專利名稱：極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及極紫外光刻掩模，特別是一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法。
背景技術(shù)：
掩模缺陷是極紫外光刻發(fā)展過程中的主要障礙之一。掩模缺陷極大的影響極紫外光刻掩模的多層膜反射率，因此需要一定的方法進行補償，而準確、快速地仿真掩模缺陷對掩模成像的影響是補償?shù)闹饕罁?jù)和大面積掩模仿真的要求。因此研究快速而準確的掩模缺陷仿真方法具有十分重要的意義。目前，極紫外光刻掩模仿真通常采用的是嚴格仿真方法求解掩模衍射場分布如 FDTD 方法(參見在先技術(shù) I，T.Pistor, Y.Deng, and A.Neureuther, “Extremeultraviolet mask defect simulation:low-profile defects”，J.Vac.Sc1.Technol.B18, 2926-2929 (2000)),波導(dǎo)法(參見在先技術(shù) 2, Peter Evanschitzky and AndreasErdmann, “Fast near field simulation of optical and EUV masks using thewaveguide method”，Proc.0f SPIE Vol.6533，65330Y (2007))。嚴格仿真方法主要通過計算麥克斯韋方程組得到準確的掩模衍射場分布，但嚴格仿真方法計算量大，計算速度慢，不利于大面積的掩模仿真計算和數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析，并且嚴格仿真涉及數(shù)值計算，無法給出與現(xiàn)有光刻成像公式兼容的衍射譜解析表達式。為了提高計算速度，Yuting Cao等人提出了極紫外光刻解析模型仿真方法(在先技術(shù)3, Yuting Cao, Xiangzhao Wang, AndreasErdmann, Peng Bu, and Yang Bu, “Analytical model for EUV mask diffraction fieldcalculation”, Proc.0f SPIE Vol.8171，81710N(2011))。該方法通過分解掩模結(jié)構(gòu)計算衍射譜，吸收層采用薄掩模模型和點脈沖修正，多層膜采用平面鏡近似，并通過與嚴格仿真比對得到相位傳播的補償距離，與在先技術(shù)2相比，在掩模圖形周期44nm，特征尺寸22nm，誤差3%以內(nèi)的情況下，運算速度提高近100倍，并且此方法給出了掩模衍射譜的解析表達式，但該仿真方法僅能用于無缺陷掩模仿真，限制了該方法的應(yīng)用范圍。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，該方法可以有效的表征掩模缺陷對掩模成像的影響，并可以提高掩模缺陷的仿真速度。本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，該方法包含如下的步驟:( I)仿真掩模吸收層衍射譜:吸收層薄掩模近似的復(fù)透射系數(shù)為:t (λ.) = t(x) + Αβιφδ{χ—吾)+ Αβ'φδ{χ+吾)，
權(quán)利要求
1.一種極紫外光刻厚掩模的快速仿真方法，該極紫外光刻厚掩模的構(gòu)成沿入射光方向依次包括吸收層(I)、多層膜(2)、缺陷(3)和基底(4)，其特征在于:該仿真方法的缺陷掩模簡化模型包括:吸收層等效薄掩模(8)、多層膜等效平面鏡(9)、多層膜等效平面鏡位置(10)和缺陷等效寬度(11)，該方法包括如下步驟: ①仿真掩模吸收層衍射譜: 吸收層薄掩模近似的復(fù)透射系數(shù)為:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，其特征在于: 復(fù)透射系數(shù)表達式中的參數(shù)ta、tb和Aeilil的求解過程包含以下步驟: 吸收層衍射譜為:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，其特征在于:所述的缺陷掩模多層膜的等效反射參數(shù)求解過程包含以下步驟: I)求解缺陷多層膜的反射光強截面圖的衰減幅度Hsa (14)和影響范圍Wsc (15): 衰減幅度1Iml (14)滿足:
全文摘要
一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，該方法將缺陷多層膜等效為無缺陷平面鏡和缺陷平面鏡兩部分，首先通過薄掩模近似得到掩模吸收層衍射譜，相位補償后經(jīng)過缺陷多層膜反射，然后再進行相位補償，最后通過薄掩模近似和相位補償，得到極紫外光刻缺陷掩模衍射譜。本發(fā)明可以有效的仿真缺陷對掩模成像的影響，并提高了極紫外光刻厚掩模缺陷的仿真速度。
文檔編號G03F1/72GK103197503SQ20131010255
公開日2013年7月10日 申請日期2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月27日
發(fā)明者劉曉雷, 李思坤, 王向朝, 步揚 申請人:中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所