專利名稱：一種WO₃電致變色薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于WO3電致變色薄膜制備技術(shù)，特別是一種WO3電致變色薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
電致變色效應(yīng)是指在外加電場(chǎng)或電流的作用下，材料呈現(xiàn)低光通過率的著色態(tài)與高光通過率的褪色態(tài)的可逆變化現(xiàn)象。20世紀(jì)60年代S.K.Ded觀察到電致變色現(xiàn)象，并首次采用無定形WO3薄膜制作了電致變色器件。此后人們又陸續(xù)發(fā)現(xiàn)了 Mo03、V2O5, TiO2, NiO等無機(jī)電致變色材料以及聚苯胺等有機(jī)電致變色材料。作為電致變色材料的一個(gè)重要組成部分，電致變色薄膜具有工作電壓低、能耗小、無視覺限制、容易與集成電路匹配、有記憶功能、工作范圍寬、節(jié)能環(huán)保，在顯示器件、調(diào)光玻璃、信息存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。WO3薄膜是發(fā)現(xiàn)最早且最典型的電致變色薄膜材料，在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，主要是電致變色器件、氣體傳感器、光催化、壓電材料等。制備方法及制備工藝對(duì)WO3薄膜變色性能有較大影響，不同的制備方法制備的薄膜在晶型、結(jié)構(gòu)等方面有較大差異。目前常用的方法有蒸發(fā)法、濺射法、溶膠凝膠法、脈沖激光沉積法和電沉積法等，其中濺射法因其具有性能穩(wěn)定、均勻性好、工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、適合大面積生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)而成為研究熱點(diǎn)。ITO導(dǎo)電玻璃是在普通玻璃的表面鍍一層200nm左右氧化銦錫薄膜，氧化銦透過率高，氧化錫導(dǎo)電能力強(qiáng)，故ITO玻璃是一種具有高透過率的導(dǎo)電玻璃。也正因?yàn)槿绱?，ITO導(dǎo)電玻璃成為研究電致變色薄膜最理想的襯底材料之一。中國(guó)專利(200910059118.0)公開了一種運(yùn)用溶膠凝膠法制備三氧化鶴電致變色材料及提拉技術(shù)制備薄膜 的方法。該發(fā)明制備過程包括，鎢粉與雙氧水冰水浴中反應(yīng)，反應(yīng)5-7小時(shí)后過濾，向?yàn)V液中添加無水乙醇和冰乙酸，攪拌均勻。通過回流裝置在50-60°C回流5-6小時(shí)，得到均勻透明的WO3溶膠，將清洗過的基片浸潰在WO3溶膠中，以2-3cm/min速度向上提拉基片，多次重復(fù)后自然風(fēng)干，基片經(jīng)熱處理后得到WO3薄膜。中國(guó)專利(200710054545.0)公開了一種取向氧化鎢納米薄膜的制備方法，該方法以單晶三氧化鎢(WO3)納米片的乙醇懸浮液為前驅(qū)物，利用高徑厚比的納米片趨向平躺于基底的習(xí)性，以及溶劑揮發(fā)誘發(fā)納米片取向自組裝的原理，制得由三氧化鎢(WO3)納米片疊加而成的沿
晶向取向的三氧化鎢納米薄膜。目前國(guó)內(nèi)有關(guān)制備WO3薄膜方法的專利，大多使用溶膠凝膠的方法。這種方法雖然具有操作簡(jiǎn)單，儀器設(shè)備要求不高等優(yōu)點(diǎn)，但此方法所制備的薄膜具有均勻性差、薄膜質(zhì)量不高、附著力不強(qiáng)等缺點(diǎn)，并且其制備參數(shù)也不易于控制。而利用脈沖激光沉積等方法制備WO3薄膜，又具有設(shè)備過于昂貴，且不便于大面積沉積薄膜等限制。因此，與通過溶膠凝膠法等方式制備WO3薄膜相比，利用磁控濺射法制備WO3薄膜不僅具有性能穩(wěn)定，均勻性好等優(yōu)點(diǎn)，而且工藝也相對(duì)簡(jiǎn)單，還可以大面積生產(chǎn)制備，為工業(yè)化生產(chǎn)提供了便利。雖然目前公開的有關(guān)WO3薄膜制備方法的中國(guó)專利較多，但利用射頻磁控濺射制備TO3薄膜的專利卻鮮有公開。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于提供一種利用射頻磁控濺射技術(shù)制備WO3電致變色薄膜的方法。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案為:一種制備WO3電致變色薄膜方法，采用射頻磁控濺射沉積薄膜技術(shù)，以WO3陶瓷為陰極靶材，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜，具體包括以下步驟:
步驟1、對(duì)ITO玻璃襯底進(jìn)行清洗；
步驟2、將ITO玻璃襯底固定在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的襯底平臺(tái)上，將WO3靶材安裝在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的靶位上，調(diào)節(jié)靶材與襯底之間的距離，對(duì)射頻磁控濺射設(shè)備真空室抽真空；
步驟3、將氬氣通入真空室，調(diào)節(jié)氬氣氣壓，之后打開射頻電源開關(guān)，靶材起輝后通入氧氣，調(diào)節(jié)氬氣與氧氣流量，并調(diào)節(jié)閘板閥，使真空室內(nèi)氣壓固定，之后對(duì)WO3靶材進(jìn)行預(yù)濺射清洗；
步驟4、加熱襯底，使襯底達(dá)到所需溫度；
步驟5、將襯底平臺(tái)轉(zhuǎn)至靶材正上方，轉(zhuǎn)動(dòng)擋板，使靶材與襯底間無遮擋，調(diào)節(jié)靶材與襯底之間的距離、氬氣流量、氧氣流量、襯底溫度、濺射功率以及濺射時(shí)間這些工藝參數(shù)，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜；
步驟6、沉積結(jié)束后，依次關(guān)閉射頻電源開關(guān)、襯底加熱開關(guān)、分子泵以及機(jī)械泵，將擋板和襯底平臺(tái)復(fù)位，待襯底在真空室中冷卻到室溫，打開真空室取出樣品。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點(diǎn):1)本發(fā)明采用射頻磁控濺射技術(shù)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、均勻致密的WO3薄膜沉積；2)本發(fā)明在ITO導(dǎo)電玻璃襯底上沉積WO3薄膜時(shí)沉積速率穩(wěn)定、沉積速度快、薄膜生長(zhǎng)速度快；3)本發(fā)明所制備的WO3薄膜變色響應(yīng)時(shí)間短，且著色均勻；4)本發(fā)明工藝和設(shè)備簡(jiǎn)單、易行，使用WO3陶瓷靶材、成本低廉，適用于大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)；5)本發(fā)明在ITO玻璃襯底上沉積WO3薄膜，所制備的WO3電致變色薄膜可以用于顯示器件，調(diào)光玻璃，信息存儲(chǔ)等領(lǐng)域。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。


圖1為在實(shí)施例1的實(shí)驗(yàn)參數(shù)下，在ITO玻璃上沉積制備WO3薄膜的表面SEM圖。圖2為在實(shí)施例2的實(shí)驗(yàn)參數(shù)下，在ITO玻璃上沉積制備WO3薄膜的表面SEM圖。圖3為在實(shí)施例3的實(shí)驗(yàn)參數(shù)下，在ITO玻璃上沉積制備WO3薄膜的表面SEM圖。圖4為在實(shí)施例4的實(shí)驗(yàn)參數(shù)下，在ITO玻璃上沉積制備WO3薄膜的表面SEM圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及一種在ITO玻璃襯底上制備WO3薄膜的方法，采用射頻磁控濺射技術(shù)，以WO3陶瓷為陰極靶材，在ITO玻璃襯底上沉積WO3薄膜，具體包括以下步驟:
步驟1、對(duì)ITO玻璃襯底進(jìn)行清洗；具體為:將襯底依次浸入丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗，每階段清洗的時(shí)間為10-20分鐘，之后冷風(fēng)吹干。步驟2、將ITO玻璃襯底固定在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的襯底平臺(tái)上，將WO3靶材安裝在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的靶位上，調(diào)節(jié)靶材與襯底之間的距離，對(duì)射頻磁控濺射設(shè)備真空室抽真空；所述靶材與襯底之間的距離控制在5-lOcm之間，射頻磁控濺射設(shè)備真空室抽真空后的真空度小于或等于9 X 10_4Pa。步驟3、將氬氣通入真空室，調(diào)節(jié)氬氣氣壓，之后打開射頻電源開關(guān)，靶材起輝后通入氧氣，調(diào)節(jié)氬氣與氧氣流量，并調(diào)節(jié)閘板閥，使真空室內(nèi)氣壓固定，之后對(duì)WO3靶材進(jìn)行預(yù)濺射清洗；
通入氬氣后，真空室內(nèi)氣壓控制在l-5Pa之間；通入氧氣后，真空室氣壓控制在0.5-2Pa之間，氧氣與氬氣流量比為1:5至1:15 ;對(duì)WO3靶材進(jìn)行預(yù)濺射清洗的濺射功率為50-150W ;靶材預(yù)濺射清洗時(shí)間為10-20分鐘。步驟4、加熱襯底，使襯底達(dá)到所需溫度；所需溫度為25_500°C。步驟5、將襯底平臺(tái)轉(zhuǎn)至靶材正上方，轉(zhuǎn)動(dòng)擋板，使靶材與襯底間無遮擋，調(diào)節(jié)靶材與襯底之間的距離、氬氣流量、氧氣流量、襯底溫度、濺射功率以及濺射時(shí)間這些工藝參數(shù)，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜；上述靶材與襯底之間的距離為5-lOcm，氧氣與氬氣流量比為1:5至1:15，濺射氣壓為0.5-2Pa ；ΙΤ0襯底溫度為25-500°C ;濺射功率為50-150W ;濺射時(shí)間為30-90分鐘。步驟6、沉積結(jié)束后，依次關(guān)閉射頻電源開關(guān)、襯底加熱開關(guān)、分子泵以及機(jī)械泵，將擋板和襯底平臺(tái)復(fù)位，待襯底在真空室中冷卻到室溫，打開真空室取出樣品。下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述:
實(shí)施例1:
采用射頻磁控濺射沉積薄膜技術(shù)，以WO3陶瓷為陰極靶材，在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積WO3薄膜，靶材為直徑76.2mm、厚度3mm的圓形WO3陶瓷靶。具體操作步驟為:
步驟1、ITO導(dǎo)電玻璃預(yù)處理:將ITO導(dǎo)電玻璃襯底依次浸入丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗10分鐘，之后冷風(fēng)吹干；
步驟2、將清洗好的ITO玻璃固定在射頻磁控濺射襯底平臺(tái)上，鍍有ITO薄膜的一面朝下。將WO3陶瓷靶安裝在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的靶位上。靶基距調(diào)整為5cm。在真空室封閉后，打開機(jī)械泵，開啟旁抽閥，對(duì)真空室抽真空。待真空室內(nèi)壓強(qiáng)降至4Pa以下，運(yùn)行分子泵，并將真空室內(nèi)氣壓進(jìn)一步降至2X KT4Pa ；
步驟3、向真空室內(nèi)通入流量為20SCCm的氬氣，待氬氣氣壓為1.0Pa時(shí)，打開射頻電源開關(guān)，靶材起輝后，通入流量為2sccm的氧氣，并調(diào)節(jié)氬氣流量為lOsccm，使真空室內(nèi)氣壓穩(wěn)定在0.5Pa。調(diào)節(jié)射頻功率為50W，在此條件下對(duì)靶材預(yù)濺射10分鐘。步驟4、打開襯底加熱開關(guān)，將ITO玻璃襯底加熱至200°C。步驟5、將襯底平臺(tái)轉(zhuǎn)至靶材正上方，轉(zhuǎn)動(dòng)擋板，使靶材與襯底正對(duì)。調(diào)節(jié)靶基距為5cm、氬氣流量lOsccm、氧氣流量2sccm、襯底溫度200°C、濺射功率50W，沉積時(shí)間30分鐘，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜。步驟6、沉積結(jié)束后，依次關(guān)閉射頻電源開關(guān)、襯底加熱開關(guān)、分子泵以及機(jī)械泵，將擋板和襯底平臺(tái)復(fù)位，待襯底在真空室中冷卻至室溫，打開真空室腔蓋取出薄膜樣品。經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，在ITO玻璃上沉積了非晶WO3薄膜，其表面形貌如圖1所示。所制備沉積的非晶WO3薄膜表面平整，厚度均勻，且變色響應(yīng)時(shí)間快。實(shí)施例2:
采用射頻磁控濺射沉積薄膜技術(shù)，以WO3陶瓷為陰極靶材，在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積WO3薄膜，靶材為直徑76.2mm、厚度3mm的圓形WO3陶瓷靶。具體操作步驟為:
步驟1、ITO導(dǎo)電玻璃預(yù)處理:將ITO導(dǎo)電玻璃襯底依次浸入丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗20分鐘，之后冷風(fēng)吹干；
步驟2、將清洗好的ITO玻璃固定在射頻磁控濺射襯底平臺(tái)上，鍍有ITO薄膜的一面朝下。將WO3陶瓷靶安裝在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的靶位上。靶基距調(diào)整為10cm。在真空室封閉后，打開機(jī)械泵，開啟旁抽閥，對(duì)真空室抽真空。待真空室內(nèi)壓強(qiáng)降至4Pa以下，運(yùn)行分子泵，并將真空室內(nèi)氣壓進(jìn)一步降至4X KT4Pa ；
步驟3、向真空室內(nèi)通入流量為20SCCm的氬氣，待氬氣氣壓為1.0Pa時(shí)，打開射頻電源開關(guān)，靶材起輝后，通入流量為2sccm的氧氣，并調(diào)節(jié)氬氣流量為30sccm，使真空室內(nèi)氣壓穩(wěn)定在1.0Pa0調(diào)節(jié)射頻功率為150W，在此條件下對(duì)靶材預(yù)濺射20分鐘。步驟4、打開襯底加熱開關(guān)，將ITO玻璃襯底加熱至500°C。步驟5、將襯底平臺(tái)轉(zhuǎn)至靶材正上方，轉(zhuǎn)動(dòng)擋板，使靶材與襯底正對(duì)。調(diào)節(jié)靶基距為10cm、氬氣流量30sccm、氧氣流量2sccm、襯底溫度500°C、濺射功率150W，沉積時(shí)間為90分鐘，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜。步驟6、沉積結(jié)束后，依次關(guān)閉射頻電源開關(guān)、襯底加熱開關(guān)、分子泵以及機(jī)械泵，將擋板和襯底平臺(tái)復(fù)位，待襯底在真空室中冷卻至室溫，打開真空室腔蓋取出薄膜樣品。經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，在ITO玻璃上沉積了多晶WO3薄膜，其表面形貌如圖2所示。所制備沉積的多晶WO3薄膜表面平整·，結(jié)構(gòu)致密，變色響應(yīng)時(shí)間較快。實(shí)施例3:
采用射頻磁控濺射沉積薄膜技術(shù)，以WO3陶瓷為陰極靶材，在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積WO3薄膜，靶材為直徑76.2mm、厚度3mm的圓形WO3陶瓷靶。具體操作步驟為:
步驟1、ITO導(dǎo)電玻璃預(yù)處理:將ITO導(dǎo)電玻璃襯底依次浸入丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗15分鐘，之后冷風(fēng)吹干；
步驟2、將清洗好的ITO玻璃固定在射頻磁控濺射襯底平臺(tái)上，鍍有ITO薄膜的一面朝下。將WO3陶瓷靶安裝在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的靶位上。靶基距調(diào)整為7.5cm。在真空室封閉后，打開機(jī)械泵，開啟旁抽閥，對(duì)真空室抽真空。待真空室內(nèi)壓強(qiáng)降至4Pa以下，運(yùn)行分子泵，并將真空室內(nèi)氣壓進(jìn)一步降至8 X KT4Pa ；
步驟3、向真空室內(nèi)通入流量為20SCCm的氬氣，待氬氣氣壓為1.0Pa時(shí)，打開射頻電源開關(guān)，靶材起輝后，通入流量為2sccm的氧氣，并調(diào)節(jié)氬氣流量為20sccm，使真空室內(nèi)氣壓穩(wěn)定在1.5Pa。調(diào)節(jié)射頻功率為100W，在此條件下對(duì)靶材預(yù)濺射15分鐘。步驟4、打開襯底加熱開關(guān)，將ITO玻璃襯底加熱至300°C。步驟5、將襯底平臺(tái)轉(zhuǎn)至靶材正上方，轉(zhuǎn)動(dòng)擋板，使靶材與襯底正對(duì)。調(diào)節(jié)靶基距為
7.5cm、氬氣流量20sccm、氧氣流量2sccm、襯底溫度300°C、濺射功率100W，沉積時(shí)間為60分鐘，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜。步驟6、沉積結(jié)束后，依次關(guān)閉射頻電源開關(guān)、襯底加熱開關(guān)、分子泵以及機(jī)械泵，將擋板和襯底平臺(tái)復(fù)位，待襯底在真空室中冷卻至室溫，打開真空室腔蓋取出薄膜樣品。
經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，在ITO玻璃上沉積了納米晶WO3薄膜，其表面形貌如圖3所示。所制備沉積的納米晶WO3薄膜表面平整，厚度均勻，且變色響應(yīng)時(shí)間快。實(shí)施例4:
采用射頻磁控濺射沉積薄膜技術(shù)，以WO3陶瓷為陰極靶材，在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積WO3薄膜，靶材為直徑76.2mm、厚度3mm的圓形WO3陶瓷靶。具體操作步驟為:
步驟1、ITO導(dǎo)電玻璃預(yù)處理:將ITO導(dǎo)電玻璃襯底依次浸入丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗15分鐘，之后冷風(fēng)吹干；
步驟2、將清洗好的ITO玻璃固定在射頻磁控濺射襯底平臺(tái)上，鍍有ITO薄膜的一面朝下。將WO3陶瓷靶安裝在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的靶位上。靶基距調(diào)整為7cm。在真空室封閉后，打開機(jī)械泵，開啟旁抽閥，對(duì)真空室抽真空。待真空室內(nèi)壓強(qiáng)降至4Pa以下，運(yùn)行分子泵，并將真空室內(nèi)氣壓進(jìn)一步降至5X KT4Pa ；
步驟3、向真空室內(nèi)通入流量為20SCCm的氬氣，待氬氣氣壓為1.5Pa時(shí)，打開射頻電源開關(guān)，靶材起輝后，通入流量為3sccm的氧氣，并調(diào)節(jié)氬氣流量為24sccm，使真空室內(nèi)氣壓穩(wěn)定在IPa。調(diào)節(jié)射頻功率為100W，在此條件下對(duì)靶材預(yù)濺射15分鐘。步驟4、不開啟加熱開關(guān)，即襯底溫度為室溫25°C。步驟5、將襯底平臺(tái)轉(zhuǎn)至靶材正上方，轉(zhuǎn)動(dòng)擋板，使靶材與襯底正對(duì)。調(diào)節(jié)靶基距為7cm、氬氣流量24sccm、氧氣流量3sccm、襯底溫度25°C、濺射功率100W，沉積時(shí)間60分鐘，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜。步驟6、沉積結(jié)束 后，依次關(guān)閉射頻電源開關(guān)、襯底加熱開關(guān)、分子泵以及機(jī)械泵，將擋板和襯底平臺(tái)復(fù)位，待襯底在真空室中冷卻至室溫，打開真空室腔蓋取出薄膜樣品。經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，在ITO玻璃上沉積了非晶WO3薄膜，其表面形貌如圖4所示。所制備沉積的非晶WO3薄膜表面平整，厚度均勻，且變色響應(yīng)時(shí)間快。由上可知，本發(fā)明在ITO導(dǎo)電玻璃襯底上沉積WO3薄膜時(shí)沉積速率穩(wěn)定、沉積速度快、薄膜生長(zhǎng)速度快；本發(fā)明所制備的WO3薄膜變色響應(yīng)時(shí)間短,且著色均勻。
權(quán)利要求
1.一種WO3電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，采用射頻磁控濺射技術(shù)，以WO3陶瓷為陰極靶材，在ITO襯底上沉積WO3薄膜，具體包括以下步驟: 步驟1、對(duì)ITO玻璃襯底進(jìn)行清洗； 步驟2、將ITO玻璃襯底固定在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的襯底平臺(tái)上，將WO3靶材安裝在射頻磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的靶位上，調(diào)節(jié)靶材與襯底之間的距離，對(duì)射頻磁控濺射設(shè)備真空室抽真空； 步驟3、將氬氣通入真空室，調(diào)節(jié)氬氣氣壓，之后打開射頻電源開關(guān)，靶材起輝后通入氧氣，調(diào)節(jié)氬氣與氧氣流量，并調(diào)節(jié)閘板閥，使真空室內(nèi)氣壓固定，之后對(duì)WO3靶材進(jìn)行預(yù)濺射清洗； 步驟4、加熱襯底，使襯底達(dá)到所需溫度； 步驟5、將襯底平臺(tái)轉(zhuǎn)至靶材正上方，轉(zhuǎn)動(dòng)擋板，使靶材與襯底間無遮擋，調(diào)節(jié)靶材與襯底之間的距離、氬氣流量、氧氣流量、襯底溫度、濺射功率以及濺射時(shí)間這些工藝參數(shù)，在ITO玻璃上沉積WO3薄膜； 步驟6、沉積結(jié)束后，依次關(guān)閉 射頻電源開關(guān)、襯底加熱開關(guān)、分子泵以及機(jī)械泵，將擋板和襯底平臺(tái)復(fù)位，待襯底在真空室中冷卻到室溫，打開真空室取出樣品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的WO3電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟I對(duì)ITO玻璃襯底進(jìn)行清洗，具體為:將襯底依次浸入丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗，每階段清洗的時(shí)間為10-20分鐘，之后冷風(fēng)吹干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的WO3電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2靶材與襯底之間的距離控制在5-lOcm之間，射頻磁控濺射設(shè)備真空室抽真空后的真空度小于或等于 9Xl(T4Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的WO3電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3中通入氬氣后，真空室內(nèi)氣壓控制在l-5Pa之間；通入氧氣后，真空室氣壓控制在0.5-2Pa之間，氧氣與氬氣流量比為1:5至1:15 ;對(duì)WO3靶材進(jìn)行預(yù)濺射清洗的濺射功率為50-150W ;靶材預(yù)濺射清洗時(shí)間為10-20分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的WO3電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟4中所需溫度為 25-500°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的WO3電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟5中靶材與襯底之間的距離為5-lOcm，氧氣與氬氣流量比為1:5至1:15，濺射氣壓為0.5_2Pa ;ΙΤ0襯底溫度為25-500°C ;濺射功率為50-150W ;濺射時(shí)間為30-90分鐘。
全文摘要
WO3薄膜具有可見光透射率調(diào)節(jié)范圍大、著色效率高、響應(yīng)時(shí)間短、循環(huán)穩(wěn)定性好和環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)?；赪O3薄膜的電致變色器件可廣泛應(yīng)用于建筑、汽車等作為節(jié)能靈巧窗。本發(fā)明涉及WO3光電功能材料，提供了一種薄膜質(zhì)量好、厚度均勻、變色響應(yīng)時(shí)間短的WO3電致變色薄膜的制備方法。本發(fā)明以WO3為靶材，利用射頻磁控濺射方法在透明導(dǎo)電ITO玻璃襯底上制備電致變色WO3薄膜。本發(fā)明制備工藝簡(jiǎn)單，容易控制，重復(fù)性好，沉積速率穩(wěn)定，便于大規(guī)模生產(chǎn)制備。
文檔編號(hào)G02F1/153GK103246119SQ201310174818
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2013年5月10日
發(fā)明者鄒友生, 張亦弛, 鄧麗琴, 樓冬, 汪海鵬, 竇康, 涂承君, 萬蘭風(fēng), 殷勝 申請(qǐng)人:南京理工大學(xué)