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光刻機設(shè)備用離軸照明裝置的制作方法

文檔序號:2742378閱讀:280來源:國知局
專利名稱:光刻機設(shè)備用離軸照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光刻機,特別是一種用于光刻機的離軸照明裝置,實現(xiàn)雙環(huán)形、雙二極、雙四極照明模式的離軸照明。
背景技術(shù)
隨著芯片集成度的不斷提高和超大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展,需要不斷提高光刻機的分辨率和焦深。如何提高光刻機的分辨率和焦深是目前的研究熱點。減小光刻機的曝光波長、提高投影物鏡的數(shù)值孔徑或者減小工藝因子都是能夠提高光刻機分辨率的有效手段,但是在采用上述手段的同時,會使投影物鏡的焦深急劇減小。通過采用離軸照明等方式可以在提高光刻機分辨率的同時增加焦深??蒲腥藛T已經(jīng)開發(fā)了多種光刻分辨率增強技術(shù),通過光瞳整形技術(shù)獲得的離軸照明是光刻機中一種常用并且有效的分辨率增強技術(shù)。光刻機需要針對不同的掩模結(jié)構(gòu)選擇不同的離軸照明模式,以達到增強光刻分辨率、增大焦深、提高對比度的目的。光瞳整形技術(shù)是指在光刻系統(tǒng)中采用特殊設(shè)計的光學(xué)元件對入射的激光光束進行振幅和位相的調(diào)制,從而在光瞳面上獲得所需要的光場模式的一種整形技術(shù)。光瞳整形的一種常用方法是通過衍射光學(xué)元件和錐形鏡組來實現(xiàn)的,可以實現(xiàn)環(huán)形照明、二極照明和四極照明等多種光刻照明模式。隨著光刻圖形特征尺寸的不斷減小,對光刻機新型照明模式的要求也越來越高,因此研發(fā)一種產(chǎn)生新型照明模式的原理裝置尤為重要。中國專利“一種用于雙環(huán)形均勻照明的自由曲面透鏡”(CN101916046B)中,提出了一種實現(xiàn)雙環(huán)照明模式的方法。其原理是設(shè)計了一種自由曲面透鏡,使激光束入射經(jīng)過自由曲面偏轉(zhuǎn)到達目標(biāo)面形成對應(yīng)的雙環(huán)形照明模式,但是元件加工比較復(fù)雜,并且所得雙環(huán)照明模式內(nèi)外相干因子不可調(diào),因此不適合用于光刻機曝光系統(tǒng)。美國專利US20090135392A1公開提出了一種實現(xiàn)離軸照明的空間光束調(diào)制單元,其原理是利用了微反射鏡二維陣列,并通過控制單元控制每個微反射鏡的偏轉(zhuǎn)角度來實現(xiàn)對應(yīng)的離軸照明模式。但是該裝置每個微鏡都需要控制單元控制偏轉(zhuǎn)角度,必然增加系統(tǒng)的復(fù)雜度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種用于光刻機的離軸照明裝置,該裝置對光刻機可實現(xiàn)雙環(huán)照明,雙二極照明,雙四極照明。本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:一種光刻機設(shè)備用離軸照明裝置,其特點在于該裝置包括照明單元、衍射光學(xué)元件單元、變焦準(zhǔn)直鏡組、四分之一波片、負軸錐鏡、45°旋光片和正軸錐鏡;所述的照明單元由準(zhǔn)分子激光器和擴束準(zhǔn)直鏡組組成;上述元件的位置關(guān)系如下:沿著所述的準(zhǔn)分子激光器的激光傳輸方向,依次是同光軸的擴束準(zhǔn)直鏡組、衍射光學(xué)元件單元、變焦準(zhǔn)直鏡組、四分之一波片、負軸錐鏡、旋光器、正軸錐鏡,所述的負軸錐鏡、旋光器和正軸錐鏡位于所述的變焦準(zhǔn)直鏡組的后焦面之前;所述的衍射光學(xué)元件單元位于所述的變焦準(zhǔn)直鏡組的前焦面處;所述的負軸錐鏡錐面的內(nèi)環(huán)鍍有增透膜,該薄膜的外半徑略大于入射光束半徑;該負軸錐鏡錐面外環(huán)上鍍的高反射薄膜,該高反射膜是全反射相位延遲薄膜,該薄膜的內(nèi)半徑等于所述的增透膜的外半徑,外半徑等于負軸錐鏡的通光口徑;所述的正軸錐鏡的偏振分光薄膜,鍍在錐面上,并完全覆蓋整個錐面,所述的四分之一波片的快軸與入射光的偏振方向成45°角;所述的正軸錐鏡安裝在一個沿光軸方向移動的高精度直線導(dǎo)軌上。所述的玻璃光學(xué)元件均采用熔融石英制成。所述的負軸錐鏡錐面的內(nèi)環(huán)上鍍的增透膜,對入射光的透過率接近100%,該薄膜的外半徑略大于入射光束半徑;所述的負軸錐鏡錐面外環(huán)上鍍的高反射薄膜,對入射光的反射率接近100%,并且所述的負軸錐鏡錐面上所鍍的高反射膜是全反射相位延遲薄膜,該薄膜具有反射的P光和S光相位保持一致的特性,該薄膜的內(nèi)半徑等于所述增透膜的外半徑,外半徑等于負軸錐鏡的通光口徑。所述的正軸錐鏡的偏振分光薄膜,鍍在錐面上,并完全覆蓋整個錐面,其特性為對S光反射率接近100%,對P光的透過率接近100%。所述的負軸錐鏡和正軸錐鏡的口徑取值應(yīng)略大于所述的雙環(huán)照明模式外環(huán)外半徑R2的最大要求值,所述的軸錐鏡底角r的取值應(yīng)介于5° 20°。所述的正軸錐鏡的偏振分光薄膜,鍍在錐面上,并完全覆蓋整個錐面,其特性為對S光反射率接近100%,對P光的透過率接近100%。偏振薄膜的設(shè)計細節(jié)已經(jīng)被本領(lǐng)域的研究人員所熟知,具體 可以參見美國專利US005748369A“Polarizing beam splitter and anilluminating device provided with the same,,。所述的照明單元包括準(zhǔn)分子激光器、擴束鏡;所述的四分之一波片的快軸與入射光的偏振方向成45°角;所述的元部件的位置關(guān)系如下:沿著所述的準(zhǔn)分子激光器輸出激光光束的前進方向,所經(jīng)過光學(xué)元件順序依次是擴束鏡、衍射光學(xué)元件單元、變焦準(zhǔn)直鏡組、四分之一波片、負軸錐鏡、45 °旋光片和正軸錐鏡。本裝置中所述的玻璃光學(xué)元件均采用熔融石英,這種材料在深紫外波段的透過率高,適用于193nm、248nm等深紫外光波段。當(dāng)線偏振激光光束通過所述裝置可以形成內(nèi)外環(huán)半徑可調(diào)諧的雙環(huán)照明模式、雙二極照明模式和雙四極照明模式。其中,實現(xiàn)雙環(huán)照明模式、雙二極照明模式和雙四極照明模式時,正軸錐鏡和負軸錐鏡不用更換,僅需相應(yīng)地將衍射光學(xué)元件單元更換為實現(xiàn)傳統(tǒng)照明模式、二極照明模式和四極照明模時的衍射光學(xué)元件單元。所述裝置形成的雙環(huán)照明模式的內(nèi)環(huán)外半徑可以用下式表示:
,、..sin;/cos" γ.、R1 = /) +"() ( I= — S I η γ cos γ)(j)
小-f'r sin" γ
所述裝置形成的雙環(huán)照明模式的外環(huán)外半徑可以用下式表示:
權(quán)利要求
1.一種光刻機設(shè)備用離軸照明裝置,其特征在于該裝置包括照明單元、衍射光學(xué)元件單元(301)、變焦準(zhǔn)直鏡組(302 )、四分之一波片(401)、負軸錐鏡(501)、45 °旋光片(402 )和正軸錐鏡(502);所述的照明單元由準(zhǔn)分子激光器(101)和擴束準(zhǔn)直鏡組(201、202)組成; 上述元件的位置關(guān)系如下: 沿著所述的準(zhǔn)分子激光器(101)的激光傳輸方向,依次是同光軸的擴束準(zhǔn)直鏡組(201、202)、衍射光學(xué)元件單元(301)、變焦準(zhǔn)直鏡組(302)、四分之一波片(401)、負軸錐鏡(501)、旋光器(402)、正軸錐鏡(502),所述的負軸錐鏡(501)、旋光器(402)和正軸錐鏡(502)位于所述的變焦準(zhǔn)直鏡組(302)的后焦面(601)之前;所述的衍射光學(xué)元件單元(301)位于所述的變焦準(zhǔn)直鏡組(302)的前焦面處; 所述的負軸錐鏡(501)錐面的內(nèi)環(huán)鍍有增透膜,該薄膜的外半徑略大于入射光束半徑;該負軸錐鏡錐面外環(huán)上鍍的高反射薄膜,該高反射膜是全反射相位延遲薄膜,該薄膜的內(nèi)半徑等于所述的增透膜的外半徑,外半徑等于負軸錐鏡的通光口徑; 所述的正軸錐鏡(502)的偏振分光薄膜,鍍在錐面上,并完全覆蓋整個錐面,所述的四分之一波片(401)的快軸與入射光的偏振方向成45°角;所述的正軸錐鏡(502)安裝在一個沿光軸方向移動的高精度直線導(dǎo)軌上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻機設(shè)備用離軸照明裝置,其特征在于所述的玻璃光學(xué)元件均采用熔融石英制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻機設(shè)備用離軸照明裝置,其特征在于所述的負軸錐鏡錐面的內(nèi)環(huán)上鍍的增透膜,對入射光的透過率接近100%,該薄膜的外半徑略大于入射光束半徑;所述的負軸錐鏡錐面外環(huán)上鍍的高反射薄膜,對入射光的反射率接近100%,并且所述的負軸錐鏡錐面上所鍍的高反射膜是全反射相位延遲薄膜,該薄膜具有反射的P光和S光相位保持一致的特性,該薄膜的內(nèi)半徑等于所述增透膜的外半徑,外半徑等于負軸錐鏡的通光口徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻機設(shè)備用離軸照明裝置,其特征在于所述的正軸錐鏡的偏振分光薄膜,鍍在錐面上,并完全覆蓋整個錐面,其特性為對S光反射率接近100%,對P光的透過率接近100%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的光刻機設(shè)備用離軸照明裝置,其特征在于所述的負軸錐鏡和正軸錐鏡的口徑取值應(yīng)略大于所述的雙環(huán)照明模式外環(huán)外半徑R2的最大要求值,所述的軸錐鏡底角r的取值應(yīng)介于5° 20°。
全文摘要
一種光刻機設(shè)備用離軸照明裝置,其特點在于該裝置包括照明單元、衍射光學(xué)元件單元、變焦準(zhǔn)直鏡組、四分之一波片、負軸錐鏡、45°旋光片和正軸錐鏡;所述的照明單元由準(zhǔn)分子激光器和擴束準(zhǔn)直鏡組組成。本發(fā)明對光刻機可實現(xiàn)雙環(huán)照明,雙二極照明,雙四極照明。
文檔編號G02B27/09GK103149809SQ20131009613
公開日2013年6月12日 申請日期2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月22日
發(fā)明者楊寶喜, 宋強, 朱菁, 陳明, 胡中華, 肖艷芬, 劉蕾, 王俊, 張方, 黃惠杰 申請人:中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所
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