電光調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光調(diào)制器，其包括一基底、一形成于該基底上的Y型光波導(dǎo)、一對(duì)設(shè)置于該基底上的第一電極及一對(duì)設(shè)置于該基底上的第二電極。該Y型光波導(dǎo)包括一第一分支及一第二分支，該第一分支包括一第一子Y型光波導(dǎo)，該第一子Y型光波導(dǎo)包括一第一子分支及一第二子分支，該第二分支包括一第二子Y型光波導(dǎo)，該第二子Y型光波導(dǎo)包括一第三子分支及一第四子分支。該對(duì)第一電極及該對(duì)第二電極分別用于調(diào)制該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)以使該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的光束的功率相同，從而提高消光比。
【專利說明】電光調(diào)制器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及高速光通訊系統(tǒng)，特別涉及一種電光調(diào)制器。

【背景技術(shù)】
[0002] 馬赫-曾德爾（Mach-Zehner)電光調(diào)制器利用電光效應(yīng)通過調(diào)制電場(chǎng)改變Y型光 波導(dǎo)兩個(gè)分支之一的等效折射率，從而改變?cè)谄渲袀鬏數(shù)墓馐南辔?，使之與Y型光波導(dǎo) 另外一分支中傳輸?shù)墓馐嬖谙辔徊睢Ｈ绱?，γ型光波?dǎo)兩個(gè)分支中傳輸?shù)墓馐匦聟R聚 后將發(fā)生干涉，輸出功率取決于相位差，也即是由調(diào)制電場(chǎng)決定，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)制。然而，Y型 光波導(dǎo)兩個(gè)分支中傳輸?shù)墓馐墓β释嬖谖⑿〔町悾瑢?dǎo)致當(dāng)電光調(diào)制器作為開關(guān)使用 時(shí)，關(guān)閉狀態(tài)依然有微小功率輸出而開啟狀態(tài)時(shí)輸出的功率并非最大，消光比（extinction ratio)下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種可提高消光比的電光調(diào)制器。
[0004] 一種電光調(diào)制器，其包括： 一基底； 一形成于該基底上的Y型光波導(dǎo)，該Y型光波導(dǎo)包括一第一分支及一第二分支，該第一 分支包括一第一子Y型光波導(dǎo)，該第一子Y型光波導(dǎo)包括一第一子分支及一第二子分支，該 第二分支包括一第二子Y型光波導(dǎo)，該第二子Y型光波導(dǎo)包括一第三子分支及一第四子分 支，該第二子分支及該第四子分支分別位于該第一子分支及該第三子分支兩側(cè)； 一對(duì)設(shè)置于該基底上的第一電極，分別覆蓋該第二子分支及平行于該第二子分支設(shè)置 于該第二子分支與該第一子分支相背一側(cè)；及 一對(duì)設(shè)置于該基底上的第二電極，分別覆蓋該第四子分支及平行于該第四子分支設(shè)置 于該第四子分支與該第三子分支相背一側(cè)； 該對(duì)第一電極及該對(duì)第二電極分別用于調(diào)制該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波 導(dǎo)以使該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的功率相同。
[0005] 如此，當(dāng)該電光調(diào)制器作為開關(guān)使用時(shí)，該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波 導(dǎo)輸出的功率分別決定該第一分支及該第二分支參與干涉的功率，而由于該第一子Y型光 波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的光束的功率相同，從而使得關(guān)閉狀態(tài)輸出功率最小而開 啟狀態(tài)時(shí)輸出功率最大，消光比提高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的電光調(diào)制器的立體示意圖。
[0007] 圖2為圖1的電光調(diào)制器沿線II-II的剖面示意圖。
[0008] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種電光調(diào)制器，其包括： 一基底； 一形成于該基底上的Y型光波導(dǎo)，該Y型光波導(dǎo)包括一第一分支及一第二分支，該第一 分支包括一第一子Y型光波導(dǎo)，該第一子Y型光波導(dǎo)包括一第一子分支及一第二子分支，該 第二分支包括一第二子Y型光波導(dǎo)，該第二子Y型光波導(dǎo)包括一第三子分支及一第四子分 支，該第二子分支及該第四子分支分別位于該第一子分支及該第三子分支兩側(cè)； 一對(duì)設(shè)置于該基底上的第一電極，分別覆蓋該第二子分支及平行于該第二子分支設(shè)置 于該第二子分支與該第一子分支相背一側(cè)；及 一對(duì)設(shè)置于該基底上的第二電極，分別覆蓋該第四子分支及平行于該第四子分支設(shè)置 于該第四子分支與該第三子分支相背一側(cè)； 該對(duì)第一電極及該對(duì)第二電極分別用于調(diào)制該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波 導(dǎo)以使該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的功率相同。
2. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該基底的材料采用鈮酸鋰晶體。
3. 如權(quán)利要求2所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該基底包括一頂面，該Y型光波導(dǎo)是 自該頂面向該基底內(nèi)部高溫?cái)U(kuò)散金屬鈦而形成的。
4. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該Y型光波導(dǎo)包括一輸入段及一輸出 段，該第一分支及該第二分支自該輸入段分叉出并匯聚入該輸出段，該第一分支還包括一 與該輸入段連接的第一子輸入段及一與該輸出段連接第一子輸出段，該第一子分支及該第 二子分支自該第一子輸入段分叉出并匯聚入該第一子輸出段，該第二分支還包括一與該輸 入段連接的第二子輸入段及一與該輸出段連接第二子輸出段，該第三子分支及該第四子分 支自該第二子輸入段分叉出并匯聚入該第二子輸出段。
5. 如權(quán)利要求4所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該輸入段、該輸出段、該第一子分支、 該第二子分支、該第三子分支及該第四子分支平行設(shè)置。
6. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該對(duì)第一電極與該第二子分支平行 且等長(zhǎng)，該對(duì)第二電極與該第四子分支平行且等長(zhǎng)。
7. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該對(duì)第一電極均短于該第二子分支， 該對(duì)第二電極均短于該第四子分支。
8. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該對(duì)第一電極及該對(duì)第二電極 分別用于調(diào)制該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)以使該第一子Y型光波導(dǎo)及 該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的相位差為〇或相同X。
9. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該電光調(diào)制器還包括一設(shè)置于該基 底與該對(duì)第一電極及該對(duì)第二電極之間的緩沖層，用于防止在該第二子分支傳輸?shù)墓馐?覆蓋該第二子分支上的該對(duì)第一電極1之一所吸收及防止該第四子分支傳輸?shù)墓馐桓?蓋該第四子分支上的該對(duì)第二電極之一所吸收。
10. 如權(quán)利要求9所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該緩沖層采用二氧化硅制成。
【文檔編號(hào)】G02F1/225GK104122733SQ201310144680
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月24日
【發(fā)明者】黃新舜 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司