一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。包括依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對(duì)應(yīng)所述TFT的柵極區(qū)域的表面依次形成有半導(dǎo)體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導(dǎo)體有源層的圖案相接觸；以及形成在所述TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，所述第一絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)所述TFT的源極區(qū)域和/或所述TFT的漏極區(qū)域；在對(duì)應(yīng)所述TFT的溝道區(qū)域，所述柵極與所述柵絕緣層接觸。這樣一種陣列基板可以降低TFT的源、漏電極與柵極之間的寄生電容，提高顯示裝置的質(zhì)量。
【專利說明】—種陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元件及其在顯示裝置中的應(yīng)用技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進(jìn)步。
[0003]在現(xiàn)有的顯示面板TFT的制造過程當(dāng)中，越來越多的廠商開始嘗試采用氧化物TFT取代a-Si (非晶硅)TFT或LTPS (低溫多晶硅)TFT，以期獲得具有更高質(zhì)量的顯示產(chǎn)品。氧化物TFT (即Oxide TFT)背板技術(shù)，是與傳統(tǒng)的a-Si TFT制程相近的一種背板技術(shù)，該技術(shù)將原本應(yīng)用于a-Si TFT的硅半導(dǎo)體材料部分置換成氧化物半導(dǎo)體材料，如現(xiàn)在應(yīng)用最為廣泛的IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，銦鎵鋅氧化物)材料，來形成TFT的半導(dǎo)體有源層?，F(xiàn)有技術(shù)中一種典型的氧化物TFT的陣列基板結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的柵極11、柵絕緣層12以及由IGZO形成的氧化物半導(dǎo)體有源層13，半導(dǎo)體有源層13的表面通過構(gòu)圖工藝形成有具有過孔的刻蝕阻擋層14，過孔A、B分別貫穿刻蝕阻擋層14，以暴露出底部的半導(dǎo)體有源層13，TFT的源極151和漏極152分別通過過孔A、B與半導(dǎo)體有源層13導(dǎo)通。
[0004]采用氧化物TFT相對(duì)于a-Si TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)可應(yīng)用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對(duì)于LTPS TFT技術(shù)具有設(shè)備投資成本低、運(yùn)營保障成本低等優(yōu)點(diǎn)。但其不足之處在于，在如圖1所示的氧化物TFT陣列基板中，TFT的源極151和漏極152分別與柵極11具有較長的一段交疊區(qū)域，這樣一來，在通電的情況下，由于層級(jí)差異TFT的源極151與柵極11之間將產(chǎn)生寄生電容Cgs，同理TFT的漏極152與柵極11之間也將產(chǎn)生寄生電容Cgd，在柵線11通過電壓控制TFT開關(guān)的瞬間，由于寄生電容的存在，TFT關(guān)閉時(shí)柵線11上的電壓信號(hào)由高到低的變化會(huì)使得漏極152相應(yīng)輸出跳變電壓，從而引起像素中液晶電壓的突然降低，這將嚴(yán)重影響像素電極電壓的準(zhǔn)確性，使得顯示畫面閃爍。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可以降低TFT的源、漏電極與柵極之間的寄生電容，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例的一方面，提供一種陣列基板，包括:依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對(duì)應(yīng)所述TFT的柵極區(qū)域的表面依次形成有半導(dǎo)體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導(dǎo)體有源層的圖案相接觸；其中，還包括:
[0007]形成在所述TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，所述第一絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)所述TFT的源極區(qū)域和/或所述TFT的漏極區(qū)域。[0008]在對(duì)應(yīng)所述TFT的溝道區(qū)域，所述柵極與所述柵絕緣層接觸。
[0009]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括:
[0010]形成在所述透明基板和所述TFT的柵極之間的第二絕緣層的圖案，所述第二絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)所述TFT的溝道區(qū)域；
[0011]所述第二絕緣層的圖案與所述TFT的柵極的厚度之和大于等于所述第一絕緣層的圖案的厚度。
[0012]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括:
[0013]形成在所述刻蝕阻擋層的圖案表面的第一透明電極，所述第一透明電極與所述TFT的漏極相接觸；
[0014]形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋所述TFT區(qū)域；
[0015]形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。
[0016]其中，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；
[0017]且所述第一透明電極為面狀結(jié)構(gòu)，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
[0018]需要說明的是，所述第一絕緣層的圖案和所述第二絕緣層的圖案均采用有機(jī)樹脂材料制成。
[0019]進(jìn)一步地，當(dāng)所述第一絕緣層的圖案同時(shí)對(duì)應(yīng)所述TFT的源極區(qū)域和所述TFT的漏極區(qū)域時(shí)，所述TFT的源極區(qū)域和所述TFT的漏極區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的所述第一絕緣層的圖案的厚度相等；
[0020]所述第一絕緣層的圖案的厚度為I μ m — 3 μ m。
[0021]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體有源層的圖案采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料制成。
[0022]另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可以包括如上所述的陣列基板。
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的這樣一種陣列基板及顯示裝置，通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和/或TFT的漏極區(qū)域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進(jìn)而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖；[0028]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一陣列基板制造方法的流程示意圖；
[0029]圖5為形成第二絕緣層的圖案后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為形成TFT的柵極后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖7為形成第一絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖8為形成第一絕緣層的圖案后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖9為形成柵絕緣層后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖10為形成半導(dǎo)體有源層后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖11為形成刻蝕阻擋層后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖12為形成TFT的源極和漏極后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖13為形成第一透明電極后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖14為形成鈍化層后的基板結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0040]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，如圖2所示，包括:依次形成在透明基板20表面的TFT的柵極21以及柵絕緣層22，在柵絕緣層22對(duì)應(yīng)所述TFT的柵極21區(qū)域的表面依次形成有半導(dǎo)體有源層的圖案23、刻蝕阻擋層的圖案24以及所述TFT的源極251和漏極252，所述TFT的源極251和漏極252分別通過過孔(圖2中虛線框所示)與半導(dǎo)體有源層的圖案23相接觸。進(jìn)一步地，還包括:
[0041]形成在TFT的柵極21和柵絕緣層22之間的第一絕緣層的圖案26，該第一絕緣層的圖案26對(duì)應(yīng)該TFT的源極251區(qū)域和/或該TFT的漏極252區(qū)域。
[0042]此外，在對(duì)應(yīng)TFT的溝道區(qū)域，柵極21與柵絕緣層22接觸。由于對(duì)應(yīng)TFT溝道區(qū)域處需要保證柵極材料與半導(dǎo)體有源層之間具有一個(gè)較小的距離，因此無需設(shè)置絕緣層的圖案。
[0043]這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)中采用氧化物TFT的陣列基板相比，可以明顯的看出圖2所示的陣列基板中TFT的源漏極與柵極之間的間距遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于圖1中TFT的源漏極與柵極之間的間距。
[0044]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的這樣一種陣列基板，通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和/或TFT的漏極區(qū)域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進(jìn)而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0045]需要說明的是，第一絕緣層的圖案26覆蓋區(qū)域可以與TFT的源極區(qū)域或TFT的漏極區(qū)域中的至少一個(gè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)，在如圖2所示的陣列基板中，是以第一絕緣層的圖案26覆蓋區(qū)域同時(shí)對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和TFT的漏極區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行的說明。當(dāng)采用這樣一種如圖2所示的陣列基板時(shí)，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs以及降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd?？梢韵氲剑?dāng)?shù)谝唤^緣層的圖案26覆蓋區(qū)域僅對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域時(shí)，由于TFT的柵極和源極之間作為平行板電容器的電極間距增大，從而可以有效降低源極與柵極之間寄生電容Cgs的影響，同理，當(dāng)?shù)谝唤^緣層的圖案26覆蓋區(qū)域僅對(duì)應(yīng)TFT的漏極區(qū)域時(shí)，可以有效降低漏極與柵極之間寄生電容Cgd的影響。
[0046]當(dāng)?shù)谝唤^緣層的圖案26同時(shí)對(duì)應(yīng)該TFT的源極251區(qū)域和TFT的漏極252區(qū)域時(shí)，該TFT的源極251區(qū)域和TFT的漏極252區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的第一絕緣層的圖案26的厚度
可以相等。
[0047]如圖2所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，第一絕緣層的圖案26的厚度D’可以為I μ m — 3 μ m。這樣一種厚度的第一絕緣層的圖案26的設(shè)計(jì)在降低電極之間電容值的同時(shí)可以通過現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝輕松制作實(shí)現(xiàn)，從而有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度。
[0048]根據(jù)平行板電容公式C= ε S/d可知，為了減小平行電極之間的電容值，當(dāng)其他條件不變時(shí)，可以通過增大兩電極之間的間距實(shí)現(xiàn)電容的減小。這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)中兩電極之間的間距相比，兩電極之間的電容值減小，從而能夠有效降低寄生電容所產(chǎn)生的跳變電壓的影響。
[0049]進(jìn)一步地，如圖2所示，該陣列基板還可以包括:
[0050]形成在透明基板20和TFT的柵極21之間的第二絕緣層的圖案27，該第二絕緣層的圖案27對(duì)應(yīng)TFT的溝道區(qū)域(圖2中A區(qū)域)。
[0051]其中，第二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’。進(jìn)一步地，第一絕緣層的圖案26和第二絕緣層的圖案27均可以采用具有良好絕緣性的有機(jī)樹脂材料等材料制成，本實(shí)用新型對(duì)此并不做限制。
[0052]這樣一來，通過在TFT的溝道區(qū)域制作第二絕緣層的圖案27，可以抬高位于該區(qū)域的TFT的柵極21，以使得柵極21的上表面與第一絕緣層的圖案26的上表面之間沒有明顯的段差。進(jìn)一步地，通過控制第一絕緣層以及第二絕緣層的厚度，以使得二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’，從而可以保證至少露出柵極21的表面，以確保形成TFT的溝道區(qū)域。
[0053]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的TFT-1XD陣列基板可以適用于FFS(Fringe Field Switching,邊緣場開關(guān))型、AD-SDS (Advanced-Super DimensionalSwitching,簡稱為ADS,高級(jí)超維場開關(guān))型、IPS (In Plane Switch,橫向電場效應(yīng))型、TN(Twist Nematic,扭曲向列)型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。其中,ADS技術(shù)是通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0054]無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對(duì)盒成形的彩膜基板和陣列基板。不同的是，TN型顯示裝置的公共電極設(shè)置在彩膜基板上，像素電極設(shè)置在陣列基板上；FFS型顯示裝置、ADS型顯示裝置以及IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設(shè)置在陣列基板上。
[0055]具體的，如圖2所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例中是以FFS型顯示裝置為例進(jìn)行的說明。其中，陣列基板還可以包括:[0056]形成在刻蝕阻擋層的圖案24表面的第一透明電極281，該第一透明電極281與TFT的漏極252相接觸。
[0057]形成在第一透明電極281表面的鈍化層的圖案29，該鈍化層的圖案29覆蓋TFT區(qū)域。
[0058]以及形成在該鈍化層表面的第二透明電極282。
[0059]其中，第一透明電極281可以為像素電極，第二透明電極282可以為公共電極，且該第一透明電極281可以為面狀結(jié)構(gòu)，第二透明電極282可以為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
[0060]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設(shè)置，可選的，位于上層的電極包含多個(gè)條形電極，位于下層的電極可以包含多個(gè)條形電極或?yàn)槠桨逍?。在本?shí)用新型實(shí)施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行的說明。其中，異層設(shè)置是針對(duì)至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設(shè)置是指，分別將至少兩層薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。對(duì)于兩種圖案異層設(shè)置是指，通過構(gòu)圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設(shè)置是指:由第一層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成下層電極，由第二層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0061]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板同樣可以適用于IPS型顯示裝置，與FFS型顯示裝置不同的是，所述公共電極和所述像素電極同層設(shè)置，所述公共電極包含多個(gè)第一條形電極，所述像素電極包含多個(gè)第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設(shè)置。其中，同層設(shè)置是針對(duì)至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設(shè)置是指:將同一薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。例如，公共電極和像素電極同層設(shè)置是指:由同一透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極。其中，像素電極是指通過開關(guān)單元(例如，可以是薄膜晶體管)與數(shù)據(jù)線電連接的電極，公共電極是指和公共電極線電連接的電極。
[0062]需要說明的是，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，半導(dǎo)體有源層的圖案23可以采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括:IGZ0 (銦鎵鋅氧化物)、IGO (銦鎵氧化物)、ITZO (銦錫鋅氧化物)、AlZnO (鋁鋅氧化物)中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si (非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導(dǎo)體有源層，相對(duì)于a-Si TFT或LTPS TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)可應(yīng)用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對(duì)于LTPS TFT技術(shù)具有設(shè)備投資成本低、運(yùn)營保障成本低等優(yōu)點(diǎn)。
[0063]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0064]該陣列基板具體包括形成在TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，該第一絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和/或TFT的漏極區(qū)域。其中，在對(duì)應(yīng)TFT的溝道區(qū)域，該TFT的柵極與柵絕緣層接觸。
[0065]需要說明的是本實(shí)用新型所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0066]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的這樣一種顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和/或TFT的漏極區(qū)域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進(jìn)而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0067]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種陣列基板制造方法，該方法如圖3所示，包括:
[0068]S301、在透明基板的表面形成TFT的柵極。
[0069]S302、在形成有柵極的基板上形成第一絕緣層的圖案，該第一絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和/或TFT的漏極區(qū)域。
[0070]需要說明的是，第一絕緣層的圖案覆蓋區(qū)域可以與TFT的源極區(qū)域或TFT的漏極區(qū)域中的至少一個(gè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)，在如圖2所示的陣列基板中，是以第一絕緣層的圖案26覆蓋區(qū)域同時(shí)對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和TFT的漏極區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行的說明。當(dāng)采用這樣一種如圖2所示的陣列基板時(shí)，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs以及降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd?？梢韵氲?，當(dāng)?shù)谝唤^緣層的圖案26覆蓋區(qū)域僅對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域時(shí)，由于TFT的柵極和源極之間作為平行板電容器的電極間距增大，從而可以有效降低源極與柵極之間寄生電容Cgs的影響，同理，當(dāng)?shù)谝唤^緣層的圖案26覆蓋區(qū)域僅對(duì)應(yīng)TFT的漏極區(qū)域時(shí)，可以有效降低漏極與柵極之間寄生電容Cgd的影響。
[0071]當(dāng)?shù)谝唤^緣層的圖案同時(shí)對(duì)應(yīng)該TFT的源極區(qū)域和TFT的漏極區(qū)域時(shí)，該TFT的源極區(qū)域和TFT的漏極區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的第一絕緣層的圖案的厚度可以相等。
[0072]如圖2所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，第一絕緣層的圖案26的厚度D’可以為I μ m — 3 μ m。這樣一種厚度的第一絕緣層的圖案26的設(shè)計(jì)在降低電極之間電容值的同時(shí)可以通過現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝輕松制作實(shí)現(xiàn)，從而有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度。
[0073]根據(jù)平行板電容公式C= ε S/d可知，為了減小平行電極之間的電容值，當(dāng)其他條件不變時(shí)，可以通過增大兩電極之間的間距實(shí)現(xiàn)電容的減小。這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)中兩電極之間的間距相比，兩電極之間的電容值減小，從而能夠有效降低寄生電容所產(chǎn)生的跳變電壓的影響。
[0074]S303、在形成有第一絕緣層的圖案的基板的表面形成柵絕緣層，在對(duì)應(yīng)TFT的溝道區(qū)域，柵極與柵絕緣層接觸。
[0075]由于對(duì)應(yīng)TFT溝道區(qū)域處需要保證柵極材料與半導(dǎo)體有源層之間具有一個(gè)較小的距離，因此無需設(shè)置絕緣層的圖案。
[0076]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的這樣一種陣列基板制造方法，該陣列基板通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對(duì)應(yīng)TFT的源極區(qū)域和/或TFT的漏極區(qū)域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進(jìn)而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0077]進(jìn)一步地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板制造方法，如圖4所示，具體包括:
[0078]S401、在透明基板的表面通過構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層的圖案，該第二絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)TFT的溝道區(qū)域。
[0079]在陣列基板的實(shí)際生產(chǎn)過程當(dāng)中，透明基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅(jiān)固性的透明材料制成。在透明基板上需要采用一次構(gòu)圖工藝以形成第二絕緣層的圖案。
[0080]例如，可以首先在透明基板的表面涂覆一層具有一定厚度的有機(jī)樹脂材料，形成第二絕緣層。通過具有特定圖案的掩膜進(jìn)行曝光顯影最終形成如圖5所示的第二絕緣層的圖案27。
[0081]S402、在形成有第二絕緣層的圖案的基板上通過構(gòu)圖工藝形成TFT的柵極。
[0082]例如，在形成有第二絕緣層的圖案的基板上可以采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，形成金屬層。其中，該金屬層可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進(jìn)行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，最終在第二絕緣層的圖案的表面形成TFT的柵極21，其結(jié)構(gòu)可以如圖6所示。
[0083]S403、在TFT的柵極的表面沉積形成第一絕緣層。
[0084]例如，可以在形成有TFT的柵極的基板的表面涂覆一層具有一定厚度的有機(jī)樹脂材料，如圖7所示，以形成第一絕緣層260。該第一絕緣層260將完全覆蓋TFT的柵極。
[0085]S404、采用灰化工藝處理第一絕緣層，以至少暴露出TFT的柵極的表面，形成第一絕緣層的圖案。
[0086]如圖8所示，該第一絕緣層260通過灰化工藝的處理，其厚度將整體降低，直至暴露出TFT的柵極的表面為止，最終形成圖案化的第一絕緣層的圖案26。在本實(shí)用新型實(shí)施例中是以采用灰化工藝為例進(jìn)行的說明，應(yīng)當(dāng)理解，為了暴露出TFT的柵極的表面，還可以采用其他各種已知的構(gòu)圖工藝，本實(shí)用新型對(duì)此并不作限制。
[0087]其中，第二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’。進(jìn)一步地，第一絕緣層的圖案26和第二絕緣層的圖案27均可以采用具有良好絕緣性的有機(jī)樹脂材料等材料制成，本實(shí)用新型對(duì)此并不做限制。
[0088]這樣一來，通過在TFT的溝道區(qū)域制作第二絕緣層的圖案27，可以抬高位于該區(qū)域的TFT的柵極21，以使得柵極21的上表面與第一絕緣層的圖案26的上表面之間沒有明顯的段差。進(jìn)一步地，通過控制第一絕緣層以及第二絕緣層的厚度，以使得二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’，從而可以保證至少露出柵極21的表面，以確保形成TFT的溝道區(qū)域。
[0089]S405、在形成有第一絕緣層的圖案的基板的表面形成柵絕緣層，在對(duì)應(yīng)TFT的溝道區(qū)域，柵極與柵絕緣層接觸。
[0090]如圖9所不,可見,在形成有第一絕緣層的圖案26的基板的表面上形成有厚度均一的柵絕緣層22。
[0091]S406、在柵絕緣層對(duì)應(yīng)TFT的柵極區(qū)域的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源
層的圖案。
[0092]例如，可以在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成具有半導(dǎo)體特性的半導(dǎo)體有源層，通過掩膜曝光形成如圖10所示的半導(dǎo)體有源層的圖案23。
[0093]需要說明的是，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，半導(dǎo)體有源層的圖案23可以采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括:IGZ0、IG0、ΙΤΖ0、AlZnO中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si (非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導(dǎo)體有源層，相對(duì)于a-Si TFT或LTPS TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)可應(yīng)用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對(duì)于LTPS TFT技術(shù)具有設(shè)備投資成本低、運(yùn)營保障成本低等優(yōu)點(diǎn)。
[0094]S407、在半導(dǎo)體有源層的圖案的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成具有過孔的刻蝕阻擋
層的圖案。
[0095]刻蝕阻擋層的圖案24可以如圖11所示，具體的，可以通過在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板上涂覆或沉積刻蝕阻擋層，通過具有特定圖案的掩膜曝光最終在對(duì)應(yīng)TFT的源極和漏極的位置分別形成過孔(圖11中虛線區(qū)域)，過孔的底部為半導(dǎo)體有源層的圖案23，從而得到刻蝕阻擋層的圖案24。
[0096]S408、在刻蝕阻擋層的圖案的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成TFT的源極和漏極，該TFT的源極和漏極分別通過過孔與半導(dǎo)體有源層的圖案相接觸。
[0097]形成有TFT的源極251和漏極252的基板結(jié)構(gòu)可以如圖12所示。
[0098]S409、在形成有TFT的源極和漏極的基板的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成第一透明電極，該第一透明電極與TFT的漏極相接觸。
[0099]形成有第一透明電極281的基板結(jié)構(gòu)可以如圖13所示。
[0100]S410、在第一透明電極的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成鈍化層的圖案，該鈍化層的圖案覆蓋TFT區(qū)域。
[0101]形成有鈍化層的圖案29的基板結(jié)構(gòu)可以如圖14所示。
[0102]S411、在鈍化層的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成第二透明電極。從而最終形成如圖2所示的陣列基板。
[0103]需要說明的是，在本實(shí)用新型實(shí)施例中是以FFS型顯示裝置為例進(jìn)行的說明。其中，第一透明電極281可以為像素電極，第二透明電極282可以為公共電極，且該第一透明電極281可以為面狀結(jié)構(gòu)，第二透明電極282可以為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
[0104]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設(shè)置，可選的，位于上層的電極包含多個(gè)條形電極，位于下層的電極可以包含多個(gè)條形電極或?yàn)槠桨逍?。在本?shí)用新型實(shí)施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行的說明。其中，異層設(shè)置是針對(duì)至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設(shè)置是指，分別將至少兩層薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。對(duì)于兩種圖案異層設(shè)置是指，通過構(gòu)圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設(shè)置是指:由第一層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成下層電極，由第二層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0105]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板同樣可以適用于ADS型顯示裝置、IPS型顯示裝置或TN型顯示裝置等各種顯示裝置陣列基板的生產(chǎn)?？梢韵氲?，當(dāng)像素電極或公共電極的位置或形狀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí)，通過改變上述工序中的相關(guān)步驟，同樣可以實(shí)現(xiàn)各種結(jié)構(gòu)陣列基板的生產(chǎn)，本實(shí)用新型實(shí)施例中對(duì)此并不一一列舉。
[0106]采用上述陣列基板制造方法，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進(jìn)而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0107]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對(duì)應(yīng)所述TFT的柵極區(qū)域的表面依次形成有半導(dǎo)體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導(dǎo)體有源層的圖案相接觸；其特征在于，還包括: 形成在所述TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，所述第一絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)所述TFT的源極區(qū)域和/或所述TFT的漏極區(qū)域； 在對(duì)應(yīng)所述TFT的溝道區(qū)域，所述柵極與所述柵絕緣層接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 形成在所述透明基板和所述TFT的柵極之間的第二絕緣層的圖案，所述第二絕緣層的圖案對(duì)應(yīng)所述TFT的溝道區(qū)域； 所述第二絕緣層的圖案與所述TFT的柵極的厚度之和大于等于所述第一絕緣層的圖案的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 形成在所述刻蝕阻擋層的圖案表面的第一透明電極，所述第一透明電極與所述TFT的漏極相接觸； 形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋所述TFT區(qū)域； 形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極； 且所述第一透明電極為面狀結(jié)構(gòu)，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層的圖案和所述第二絕緣層的圖案均采用有機(jī)樹脂材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，當(dāng)所述第一絕緣層的圖案同時(shí)對(duì)應(yīng)所述TFT的源極區(qū)域和所述TFT的漏極區(qū)域時(shí)，所述TFT的源極區(qū)域和所述TFT的漏極區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的所述第一絕緣層的圖案的厚度相等； 所述第一絕緣層的圖案的厚度為Iym — 3μπι。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體有源層的圖案采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料制成。
8.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-7任一所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK203644780SQ201320869809
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】金熙哲, 宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司