本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，并且更具體地涉及有源矩陣型液晶顯示裝置，其中用實質(zhì)上垂直于薄膜晶體管基板的電場驅(qū)動液晶分子。

背景技術(shù)：
廣泛地使用的扭轉(zhuǎn)向列(TN)型的液晶顯示裝置具有高對比度，但是另一方面存在高視角依賴性的問題，因為液晶的分子軸由于垂直電場而升高。因為近年來對大尺寸的TV監(jiān)視器等的需求不斷增加，所謂的橫向電場型液晶面板(例如IPS(面內(nèi)開關(guān))型或FFS型)不斷擴散，在這種面板中將與設(shè)置薄膜晶體管(下文中稱為TFT)的基板實質(zhì)上平行的電場施加至液晶分子以驅(qū)動該分子。例如，IPS型的橫向電場型液晶顯示器面板在基板上具有實質(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線或掃描線的多個像素電極，以及與所述像素電極成對的公共電極。通過在像素電極和公共電極之間形成與基板實質(zhì)上平行的電場，液晶分子在平行于基板的平面內(nèi)轉(zhuǎn)動，由此控制顯示。通過以此方式驅(qū)動液晶分子，消除了相對于分子軸的上升角度的視角依賴性。相比TN型，視角特性更加有利。在這種液晶顯示裝置中，優(yōu)選在更大的范圍內(nèi)驅(qū)動液晶分子。例如，專利文獻1公開一種在較寬區(qū)域內(nèi)驅(qū)動液晶材料的技術(shù)，該液晶材料被設(shè)置成在設(shè)置TFT的基板和與該基板相對的相對基板之間的層并且具有濾色器。在專利文獻1中，例如，公開一種將相鄰像素電極的間隔縮短為小于由傳統(tǒng)工藝余量(processmargin)確定的限制、并且防止相鄰像素電極短路的技術(shù)。專利文獻2公開一種橫向電場型的液晶顯示裝置，其中通過設(shè)置像素電極和相對的電極實質(zhì)上與掃描線平行、彼此鄰近地形成數(shù)據(jù)線和源像素電極以及在掃描線上形成存儲電容電極(圖10)，具有改進的亮度。另一方面，專利文獻3公開一種具有改進的孔徑比的橫向電場型的液晶顯示裝置，其中用公共電極經(jīng)由夾層絕緣膜覆蓋掃描線和數(shù)據(jù)線。專利文獻1：日本未審專利申請出版物第2004-212436號專利文獻2：日本未審專利申請出版物第2002-122876號專利文獻3：日本未審專利申請出版物第2004-062145號

技術(shù)實現(xiàn)要素：
在專利文獻1中，為了產(chǎn)生與基板實質(zhì)上平行的電場，必須將像素電極和公共電極設(shè)置在基板上。例如，在數(shù)據(jù)線和像素電極之間，必須設(shè)置間隙以防止數(shù)據(jù)信號的傳輸延遲。為了所述間隙，電極必須設(shè)置為遠離數(shù)據(jù)線，在子像素內(nèi)不能拓寬驅(qū)動液晶分子的范圍，這引起不能增加孔徑比的問題。在專利文獻2中，在橫向電場型的液晶顯示裝置中，在數(shù)據(jù)線和像素電極之間，必須設(shè)置間隙以防止數(shù)據(jù)信號的傳輸延遲。例如，在液晶顯示裝置中，數(shù)據(jù)線和像素電極位于相同的層中，使得像素電極的連接部分必須設(shè)置為遠離數(shù)據(jù)線，并且存在問題使得在子像素內(nèi)不能拓寬驅(qū)動液晶分子的范圍。另一方面，在專利文獻3中，在液晶顯示裝置中的像素電極和公共電極之間以及在像素電極和公共電極線之間產(chǎn)生存儲電容。因為在結(jié)構(gòu)中的像素的短的一側(cè)上產(chǎn)生存儲電容，不能確保較大的面積，并且存在不能確保足夠存儲電容的問題。考慮上面的情況實現(xiàn)了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的在于在擴大子像素中的驅(qū)動液晶分子的面積的同時充分地確保存儲電容。為了解決問題，本發(fā)明提供一種橫向電場型的液晶顯示裝置，其通過橫向電場旋轉(zhuǎn)水平排列的液晶執(zhí)行顯示，在像素電極和公共電極上施加所述橫向電場并且所述橫向電場與基板實質(zhì)上平行，所述液晶顯示裝置包括：基板，具有平行地設(shè)置的多個數(shù)據(jù)線和與數(shù)據(jù)線實質(zhì)上垂直并且彼此平行地設(shè)置的多個掃描線，并且具有與相應(yīng)的子像素相對應(yīng)的薄膜晶體管，所述子像素排列在由數(shù)據(jù)線和掃描線圍繞的矩陣中并且設(shè)置為圍繞數(shù)據(jù)線和掃描線之間的交叉點；電位供應(yīng)線，在子像素區(qū)域內(nèi)沿數(shù)據(jù)線延伸并連接至薄膜晶體管的源電極；以及存儲電容電極，接續(xù)至電位供應(yīng)線，經(jīng)由絕緣層設(shè)置在掃描線之上，并在掃描線和存儲電容電極自身之間產(chǎn)生電容。像素電極具有像素電極第一部分和像素電極第二部分，像素電極第一部分設(shè)置在子像素區(qū)域中電位供應(yīng)線之上的層中并且以線性地形成為與掃描線實質(zhì)上平行，像素電極第二部分接續(xù)至像素電極第一部分，與數(shù)據(jù)線平行地形成，并且連接至電位供應(yīng)線，公共電極具有公共電極第一部分和公共電極第二部分，公共電極第一部分與像素電極第一部分相對地排列，與像素電極第一部分間隔開相同的距離，并且產(chǎn)生與基板實質(zhì)上平行的電場，并且公共電極第二部分接續(xù)至公共電極第一部分并經(jīng)由絕緣膜設(shè)置在存儲電容電極之上。本發(fā)明還提供一種橫向電場型液晶顯示裝置，通過橫向電場旋轉(zhuǎn)水平排列的液晶來執(zhí)行顯示，在像素電極和公共電極上施加所述橫向電場并且所述橫向電場與基板實質(zhì)上平行，所述液晶顯示裝置包括：基板，具有平行地設(shè)置的多個數(shù)據(jù)線和與數(shù)據(jù)線實質(zhì)上垂直并且彼此平行地設(shè)置的多個掃描線，并且具有與相應(yīng)的子像素相對應(yīng)的薄膜晶體管，所述子像素排列在由數(shù)據(jù)線和掃描線圍繞的矩陣內(nèi)并且設(shè)置為圍繞數(shù)據(jù)線和掃描線之間的交叉點；電位供應(yīng)線，在子像素區(qū)域內(nèi)沿數(shù)據(jù)線延伸并連接至薄膜晶體管的源電極；以及存儲電容電極，接續(xù)至電位供應(yīng)線，經(jīng)由絕緣層設(shè)置在掃描線之上，并在掃描線和存儲電容電極自身之間產(chǎn)生電容。像素電極在子像素區(qū)域內(nèi)的電位供應(yīng)線之上以平面形狀擴展并連接至電位供應(yīng)線，公共電極具有公共電極第一部分和公共電極第二部分，公共電極第一部分排列為經(jīng)由絕緣層在像素電極之上面對像素電極，并在像素電極和公共電極自身之間產(chǎn)生與基板實質(zhì)上平行的電場，并且公共電極第二部分接續(xù)至公共電極第一部分并經(jīng)由絕緣膜設(shè)置在存儲電容電極之上。此外，本發(fā)明提供一種橫向電場型液晶顯示裝置，其通過橫向電場旋轉(zhuǎn)水平排列的液晶執(zhí)行顯示，在像素電極和公共電極上施加所述橫向電場并且所述橫向電場與基板實質(zhì)上平行，所述液晶顯示裝置包括：基板，具有平行地設(shè)置的多個數(shù)據(jù)線和與數(shù)據(jù)線實質(zhì)上垂直并且彼此平行地設(shè)置的多個掃描線，并且具有與相應(yīng)的子像素相對應(yīng)的薄膜晶體管，所述子像素排列在由數(shù)據(jù)線和掃描線圍繞的矩陣內(nèi)并且設(shè)置在數(shù)據(jù)線和掃描線之間的交叉點周圍；電位供應(yīng)線，在子像素區(qū)域內(nèi)沿數(shù)據(jù)線延伸并連接至薄膜晶體管的源電極；以及存儲電容電極，接續(xù)至電位供應(yīng)線，經(jīng)由絕緣層設(shè)置在掃描線之上，并在掃描線和存儲電容電極自身之間產(chǎn)生電容。公共電極在子像素區(qū)域內(nèi)的電位供應(yīng)線之上以平面形狀擴展并連接至電位供應(yīng)線，像素電極具有像素電極第一部分和像素電極第二部分，像素電極第一部分排列為經(jīng)由絕緣層在公共電極之上面對公共電極，并在公共電極和像素電極自身之間產(chǎn)生與基板實質(zhì)上平行的電場，并且像素電極第二部分接續(xù)至像素電極第一部分并經(jīng)由絕緣膜設(shè)置在電位供應(yīng)線之上。根據(jù)本發(fā)明，當從垂直于基板的方向看時，像素電極或公共電極可以設(shè)置在更靠近數(shù)據(jù)線一側(cè)，并且在產(chǎn)生用于在子像素內(nèi)更充分地驅(qū)動液晶分子的電場的同時，可以充分確保存儲電容。附圖說明圖1是示出作為本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置中的一個子像素的配置的平面視圖。圖2是沿圖1中的線A-A’的剖視圖，示出作為本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置。圖3是沿與作為本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置中的數(shù)據(jù)線的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上垂直的平面獲得的基板的剖視圖。圖4是示出在作為本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置中排列三個圖1的子像素的模式的說明圖。圖5是示出在作為本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置中一個子像素的配置的平面視圖。圖6是沿作為本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置的圖5中的線A-A’獲得的剖視圖。圖7是示出在作為本發(fā)明第三實施例的液晶顯示裝置中一個子像素的配置的平面視圖。圖8是沿作為本發(fā)明第三實施例的液晶顯示裝置的圖7中的線A-A’獲得的剖視圖。圖9是基板沿與作為本發(fā)明第三實施例的液晶顯示裝置中的數(shù)據(jù)線的延伸方向垂直的平面的剖視圖。圖10是傳統(tǒng)液晶顯示裝置的平面視圖。具體實施方式將描述本發(fā)明的實施例。第一實施例如圖1所示，在液晶顯示裝置中，多個數(shù)據(jù)線1彼此平行地設(shè)置在透明基板(第一基板)上。多個掃描線2與數(shù)據(jù)線1實質(zhì)上垂直地設(shè)置。通過多個數(shù)據(jù)線1和掃描線2，限定了以矩陣布置的多個子像素區(qū)域。在掃描線2上靠近與數(shù)據(jù)線1交叉的部分設(shè)置柵電極，并且從與掃描線2交叉的數(shù)據(jù)線1連接漏電極。使用這種結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管可以形成在數(shù)據(jù)線1與掃描線2的交叉部分附近。在數(shù)據(jù)線1的一側(cè)上，沿數(shù)據(jù)線1設(shè)置源像素電極(連接至源電極的電位供應(yīng)線)，并且TFT的源電極連接至源像素電極。像素電極設(shè)置在源像素電極9的上面的層內(nèi)，并且形成為梳齒形狀。例如，通過多個與掃描線實質(zhì)上平行的第一部分3(像素電極的第一部分)和接續(xù)至第一部分3的第二部分4(像素電極的第二部分)構(gòu)造像素電極。與像素電極對應(yīng)，公共電極也具有多個與掃描線實質(zhì)上平行的第一部分5(公共電極的第一部分)和接續(xù)至第一部分5的第三部分7和第二部分6(公共電極的第三和第二部分)。公共電極的第一部分5和像素電極的第一部分3以預(yù)定間隔設(shè)置并可以產(chǎn)生與基板實質(zhì)上平行的電場。下面將以制造順序詳細地描述在圖1和2中示出的第一實施例的像素。首先，在作為第一絕緣基板12的玻璃基板上，通過由2500A(埃)的鉻(Cr)形成的第一金屬層形成掃描線2。作為柵絕緣膜13，形成由2000A(埃)的a-Si和500A(埃)的n型a-Si形成的薄膜半導體層和5000A的SiNx。薄膜半導體層10被圖案化，同時僅留下設(shè)置作為像素的開關(guān)元件的TFT部分。通過2500A的鉻形成的第二金屬層，形成數(shù)據(jù)線1、TFT的源/漏電極、連接至TFT的源電極的源像素電極9以及存儲電容電極8。使用TFT的源/漏電極作為掩模，去除TFT溝道部分中的n型a-Si。形成6000A的SiNx作為保護絕緣膜14，并且形成用于連接像素電極的通孔25。在保護絕緣膜14上，通過由800A的ITO形成的透明電極形成圖案，所述圖案由像素電極的第一部分3、連接像素電極的第一部分的第二部分4、公共電極的第一部分5、對數(shù)據(jù)線加以屏蔽的公共電極的第二部分6以及對數(shù)據(jù)線加以屏蔽的公共電極的第三部分7形成。由ITO形成的像素電極經(jīng)由第二部分4中的通孔25連接至由第二金屬層形成的源像素電極9。根據(jù)上述的方法形成TFT陣列。隨后，將描述制造濾色器基板的方法。在第二透明絕緣基板22的背面上，形成200A的ITO膜23。在表面上形成黑底(blackmatrix)34，并且隨后按照綠色(G)層19、紅色(R)層20以及藍色(B)層21的次序形成圖案。另外，形成保護層18，并在保護層18上形成柱形物間隔體35。排列膜15和16形成在陣列基板的表面上和如上述制造的濾色器基板的表面上，并且沿32的方向?qū)嵤┠Σ撂幚怼⒒灞舜苏掣?，將液晶材料注入到基板之間的空間中，并密封最終的結(jié)構(gòu)。沿液晶的初始排列32方向排列液晶17。另外，在玻璃基板兩個側(cè)面中的外側(cè)面上，粘附起偏器11和24，使得它們的偏振軸彼此正交。在TFT陣列基板一側(cè)上的入射側(cè)起偏器的吸收軸方向與液晶的初始排列方向匹配。通過為如上述制造的液晶顯示器面板設(shè)置背光和驅(qū)動電路，完成第一實施例的橫向電場型的有源矩陣液晶顯示裝置。構(gòu)成梳齒狀電極的像素電極的第一部分3和公共電極的第一部分5以及對掃描線加以屏蔽的公共電極的第二部分6彼此實質(zhì)上平行地形成，并在像素的中心部分彎曲。像素電極的第一部分3的右半部分沿順時針方向從液晶排列方向僅傾斜θ，并且左半部分的下部僅傾斜-θ。因為掃描線2和構(gòu)成沿掃描線2延伸方向延伸的梳齒狀電極的像素電極3和公共電極5相對于液晶排列方向?qū)ΨQ地彎曲，將從垂直方向(數(shù)據(jù)線的延伸方向)沿順時針方向旋轉(zhuǎn)僅θ的方向上的電場施加至像素的圖右半部分，將從垂直方向沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)僅θ的方向上的電場施加至像素的圖左半部分。通過所述電場，在像素的右側(cè)和左側(cè)上的液晶分子沿相反方向轉(zhuǎn)動。液晶分子彼此光學補償，使得可以獲得沒有色調(diào)反轉(zhuǎn)(toneinversion)和變色的寬視角特性。在該實施例中，θ被設(shè)置為15°。由與數(shù)據(jù)線1相同的第二金屬層形成的源像素電極9沿數(shù)據(jù)線1延伸并連接至存儲電容電極8，存儲電容電極8由形成在掃描線2上的第二金屬層形成，它們彼此相鄰并用作子像素的兩邊。由形成在掃描線2上的第二金屬層形成的存儲電容電極8在掃描線2和存儲電容電極本身之間產(chǎn)生電容，并用作存儲電容器。存儲電容電極8也被公共電極的第二部分6覆蓋，使得在存儲電容電極8和公共電極的第二部分6之間也形成存儲電容。使用這種結(jié)構(gòu)，可以在較小的面積內(nèi)形成較大的存儲電容。優(yōu)選地，由第二金屬層形成的存儲電容電極8比掃描線2寬并覆蓋掃描線2。按照這種方式，由第二金屬層形成的存儲電容電極8具有與像素電極3相同的電位以及將電場與掃描線2屏蔽分開的功能。因此，對掃描線2加以屏蔽的公共電極的第二部分6不必太寬。在不存在由第二金屬層形成的存儲電容電極8的情況下，用于對掃描線2的電場加以屏蔽的公共電極6必須從掃描線2的邊緣突出7μm。通過用第二金屬層形成的存儲電容電極8覆蓋掃描線2，可以將突出部的寬度減小至6μm。根據(jù)以上描述可以理解的是：通過應(yīng)用本申請的第一發(fā)明，可以在子像素中獲得高的孔徑比，所述子像素沿掃描線方向較長。通過如圖3所示在源像素電極9上方設(shè)置像素電極，可以將像素電極設(shè)置為更靠近數(shù)據(jù)線1一側(cè)，并且可以在更寬的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生用于驅(qū)動液晶的電場。通過使得將連接至薄膜晶體管的源電極的源像素電極9沿數(shù)據(jù)線1延伸，源像素電極9形成在子像素的短側(cè)邊，并且可以將長度最小化，使得該部分的面積也被最小化。結(jié)果，可以改進孔徑比。通過沿實質(zhì)上L形的形狀形成源像素電極9和存儲電容電極8，可以增加孔徑比。在像素結(jié)構(gòu)中，通過最上層中的ITO膜產(chǎn)生整個公共電極電位。通過在矩陣中的最上層中形成ITO，將像素連接至外圍的公共電極電位。在子像素中，在其他層中沒有連接至公共電極電位的電極。因為不必形成干擾孔徑比改進的電極，可以改進孔徑比。使用這種結(jié)構(gòu)，不用形成干擾孔徑比改進的額外的電極，可以在小區(qū)域中形成足夠大的存儲電容，并且可以將電場與掃描線2和數(shù)據(jù)線1充分地屏蔽開。因此，可以獲得具有高孔徑比和高透射率的良好的液晶顯示器。圖4示出通過沿數(shù)據(jù)線的延伸方向布置三個如圖1所示的子像素形成一個像素的示例。這三個子像素與R顏色層20、G顏色層19以及B顏色層21相對應(yīng)。與設(shè)置R、G以及B的子像素使得它們連接至相同的數(shù)據(jù)線的情形類似，具有水平地伸長的子像素的像素結(jié)構(gòu)具有高的孔徑比。通過將R、G以及B的子像素連接至相同的數(shù)據(jù)線，可以減小用于驅(qū)動數(shù)據(jù)線的驅(qū)動器IC的數(shù)量，并且可以以較低成本制造液晶顯示裝置。通過沿數(shù)據(jù)線的延伸方向設(shè)置黑底34，對數(shù)據(jù)線1附近且與TFT相對的部分加以屏蔽。作為R、G以及B顏色層沿掃描線2的延伸方向延伸的圖案，在顏色層的邊界處設(shè)置顏色重疊遮蔽部分36，使得大約6μm的顏色層重疊。因為掃描線2上方的部分使用由第二金屬層形成的存儲電容電極8和ITO形成的公共電極的第三部分6屏蔽，因此液晶不回通過來自掃描線2的電場移動。因此，不需要太多地增加光遮蔽性能。通過將顏色重疊遮蔽部分36的寬度設(shè)置為6μm，可以防止顏色層之間的顏色混合并且光遮蔽部分不會延伸至開口部分。因此，可以保持高的透射率。第二實施例參照圖5和6描述本發(fā)明的第二實施例。圖5是示出在作為本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置中的一個子像素的配置的平面圖。圖6是沿圖5的線A-A’的剖視圖。下面將以制造次序詳細描述圖5和6中示出的第二實施例的像素。首先，在作為第一絕緣基板12的玻璃基板上，通過由2500A(埃)的鉻形成的第一金屬層形成掃描線2。形成5000A的SiNx和由2000A的a-Si和500A的n型a-Si形成的薄膜半導體層作為柵極絕緣膜13。圖案化薄膜半導體層10，同時僅留下TFT部分，其設(shè)置作為像素的開關(guān)元件。通過由2500A的鉻形成的第二金屬層，形成數(shù)據(jù)線1、TFT的源/漏電極、連接至TFT的源電極的源像素電極9以及存儲電容電極8。使用TFT的源/漏電極作為掩模，去除TFT溝道部分中的n型a-Si。隨后，通過由800A的ITO形成的透明電極形成具有平面形狀的像素電極41。形成6000A的SiNx作為保護絕緣膜14。形成連接像素電極的通孔25。在保護絕緣膜14上，通過由800A的ITO形成的透明電極形成圖案，所述透明電極由公共電極的第一部分5、對掃描線加以屏蔽的公共電極的第二部分6以及對數(shù)據(jù)線加以屏蔽的公共電極的第三部分7形成。根據(jù)上述的方法形成TFT陣列。隨后，將描述制造濾色器基板的方法。在第二透明絕緣基板22的背面上，形成200A的ITO膜23。在表面上形成黑底34，隨后以綠色(G)層19、紅色(R)層20以及藍色(B)層21的次序形成圖案。另外，形成保護層18，并在保護層18上形成柱形物間隔體35。排列膜15和16形成在陣列基板的表面上和如上述制造的濾色器基板的表面上，并且沿32的方向?qū)嵤┠Σ撂幚怼１舜苏掣交?，將液晶材料注入到基板之間的空間中，并密封最終的結(jié)構(gòu)。沿液晶的初始排列32方向排列液晶17。隨后，在玻璃基板兩個側(cè)面中的外側(cè)面上，粘附起偏器11和24。在TFT陣列基板側(cè)面上的入射側(cè)起偏器的吸收軸方向與液晶的初始排列方向32匹配。通過為如上述制造的液晶顯示器面板設(shè)置背光和驅(qū)動電路，完成了第二實施例的橫向電場型的有源矩陣液晶顯示裝置。對掃描線加以屏蔽的公共電極的第二部分6和公共電極的第一部分5彼此實質(zhì)上平行地形成并在像素的中心部分彎曲。因為掃描線2和構(gòu)成沿掃描線的延伸方向延伸的梳齒狀電極的公共電極5相對于液晶排列方向?qū)ΨQ地彎曲，在像素電極41和公共電極5上，將在從垂直方向(數(shù)據(jù)線的延伸方向)沿順時針方向旋轉(zhuǎn)僅θ的方向上的邊緣電場施加至像素的圖右半部分，將在從垂直方向沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)僅θ的方向上的電場施加至像素的圖左半部分。通過電場，在像素的右側(cè)和左側(cè)上的液晶分子沿相反方向轉(zhuǎn)動。液晶分子彼此光學補償，使得可以在沒有色調(diào)倒置和變色的情況下獲得寬的視角特性。在該實施例中，θ被設(shè)置為8°。由與數(shù)據(jù)線1相同的第二金屬層形成的源像素電極9沿數(shù)據(jù)線1延伸并連接至存儲電容電極8，存儲電容電極8由形成在掃描線2上的第二金屬層形成，它們彼此相鄰并用作子像素的兩側(cè)邊。通過將連接至薄膜晶體管的源電極的源像素電極9形成為沿數(shù)據(jù)線1延伸，源像素電極9被形成在子像素的短側(cè)邊，并且可以最大程度地減小長度，使得該部分的面積被最小化。結(jié)果，可以改進孔徑比。由形成在掃描線2上的第二金屬層形成的存儲電容電極8在掃描線2和存儲電容電極本身之間產(chǎn)生電容，并用作存儲電容器。存儲電容電極8也被公共電極的第二部分6覆蓋，使得存儲電容也形成在存儲電容電極8和公共電極第三部分6之間。使用這種結(jié)構(gòu)，可以在小區(qū)域內(nèi)形成較大的存儲電容。優(yōu)選地，由第二金屬層形成的存儲電容電極8比掃描線2寬并覆蓋掃描線2。按照這種方式，由第二金屬層形成的存儲電容電極8具有與像素電極41相同的電位，和將電場與掃描線2屏蔽開的功能。因此，對掃描線2加以屏蔽的公共電極的第二部分6不必太寬。在不存在由第二金屬層形成的存儲電容電極的情況下，用于對掃描線2的電場加以屏蔽的公共電極6必須從掃描線2的邊緣突出7μm。通過用第二金屬層形成的存儲電容電極8覆蓋掃描線2，可以將突出部的寬度減小至6μm。公共電極的對數(shù)據(jù)線1加以屏蔽的第三部分7形成為對數(shù)據(jù)線1和由第二金屬層形成的源像素電極9之間的區(qū)域加以屏蔽。因此，通過在數(shù)據(jù)線1和像素電極41上施加的電場使液晶變形，并且可以通過變形部分的光泄漏抑制串擾。柱形物間隔體35設(shè)置在位于子像素B的黑底上并與陣列基板上的源像素電極9附近的部分接觸的位置。按照這種方式，在不對開口產(chǎn)生影響的情況下保持高的孔徑比。如上所述，通過應(yīng)用本申請的第二發(fā)明，可以在沿掃描線方向是長的子像素中獲得高的孔徑比。在像素結(jié)構(gòu)中，通過最上層中的ITO膜產(chǎn)生整個公共電極電位。通過在矩陣中的最上層中形成ITO，將ITO連接至外圍的公共電極。在子像素中，在其他層中不存在連接至公共電極電位的電極。因為不必形成干擾孔徑比改進的電極，可以改進孔徑比。使用這種結(jié)構(gòu)，無需形成干擾提高孔徑比改進的額外電極，可以在小區(qū)域中形成足夠大的存儲電容，并且可以將電場與掃描線2和數(shù)據(jù)線1充分地屏蔽開。因此，可以獲得具有高孔徑比和高透射率的良好的液晶顯示器。第三實施例參照圖7、8和9描述本發(fā)明的第三實施例。圖7是示出本發(fā)明第三實施例的液晶顯示裝置中一個子像素的配置的平面圖。圖8是TFT基板的沿圖7中的線A-A’的剖視圖。下面將以制造次序詳細描述圖7至9中示出的第二實施例的像素。首先，在作為第一絕緣基板12的玻璃基板上，通過由2500A(埃)的鉻形成的第一金屬層形成掃描線2。形成5000A的SiNx和由2000A的a-Si和500A的n型a-Si形成的薄膜半導體層作為柵極絕緣膜13。圖案化薄膜半導體層10，同時僅留下TFT部分，其設(shè)置作為像素的開關(guān)元件。通過由2500A的鉻形成的第二金屬層，形成數(shù)據(jù)線1、TFT的源/漏電極、連接至TFT的源電極的源像素電極9以及存儲電容電極8。使用TFT的源/漏電極作為掩模，去除TFT溝道部分中的n型a-Si。形成6000A的SiNx作為保護絕緣膜14。在保護絕緣膜14上，通過由800A的ITO形成的透明電極形成平面形狀的公共電極43。在平面形狀的公共電極43中，形成用于連接像素電極的通孔44。形成3000A的SiNx的作為第二保護絕緣膜45。在柵極絕緣膜13、保護絕緣膜14以及第二保護絕緣膜45中形成通孔25。另外，結(jié)果，由800A的ITO形成的透明電極形成由多個帶形像素電極42和像素電極42的耦接像素電極的第二部分46構(gòu)成的圖案。該圖案經(jīng)由像素電極的第二部分46中的通孔25和44連接源像素電極9。根據(jù)上述的方法形成TFT陣列。描述制造濾色器基板的方法(參照圖4)。在第二透明絕緣基板22的背面上，形成200A的ITO膜23。在表面上形成黑底34，隨后，以綠色(G)層19、紅色(R)層20以及藍色(B)層21的次序形成圖案。另外，形成保護層18，并在保護層18上形成柱形物間隔體35。排列膜15和16形成在陣列基板的表面上和如上述制造的濾色器基板的表面上，并且沿32的方向?qū)嵤┠Σ撂幚?。彼此粘附基板，將液晶材料注入到基板之間的空間中，并密封最終的結(jié)構(gòu)。沿液晶的初始排列32方向排列液晶17。另外，在玻璃基板的外側(cè)面上粘附起偏器11和24，使得偏振軸彼此正交。在TFT陣列基板側(cè)面上的入射側(cè)起偏器的吸收軸方向與液晶的初始排列方向32匹配。通過為如上述制造的液晶顯示器面板設(shè)置背光和驅(qū)動電路，完成第三實施例的橫向電場型的有源矩陣液晶顯示裝置。因為掃描線2和沿掃描線2的延伸方向延伸的帶形像素電極42相對于液晶排列方向?qū)ΨQ地彎曲，在帶形像素電極42和平面形公共電極43上，將在從垂直方向(數(shù)據(jù)線的延伸方向)沿順時針方向旋轉(zhuǎn)僅θ的方向上的邊緣電場施加至像素的圖右半部分，將在從垂直方向沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)僅θ的方向上的電場施加至像素的圖左半部分。通過電場，在像素的右側(cè)和左側(cè)上的液晶分子沿相反方向轉(zhuǎn)動。液晶分子彼此光學補償，使得可以在沒有色調(diào)倒置和變色的情況下獲得寬的視角特性。在該實施例中，θ被設(shè)置為8°。由與數(shù)據(jù)線1相同的第二金屬層形成的源像素電極9沿數(shù)據(jù)線1延伸并連接至存儲電容電極8，存儲電容電極8由形成在掃描線2上的第二金屬層形成，它們彼此相鄰并用作子像素的兩側(cè)邊。通過將連接至薄膜晶體管的源電極的源像素電極9形成為沿數(shù)據(jù)線1延伸，源像素電極9被形成在子像素的短側(cè)邊，并且最大程度地減小長度，使得該部分的面積被最小化。結(jié)果，可以改進孔徑比。由形成在掃描線2上的第二金屬層形成的存儲電容電極8在掃描線2和存儲電容電極本身之間產(chǎn)生電容，并用作存儲電容器。存儲電容電極8也被公共電極43覆蓋，使得存儲電容也形成在存儲電容電極8和公共電極43之間。使用這種結(jié)構(gòu)，可以在小區(qū)域內(nèi)形成較大的存儲電容。優(yōu)選地，由第二金屬層形成的存儲電容電極8比掃描線2寬并覆蓋掃描線2。按照方式，由第二金屬層形成的存儲電容電極8具有與像素電極41相同的電位和將電場與掃描線2屏蔽開的功能。如上所述，通過應(yīng)用本申請的第三發(fā)明，可以在子像素中獲得高的孔徑比，所述子像素沿掃描線方向是長的。在像素結(jié)構(gòu)中，通過作為平面形狀公共電極43的部件的ITO層產(chǎn)生公共電極電位。通過在矩陣中形成公共電極，其連接至外圍的公共電極。在子像素中，在其他層中不存在連接至公共電極電位的電極。因為不必形成干擾孔徑比改進的電極，可以改進孔徑比。使用這種結(jié)構(gòu)，無需形成干擾孔徑比改進的額外電極，可以在小區(qū)域中形成足夠大的存儲電容。本發(fā)明可以用于橫向電場型的有源矩陣液晶顯示裝置和使用液晶顯示裝置作為顯示裝置的任意設(shè)備。