一種tft陣列基板及其制備方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板及其制備方法和顯示裝置，包括：在基板之上形成數(shù)據(jù)線和阻擋層，在阻擋層之上形成介質層，利用一道光罩刻蝕介質層和阻擋層而形成阻擋層圖形，在介質層之上形成像素電極，數(shù)據(jù)線和像素電極至少部分重疊。本發(fā)明通過僅利用一道光罩就完成了對阻擋層和介質層的刻蝕（圖案化），可以達到以下至少一個效果：節(jié)省一道光罩工藝，簡化工藝流程，提高基板制備良率，減少寄生電容的干擾，增大開口率和降低功耗。
【專利說明】一種TFT陣列基板及其制備方法和顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制備方法和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前，平板顯示器，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)和有機發(fā)光顯示器(Organic Light Emit Display, OLED)等，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。在成像過程中，平板顯示器中每一像素點都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)來驅動，再配合外圍驅動電路，實現(xiàn)圖像顯示，TFT是控制發(fā)光的開關，是實現(xiàn)液晶顯示器LCD和有機發(fā)光顯示器OLED大尺寸化的關鍵，直接關系到高性能平板顯示器的發(fā)展方向。隨著對產(chǎn)品邊框窄化和顯示效果的要求越來越高，如何在減少像素電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，從而達到增大開口率，減小數(shù)據(jù)線負載，降低功耗的效果的同時，又達到減少工藝步驟，簡化工藝流程，提高基板制備的良率的效果，成為了本領域技術人員亟待解決的問題。

【發(fā)明內容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其制備方法和顯示裝置。
[0004]一種TFT陣列基板的制備方法,包括:
[0005]在基板之上形成阻擋層；
[0006]在所述基板和所述阻擋層之上形成數(shù)據(jù)線；
[0007]在所述阻擋層和所述數(shù)據(jù)線之上形成介質層，利用一道光罩刻蝕所述介質層和所述阻擋層，形成阻擋層圖形；
[0008]在所述介質層之上形成像素電極，所述介質層位于所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間。
[0009]一種利用上述的TFT陣列基板的制備方法制備的TFT陣列基板，所述介質層位于所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極之間。
[0010]一種顯示裝置，包括上述的TFT陣列基板。
[0011]本發(fā)明通過在同一道光罩里，刻蝕阻擋層和介質層，而形成阻擋層圖案，并且介質層位于數(shù)據(jù)線和像素電極之間，可以達到以下至少一個效果:減少數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容，減小數(shù)據(jù)線負載，降低功耗，增大開口率，減少工藝步驟，降低制備工藝的復雜度，提聞基板制備的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1 (a)、圖1 (b)和圖1 (C)為現(xiàn)有技術的利用8道光罩制備得到的TFT陣列基板的結構示意圖；
[0014]圖2 (a)、圖2 (b)和圖2 (C)為現(xiàn)有技術的利用9道光罩制備得到的TFT陣列基板的結構示意圖；
[0015]圖3為現(xiàn)有技術中9光罩制備TFT陣列基板的方法步驟流程圖；
[0016]圖4為本發(fā)明實施例一中的方法步驟流程圖；
[0017]圖5 (a)、圖5 (b)和圖5 (C)為本發(fā)明實施例一中第一道光罩后形成的TFT陣列基板結構不意圖；
[0018]圖6 (a)、圖6 (b)和圖6 (C)為本發(fā)明實施例一中第二道光罩后形成的TFT陣列基板結構不意圖；
[0019]圖7 (a)、圖7 (b)和圖7 (C)為本發(fā)明實施例一中第三道光罩后形成的TFT陣列基板結構不意圖；
[0020]圖8 (a)、圖8 (b)和圖8 (C)為本發(fā)明實施例一中第四道光罩后形成的TFT陣列基板結構不意圖；
[0021]圖9 (a)、圖9 (b)和圖9 (C)為本發(fā)明實施例一中第五道光罩后形成的TFT陣列基板結構不意圖；
[0022]圖10 (a)、圖10 (b)和圖10 (C)為本發(fā)明實施例一中第六道光罩后形成的TFT陣列基板結構示意圖；
[0023]圖11 (a)、圖11 (b)和圖11 (C)為本發(fā)明實施例一中第七道光罩后形成的TFT陣列基板結構示意圖；
[0024]圖12 (a)、圖12 (b)和圖12 (C)為本發(fā)明實施例一中第八道光罩后形成的TFT陣列基板結構示意圖；
[0025]圖13為本發(fā)明實施例一中制備而成的TFT陣列基板的平面俯視圖。
【具體實施方式】
[0026]為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0027]圖1 (a)、圖1 (b)和圖1 (C)為現(xiàn)有技術中(傳統(tǒng)的)利用8道光罩制備得到的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列基板的結構示意圖，結合圖1 (a)、圖1 (b)和圖1 (c)所示，TFT陣列基板包括:源/漏極101、柵極102、半導體層103、阻擋層104、鈍化層105，柵極絕緣層106，數(shù)據(jù)線107、像素電極108和公共電極109，柵極絕緣層過孔110和鈍化層過孔111，其中，像素電極108和數(shù)據(jù)線107位于同一層，在此情況下，數(shù)據(jù)線107與像素電極108之間會出現(xiàn)寄生電容，對數(shù)據(jù)線107與像素電極108產(chǎn)生干擾，造成數(shù)據(jù)線負載大，功耗大的問題。
[0028]隨著TFT工藝逐步提高，業(yè)界提出了一種經(jīng)過9道光罩制備得到的TFT陣列基板，如圖2 (a)、圖2 (b)和圖2 (c)所示，TFT陣列基板包括:柵極201、柵極絕緣層202、半導體層203、阻擋層204、源/漏極205、有機膜206，鈍化層207、數(shù)據(jù)線208、有機膜206、像素電極209、公共電極210，柵極絕緣層過孔211和鈍化層過孔212。與傳統(tǒng)的8光罩TFT陣列基板不同的是:數(shù)據(jù)線208和像素電極209不同層，在數(shù)據(jù)線208和像素電極209之間增加一層有機膜206，這就使得增加了一道工藝(光罩)，圖3為現(xiàn)有技術中9光罩制備TFT陣列基板的方法步驟流程圖，如圖3所示，現(xiàn)有技術中9光罩制備TFT陣列基板的方法步驟包括:
[0029]步驟101:在基板上形成第一金屬層，利用第一道光罩形成柵極；
[0030]步驟102:在所述基板和柵極之上形成柵極絕緣層；
[0031]步驟103:在所述柵極絕緣層之上，利用第二道光罩形成位于所述柵極之上的半導體層；
[0032]步驟104:在所述半導體層和所述柵極絕緣層之上形成阻擋層，并利用第三道光罩形成阻擋層圖形；
[0033]步驟105:利用第四道光罩，形成一貫穿所述柵極絕緣層的第一過孔；
[0034]步驟106:在所述阻擋層之上形成第二金屬層，利用第五道光罩形成數(shù)據(jù)線以及位于半導體層之上的源極和漏極；
[0035]步驟107:在所述阻擋層、半導體層和數(shù)據(jù)線之上形成有機膜，并利用第六道光罩形成有機膜圖形；
[0036]步驟108:在有機膜之上形成第一透明導電層，利用第七道光罩形成像素電極，以使得有機膜位于像素電極和數(shù)據(jù)線之間；
[0037]步驟109:在所述有機膜和像素電極之上形成覆蓋整個基板的鈍化層，利用第八道光罩形成一貫穿所述鈍化層的第二過孔；
[0038]步驟110:在所述鈍化層之上形成第二透明導電層，利用第九道光罩形成位于像素電極上方的公共電極。
[0039]雖然現(xiàn)有技術中的利用9光罩制備的TFT陣列基板，由于數(shù)據(jù)線208和像素電極209之間有有機膜206，可以減少數(shù)據(jù)線208和像素電極209之間的寄生電容，同時，數(shù)據(jù)線208與像素電極209可以有部分重疊，從而增大開口率。
[0040]但是，圖2 (a)、圖2 (b)和圖2 (c)所示的9道光罩制備得到的TFT陣列基板對于圖1 (a)、圖1 (b)和圖1 (c)所示的8道光罩制備得到的TFT陣列基板而言，增加了一道光罩。然而，增加一道光罩就意味著增加制作工藝的復雜度，就可能會面臨基板制作良率降低的風險，因此，圖2 (a)、圖2 (b)和圖2 (c)所示的9光罩制備TFT陣列基板的工藝存在復雜度高且良率低的問題。
[0041]在本發(fā)明實施例中，為了避免現(xiàn)有技術中存在的寄生電容(影響數(shù)據(jù)線負載)、開口率低、制作工藝復雜度高的問題，本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板及其制備方法和顯示裝置。以下通過具體實施例對本發(fā)明方案進行詳細說明，當然本發(fā)明并不局限于以下實施例。
[0042]實施例一:
[0043]本發(fā)明的一種TFT陣列基板的制備方法，包括:
[0044]在基板之上形成阻擋層；[0045]在基板和阻擋層之上形成數(shù)據(jù)線；
[0046]在阻擋層和數(shù)據(jù)線之上形成介質層，利用一道光罩刻蝕介質層和阻擋層，從而形成阻擋層圖形；
[0047]在介質層之上形成像素電極，所述介質層位于所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間。
[0048]具體地，如圖4所示，本發(fā)明所提供的TFT陣列基板的制備方法的步驟包括:
[0049]步驟201:在基板上形成第一金屬層，利用第一道光罩形成柵極，其中，基板的材料包括但不限于玻璃或石英。在本步驟201中，可以通過物理氣相沉積、金屬有機化合物化學氣相淀積或化學氣相沉積等方法，在所述基板上形成第一金屬層。
[0050]進一步的，結合圖5 (a)、圖5 (b)和圖5 (c),利用第一道光罩以及相應的光刻工藝，圖案化第一金屬層，形成柵極301，和與柵極301同層的第一電極302。所述柵極301
的厚度可以為2000,4?4000人.5柵極301可以為單層合金結構，也可以為多層合金結構，其
中，合金可以是鑰、鋁、肽組合而成，本發(fā)明實施例并不對合金中每種金屬的占比做具體限定。
[0051]所述光刻工藝的作用是將掩模板上的圖形轉移到基板表面上，形成所需圖形。具體包括涂膠、圖形曝光和顯影。其中，涂膠是指在基板表面涂布一層光刻膠，對于小的基板而言，一般使用旋轉涂布的方式；對于大的基板而言，可以使用狹縫涂布的方式。涂膠后的基板經(jīng)過干燥、前烘后可以作圖形曝光。而經(jīng)過圖形曝光后，掩模板上的圖形轉移到基板上，被光阻以潛影的方式記錄下來，然后，經(jīng)過顯影液將潛影顯露出來。若使用的光刻膠為正性光刻膠，則在曝光后，經(jīng)紫外線照射到的光刻膠會在顯影過程中被溶掉，剩下沒有被照射的部分；負性光刻膠則反之。
[0052]后續(xù)步驟中所涉及的光刻工藝與上述光刻工藝類似，將不再贅述。
[0053]步驟202:在所述基板和柵極之上形成柵極絕緣層。
[0054]進一步的，結合圖6 (a)、圖6 (b)和圖6 (C)，在步驟201的基礎上，在整個基板區(qū)域，通過化學氣相沉積的方式直接沉積形成柵極絕緣層303，覆蓋柵極301、第一電極302和基板。所述柵極絕緣層303可以由硅化物材料形成，具體地，所述柵極絕緣層303可以是由氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中的任意兩種或兩種以上化合物組合而成的復合層結構，當然，所述柵極絕緣層303也不限于由其他硅化物材料形成，本發(fā)明實施例并不對所述柵極絕緣層303的材料做具體限定。所述柵極絕緣層303的厚度可以為！ 5U0 Λ._ 4500八
[0055]步驟203:在所述柵極絕緣層之上，利用第二道光罩形成位于所述柵極之上的半導體層。
[0056]進一步的，繼續(xù)結合圖6 (a)、圖6 (b)和圖6 (c),在本步驟203中，可以通過化學氣相沉積方法，在所述柵極絕緣層303之上沉積一半導體層，并利用第二道光罩以及相應的光刻工藝，形成位于所述柵極301之上的半導體層304。所述半導體層304可以由氧化物、單晶硅(A-Si)或低溫多晶硅(LTPS)等材料構成，本發(fā)明實施例并不對半導體層304的材料做具體限定。半導體層304的厚度可以為100 Λ- 1500 Λ丨
[0057]步驟204:在所述半導體層和所述柵極絕緣層之上形成阻擋層。
[0058]進一步的，結合圖7 (a)、圖7 (b)和圖7 (c),在本步驟204中，通過化學氣相沉積或物理氣相沉積的方式，在所述半導體層304和所述柵極絕緣層303之上形成阻擋層305。所述阻擋層305是由氧化硅、氮氧化硅等硅氧化物材料中的一種或多種組合而成。所述阻擋層305的厚度可以為A -1OOOA0
[0059]步驟205:利用第三道光罩，形成一貫穿所述柵極絕緣層和所述阻擋層的第一過孔。
[0060]進一步的，結合圖7 (a)、圖7 (b)和圖7 (C)，利用第三道光罩以及相應的光刻工藝，形成第一過孔306，第一過孔306貫穿所述柵極絕緣層303和阻擋層305，而暴露出第一電極302。
[0061]步驟206:在所述阻擋層之上形成第二金屬層，利用第四道光罩形成數(shù)據(jù)線。
[0062]進一步的，結合圖8 (a)、圖8 (b)和圖8 (C)，在本步驟206中，可以通過物理氣相沉積的方式，在所述阻擋層305之上沉積第二金屬層，并利用第四道光罩以及相應光刻工藝，形成數(shù)據(jù)線307和與數(shù)據(jù)線307同層的第二電極308和第三電極309，所述第二電極308通過第一過孔306與第一電極302接觸連接。
[0063]數(shù)據(jù)線307可以為單層合金結構，也可以為多層合金結構，其中，所述合金可以是鑰、鋁、肽組合而成，本發(fā)明實施例并不對所述合金中每種金屬的占比做具體限定。數(shù)據(jù)線307的厚度可以為2000 A-4000Ao
[0064]步驟207:在所述阻擋層、半導體層和數(shù)據(jù)線之上形成介質層，利用第五道光罩刻蝕介質層和阻擋層而形成阻擋層圖形。
[0065]進一步的，結合圖9 (a)、圖9 (b)和圖9 (c),在本步驟207中，通過物理氣相沉積方式在所述阻擋層305、半導體層304和數(shù)據(jù)線307之上形成一層介質層310，并利用第五道光罩，在同一道光罩里刻蝕介質層310和數(shù)據(jù)線307，形成阻擋層305圖形。
[0066]第五道光罩的具體過程為:首先刻蝕介質層310，形成介質層310圖案，再通過刻蝕后的介質層310圖案和數(shù)據(jù)線307的阻擋，干刻阻擋層305形成阻擋層305圖形，因此，通過本發(fā)明的TFT陣列基板的制備方法制備的TFT陣列基板中，阻擋層305除了有一部分位于介質層310和半導體層304之間外，還有一部分阻擋層305位于數(shù)據(jù)線307和柵絕緣層303之間。
[0067]介質層310—般為低介電常數(shù)材料，介質層310可以是具有光感性的材料，比如光感有機膜，當然，本發(fā)明實施例也不限于選用其他材料，如正性感光樹脂絕緣材料、負性感光樹脂絕緣材料或非感光樹脂絕緣材料等。介質層310的厚度為2000 A?50000 A0
[0068]步驟208:在所述介質層之上形成第一透明導電層，利用第六道光罩形成位于所述半導體層之上的源極和漏極，以及位于介質層之上的像素電極，以使得所述介質層位于所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間。
[0069]進一步的，結合圖10 (a)、圖10 (b)和圖10 (C)，在本步驟208中，可以通過物理氣相沉積或化學氣相沉積在介質層310之上形成第一透明導電層。利用第六道光罩以及相應光刻工藝，圖案化第一透明導電層，形成位于所述半導體層上方的源極311和漏極312，以及位于介質層310之上的像素電極313。因此，低介電常數(shù)材料(介質層310)位于數(shù)據(jù)線307和像素電極313之間，亦即，數(shù)據(jù)線307和像素電極313不同層，數(shù)據(jù)線307和像素電極313之間，介質層310，如此，可以通過進一步增大所述數(shù)據(jù)線307和像素電極313之間的距離(即介質層310的厚度)，來減少寄生電容對兩者的干擾，從而提高顯示品質。[0070]同時，為了增大開口率，還可以使得數(shù)據(jù)線307與像素電極313至少有部分重疊，更進一步提高了現(xiàn)實品質。當然，若形成的像素電極313的面積足夠大，也可以使數(shù)據(jù)線307與像素電極313完全重疊，也可使數(shù)據(jù)線307和像素電極313部分重疊。
[0071]步驟209:在所述源極、漏極、像素電極之上形成覆蓋整個基板的鈍化層，利用第七道光罩形成一貫穿所述鈍化層的第二過孔。
[0072]進一步的，結合圖11 (a)、圖11 (b)和圖11 (C)，在步驟208的基礎上，在源極311、漏極312、像素電極313之上，通過化學氣相沉積形成覆蓋整個基板的鈍化層314，并利用第七道光罩以及相應光刻工藝，形成貫穿鈍化層314的第二過孔315，第二過孔315暴露出第三電極309。鈍化層314可以由硅化物材料形成，所述鈍化層314可以是由氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中的任意兩種或兩種以上硅化物材料組合而成的復合層結構，所述鈍化層314的厚度為2000 A?5000 A0
[0073]步驟210:在所述鈍化層之上形成第二透明導電層，利用第八道光罩形成位于像素電極上方的公共電極。
[0074]進一步的，結合圖12 (a)、圖12 (b)和圖12 (C)，在本步驟210中，與第一透明導電層的形成方式相同，可以通過物理氣相沉積或化學氣相沉積，在所述鈍化層314之上形成第二透明導電層；并利用第八道光罩以及相應光刻工藝形成位于像素電極313上方的公共電極316和與所述公共電極313同層的導線317，導線317通過第二過孔315與第三電極309接觸連接。
[0075]其中，像素電極313、源極311、漏極312和公共電極316、以及導線317的材料為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅。像素電極313、源極311、漏極312和公共電極316、以及導線317的厚度均可以為300 A?3000 A。
[0076]此外，圖13為利用本發(fā)明的TFT制備方法制備而成的TFT陣列基板的平面俯視圖，如圖13所示，TFT陣列基板包括:柵極301，數(shù)據(jù)線307，像素電極313，介質層(未圖示)，源極311，漏極312。其中，圖12 (a)所示的TFT陣列基板結構示意圖是在圖13中沿a-a線的剖視圖，圖12 (b)所示的TFT陣列基板結構示意圖是在圖13中沿b-b線的剖視圖；圖12 (c)所示的TFT陣列基板結構示意圖為外圍走線(未圖示)的剖面示意圖。
[0077]本發(fā)明僅利用一道光罩(即第五道光罩)就完成對介質層和阻擋層的刻蝕而形成阻擋層圖形，至少可以達到節(jié)省一道光罩的效果，與現(xiàn)有技術的9光罩方法(即圖2 (a)、圖2 (b)和圖2 (c)所示的結構)相比，本發(fā)明制備得到的TFT陣列基板，數(shù)據(jù)線和像素電極之間也有介質層，也可以減少數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容，并減少寄生電容的干擾，降低功耗，數(shù)據(jù)線與像素電極至少部分重疊，可達到增大開口率的目的；同時，本發(fā)明只需8道光罩，相比現(xiàn)有技術，減少了一道光罩，簡化了工藝流程，降低了制備工藝的復雜度，提高了基板制備良率，亦即，本發(fā)明在減少像素電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容、增大開口率、減小數(shù)據(jù)線負載、降低功耗的同時，可以減少工藝步驟、簡化工藝流程、提高基板制備的良率。
[0078]實施例二:
[0079]本發(fā)明實施例二提供了一種利用實施例一所述的FTF陣列基板的制備方法所制備的TFT陣列基板，如圖12 (a)、圖12 (b)和圖12 (c)所示，包括:柵極301、覆蓋整個基板且位于柵極301之上的柵極絕緣層303、位于柵極301和柵極絕緣層303上方的半導體層304、位于半導體層304之上阻擋層305、位于阻擋層305之上的數(shù)據(jù)線307、介質層310、源極311、漏極312、鈍化層314、像素電極313、公共電極316、第一過孔306、第一電極302、第二電極308、第三電極309、第二過孔315和導線317，其中:介質層310位于數(shù)據(jù)線307和像素電極313之間，數(shù)據(jù)線307與像素電極313至少有部分重疊。
[0080] 實施例三:
[0081 ] 本發(fā)明實施例三還提供了 一種顯示裝置(未圖示)，該顯示裝置包括一種TFT陣列基板，該TFT陣列基板采用上述實施例二所提供的TFT陣列基板，通常，該顯示裝置為液晶顯示裝置，還可以包括與TFT陣列基板相對設置的彩膜基板，以及位于TFT陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，當然該TFT陣列基板也可以應用于OLED裝置。
[0082]具體地，本發(fā)明實施例三提供的顯示裝置不限于:電子紙、液晶電視機、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等產(chǎn)品或裝置。
[0083]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0084]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 在基板之上形成阻擋層； 在基板和阻擋層之上形成數(shù)據(jù)線； 在阻擋層和數(shù)據(jù)線之上形成介質層，利用一道光罩刻蝕介質層和阻擋層，形成阻擋層圖形； 在介質層之上形成像素電極，所述介質層位于所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間。
2.如權利要求1所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括 在基板上形成柵極； 在所述基板和柵極之上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層之上，形成位于所述柵極上方的半導體層，所述柵極、柵極絕緣層和半導體層位于基板和阻擋層之間； 形成一貫穿所述柵極絕緣層和所述阻擋層的第一過孔； 在介質層之上形成源極和漏極，所述源極、漏極與像素電極位于同一層； 在所述源極、漏極、像素電極之上形成覆蓋整個基板的鈍化層，并刻蝕所述鈍化層形成一貫穿所述鈍化層的第二過孔； 在所述鈍化層之上形成公共電極，位于所述像素電極的上方。
3.如權利要求2所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括形成第一電極、第二電極、第三電極和導線； 所述第一電極與所述柵極同層，所述第一過孔暴露出所述第一電極； 所述第二電極通過所述第一過孔與所述第一電極接觸連接； 所述第三電極、所述第二電極和所述數(shù)據(jù)線同層，所述第二過孔暴露出所述第三電極； 所述導線與所述公共電極同層，并通過所述第二過孔與所述第三電極接觸連接。
4.如權利要求1所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極至少有部分重疊。
5.如權利要求2所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于， 所述柵極和數(shù)據(jù)線為單層合金結構或多層合金結構，所述合金是鑰、鋁、肽組合形成的，所述柵極和數(shù)據(jù)線的的厚度均為2000A~4000A。
6.如權利要求2所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于， 所述柵極絕緣層和所述鈍化層均由硅化物材料形成，其中，所述柵極絕緣層的厚度為.1500 A~4500 A5所述鈍化層的厚度為2000 A -5000 A； 所述阻擋層由硅氧化物材料形成,其中,所述阻擋層的厚度為300 A-1000 Α?
7.如權利要求1所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述介質層的材料為低介電常數(shù)材料，所述介質層具有光感性，所述介質層的厚度為20(.)() A~50000 L.
8.一種利用權利要求1-7任一項所述的TFT陣列基板的制備方法制備的TFT陣列基板，其特征在于，所述介質層位于數(shù)據(jù)線和像素電極之間。
9.如權利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極至少有部分重疊。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求8-9任一項所述的TFT陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK103928397SQ201310465183
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年10月8日 優(yōu)先權日:2013年10月8日
【發(fā)明者】翟應騰, 吳勇 申請人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司