一種形成膜層的方法和基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種形成膜層的方法和基板，屬于膜層制備【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的形成膜層方法易出現(xiàn)膜層不良的問題。本發(fā)明的形成膜層的方法包括在基板上形成第一層膜；對所述第一層膜進行第一次清洗；在所述第一層膜上形成第二層膜，所述第二層膜的材料與第一層膜的材料相同；對所述第二層膜進行第二次清洗。本發(fā)明的基板包括由上述形成膜層的方法制得的膜層。本發(fā)明可用于提升膜層品質(zhì)。
【專利說明】一種形成膜層的方法和基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于膜層制備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種形成膜層的方法和包括由所述形成膜層的方法制得的膜層的基板。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化銦錫膜(ITO膜)具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和可見光透過率，是一種重要的透明導(dǎo)電膜，在光電器件中得到了廣泛應(yīng)用，目前一般是采用磁控濺射技術(shù)來制備ITO膜。磁控濺射技術(shù)中，真空條件下實現(xiàn)等離子放電，利用電磁場控制帶電粒子的運動，轟擊靶材，靶材原子被撞飛，并附著在基板上，從而在基板上形成所需要的薄膜。
[0003]目前，TN(Twist Nematic，扭曲向列)型液晶顯示裝置的彩膜基板上需要形成ITO膜作為公共電極，而通過磁控濺射技術(shù)制備的ITO膜存在著一些膜面不良和缺陷，例如，ITO膜易出現(xiàn)膜面小孔(pin hole)，膜面小孔的產(chǎn)生過程如圖1、圖2所示，在鍍膜時，若彩膜基板I上有異物21 (例如灰塵、顆粒異物等)，鍍膜后膜面就會形成一個凸起，在后續(xù)的清洗工序中，凸起被清洗掉落，那么ITO膜2就會產(chǎn)生一個膜面小孔22，膜面小孔22在成盒后會顯示為一個異常點，影響液晶顯示裝置的良率，因此顯然需要避免形成膜面小孔22?，F(xiàn)有的一種減少膜面小孔22產(chǎn)生的方法是在鍍膜前設(shè)置前清洗工序，且鍍膜前各設(shè)備密封并定期清潔，但顯然這種方法僅使得鍍膜前基板的異物減少，很難完全消除異物。另外，液晶顯示裝置中，公共電極需要加電壓以實現(xiàn)對像素單元的明暗控制，為了保證其能承受所需的電壓，因此對ITO膜的厚度有一定的要求，目前TN型液晶顯示裝置彩膜基板的ITO膜厚通常為150nm，在制作膜厚為150nm的ITO膜2時，鍍膜設(shè)備功率相應(yīng)的為14.6kw (對應(yīng)單件產(chǎn)品生產(chǎn)時間為35秒)，而生產(chǎn)實際中，當(dāng)鍍膜功率高于8?9kw時，靶材表面和彩膜基板ITO膜2形成小瘤(結(jié)節(jié))的可能性急劇增加，ITO膜2的小瘤也會形成膜面小孔；同時靶材表面的小瘤易產(chǎn)生尖端放電，并影響鍍膜品質(zhì)，使得由其鍍膜形成的ITO膜2膜面突起(不能清洗掉的突起部分，在修補工藝需要將其打磨)，面電阻和透過率數(shù)值超標(biāo)，也因為這些影響需要定期對靶材表面的小瘤進行打磨、清潔，需要停線處理，顯然會導(dǎo)致設(shè)備維護時間大量增加，稼動率降低(稼動率是指設(shè)備在所能提供的時間內(nèi)為了創(chuàng)造價值而占用的時間所占的比重)。
[0004]利用其他工藝方法，如蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂工藝等，形成膜層時，也會出現(xiàn)由于異物導(dǎo)致的膜面不良，影響后續(xù)產(chǎn)品的性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的形成膜層的方法易出現(xiàn)膜層不良的問題，提供一種減少膜層不良、提升膜層品質(zhì)的形成膜層的方法。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種形成膜層的方法，包括:
[0007]在基板上形成第一層膜；
[0008]對所述第一層膜進行第一次清洗；[0009]在所述第一層膜上形成第二層膜，所述第二層膜的材料與第一層膜的材料相同；
[0010]對所述第二層膜進行第二次清洗。
[0011]優(yōu)選的是，形成第一層膜的厚度與形成第二層膜的厚度的比值范圍為0.5至2。
[0012]進一步優(yōu)選的是，形成第一層膜的厚度與形成第二層膜的厚度相同。
[0013]優(yōu)選的是，所述形成第一層膜采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂中的一種；
[0014]和/或
[0015]形成第二層膜采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂中的一種。
[0016]進一步優(yōu)選的是，采用濺射工藝形成第一層膜和形成第二層膜控制設(shè)備功率，使濺射形成的第一層膜和第二層膜的小瘤的尺寸小于50微米。
[0017]優(yōu)選的是，所述第一次清洗和所述第二次清洗包括純水沖洗和氣體沖洗，用于除去第一層膜和第二層膜上的異物和小瘤。
[0018]優(yōu)選的是，所述第一層膜的材料和所述第二層膜的材料為金屬或金屬氧化物。
[0019]進一步優(yōu)選的是，所述第一層膜的材料和所述第二層膜的材料為氧化銦錫。
[0020]本發(fā)明的形成膜層工藝分為兩次進行，并對每次形成的膜進行清洗，因此盡管兩次形成的膜都有可能會產(chǎn)生膜面不良，但是同一個位置兩次形成的膜均產(chǎn)生膜面不良的概率極低，即兩次形成的膜的膜層互相補償由單次形成的膜所產(chǎn)生的膜面不良，避免了膜面不良對整體膜層的影響，減少了因膜面不良問題導(dǎo)致的后續(xù)產(chǎn)品不良。
[0021]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還包括，針對現(xiàn)有的形成膜層方法易出現(xiàn)膜層不良，導(dǎo)致基板品質(zhì)不良的問題，提供一種品質(zhì)良好的基板。
[0022]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種基板，包括:由上述的形成膜層的方法制得的膜層。
[0023]優(yōu)選的是，所述基板為彩膜基板，所述膜層作為公共電極。
[0024]進一步優(yōu)選的是,所述膜層的厚度在135nm到150nm之間。
[0025]本發(fā)明的基板的形成膜層工藝分兩次進行，并在每次形成膜后進行清洗，因此盡管兩次形成的膜都有可能會產(chǎn)生膜面不良，但是同一個位置兩次形成的膜均產(chǎn)生膜面不良的概率極低，即兩次形成的膜的膜層互相補償由單次形成的膜所產(chǎn)生的膜面不良，避免了膜面不良對整體膜層的影響，減少了因膜面不良問題導(dǎo)致的面板成像不良。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有的彩膜基板鍍膜后膜層有異物的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為現(xiàn)有的彩膜基板產(chǎn)生膜面小孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明的實施例1的形成膜層的方法形成第一層膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明的實施例1的形成膜層的方法在對第一層膜進行第一次清洗后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明的實施例1的形成膜層的方法形成第二層膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6為本發(fā)明的實施例1的形成膜層的方法在對第二層膜進行第二次清洗后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖7為本發(fā)明的實施例1的形成膜層的方法的流程圖；[0033]其中附圖標(biāo)記為:1、彩膜基板；2、氧化銦錫膜(ΙΤ0膜)；21、異物；22、膜面小孔；201、第一層膜；202、第二層膜。
【具體實施方式】
[0034]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0035]實施例1:
[0036]本實施例提供一種形成膜層的方法，如圖3至圖7所示，包括:
[0037]S101、如圖3所示，在基板上形成第一層膜201 ;第一層膜201上可能存在著異物21，異物21可以為灰塵、顆粒物等，在后續(xù)過程中會形成膜面不良，如膜面小孔22。
[0038]優(yōu)選的是，所述形成第一層膜201采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂中的一種。
[0039]需要說明的是，形成膜層的方式有很多種，例如蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂等；這些工藝中形成的膜層也都能產(chǎn)生膜面不良，故均適用本發(fā)明的方法。本實施例優(yōu)選的采用濺射工藝形成第一層膜201，這是因為通過濺射工藝形成的膜的密度高、針孔少、膜層純度高，并且膜層厚度的可控性和重復(fù)性好。
[0040]另外濺射工藝通常分為直流濺射工藝和射頻濺射工藝兩種，本實施例優(yōu)選的采用直流濺射，這是因為射頻濺射工藝對設(shè)備要求嚴格，成本較高。
[0041]優(yōu)選的是，所述形成第一層膜201的條件包括:
[0042]工作真空度在0.1到IPa之間；
[0043]工作溫度為110°C到150°C之間；
[0044]工作氣體為氬氧混合氣，其中氧氣體積百分比占1%到3%。
[0045]可以理解的是，基板在形成膜時需要滿足一定的條件。
[0046]需要進一步說明的是，工作溫度優(yōu)選的控制在120°C。具體的是通過電熱絲(電熱絲溫度因位置不同在150°C到400°C之間)傳遞熱量，同時在濺射鍍膜設(shè)備的腔體內(nèi)遍布冷卻水管來穩(wěn)定溫度(優(yōu)選冷卻水管進口溫度為32°C，出口溫度35V)。一般有高溫鍍膜(2300C )和低溫鍍膜(1200C )兩種方式，本實施例優(yōu)選的為低溫鍍膜(120°C )方式，這是因為低溫成膜稼動率高。顯然，低溫鍍膜無需采用專有高溫加熱腔室進行加熱，且溫度變化范圍較小，稼動率高。
[0047]優(yōu)選的是，所述第一層膜201的材料為金屬或金屬氧化物。
[0048]也就是說，通過濺射工藝制作各種膜層(膜層材料為金屬或金屬氧化物)都會產(chǎn)生膜面小孔22和小瘤等膜面不良，并影響膜層品質(zhì)，因此均可采用本實施例提供的形成膜層的方法來提升膜層品質(zhì)。
[0049]進一步優(yōu)選的是，所述第一層膜201的材料為氧化銦錫。
[0050]需要說明的是，之所以第一層膜201優(yōu)選的為氧化銦錫膜，是因為在彩膜基板I上的ITO膜2的膜層制備工藝中，膜面小孔22和小瘤等膜面不良對彩膜基板I的良率影響較大，因此本實施例以彩膜基板上的ITO膜2為例進行舉例說明。
[0051]優(yōu)選的是，形成第一層膜201的厚度與形成第二層膜202的厚度的比值范圍為0.5至2。[0052]具體的，所述第一層膜201的厚度在50nm到IOOnm之間。
[0053]之所以本實施例中第一層膜201的厚度優(yōu)選的在50nm到IOOnm之間，是因為對于彩膜基板I而言，其膜層制備工藝的目的是為了形成公共電極，并對應(yīng)陣列基板的電壓開關(guān)，實現(xiàn)像素單元的明暗控制，因此彩膜基板I膜層的厚度有一定的要求，目前TN型液晶顯示裝置彩膜基板I的ITO膜2厚通常為150nm，本實施例提供的形成膜層的方法包括兩次成膜，兩次成膜后形成的膜層厚度在150nm即可，優(yōu)選的第一層膜201的厚度在50nm到IOOnm之間，可以保證第一層膜201和第二層膜202的厚度均不會太薄或太厚，保證膜層品質(zhì)。不難理解的是，具體第一層膜201和第二層膜202的厚度都可以根據(jù)不同的需要具體設(shè)計，本發(fā)明不做具體限定。
[0054]進一步優(yōu)選的是，采用濺射工藝形成第一層膜201時控制設(shè)備功率，使濺射形成的第一層膜201的小瘤的尺寸小于50微米。
[0055]具體的說，所述形成第一層膜201時設(shè)備的功率優(yōu)選的控制在6.8kff到7.8kff之間。
[0056]之所以將形成第一層膜201時設(shè)備的功率控制在6.8kW到7.8kW這個范圍內(nèi)，是因為在形成膜時，靶材表面和ITO膜2的小瘤急劇增長的功率分界值為8kW到9kW，也就是說，在形成膜時，設(shè)備功率大于8kW的情況下，在靶材表面和ITO膜2上會產(chǎn)生更多的小瘤，因此本實施例中形成第一層膜201時設(shè)備的功率在6.8kff到7.8kff之間，使得靶材表面和ITO膜2均不容易產(chǎn)生小瘤，降低了因ITO膜2上小瘤形成膜面小孔22的概率，同時因為靶材表面小瘤數(shù)量少，不容易因靶材表面的小瘤而產(chǎn)生尖端放電，所以靶材不需要經(jīng)常打磨，減少了清潔維護的次數(shù)和時間，提高了生產(chǎn)效率。同時，在用小瘤數(shù)量少的靶材濺射成膜時形成的ITO膜2不易出現(xiàn)膜面凸起(膜面不平整，且無法清洗掉落，超出一定高度，需要在后續(xù)修補工藝打磨)。
[0057]也就是說，將設(shè)備功率控制在6.8kff到7.8kW范圍內(nèi)，不僅減少了對靶材的清潔維護次數(shù)和時間，還保證了用該靶材濺射成膜形成的膜層品質(zhì)良好，并提高了整條生產(chǎn)線的
稼動率。
[0058]可以理解的是，設(shè)備的具體功率可以根據(jù)設(shè)備的不同而具體設(shè)計，事實上，只要是使濺射形成的第一層膜201的小瘤的尺寸小于50微米即可。
[0059]S102、進行第一次清洗；
[0060]優(yōu)選的是，所述第一次清洗包括純水沖洗和氣體沖洗，用于除去第一層膜201上的異物21和小瘤。
[0061]具體的，所述第一次清洗包括:
[0062]純水沖洗同時配合毛刷轉(zhuǎn)運清潔,流速在145L/min到150L/min之間，優(yōu)選的為150L/min ；
[0063]純水和干凈空氣沖洗，二流體(純水和干凈空氣)流速在55L/min到60L/min之間，優(yōu)選的為60L/min ；
[0064]純水潤洗,流速在135L/min到140L/min之間,優(yōu)選的為138L/min ；
[0065]空氣刀吹干，流速在3300L/min到3500L/min之間，優(yōu)選的為3400L/min。
[0066]如圖4所示，在經(jīng)過第一次清洗過后，圖3中所示第一層膜201上的異物21被洗掉，形成了膜面小孔22。當(dāng)然，圖中僅畫出I個異物21，形成I個膜面小孔22，實際上異物和膜面小孔的數(shù)量可以為多個，除了異物21會形成膜面小孔22之外，在形成膜時，產(chǎn)生的ITO膜2的小瘤若被清洗掉也會形成膜面小孔22。
[0067]S103、如圖5所示，在所述第一層膜201上第二層膜202，所述第二層膜202的材料與第一層膜201的材料相同，也就是說，所述第二層膜202的材料也優(yōu)選的為氧化銦錫。
[0068]不難理解的是，本發(fā)明只是將現(xiàn)有一次形成膜層工藝分兩次進行，兩次形成的膜的材料應(yīng)該相同。圖5中第二層膜202上也僅畫出了 I個異物21，不代表實際數(shù)量，因為每次形成膜時異物21的位置是不確定的，但可以理解的是，兩次形成的膜在同一個位置均上有異物21的概率極小。
[0069]需要進一步說明的是，形成膜的次數(shù)越多，那么產(chǎn)生膜面小孔22的概率就越小(兩次形成的膜在同一個位置產(chǎn)生膜面小孔22的概率極小，三次形成的膜在同一個位置產(chǎn)生膜面小孔22的概率更小)，在不考慮生產(chǎn)成本的情況下，也是可行的，但是顯然將形成膜的次數(shù)增加到三次或三次以上對改善效果并不會有明顯的變化，意義不大。
[0070]優(yōu)選的是，形成第二層膜202采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂中的一種。
[0071]需要說明的是，形成膜的方式有很多種，例如蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂等。本實施例優(yōu)選的是濺射工藝，這是因為通過濺射工藝形成的膜的密度高、針孔少、膜層純度高，并且膜層厚度的可控性和重復(fù)性好。
[0072]另外濺射工藝通常分為直流濺射工藝和射頻濺射工藝兩種，本實施例優(yōu)選的采用直流濺射，這是因為射頻濺射工藝對設(shè)備要求嚴格，成本較高。
[0073]優(yōu)選的是，所述形成第二層膜202的條件包括:
[0074]工作真空度在0.1到IPa之間；
[0075]工作溫度為110°C到150°C之間；
[0076]工作氣體為氬氧混合氣，其中氧氣體積百分比占1%到3%。
[0077]顯然，形成第二層膜202的條件優(yōu)選的與形成第一層膜201的條件相同，無需變形成膜時的條件，只要將形成第一層膜201并清洗后的基板重新投入到形成第一層膜201時使用的設(shè)備中即可實現(xiàn)形成第二層膜202，這樣的設(shè)計有利于自動化生產(chǎn)和流水線作業(yè)。
[0078]進一步優(yōu)選的是,所述第二層膜202的厚度在50nm到IOOnm之間。
[0079]需要說明的是，所述第二層膜202的厚度可以根據(jù)已經(jīng)形成的第一層膜201的厚度進行適應(yīng)性調(diào)整，只要使得第一層膜201的厚度與第二層膜202的厚度之和優(yōu)選的為150nm即可。所以，優(yōu)選的，第一層膜201的厚度和第二層膜202厚度相同，即第一層膜201和第二層膜202的厚度均為75nm，可見厚度和為150nm，不難理解的是，這樣的設(shè)計可以保證在單件產(chǎn)品生產(chǎn)時間固定的情況下，兩次形成膜時的設(shè)備的功率是相同的(單件產(chǎn)品生產(chǎn)時間不變，膜的厚度與設(shè)備功率成正比)，也就保證了，在形成膜時，各項工藝條件是確認不變的，有利于生產(chǎn)。
[0080]進一步優(yōu)選的是，采用濺射工藝形成第二層膜202時控制設(shè)備功率，使濺射形成的第二層膜202的小瘤的尺寸小于50微米。
[0081]具體的說，形成第二層膜202時設(shè)備的功率優(yōu)選的控制在6.8kff到7.8kff之間。
[0082]不難理解的是，優(yōu)選的形成第一層膜201時設(shè)備的功率和形成第二層膜202時設(shè)備的功率都優(yōu)選的為7.3Kw,即保證了兩次形成的膜的厚度相同，利于生產(chǎn)。當(dāng)然，形成第一層膜201時設(shè)備的功率和形成第二層膜202時設(shè)備的功率優(yōu)選的為7.3Kw是在單件產(chǎn)品生產(chǎn)時間為35s時對應(yīng)的功率，當(dāng)單件產(chǎn)品生產(chǎn)時間變化時，相關(guān)設(shè)備的功率也會隨之變化，事實上，只要確保形成第一層膜201和形成第二層膜202的小瘤的尺寸均小于50微米即可。
[0083]S104、對所述第二層膜202進行第二次清洗。
[0084]優(yōu)選的是，所述第二次清洗包括純水沖洗和氣體沖洗，用于除去第二層膜202上的異物21和小瘤。
[0085]具體的，所述第二次清洗包括:
[0086]純水沖洗同時配合毛刷轉(zhuǎn)運清潔,流速在145L/min到150L/min之間，優(yōu)選的為150L/min ；
[0087]純水和干凈空氣沖洗，二流體(純水和干凈空氣)流速在55L/min到60L/min之間，優(yōu)選的為60L/min ；
[0088]純水潤洗,流速在135L/min到140L/min之間,優(yōu)選的為138L/min ；
[0089]空氣刀吹干，流速在3300L/min到3500L/min之間，優(yōu)選的為3400L/min。
[0090]如圖6所示，經(jīng)過第二次清洗，會將第二層膜202上的異物21洗去，形成膜面小孔22，因為第一層膜201和第二層膜202上膜面小孔22的位置不同，因此即使在其中一層膜上某個位置有膜面小孔22，但是整體膜層不會出現(xiàn)如圖2中所示的情況(膜面小孔22處沒有任何膜層材料)，也就不會影響成像效果。不難理解的是，第二次清洗與第一次清洗條件相同，可以提高清洗設(shè)備的利用率，提高效率。
[0091]需要說明的是，在進行本實施例提供的形成膜層的方法之前，還包括一些其他常規(guī)步驟，例如OC工序(形成OC平坦化層)和前清洗工序；同時在本實施例提供的形成膜層的方法之后，也包括一些其他常規(guī)步驟，例如烘烤工序和檢測工序等等，本發(fā)明不做限定。
[0092]另外，本實施例提供的形成膜層的方法可以用來制備其他膜層，也可以在形成膜層后進行構(gòu)圖工藝，用膜層形成引線、像素電極等(即最終膜層可以不是完整的“膜層”，而是圖案化的膜層)。
[0093]由于本實施例的形成膜層的方法中包括兩次形成膜的步驟，并在每次形成膜后進行清洗，因此盡管在兩次形成的膜都有可能會產(chǎn)生膜面小孔22，但是同一個位置兩次形成的膜均產(chǎn)生膜面小孔22的概率極低，即兩次形成的膜的膜層互相補償由單次形成的膜所產(chǎn)生的膜面小孔22，避免了膜面小孔22對整體膜層的影響，減少了因膜面小孔22問題導(dǎo)致的面板成像不良。另外，因為形成膜層的工藝是分兩次進行的，那么每次形成膜時設(shè)備的功率降低，減少了小瘤的產(chǎn)生，不僅降低了膜面小孔22產(chǎn)生的概率，更是進一步保證了膜層品質(zhì)(膜面特性面電阻、透過率更穩(wěn)定)，同時膜面凸起減少，減少后續(xù)修補打磨時間，提高整條產(chǎn)線的稼動率。
[0094]實施例2:
[0095]本實施例提供一種基板，包括由上述形成膜層的方法制得的膜層。
[0096]優(yōu)選的是，所述基板為彩膜基板，所述膜層作為公共電極。
[0097]優(yōu)選的是,所述膜層的厚度在135nm到150nm之間。
[0098]優(yōu)選的是，所述膜層的材料為導(dǎo)電材料；進一步優(yōu)選，所述膜層的材料為氧化銦錫。[0099]由于本實施例的基板的形成膜層的工藝分兩次進行，并在每次形成膜后進行清洗，因此盡管在兩次形成的膜都有可能會產(chǎn)生膜面不良，如膜面小孔，但是同一個位置兩次形成的膜均產(chǎn)生膜面小孔的概率極低，即兩次形成的膜的膜層互相補償由單次形成的膜所產(chǎn)生的膜面小孔，避免了膜面小孔對整體膜層的影響，減少了因膜面小孔問題導(dǎo)致的面板成像不良。另外，因為形成膜層的工藝是分兩次進行的，那么每次形成膜時的功率降低，減少了小瘤的產(chǎn)生，不僅降低了膜面小孔產(chǎn)生的概率，更是進一步保證了膜面品質(zhì)(膜面特性面電阻、透過率更穩(wěn)定)，同時也減少了因小瘤所引起的后續(xù)修補時間，提高了生產(chǎn)效率，確保了基板的品質(zhì)良好。
[0100]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種形成膜層的方法，其特征在于，包括: 在基板上形成第一層膜； 對所述第一層膜進行第一次清洗； 在所述第一層膜上形成第二層膜，所述第二層膜的材料與第一層膜的材料相同； 對所述第二層膜進行第二次清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成膜層的方法，其特征在于， 形成第一層膜的厚度與形成第二層膜的厚度的比值范圍為0.5至2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成膜層的方法，其特征在于，形成第一層膜的厚度與形成第二層膜的厚度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成膜層的方法，其特征在于，所述形成第一層膜采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂中的一種； 和/或 形成第二層膜采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、噴涂中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成膜層的方法，其特征在于，采用濺射工藝形成第一層膜和形成第二層膜控制設(shè)備功率，使派射形成的第一層膜和第二層膜的小瘤的尺寸小于50微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成膜層的方法，其特征在于，所述第一次清洗和所述第二次清洗包括純水沖洗和氣體沖洗，用于除去第一層膜和第二層膜上的異物和小瘤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成膜層的方法，其特征在于，所述第一層膜的材料和所述第二層膜的材料為金屬或金屬氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成膜層的方法，其特征在于，所述第一層膜的材料和所述第二層膜的材料為氧化銦錫。
9.一種基板，其特征在于，包括由權(quán)利要求1至8中任意一項所述形成膜層的方法制得的膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，所述基板為彩膜基板，所述膜層作為公共電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其特征在于，所述膜層的厚度在135nm到150nm之間。
【文檔編號】G02F1/1343GK103439839SQ201310339744
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月6日
【發(fā)明者】唐華, 趙冉 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司