一種tft陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其制造方法，該TFT陣列基板形成于底板底板上，其包括：掃描線、數(shù)據(jù)線、像素電極、TFT單元、以及有源層，所述TFT單元包括與掃描線連接的柵極、與數(shù)據(jù)線電性連接源極、以及與像素電極連接的漏極，所述有源層由IGZO制成的，所述像素電極、源極、和漏極均由離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體而形成，且所述像素電極、源極、和漏極、有源層均位于TFT陣列基板的底層。本發(fā)明屬于自對齊頂柵結(jié)構(gòu)的TFT,通過使用IGZO的材料使本發(fā)明光罩張數(shù)減至3張或2張，降低了生產(chǎn)成本，且自對齊頂柵結(jié)構(gòu)的TFT的應(yīng)用，減小了TFT的寄生電容，不再需要較大的存儲電容來平衡回踢電壓，提高了開口率。
【專利說明】一種TFT陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種TFT陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶行業(yè)目前的發(fā)展趨勢是大型化、高精細(xì)化、高質(zhì)量、低成本。正常液晶的TFT陣列基板一般需要5道光罩來完成,其中TFT制程為3張光罩。常見的IGZO基板由于考慮到刻蝕對IGZO膜層的傷害，一般TFT制程會增加I到2張光罩，對IGZO的TFT溝道進(jìn)行保護(hù)。
[0003]TFT陣列基板，首先要有完整的TFT，TFT至少需要2張光罩才能完成，柵線走線與數(shù)據(jù)線走線不能處于同層，再加上像素電極層和打孔，這些所有的要素相加整合，不考慮半色調(diào)光罩，4張光罩似乎是極限了(如專利CN201210586237.3所示)。
[0004]故，本發(fā)明需解決上述問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提出一種將TFT陣列基板的所有要素整合到TFT制成中的方式，減少光罩張數(shù)至3張或2張的TFT陣列基板及其制造方法。
[0006]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板,該TFT陣列基板形成于底板底板上,其包括:掃描線、與掃描線縱橫交錯的數(shù)據(jù)線、以及由掃描線和數(shù)據(jù)線交叉限定的若干像素單元，每個(gè)像素單元均包括像素電極、TFT單元、以及有源層，所述TFT單元包括與掃描線連接的柵極、與數(shù)據(jù)線電性連接源極、以及與像素電極連接的漏極，所述有源層由IGZO制成的，所述像素電極、源極、和漏極均由離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體而形成，且所述像素電極、源極、和漏極、有源層均位于TFT陣列基板的底層。
[0007]本發(fā)明又提高一種TFT陣列基板的制造方法，該TFT陣列基板形成于底板底板上，其包括如下步驟:第一步:在底板底板上形成數(shù)據(jù)線；第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上覆蓋形成一層IGZO層，該IGZO層的形狀為在數(shù)據(jù)線所在的位置、預(yù)定的像素電極所在的位置、預(yù)定的源極和漏極所在的位置、以及TFT溝道區(qū)所在的位置；第三步:形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上，首先形成第一絕緣膜，再在第一絕緣膜上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線和柵極，掃描線與數(shù)據(jù)線在空間上縱橫交錯，柵極位于IGZO層在預(yù)定的TFT溝道區(qū)所在的位置之上；第四步:形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體，并形成具有導(dǎo)電特征并位于柵極一側(cè)的源極、位于柵極另一側(cè)的漏極、與漏極連接的像素電極，位于TFT溝道區(qū)所在的位置的IGZO層是本TFT陣列基板的有源層。
[0008]本發(fā)明又提高一種TFT陣列基板的制造方法，該TFT陣列基板形成于底板底板上，其包括如下步驟:第一步:先在底板上覆蓋一層IGZO層，再在IGZO層覆蓋形成第一金屬層，最后在第一金屬層上形成光刻膠；第二步:形成上述第一步的基礎(chǔ)上，用半色調(diào)掩模對第一步形成的圖案進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分、位于預(yù)定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區(qū)的位置為半透光部分、其余位于都是透光部分，通過半色調(diào)掩模曝光、顯影、刻蝕，使得預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留光刻膠和第一金屬層；使得預(yù)定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區(qū)的位置的光刻膠被刻蝕薄一些；使得其余位置的光刻膠都被刻蝕掉，剩余疊層的第一金屬層和IGZO層；第三步:形成上述第二步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝去除位于半色調(diào)掩模的透光部分下的第一金屬層和IGZO層，露出位于半色調(diào)掩模的透光部分下的底板；第四步:形成上述第三步的基礎(chǔ)上，對光刻膠進(jìn)行灰化處理，使得光刻膠較薄的區(qū)域被完全灰化，在預(yù)定數(shù)據(jù)線的區(qū)域仍存在光刻膠，即:半色調(diào)掩模的半透光部分下的光刻膠都被灰化，露出第一金屬層；半色調(diào)掩模的不透光部分仍覆蓋光刻膠；第五步:形成上述第四步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝去除位于半色調(diào)掩模的半透光部分下的第一金屬層，露出位于底板上的IGZO層；第六步:形成上述第五步的基礎(chǔ)上，去除位于半色調(diào)掩模的不透光部分下的第一金屬層上的光刻膠，露出第一金屬層，即:該第一金屬層形成數(shù)據(jù)線；第七步:在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，首先形成第一絕緣膜，再在第一絕緣膜上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線和柵極，掃描線與數(shù)據(jù)線在空間上縱橫交錯，柵極位于IGZO層預(yù)定在TFT溝道區(qū)所在的位置之上；第八步:在形成上述第七步圖案的基礎(chǔ)上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體，并形成具有導(dǎo)電特征的位于柵極一側(cè)的源極、位于柵極另一側(cè)的漏極、以及與漏極連接的像素電極，位于TFT溝道區(qū)所在的位置的IGZO層是本TFT陣列基板的有源層。
[0009]本發(fā)明屬于自對齊頂柵結(jié)構(gòu)的TFT，通過使用IGZO的材料使本發(fā)明光罩張數(shù)減至3張或2張，降低了生產(chǎn)成本，且自對齊頂柵結(jié)構(gòu)的TFT的應(yīng)用，減小了 TFT的寄生電容，不再需要較大的存儲電容來平衡回踢電壓，提高了開口率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第一步的示意圖；
[0011]圖1a為圖1在A-A'的剖視圖；
[0012]圖2為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第二步的示意圖；
[0013]圖2a為圖1在A-A'的剖視圖；
[0014]圖3為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第三步的示意圖；
[0015]圖3a為圖1在A-A'的剖視圖；
[0016]圖4為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第四步的示意圖；
[0017]圖4a為圖1在A-A'的剖視圖；
[0018]圖5為本發(fā)明TFT陣列基板第二實(shí)施例的制作步驟第一步的示意圖；
[0019]圖5a為圖1在A-A'的剖視圖；
[0020]圖6為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第二步的示意圖；
[0021]圖7為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第三步的示意圖；
[0022]圖7a為圖1在A-A'的剖視圖；
[0023]圖8為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第四步的示意圖；
[0024]圖9為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第五步的示意圖；
[0025]圖9a為圖1在A-A'的剖視圖；[0026]圖10為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第六步的示意圖；
[0027]圖1Oa為圖1在A-A'的剖視圖；
[0028]圖11為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第七步的示意圖；
[0029]圖1la為圖1在A-A'的剖視圖；
[0030]圖12為本發(fā)明TFT陣列基板第一實(shí)施例的制作步驟第八步的示意圖；
[0031]圖12a為圖1在A-A'的剖視圖；
[0032]圖13為本發(fā)明TFT陣列基板制作存儲電容的第一實(shí)施例的示意圖；
[0033]圖13a為圖1在B-B'的剖視圖；
[0034]圖14為本發(fā)明TFT陣列基板制作存儲電容的第二實(shí)施例的示意圖；
[0035]圖14a為圖1在B-B'的剖視圖；
[0036]圖15為本發(fā)明TFT陣列基板覆蓋端子的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0038]本發(fā)明揭示一種TFT陣列基板，如圖4和圖4a所示，本發(fā)明TFT陣列基板形成于底板100100上，其包括:掃描線50、與掃描線50縱橫交錯的數(shù)據(jù)線20、以及由掃描線50和數(shù)據(jù)線20交叉限定的若干像素單元，每個(gè)像素單元均包括像素電極70、TFT單元、以及有源層30，所述TFT單元包括與掃描線50連接的柵極51、與數(shù)據(jù)線20電性連接源極61、以及與像素電極70連接的漏極62。
[0039]本發(fā)明的有源層30由IGZO制成的，且本發(fā)明的像素電極70、源極61、和漏極62均由離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體而形成，且所述像素電極70、源極61、和漏極62、有源層30均位于TFT陣列基板的底層。
[0040]本發(fā)明TFT陣列基板采用較少張的光罩制成，本發(fā)明第一實(shí)施例是通過3張光罩完成本發(fā)明，其包括如下制作步驟:
[0041]第一步:如圖1和圖la，在底板100上形成第一金屬層，通過刻蝕等化學(xué)工藝，該第一金屬層形成數(shù)據(jù)線20。
[0042]該數(shù)據(jù)線20的材料為Mo、Al、或Ti等金屬形成，在本實(shí)施例，第一金屬層20的T1-Al-Ti的合金，其膜厚250-350nm，最好為300nm。
[0043]圖1和圖1a僅示意相鄰兩根數(shù)據(jù)線20，該相鄰兩根數(shù)據(jù)線20縱向設(shè)置于底板100上，該相鄰兩根數(shù)據(jù)線20之間間隔一定的距離。
[0044]本步驟是本TFT陣列基板的制作步驟的第I張光罩。
[0045]第二步:如圖2和圖2a，在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上覆蓋形成一層IGZO層30，其膜厚45-50nm，最好為500nm。
[0046]圖2和圖2a所示的IGZO層30在底板100上的覆蓋位置為在數(shù)據(jù)線20所在的位置、預(yù)定的像素電極所在的位置、預(yù)定的源極和漏極所在的位置、以及TFT溝道區(qū)所在的位置。
[0047]本步驟是本TFT陣列基板的制作步驟的第2張光罩。[0048]第三步:如圖3和圖3a，形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上，首先形成第一絕緣膜40，再在第一絕緣膜40上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜40和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線50和柵極51，掃描線50與數(shù)據(jù)線20在空間上縱橫交錯，柵極51位于IGZO層30在預(yù)定的TFT溝道區(qū)所在的位置之上。
[0049]第一絕緣膜40的材料為Si02，其膜厚250-350nm，最好為300nm ;第二金屬層的材料為Mo、Al、或Ti等金屬形成，其膜厚350-450nm，最好為400nm。
[0050]本步驟是本TFT陣列基板的制作步驟的第3張光罩。
[0051]第四步:如圖4和圖4a，形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層30成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體，并形成具有導(dǎo)電特征并位于柵極51 —側(cè)的源極61、位于柵極51另一側(cè)的漏極62、與漏極62連接的像素電極70 ;位于TFT溝道區(qū)所在的位置的IGZO層30是本TFT陣列基板的有源層。
[0052]通過上述介紹本發(fā)明TFT陣列基板的制作步驟，本發(fā)明屬于自對齊頂柵結(jié)構(gòu)的TFT,通過使用IGZO的材料使本發(fā)明光罩張數(shù)減至3張，降低了生產(chǎn)成本，且自對齊頂柵結(jié)構(gòu)的TFT的應(yīng)用，減小了 TFT的寄生電容，不再需要較大的存儲電容來平衡回踢電壓，提高了開口率。
[0053]圖5至圖12a是本發(fā)明陣列基板的第二實(shí)施例的示意圖，本第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例的區(qū)別是:在TFT陣列基板結(jié)構(gòu)上的區(qū)別是:數(shù)據(jù)線20'位于底層，且第二實(shí)施例僅才有2張光罩完成其制成，其包括如下制作步驟:
[0054]第一步:如圖5和圖5a，先在底板100上覆蓋一層IGZO層30'，再在IGZO層30'覆蓋形成第一金屬層20' ,最后在第一金屬層20'上形成光刻膠80。
[0055]IGZO層30'、第一金屬層20'、以及光刻膠80均是整面覆蓋在底板100上。
[0056]其中，IGZO層30'的膜厚45_50nm,最好為500nm ;第一金屬層作為數(shù)據(jù)線20',材料為Mo、Al、或Ti等金屬形成，其膜厚250-350nm，最好為300nm。
[0057]第二步:如圖6,形成上述第一步的基礎(chǔ)上,用半色調(diào)掩模(half tone mask)90對第一步形成的圖案進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模90在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分91、位于預(yù)定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區(qū)的位置為半透光部分92、其余位于都是透光部分93。
[0058]通過顯影液顯影光刻膠，由于曝光程度不同，產(chǎn)生不同高度的光刻膠殘留。
[0059]通過半色調(diào)掩模90曝光、顯影、刻蝕，使得預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留光刻膠80和第一金屬層20' ;使得預(yù)定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區(qū)的位置的光刻膠80被刻蝕薄一些；使得其余位置的光刻膠80都被刻蝕掉，剩余疊層的第一金屬層20'和IGZO層30'。
[0060]第三步:如圖7和圖7a，形成上述第二步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝去除位于半色調(diào)掩模90的透光部分93下的第一金屬層20'和IGZO層30',露出位于半色調(diào)掩模90的透光部分93下的底板100。
[0061]在本實(shí)施例中，由于第一金屬層20'的T1-Al-Ti的合金，故先通過干刻工藝刻蝕掉Ti，再濕刻工藝刻蝕掉Al，再干刻工藝刻蝕掉底層的Ti，最后通過濕刻工藝刻蝕掉露出的 IGZO 層 30'。
[0062]第四步:如圖8，形成上述第三步的基礎(chǔ)上，對光刻膠80進(jìn)行灰化處理，使得光刻膠較薄的區(qū)域被完全灰化，在預(yù)定數(shù)據(jù)線的區(qū)域仍存在光刻膠80，即:半色調(diào)掩模90的半透光部分92下的光刻膠80都被灰化，露出第一金屬層20'，也就是露出預(yù)定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區(qū)的形狀；半色調(diào)掩模90的不透光部分91仍覆蓋光刻膠。
[0063]第五步:如圖9和圖9a，形成上述第四步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝去除位于半色調(diào)掩模90的半透光部分92下的第一金屬層20',露出位于底板100上的IGZO層30'。
[0064]在本實(shí)施例中，由于第一金屬層20'的T1-Al-Ti的合金，故先通過干刻工藝刻蝕掉Ti，再濕刻工藝刻蝕掉Al，最后再通過干刻工藝刻蝕掉底層的Ti，最后露出位于底板100上的IGZO層30'。
[0065]第六步:如圖10和圖10a，形成上述第五步的基礎(chǔ)上，去除位于半色調(diào)掩模90的不透光部分91下的第一金屬層20'上的光刻膠80,露出第一金屬層20',即:該第一金屬層20'形成數(shù)據(jù)線20'。
[0066]上述第一步至第六步是本TFT陣列基板的制作步驟的第I張光罩。
[0067]第七步:如圖11和圖11a，在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，首先形成第一絕緣膜40'，再在第一絕緣膜40'上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜40'和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線50'和柵極51'，掃描線50'與數(shù)據(jù)線20'在空間上縱橫交錯，柵極51'位于IGZO層30'預(yù)定在TFT溝道區(qū)所在的位置之上。
[0068]第一絕緣膜40'的材料為Si02，其膜厚250-350nm，最好為300nm ;第二金屬層的材料為Mo、Al、或Ti等金屬形成，在本實(shí)施例，第二金屬層是T1-Al-Ti的合金，其膜厚350_450nm,最好為 400nm。
[0069]本步驟是本TFT陣列基板的制作步驟的第2張光罩。
[0070]第八步:如圖12和圖12a，在形成上述第七步圖案的基礎(chǔ)上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層30'成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體，并形成具有導(dǎo)電特征的位于柵極51 —側(cè)的源極61、位于柵極51另一側(cè)的漏極62、以及與漏極62連接的像素電極70，位于TFT溝道區(qū)所在的位置的IGZO層30是本TFT陣列基板的有源層。
[0071]第二實(shí)施例也是自對齊頂柵結(jié)構(gòu)的TFT，且本第二實(shí)施例講本發(fā)明光罩張數(shù)減至2張，更有利于降低生產(chǎn)成本。
[0072]通過上述兩個(gè)不同步驟制成的TFT陣列基板，但上述兩個(gè)制作步驟沒有闡述如何形成存儲電容，以下介紹兩種形成存儲電容Cs的方法。
[0073]第一種方法:如圖13和圖13a,在形成第一金屬層20、20'的同時(shí)形成與IGZO層30,30'直接接觸的電極層10。該電極層10與后續(xù)形成的掃描線20、20'之間形成存儲電容Cs,這種形成存儲電容Cs的方式就是Cs on gate ο
[0074]電極層10的形成方法可以如本TFT陣列基板的制作步驟的實(shí)施例一的第一步相同的方式形成，該電極層10位于相鄰兩數(shù)據(jù)線20之間，且該電極層10的寬度跟像素電極70、70'的寬度相同。
[0075]電極層10的形成方法也可以如本TFT陣列基板的制作步驟的實(shí)施例二的第一步至第六步的方式形成，該電極層10仍位于相鄰兩數(shù)據(jù)線20'之間，且該電極層10的寬度跟像素電極70、70'的寬度相同。
[0076]第二種方法:如圖14和圖14a，首先，在形成第一金屬層20、20'的同時(shí)形成與IGZO層30、30'直接接觸的電極層10'，該電極層10'與上述第一種方法的形成方法和結(jié)構(gòu)形狀相同；然后，在形成掃描線50、50'的同時(shí)形成公共電極線11'，所述電極層10'與公共電極線11'之間形成存儲電容Cs，這種形成存儲電容Cs的方式就是Cs on com。
[0077]公共電極線11'的形成方法可以如本TFT陣列基板的制作步驟的實(shí)施例一的第三步相同的方式形成，該公共電極線11'與掃描線50平行，并覆蓋在電極層10'的上方。
[0078]公共電極線11'的形成方法也可以如本TFT陣列基板的制作步驟的實(shí)施例二的第七步的方式形成，該，該公共電極線11'與掃描線50'平行，并覆蓋在電極層10'的上方。
[0079]通過上述方法制作本TFT陣列基板，如圖15，然后形成于外部連接的端子110，該端子110與TFT陣列基本的顯示區(qū)域120電性鏈接。由于依據(jù)上述兩個(gè)實(shí)施例制造的TFT陣列基板的金屬(如端子110)是裸露在空氣中的，故在TFT陣列基板涂布封框膠120時(shí)可以解決金屬裸露的問題，因?yàn)榉饪蚰z內(nèi)是密閉空間，水汽隔絕在封框膠外側(cè)，對于金屬沒有太大影響，不太容易氧化。
[0080]但封框膠外圍130的金屬(如端子110)裸露是本發(fā)明需要解決的問題，本發(fā)明提出如下四種方法解決:
[0081]第一種方法:在印刷配向膜(圖未示)時(shí)，配向膜覆蓋在封框膠外側(cè)裸露金屬走線(如端子)。
[0082]第二種方法:在形成液晶屏Open Cell (Open Cell的意思是未灌液的LCD,即指液晶空盒)之后，將TFT陣列基板的端子110用膠覆蓋(圖未示)，使得走線隔絕水汽，防止氧化。
[0083]第三種方法:在TFT陣列基板的封框膠外圍130用噴墨法形成樹脂保護(hù)層，以使端子110隔離水汽，防止氧化。
[0084]第四種方法:增加一道光罩，用Si02或SiNx形成邊緣金屬走線保護(hù)層來隔離端子110。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板,該TFT陣列基板形成于底板上,其包括:掃描線、與掃描線縱橫交錯的數(shù)據(jù)線、以及由掃描線和數(shù)據(jù)線交叉限定的若干像素單元，每個(gè)像素單元均包括像素電極、TFT單元、以及有源層，所述TFT單元包括與掃描線連接的柵極、與數(shù)據(jù)線電性連接源極、以及與像素電極連接的漏極，其特征在于:所述有源層由IGZO制成的，所述像素電極、源極、和漏極均由離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體而形成，且所述像素電極、源極、和漏極、有源層均位于TFT陣列基板的底層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于:所述數(shù)據(jù)線位于TFT陣列基板的底層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于:所述數(shù)據(jù)線位于像素電極、源極、和漏極、以及有源層之上。
4.一種TFT陣列基板的制造方法，該TFT陣列基板形成于底板上，其特征在于:其包括如下步驟:第一步:在底板上形成數(shù)據(jù)線；第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上覆蓋形成一層IGZO層，該IGZO層的形狀為在數(shù)據(jù)線所在的位置、預(yù)定的像素電極所在的位置、預(yù)定的源極和漏極所在的位置、以及TFT溝道區(qū)所在的位置；第三步:形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上，首先形成第一絕緣膜，再在第一絕緣膜上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線和柵極，掃描線與數(shù)據(jù)線在空間上縱橫交錯，柵極位于IGZO層在預(yù)定的TFT溝道區(qū)所在的位置之上；第四步:形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體，并形成具有導(dǎo)電特征并位于柵極一側(cè)的源極、位于柵極另一側(cè)的漏極、與漏極連接的像素電極， 位于TFT溝道區(qū)所在的位置的IGZO層是本TFT陣列基板的有源層。
5.—種TFT陣列基板的制造方法，該TFT陣列基板形成于底板100上，其特征在于:其包括如下步驟:第一步:先在底板100上覆蓋一層IGZO層，再在IGZO層覆蓋形成第一金屬層，最后在第一金屬層上形成光刻膠；第二步:形成上述第一步的基礎(chǔ)上，用半色調(diào)掩模對第一步形成的圖案進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分、位于預(yù)定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區(qū)的位置為半透光部分、其余位于都是透光部分，通過半色調(diào)掩模曝光、顯影、刻蝕，使得預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留光刻膠和第一金屬層；使得預(yù)定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區(qū)的位置的光刻膠被刻蝕薄一些；使得其余位置的光刻膠都被刻蝕掉，剩余疊層的第一金屬層和IGZO層；第三步:形成上述第二步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝去除位于半色調(diào)掩模的透光部分下的第一金屬層和IGZO層,露出位于半色調(diào)掩模的透光部分下的底板；第四步:形成上述第三步的基礎(chǔ)上，對光刻膠進(jìn)行灰化處理，使得光刻膠較薄的區(qū)域被完全灰化，在預(yù)定數(shù)據(jù)線的區(qū)域仍存在光刻膠，即:半色調(diào)掩模的半透光部分下的光刻膠都被灰化，露出第一金屬層；半色調(diào)掩模的不透光部分仍覆蓋光刻膠；第五步:形成上述第四步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝去除位于半色調(diào)掩模的半透光部分下的第一金屬層，露出位于底板上的IGZO層；第六步:形成上述第五步的基礎(chǔ)上，去除位于半色調(diào)掩模的不透光部分下的第一金屬層上的光刻膠，露出第一金屬層，即:該第一金屬層形成數(shù)據(jù)線；第七步:在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，首先形成第一絕緣膜，再在第一絕緣膜上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線和柵極，掃描線與數(shù)據(jù)線在空間上縱橫交錯，柵極位于IGZO層預(yù)定在TFT溝道區(qū)所在的位置之上；第八步:在形成上述第七步圖案的基礎(chǔ)上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導(dǎo)電特性的導(dǎo)體，并形成具有導(dǎo)電特征的位于柵極一側(cè)的源極、位于柵極另一側(cè)的漏極、以及與漏極連接的像素電極，位于TFT溝道區(qū)所在的位置的IGZO層是本TFT陣列基板的有源層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于:在形成數(shù)據(jù)線的同時(shí)形成與IGZO層直接接觸的電極層，該電極層，與后續(xù)形成的掃描線，之間形成存儲電容。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于:首先，在形成數(shù)據(jù)線的同時(shí)形成與IGZO層直接接觸的電極層；然后，在形成掃描線的同時(shí)形成公共電極線，所述電極層與公共電極線之間形成存儲電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于:在完成上述步驟之后，還形成與外部連接的 端子，在印刷配向膜時(shí)，配向膜覆蓋在封框膠外側(cè)裸露的端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于:在完成上述步驟之后，還形成與外部連接的端子，在形成液晶屏的液晶空盒之后，將封框膠外側(cè)的端子用膠覆蓋。
10.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于:在完成上述步驟之后，還形成與外部連接的端子，將封框膠外側(cè)的端子用噴墨法形成樹脂保護(hù)層。
【文檔編號】G02F1/1368GK103441128SQ201310358639
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月27日
【發(fā)明者】吳劍龍 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司