電光調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光調(diào)制器，其包括一個基底、一個Y型光波導(dǎo)、一個條狀的地電極、一個條狀的第一調(diào)制電極及一個條狀的第二調(diào)制電極。該基底包括一個頂面。該對Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成，并包括兩個一個僅用于傳輸橫電波的第一分支及一個僅用于傳輸橫磁波的第二分支。該地電極、該第一調(diào)制電極及該第二調(diào)制電極設(shè)置于該頂面上，該地電極及該第一調(diào)制電極分別設(shè)置于該第一分支兩側(cè)且該地電極覆蓋該第二分支，該第二調(diào)制電極平行設(shè)置于該第二分支與該第一分支相背一側(cè)。如此，可通過該對第一電極及第二電極分別對橫電波及橫磁波進(jìn)行調(diào)制，加載、傳輸信息，同樣的時間內(nèi)，加載、傳輸?shù)男畔⒘吭黾樱瑥亩岣咝畔鬏斔俾省?br> 【專利說明】電光調(diào)制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高速光通訊系統(tǒng)，特別涉及一種電光調(diào)制器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的一種電光調(diào)制器(馬赫-曾德爾(Mach-Zehner)電光調(diào)制器)利用電光效應(yīng)通過調(diào)制電場改變Y型光波導(dǎo)的兩個分支之一的折射率，從而改變在其中傳輸?shù)墓馐南辔唬怪cY型光波導(dǎo)另外一個分支中傳輸?shù)墓馐嬖谙辔徊?。如此，Y型光波導(dǎo)兩個分支中傳輸?shù)墓馐匦聟R聚后將發(fā)生干涉，輸出功率取決于相位差，也即是由調(diào)制電場決定，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)制。然而，隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，信息傳輸速率(帶寬)已經(jīng)成為技術(shù)發(fā)展主要考慮的方向。目前的電光調(diào)制器的信息傳輸速率有待提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種可提高信息傳輸速率的電光調(diào)制器。
[0004]一種電光調(diào)制器，其包括一個基底、一個Y型光波導(dǎo)、一個條狀的地電極、一個條狀的第一調(diào)制電極及一個條狀的第二調(diào)制電極。該基底包括一個頂面。該對Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成，并包括兩個一個僅用于傳輸橫電波(transverse electricwave)的第一分支及一個僅用于傳輸橫磁波(transverse magnetic wave)的第二分支。該地電極、該第一調(diào)制 電極及該第二調(diào)制電極設(shè)置于該頂面上，該地電極及該第一調(diào)制電極分別設(shè)置于該第一分支兩側(cè)且該地電極覆蓋該第二分支，該第二調(diào)制電極平行設(shè)置于該第二分支與該第一分支相背一側(cè)。
[0005]如此，可通過該第一調(diào)制電極與該地電極配合對橫電波進(jìn)行調(diào)制，加載、傳輸信息，還可以通過該第二調(diào)制電極與該地電極配合對橫磁波進(jìn)行調(diào)制，加載、傳輸信息，也即是同樣的時間內(nèi)，加載、傳輸?shù)男畔⒘吭黾樱瑥亩岣咝畔鬏斔俾省?br> 【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的電光調(diào)制器的立體示意圖。
[0007]圖2為圖1的電光調(diào)制器沿線I1-1I的剖面示意圖。
[0008]主要元件符號說明

電光調(diào)制器 I ?ο

基底TTo
頂面TTT

Y型光波導(dǎo) 120
第一分支

第二分支 122
入射段123
出射段_124
地電極_131

第一調(diào)制電極^@

第二調(diào)制電極 1133緩沖層1140
如下【具體實(shí)施方式】將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
【具體實(shí)施方式】
[0009]請參閱圖1及圖2，本發(fā)明較佳實(shí)施方式的電光調(diào)制器10，其包括一個基底110、一個Y型光波導(dǎo)120、一個條狀的地電極131、一個條狀的第一調(diào)制電極132及一個條狀的第二調(diào)制電極133。該基底110包括一個頂面111。該對Y型光波導(dǎo)120自該頂面111向該基底110內(nèi)部擴(kuò)散而成，并包括兩個一個僅用于傳輸橫電波(transverse electric wave)的第一分支121及一個僅用于傳輸橫磁波(transverse magnetic wave)的第二分支122。該地電極131、該第一調(diào)制電極132及該第二調(diào)制電極133設(shè)置于該頂面111上，該地電極131及該第一調(diào)制電極132分別設(shè)置于該第一分支121兩側(cè)且該地電極131覆蓋該第二分支122，該第二調(diào)制電極133平行設(shè)置于該第二分支122與該第一分支121相背一側(cè)。
[0010]如此，可通過該第一調(diào)制電極132與該地電極131配合對橫電波進(jìn)行調(diào)制，加載、傳輸信息，還可以通過該第二調(diào)制電極133與該地電極131配合對橫磁波進(jìn)行調(diào)制，加載、傳輸信息，也即是同樣的時間內(nèi)，加載、傳輸?shù)男畔⒘吭黾?，從而提高信息傳輸速率?br> [0011]另外，由于該第一分支121及該第二分支122分別傳輸橫電波及橫磁波，因此相互間也不會發(fā)生串?dāng)_(cross talk)。
[0012]再者，該第一調(diào)制電極132及該第二調(diào)制電極133共用該地電極131，而非分別設(shè)立地電極與該第一調(diào)制電極132及該第二調(diào)制電極133配對，如此，可以簡化工藝。
[0013]由于鈮酸鋰(LiNbO3)晶體(LN)具有較高的反應(yīng)速度，因此，該基底110的材料采用鈮酸鋰晶體，以提高該電光調(diào)制器10的帶寬。
[0014]該Y型光波導(dǎo)120 —般還包括一個入射段123及一個出射段124。該第一分支121及該第二分支122從該入射段123分出，并重新匯聚入該出射段124。該入射段123及該出射段124通過在該基底上擴(kuò)散金屬鈦(單質(zhì))而形成，能同時傳輸橫電波及橫磁波。而該第一分支121在擴(kuò)散金屬鈦后還繼續(xù)擴(kuò)散鋅鎳合金，因此只能傳輸橫電波，而該第二分支122在擴(kuò)散金屬鈦后還擴(kuò)散金屬嫁(單質(zhì))，因此只能傳輸橫磁波。
[0015]以該基底110的高度方向?yàn)閄軸，寬度方向?yàn)閥軸，該第一分支121及該第二分支122的長度方向(即光的傳輸方向)為z軸,根據(jù)平板光波導(dǎo)的波動方程分析,可知，橫電波僅有沿I軸方向的電場分量Ey,而橫磁波僅有沿X軸方向的電場分量Ex及沿z軸方向的電場分量Ez。而該第一調(diào)制電極132與該地電極131的設(shè)置，使得其極間電場Il與該第一分支121的交疊部分平行于I軸方向，因此可以有效調(diào)制橫電波。該第二調(diào)制電極133與該地電極131的設(shè)置，使得其極間電場12與該第二分支122的交疊部分平行于X軸方向，因此，可以有效調(diào)制橫磁波(電場分量Ex)。
[0016]優(yōu)選地，為了防止光波被該地電極131、第一調(diào)制電極132及/或該第二調(diào)制電極133所吸收，可以在該基底110上先形成一層緩沖層140，再在該緩沖層140上形成該地電極131、第一調(diào)制電極132及該第二調(diào)制電極133。該緩沖層140采用二氧化硅制成。
[0017]總之，本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實(shí)施方式僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍之內(nèi)，對以上實(shí)施例所作的適當(dāng)改變和變化都落在本發(fā)明要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電光調(diào)制器，其包括一個基底、一個Y型光波導(dǎo)、一個條狀的地電極、一個條狀的第一調(diào)制電極及一個條狀的第二調(diào)制電極；該基底包括一個頂面；該對Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成，并包括兩個一個僅用于傳輸橫電波的第一分支及一個僅用于傳輸橫磁波的第二分支；該地電極、該第一調(diào)制電極及該第二調(diào)制電極設(shè)置于該頂面上，該地電極及該第一調(diào)制電極分別設(shè)置于該第一分支兩側(cè)且該地電極覆蓋該第二分支，該第二調(diào)制電極平行設(shè)置于該第二分支與該第一分支相背一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該基底的材料采用鈮酸鋰晶體。
3.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該Y型光波導(dǎo)一般還包括一個入射段及一個出射段；該第一分支及該第二分支從該入射段分出，并重新匯聚入該出射段。
4.如權(quán)利要求3所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該入射段及該出射段通過在該基底上擴(kuò)散金屬鈦而形成。
5.如權(quán)利要求3所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該第一分支在擴(kuò)散金屬鈦后還繼續(xù)擴(kuò)散鋅鎳合金而形成。
6.如權(quán)利要求3所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該第二分支在擴(kuò)散金屬鈦后還擴(kuò)散金屬嫁而形成。
7.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該電光調(diào)制器還包括設(shè)置于該基底與該地電極、第一調(diào)制電極及該第二調(diào)制電極之間的緩沖層，用來防止光波被該地電極、第一調(diào)制電極或該第二調(diào)制電極所吸收。
8.如權(quán)利要求7所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該緩沖層采用二氧化硅制成。
【文檔編號】G02F1/035GK103852917SQ201210503130
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】黃新舜 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司