guò)第五次光刻技術(shù),濕法刻蝕形成像素電極。
[0061](6)在形成了像素電極7的襯底基板上形成絕緣保護(hù)(Passivation，PVX)層8，如圖2F所示；
[0062]具體的，在形成了像素電極的襯底基板上沉積PVX層薄膜(如SiN，SiO2等)，通過(guò)第六次光刻技術(shù)，干法刻蝕形成周邊電路對(duì)應(yīng)的PVX過(guò)孔。
[0063](7)在形成了 PVX層8的襯底基板上形成公共電極9，如圖2G所示；
[0064]具體的，在形成了 PVX層的襯底基板上沉積一層電阻低且反射性能優(yōu)異的金屬薄膜(如鋁金屬、或鈦金屬等)，通過(guò)第七次光刻技術(shù)，濕法刻蝕形成具有狹縫(slit)結(jié)構(gòu)的公共(common)電極的圖案(pattern)。[0065]本發(fā)明實(shí)施例采用金屬材料制作公共電極，由于金屬電導(dǎo)率比ITO要高，因此，本發(fā)明實(shí)施例制作的公共電極充電性能更強(qiáng)，充電時(shí)間更短。
[0066]本實(shí)施例中，采用7次光刻技術(shù)即可形成具有半透半反功能的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，由于該TFT陣列基板中的公共電極采用反射性能優(yōu)異的金屬slit結(jié)構(gòu)，因此，該公共電極中的狹縫具有透射外界光線的功能，從而不影響液晶正常偏轉(zhuǎn)，且該公共電極中的條狀電極具有反射外界光線的功能；另外，采用金屬材料制作的公共電極具有較低的電阻，從而使公共電極的充電能力增強(qiáng)，充電時(shí)間更短。
[0067]實(shí)施例二、參見(jiàn)圖3A?圖3F所示，其中，圖3A?圖3F為圖1B中A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例的制作工藝包括以下幾個(gè)步驟:
[0068](I)襯底基板I上形成柵極2，如圖3A所示；
[0069]具體的，在襯底基板(如玻璃glass基板)上沉積金屬層(如鑰Mo，鋁Al等)，通過(guò)第一次光刻技術(shù)，濕法刻蝕形成柵極的圖案(pattern )。
[0070](2)在形成了柵極2的襯底基板上形成柵絕緣層3、有源層4以及刻蝕阻擋層5，如圖3B所示；
[0071]具體的，在形成了柵極的襯底基板上連續(xù)沉積GI層薄膜、氧化物半導(dǎo)體薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，通過(guò)第二次光刻技術(shù)，干法刻蝕形成刻蝕阻擋層的圖案(pattern);然后，進(jìn)行陽(yáng)離子注入，將非刻蝕阻擋層阻擋區(qū)域的氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體氧化物，以形成有源層。
[0072]需要說(shuō)明的是，本步驟中，也可以采用非晶硅(a-Si)薄膜制作有源層，由于有源層的材料不會(huì)影響本發(fā)明實(shí)施例產(chǎn)生的效果，因此，本步驟不對(duì)有源層的材料進(jìn)行限定。
[0073](3)在形成了刻蝕阻擋層5的襯底基板上形成源/漏電極6，如圖3C所示；
[0074]具體的，在形成了刻蝕阻擋層的襯底基板上，沉積金屬薄膜(如鋁Al、鈦Ti等)，通過(guò)第三次光刻技術(shù)，濕法刻蝕連續(xù)刻蝕掉金屬層和氧化物層，以形成源/漏電極；
[0075](4)在形成了源/漏電極6的襯底基板上形成像素電極7，如圖3D所示；
[0076]具體的，在形成了源/漏電極的襯底基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜(如氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, IT0)薄膜等),通過(guò)第四次光刻技術(shù),濕法刻蝕形成像素電極。
[0077](5)在形成了像素電極7的襯底基板上形成絕緣保護(hù)(Passivation，PVX)層8，如圖3E所示；
[0078]具體的，在形成了像素電極的襯底基板上沉積PVX層薄膜(如SiN，SiO2等)，通過(guò)第五次光刻技術(shù)，干法刻蝕形成周邊電路對(duì)應(yīng)的PVX過(guò)孔。
[0079](6)在形成了 PVX層8的襯底基板上形成公共電極9，如圖3F所示；
[0080]具體的，在形成了 PVX層的襯底基板上沉積一層電阻低且反射性能優(yōu)異的金屬薄膜(如鋁金屬、或鈦金屬等)，通過(guò)第六次光刻技術(shù)，濕法刻蝕形成具有狹縫(slit)結(jié)構(gòu)的公共(common)電極的圖案(pattern)。
[0081]本發(fā)明實(shí)施例采用金屬材料制作公共電極，由于金屬電導(dǎo)率比ITO要高，因此，本發(fā)明實(shí)施例制作的公共電極充電性能更強(qiáng)，充電時(shí)間更短。
[0082]本實(shí)施例中，采用6次光刻技術(shù)即可形成具有半透半反功能的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，由于該TFT陣列基板中的公共電極采用反射性能優(yōu)異的金屬slit結(jié)構(gòu)，因此，該公共電極中的狹縫具有透射外界光線的功能，從而不影響液晶正常偏轉(zhuǎn)，且該公共電極中的條狀電極具有反射外界光線的功能；另外，采用金屬材料制作的公共電極具有較低的電阻，從而使公共電極的充電能力增強(qiáng)，充電時(shí)間更短。
[0083]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種包括上述薄膜晶體管陣列基板的半透半反式液晶顯示面板，由于半透半反式液晶顯示面板解決問(wèn)題的原理與上述一種薄膜晶體管陣列基板相似，因此該液晶顯示面板的實(shí)施可以參見(jiàn)上述一種薄膜晶體管陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0084]本發(fā)明實(shí)施例提供的半透半反式液晶顯示面板中，由于薄膜晶體管陣列基板中，每個(gè)像素單元的公共電極的圖案為狹縫狀，該公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且該公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。因此，每薄膜晶體管陣列基板中，公共電極中的條狀電極還可以作為該陣列基板的反射區(qū)域，能夠反射外界光線；該公共電極中的狹縫可以作為該陣列基板的透射區(qū)域，能夠透射外界光線加以利用。
[0085]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種包括上述薄膜晶體管陣列基板的顯示裝置，由于該顯示裝置解決問(wèn)題的原理與上述一種薄膜晶體管陣列基板相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述一種薄膜晶體管陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0086]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置中，由于薄膜晶體管陣列基板中，每個(gè)像素單元的公共電極的圖案為狹縫狀，該公共電極中的條狀電極能夠反射射入該像素電極的光線，且該公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。因此，該薄膜晶體管陣列基板中，公共電極中的條狀電極還可以作為該陣列基板的反射區(qū)域，能夠反射外界光線；該公共電極中的狹縫可以作為該陣列基板的透射區(qū)域，能夠透射外界光線加以利用。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置尤其適用于高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)(ADS, Advanced SuperDimension Switch)型液晶顯示技術(shù)，當(dāng)然也可以適用于其他液晶顯示技術(shù),在此不做限定。
[0088]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為:液晶顯示面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0089]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0090]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括多個(gè)像素單元，所述像素單元包括公共電極，其特征在于，所述公共電極的圖案為狹縫狀，且所述公共電極包括條狀電極和狹縫，其中，所述公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且所述公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述條狀電極的材料為電阻率不高于50 Q /cm2且具有反射功能的金屬材料。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述條狀電極電極的材料為鋁金屬、或鈦金屬。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，任意兩個(gè)條狀電極的寬度相等。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，任意兩個(gè)狹縫的寬度相等。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在所述公共電極中，所述條狀電極所在區(qū)域的總面積與所述狹縫區(qū)域所在區(qū)域的總面積之比為3:5。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述狹縫平行于所述薄膜晶體管陣列基板的柵極信號(hào)線設(shè)置；或者， 所述狹縫平行于所述薄膜晶體管陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線設(shè)置；或者， 所述狹縫的設(shè)置方向與所述薄膜晶體管陣列基板的柵極信號(hào)線的方向具有傾斜角度。
8.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板。
9.一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，該方法中公共電極的制備包括: 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成具有狹縫狀結(jié)構(gòu)的公共電極的圖形，其中，所述公共電極中的條狀電極能夠反射射入該條狀電極的光線，且所述公共電極中的狹縫能夠透射射入該狹縫的光線。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103760721SQ201410008783
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月8日
【發(fā)明者】張家祥, 郭建, 姜曉輝, 閻長(zhǎng)江 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司