電光調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光調(diào)制器，其包括一個晶體基底、一對光波導(dǎo)、一個第一電極及兩個第二電極。該晶體基底包括一個極化反轉(zhuǎn)區(qū)。該對光波導(dǎo)自該晶體基底的一個第一表面向內(nèi)擴(kuò)散而形成、相互平行且分別形成于該極化反轉(zhuǎn)區(qū)內(nèi)及該極化反轉(zhuǎn)區(qū)外。該第一電極設(shè)置在該第一表面上且覆蓋該對光波導(dǎo)。該兩個第二電極與該第一電極極性相反且與該第一電極相互平行地設(shè)置于該第一電極兩側(cè)。由于所在位置的極化方向相反，該對光波導(dǎo)內(nèi)的光波在未施加電場時已經(jīng)存在180度的相位差，因此可以共用該第一電極。如此可以簡化電路，即該對光波導(dǎo)共用一該第一電極，從而簡化該電光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)。
【專利說明】電光調(diào)制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高速光通訊系統(tǒng)，特別涉及一種電光調(diào)制器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著高速光通訊系統(tǒng)的發(fā)展，電光調(diào)制器成為熱門的研究課題。一種電光調(diào)制器的原理主要是利用電光效應(yīng)將調(diào)制微波加載于電極，電極的極間電場作用于光波導(dǎo)、改變光波導(dǎo)的折射率，從而改變光波導(dǎo)傳輸?shù)募す獾妮敵龉β?，實現(xiàn)調(diào)制的目的。然而，現(xiàn)有的電光調(diào)制器由于電極設(shè)置不合理，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工藝要求高、容易造成短路且調(diào)制所需的半波電壓高，功耗較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種簡化結(jié)構(gòu)的電光調(diào)制器。
[0004]一種電光調(diào)制器，其包括一個晶體基底、一對光波導(dǎo)、一個第一電極及兩個第二電極。該晶體基底包括一個極化反轉(zhuǎn)區(qū)。該對光波導(dǎo)自該晶體基底的一個第一表面向內(nèi)擴(kuò)散而形成、相互平行且分別形成于該極化反轉(zhuǎn)區(qū)內(nèi)及該極化反轉(zhuǎn)區(qū)外。該第一電極設(shè)置在該第一表面上且覆蓋該對光波導(dǎo)。該兩個第二電極與該第一電極極性相反且與該第一電極相互平行地設(shè)置于該第一電極兩側(cè)。
[0005]采用上面的電光調(diào)制器，由于所在位置的極化方向相反，該對光波導(dǎo)內(nèi)的光波在未施加電場時已經(jīng)存在180度的相位差，因此可以共用該第一電極。如此可以簡化電路，SP該對光波導(dǎo)共用一該第一電極，從而簡化該電光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為本發(fā)明較佳實施 方式的電光調(diào)制器的立體示意圖。
[0007]圖2為圖1的電光調(diào)制器沿線I1-1I的剖面示意圖。
[0008]主要元件符號說明

電光調(diào)制器I ?ο

晶體基底 11

極化反轉(zhuǎn)區(qū).--

第一表面 120
Wn TW
光波導(dǎo) —~

第一電極 13a
第二電極
隔離層 TF
輸出段_15

_輸入段

激光入口 162
jjg|l7~
如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附 圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。【具體實施方式】
[0009]請參閱圖1及圖2，本發(fā)明較佳實施方式的電光調(diào)制器10其包括一個晶體基底
11、一對光波導(dǎo)12、一個第一電極13a及兩個第二電極13b。該晶體基底11包括一個極化反轉(zhuǎn)區(qū)110。該對光波導(dǎo)12自該晶體基底11的一個第一表面120向內(nèi)擴(kuò)散而形成、相互平行且分別形成于該極化反轉(zhuǎn)區(qū)110內(nèi)及該極化反轉(zhuǎn)區(qū)110外。該第一電極13a設(shè)置在該第一表面120上且覆蓋該對光波導(dǎo)12。該兩個第二電極13b與該第一電極13a極性相反且與該第一電極13a相互平行地設(shè)置于該第一電極13a兩側(cè)。
[0010]以往，為了使一對光波導(dǎo)的光波具有180度的相位差，從而達(dá)到最大調(diào)變效果，通常需在這對光波導(dǎo)上設(shè)置極性相反的電極，然而，如此一來工藝較復(fù)雜，同時，由于這對光波導(dǎo)之間的間隙一般較小，電極容易短接。
[0011]而采用上面的電光調(diào)制器10，由于所在位置的極化方向相反，該對光波導(dǎo)12內(nèi)的光波在未施加電場時已經(jīng)存在180度的相位差，因此可以共用該第一電極13a。如此，可以簡化電路(該對光波導(dǎo)12共用一該第一電極13a)。同時，相對于現(xiàn)有技術(shù)需形成兩個間隙間隙較小的電極，可以降低工藝難度，并且可以避免不良(不會發(fā)生電極短路現(xiàn)象)。
[0012]另外，如此設(shè)置，該第一電極13a與該對第二電極13b的極間電場E (請參圖2)與該對光波導(dǎo)12傳輸?shù)募す獾墓鈭?一般填滿該對光波導(dǎo)12的橫截面)的電光重疊積分因子(即電場I與光場的重疊部分)最大，可以達(dá)到整個光場的大小(即該對光波導(dǎo)12的橫截面積大小)。
[0013]而根據(jù)電光效應(yīng)的原理可知:
【權(quán)利要求】
1.一種電光調(diào)制器，其包括一個晶體基底、一對光波導(dǎo)、一個第一電極及兩個第二電極；該晶體基底包括一個極化反轉(zhuǎn)區(qū)；該對光波導(dǎo)自該晶體基底的一個第一表面向內(nèi)擴(kuò)散而形成、相互平行且分別形成于該極化反轉(zhuǎn)區(qū)內(nèi)及該極化反轉(zhuǎn)區(qū)外；該第一電極設(shè)置在該第一表面上且覆蓋該對光波導(dǎo)；該兩個第二電極與該第一電極極性相反且與該第一電極相互平行地設(shè)置于該第一電極兩側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該晶體基底的材料采用鈮酸鋰晶體。
3.如權(quán)利要求2所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該晶體基底基本呈矩形，在該第一表面且位于該對光波導(dǎo)的兩側(cè)分別形成一個切口。
4.如權(quán)利要求2所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該對第二電極分別位于該兩個切口的上表面。
5.如權(quán)利要求3所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該第一表面面向+Z晶軸，該電光調(diào)制器為+Z切，而該極化反轉(zhuǎn)區(qū)的+Z晶軸與該晶體基底的+Z晶軸方向相反。
6.如權(quán)利要求3所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該電光調(diào)制器還在該第一表面及該兩個切口的上表面形成有一個隔離層；該對第一電極及該對第二電極均設(shè)置于該隔離層上。
7.如權(quán)利要求6所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該隔離層采用二氧化硅。
8.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，每個光波導(dǎo)為通過金屬擴(kuò)散而成的半圓柱結(jié)構(gòu)；該對光波導(dǎo)均延伸出一個輸出段，而其中一個該光波導(dǎo)與其對應(yīng)的輸出段相背的一端還具有一個輸入段；該輸入段延伸到在該晶體基底的側(cè)面，并形成有一個激光入□。
【文檔編號】G02F1/035GK103513445SQ201210209974
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月25日
【發(fā)明者】黃新舜 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司