曝光裝置、曝光方法、元件制造方法、程序及記錄媒體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的曝光裝置是通過液體以曝光用光使基板曝光。曝光裝置，具備：具有曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、包含將基板的下面以可釋放的方式加以保持的第1保持部以及用以規(guī)定可配置基板的開口且具有在基板被保持于第1保持部保持的狀態(tài)下配置在基板上面周圍的上面的第1構(gòu)件的基板保持裝置、以及至少一部分配置在基板與第1構(gòu)件間的間隙且具有對液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件。曝光裝置通過多孔構(gòu)件回收流入間隙的液體的至少一部分。
【專利說明】曝光裝置、曝光方法、元件制造方法、程序及記錄媒體
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于曝光裝置、曝光方法、元件制造方法、程序及記錄媒體。
[0002]本申請案主張2011年7月21日提出的日本專利申請第2011 — 159999號及2012年5月22日提出的日本專利第2012 — 116713號的優(yōu)先權(quán)。并將上述申請案的內(nèi)容援用于此。
【背景技術(shù)】
[0003]于半導體元件、電子元件等微元件的工藝中，使用例如是下述專利文獻所揭露的、通過液體以曝光用光使基板曝光的液浸曝光裝置。曝光裝置具備可保持基板移動的基板載臺，使該基板載臺所保持的基板曝光。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:美國專利公開第2008/0043211號說明書。
[0007]專利文獻2:美國專利公開第2008/0100812號說明書。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明欲解決的課題
[0009]液浸曝光裝置中，例如液體殘留在基板上面及基板載臺上面的至少一方時，有可能發(fā)生曝光不良。其結(jié)果，即有可能產(chǎn)生不良元件。
[0010]本發(fā)明的態(tài)樣，其目的在提供一種能抑制曝光不良的發(fā)生的曝光裝置及曝光方法。此外，本發(fā)明的態(tài)樣，其目的在提供一種能抑制不良元件的產(chǎn)生的元件制造方法、程序、及記錄媒體。
[0011]用以解決課題的手段
[0012]本發(fā)明第I態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光，具備:光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、具有在該基板被保持于該第I保持部保持的狀態(tài)下配置在該基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；以及多孔構(gòu)件，至少一部分是配置在該基板與該第I構(gòu)件間的間隙、具有對該液體為撥液性的上面；通過該多孔構(gòu)件回收流入該間隙的該液體的至少一部分。
[0013]本發(fā)明第2態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、具有在該基板被保持于該第I保持部保持的狀態(tài)下配置在該基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；以及回收口，在該基板及該第I保持部的至少一方的周圍配置有多個，可回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分；在該液體的液浸空間形成在該光學構(gòu)件的射出面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下，移動該基板及該第I構(gòu)件；根據(jù)相對該液浸空間的該間隙的位置、及相對該液浸空間的該間隙的移動條件的一方或雙方，進行從該多個回收口中的部分回收口回收該液體。
[0014]本發(fā)明第3態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、具有在該基板被保持于該第I保持部保持的狀態(tài)下配置在該基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；以及回收口，配置成與該基板的側(cè)面對向，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分。
[0015]本發(fā)明第4態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、具有在該基板被保持于該第I保持部保持的狀態(tài)下配置在該基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；該第I構(gòu)件的開口，包含位于距該第I保持部中心的第I距離、被保持于該第I保持部的該基板的側(cè)面可對向的第I區(qū)域，以及和該第I區(qū)域相鄰配置、位于距該第I保持部中心的較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0016]本發(fā)明第5態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、具有在該基板被保持于該第I保持部保持的狀態(tài)下配置在該基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面以及配置在該第I內(nèi)面上方、該基板側(cè)面的至少一部分對向且下端與該第I內(nèi)面連結(jié)而上端與該第I構(gòu)件上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面是相對該第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0017]本發(fā)明第6態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光照射基板的上面:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及具有上面及用以規(guī)定該上面外緣的一部分的邊緣部的第I構(gòu)件；該第I構(gòu)件的該邊緣部，以被保持于該第I保持部的該基板的邊緣部沿此的方式延伸于既定方向；于該第I構(gòu)件的該邊緣部，沿該既定方向形成有多個凸部。
[0018]本發(fā)明第7態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、具有在該基板被保持于該第I保持部保持的狀態(tài)下配置在該基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含該基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面，以及配置在該第I內(nèi)面下方、相對該第I保持部較該第I內(nèi)面更分離的第2內(nèi)面；具備配置成至少一部分與該第2內(nèi)面對向的多孔構(gòu)件；通過該多孔構(gòu)件，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分。
[0019]本發(fā)明第8態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、具有在該基板被保持于該第I保持部保持的狀態(tài)下配置在該基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；該第I構(gòu)件包含該基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面、配置在該第I內(nèi)面下方且相對該第I保持部較該第I內(nèi)面更分離的第2內(nèi)面、以及與該第I內(nèi)面的下端及該第2內(nèi)面的上端連結(jié)而朝向與該第I構(gòu)件的上面相反方向的下面。
[0020]本發(fā)明第9態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置且具有該液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；以及多孔構(gòu)件，至少一部分配置在該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙，具有對該液體為撥液性的上面；通過該多孔構(gòu)件回收流入該間隙的該液體的至少一部分。
[0021]本發(fā)明第10態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置且具有該液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；以及多個回收口，可回收流入該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分；在該光學構(gòu)件的該射出面?zhèn)刃纬稍撘航臻g的狀態(tài)下，移動該測量構(gòu)件及該第I構(gòu)件；根據(jù)相對該液浸空間的該間隙的位置、及相對該液浸空間的該間隙的移動條件的一方或雙方，進行從該多個回收口中的一部分回收口回收該液體。
[0022]本發(fā)明第11態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在該第I保持部周圍的至少一部分且具有該液浸空間可形成的上面的測量構(gòu)件、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置且具有該液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；以及回收口，配置成與該測量構(gòu)件的側(cè)面對向，回收流入該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分。
[0023]本發(fā)明第12態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在該第I保持部周圍的至少一部分且具有該液浸空間可形成的上面的測量構(gòu)件、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置且具有該液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；與該測量構(gòu)件之間形成間隙的該第I構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距該測量構(gòu)件中心的第I距離且該測量構(gòu)件的側(cè)面可對向的第I區(qū)域、以及與該第I區(qū)域相鄰配置且位于距該測量構(gòu)件中心較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0024]本發(fā)明第13態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:光學構(gòu)件，具有曝光用光射出的射出面；第I構(gòu)件，能在光學構(gòu)件的下方移動、具有液浸空間可形成的第I上面；以及第2構(gòu)件，能在光學構(gòu)件的下方以和第I構(gòu)件相鄰接的狀態(tài)移動、具有液浸空間可形成的第2上面；與第I構(gòu)件的側(cè)面間形成間隙的第2構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距第I構(gòu)件側(cè)面的第I距離且能與第I構(gòu)件的側(cè)面對向的第I區(qū)域、以及與第I區(qū)域相鄰配置且位于距第I構(gòu)件側(cè)面較第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0025]本發(fā)明第14態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光:具備光學構(gòu)件，具有該曝光用光射出的射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在該第I保持部周圍的至少一部分且具有該液浸空間可形成的上面的測量構(gòu)件、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置且具有該液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；該第I構(gòu)件的內(nèi)面包含第I內(nèi)面以及配置在該第I內(nèi)面上方、該測量構(gòu)件側(cè)面的至少一部分與的對向且下端與該第I內(nèi)面連結(jié)而上端與該第I構(gòu)件上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件的上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面相對該測量構(gòu)件中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0026]本發(fā)明第15態(tài)樣提供一種曝光裝置，是通過形成在光學構(gòu)件射出面?zhèn)鹊囊航臻g的液體以曝光用光照射基板的上面:具備第I構(gòu)件，具有第I上面與規(guī)定該第I上面的外緣的一部分的第I邊緣部，以該第I上面的至少一部分與該液浸空間接觸的方式在該光學構(gòu)件下方移動；以及第2構(gòu)件，具有第2上面與規(guī)定該第2上面的外緣的一部分的第2邊緣部，于該光學構(gòu)件下方移動；該第I邊緣部及該第2邊緣部延伸于既定方向；該第I邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；于該第I邊緣部，沿該既定方向形成有多個凸部。
[0027]本發(fā)明第16態(tài)樣提供一種元件制造方法，包含:使用第I至第15態(tài)樣中任一態(tài)樣的曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光后的基板顯影的動作。
[0028]本發(fā)明第17態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口且在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)下，使該基板曝光的動作；以及通過至少一部分配置在該基板與該第I構(gòu)件間的間隙、具有對液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0029]本發(fā)明第18態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎幸后w的液浸空間的狀態(tài)下，一邊移動將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板、及用以規(guī)定可配置該基板的開口且在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件，一邊使該基板曝光的動作:以及根據(jù)相對于該液浸空間的該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對于該液浸空間的該間隙的移動條件中的一方或雙方，從配置在該基板及該第I保持部中至少一方周圍的多個回收口中的部分回收口，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0030]本發(fā)明第19態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及從配置成與該基板側(cè)面對向的回收口，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0031]本發(fā)明第20態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及該第I構(gòu)件的開口，包含位于距該第I保持部中心的第I距離、被保持于該第I保持部的該基板的側(cè)面可對向的第I區(qū)域，以及和該第I區(qū)域相鄰配置、位于距該第I保持部中心的較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0032]本發(fā)明第21態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面上方、該基板側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與該第I內(nèi)面連結(jié)且上端與該第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面相對該第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0033]本發(fā)明第22態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光照射基板的上面，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及具有上面與用以規(guī)定該上面外緣的一部分的邊緣部的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的該邊緣部，是以該第I保持部所保持的該基板的邊緣部沿此的方式延伸于既定方向；于該第I構(gòu)件的該邊緣部，沿該既定方向形成有多個凸部。
[0034]本發(fā)明第23態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板上面周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含該基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面下方、對該第I保持部較該第I內(nèi)面遠離的第2內(nèi)面；是通過至少一部分與該第2內(nèi)面對向的方式配置的多孔構(gòu)件，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分。
[0035]本發(fā)明第24態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，形成有該液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及通過至少一部分配置在該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙、具有對該液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0036]本發(fā)明第25態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎性撘航臻g的狀態(tài)下，一邊移動將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、及與該測量構(gòu)件鄰接設置的第I構(gòu)件，一邊使該基板曝光的動作；以及根據(jù)相對于該液浸空間的該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對該液浸空間的該間隙的移動條件的一方或雙方，從配置在該間隙的多個回收口中的部分回收口，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0037]本發(fā)明第26態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及從與該測量構(gòu)件的側(cè)面對向配置的回收口，回收流入該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0038]本發(fā)明第27態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；與該測量構(gòu)件之間形成間隙的該第I構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距該測量構(gòu)件中心的第I距離、可與該測量構(gòu)件的側(cè)面對向的第I區(qū)域與和該第I區(qū)域相鄰配置、位于距該測量構(gòu)件中心較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0039]本發(fā)明第28態(tài)樣提供一種曝光方法,是通過液體以曝光用光使基板曝光,包含:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面上方、該測量構(gòu)件側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與該第I內(nèi)面連結(jié)且上端與該第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面是相對該測量構(gòu)件中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0040]本發(fā)明第29態(tài)樣提供一種曝光方法，是通過形成在光學構(gòu)件射出面?zhèn)鹊囊航臻g的液體將曝光用光照射于基板上面，包含:使具有第I上面與用以規(guī)定該第I上面的部分外緣的第I邊緣部的第I構(gòu)件，以該第I上面的至少一部分與該液浸空間接觸的方式在該光學構(gòu)件下方移動的動作；以及使具有第2上面與用以規(guī)定該第2上面的部分外緣的第2邊緣部的第2構(gòu)件，在該光學構(gòu)件下方移動的動作；該第I邊緣部及該第2邊緣部延伸于既定方向；于該第I邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；于該第I邊緣部沿該既定方向形成有多個凸部。
[0041]本發(fā)明第30態(tài)樣提供一種元件制造方法，包含；使用第17至29態(tài)樣中任一態(tài)樣的曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光后的該基板顯影的動作。
[0042]本發(fā)明第31態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口且在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)下，使該基板曝光的動作；以及通過至少一部分配置在該基板與該第I構(gòu)件間的間隙、具有對液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0043]本發(fā)明第32態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎幸后w的液浸空間的狀態(tài)下，一邊移動將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板、及用以規(guī)定可配置該基板的開口且在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件，一邊使該基板曝光的動作:以及根據(jù)相對于該液浸空間的該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對于該液浸空間的該間隙的移動條件中的一方或雙方，從配置在該基板及該第I保持部中至少一方周圍的多個回收口中的部分回收口，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0044]本發(fā)明第33態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及從配置成與該基板側(cè)面對向的回收口，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0045]本發(fā)明第34態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的開口，包含位于距該第I保持部中心的第I距離、被保持于該第I保持部的該基板的側(cè)面可對向的第I區(qū)域，以及和該第I區(qū)域相鄰配置、位于距該第I保持部中心的較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0046]本發(fā)明第35態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面上方、該基板側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與該第I內(nèi)面連結(jié)且上端與該第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面是相對該第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0047]本發(fā)明第36態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體將曝光用光照射于基板上面的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及具有上面與用以規(guī)定該上面外緣的一部分的邊緣部的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的該邊緣部，是以該第I保持部所保持的該基板的邊緣部沿此的方式延伸于既定方向；于該第I構(gòu)件的該邊緣部，沿該既定方向形成有多個凸部。
[0048]本發(fā)明第37態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板上面周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含該基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面下方、對該第I保持部較該第I內(nèi)面遠離的第2內(nèi)面；通過至少一部分與該第2內(nèi)面對向的方式配置的多孔構(gòu)件，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分。
[0049]本發(fā)明第38態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，形成有該液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及通過至少一部分配置在該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙、具有對該液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0050]本發(fā)明第39態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎性撘航臻g的狀態(tài)下，一邊移動將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、及與該測量構(gòu)件鄰接設置的第I構(gòu)件，一邊使該基板曝光的動作；以及根據(jù)相對于該液浸空間的該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對該液浸空間的該間隙的移動條件的一方或雙方，從配置在該間隙的多個回收口中的部分回收口，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0051]本發(fā)明第40態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及從與該測量構(gòu)件的側(cè)面對向配置的回收口，回收流入該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0052]本發(fā)明第41態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；與該測量構(gòu)件之間形成間隙的該第I構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距該測量構(gòu)件中心的第I距離、可與該測量構(gòu)件的側(cè)面對向的第I區(qū)域與和該第I區(qū)域相鄰配置、位于距該測量構(gòu)件中心較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0053]本發(fā)明第42態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面上方、該測量構(gòu)件側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與該第I內(nèi)面連結(jié)且上端與該第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面是相對該測量構(gòu)件中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0054]本發(fā)明第43態(tài)樣提供一種程序，是使電腦實施通過形成在光學構(gòu)件射出面?zhèn)鹊囊航臻g的液體將曝光用光照射于基板上面的曝光裝置的控制，其使電腦實施:使具有第I上面與用以規(guī)定該第I上面的部分外緣的第I邊緣部的第I構(gòu)件，以該第I上面的至少一部分與該液浸空間接觸的方式在該光學構(gòu)件下方移動的動作；以及使具有第2上面與用以規(guī)定該第2上面的部分外緣的第2邊緣部的第2構(gòu)件，在該光學構(gòu)件下方移動的動作；該第I邊緣部及該第2邊緣部延伸于既定方向；于該第I邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；于該第I邊緣部沿該既定方向形成有多個凸部。
[0055]本發(fā)明第44態(tài)樣提供一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄有第31至43態(tài)樣中任一態(tài)樣的程序。
[0056]發(fā)明效果
[0057]根據(jù)本發(fā)明的上述態(tài)樣，可抑制曝光不良的發(fā)生。此外，根據(jù)本發(fā)明的上述態(tài)樣，可抑制不良元件的產(chǎn)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0058]圖1顯示第I實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的概略構(gòu)成圖。
[0059]圖2顯示第I實施形態(tài)的液浸構(gòu)件及基板載臺的一實施例的圖。
[0060]圖3顯示第I實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0061]圖4顯示第I實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0062]圖5顯示第I實施形態(tài)的曝光方法的一實施例的流程圖。
[0063]圖6是用以說明第I實施形態(tài)的曝光方法的一實施例的圖。
[0064]圖7是用以說明第I實施形態(tài)的曝光方法的一實施例的圖。
[0065]圖8顯示第2實施形態(tài)的基板載臺的一實施例的圖。
[0066]圖9顯示第3實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0067]圖10顯示第4實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0068]圖11顯示第5實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0069]圖12顯示第6實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0070]圖13顯示第7實施形態(tài)的基板載臺的一實施例的圖。
[0071]圖14顯示第7實施形態(tài)的基板載臺的一實施例的圖。
[0072]圖15顯示第8實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0073]圖16顯示第9實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0074]圖17顯示第9實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0075]圖18顯示第10實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0076]圖19顯示第10實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。[0077]圖20顯示第11實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0078]圖21顯示第11實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0079]圖22顯示第12實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0080]圖23顯示第12實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0081]圖24顯示第12實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0082]圖25顯示第13實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0083]圖26是比較例的圖。
[0084]圖27顯示第13實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0085]圖28顯示第13實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0086]圖29顯示第13實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0087]圖30顯示第13實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0088]圖31顯示第13實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0089]圖32顯示第13實 施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0090]圖33顯示第13實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0091]圖34顯示第14實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0092]圖35顯示第14實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0093]圖36為比較例的圖。
[0094]圖37顯示第14實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0095]圖38顯示第14實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0096]圖39顯示第15實施形態(tài)的基板載臺的一部分的圖。
[0097]圖40顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0098]圖41顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0099]圖42顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0100]圖43顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0101]圖44顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0102]圖45顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0103]圖46顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0104]圖47顯示第16實施形態(tài)的曝光裝置的一實施例的圖。
[0105]圖48為基板載臺的一實施例的圖。
[0106]圖49顯示元件的一工藝流程圖。
[0107]附圖標號說明:
[0108]2 基板載臺
[0109]2U 上面
[0110]3 測量載臺
[0111]5 驅(qū)動系統(tǒng)
[0112]6 驅(qū)動系統(tǒng)
[0113]7 液浸構(gòu)件
[0114]8控制裝置
[0115]8R 存儲裝置[0116]12終端光學元件
[0117]13射出面
[0118]14下面
[0119]15供應口
[0120]16回收口
[0121]19多孔構(gòu)件
[0122]22吸引口
[0123]23空間部
[0124]24吸引口
[0125]26流體吸引裝置
[0126]31第I保持部
[0127]32第2保持部
[0128]35周壁部
[0129]38周壁部
[0130]80多孔構(gòu)件
[0131]80A 上面
[0132]80B第 I 側(cè)面
[0133]80C 第 2 側(cè)面
[0134]85超聲波產(chǎn)生裝置
[0135]123溫度調(diào)整裝置
[0136]305溫度調(diào)整裝置
[0137]306溫度調(diào)整裝置
[0138]801第 1 部分
[0139]802第 2 部分
[0140]Al第I區(qū)域
[0141]A2第2區(qū)域
[0142]A3第3區(qū)域
[0143]EL曝光用光
[0144]EX曝光裝置
[0145]Ga間隙
[0146]P基板
[0147]T覆蓋構(gòu)件
[0148]Ta上面
[0149]Tb下面
[0150]Tc內(nèi)面
[0151]Tcl第 1 內(nèi)面
[0152]Tc2第 2 內(nèi)面
[0153]Th開口
[0154]U回收構(gòu)件【具體實施方式】
[0155]以下，一邊參照圖式一邊說明本發(fā)明的實施形態(tài)，但本發(fā)明并不限定于此。以下的說明中，設定一XYZ正交坐標系，一邊參照此XYZ正交坐標系一邊說明各部的位置關(guān)系。并設水平面內(nèi)的既定方向為X軸方向、于水平面內(nèi)與X軸方向正交的方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交的方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別為ΘΧ、ΘΥ及ΘΖ方向。
[0156]<第I實施形態(tài)>
[0157]首先，說明第I實施形態(tài)。圖1顯示第I實施形態(tài)的曝光裝置EX的一實施例的概略構(gòu)成圖。本實施形態(tài)的曝光裝置EX是通過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光的液浸曝光裝置。本實施形態(tài)中，形成有將曝光用光EL的光路的至少一部分以液體LQ加以充滿的液浸空間LS。液浸空間是被液體充滿的部分(空間、區(qū)域)?；錚是通過液浸空間LS的液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態(tài)中，液體LQ使用水(純水)。
[0158]又，本實施形態(tài)的曝光裝置EX，例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示的具備基板載臺與測量載臺的曝光裝置。
[0159]圖1中，曝光裝置EX，具備:可保持掩膜M移動的掩膜載臺1、可保持基板P移動的基板載臺2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL的測量構(gòu)件C及測量器移動的測量載臺3、使掩膜載臺I移動的驅(qū)動系統(tǒng)4、使基板載臺2移動的驅(qū)動系統(tǒng)5、使測量載臺3移動的驅(qū)動系統(tǒng)6、以曝光用光EL照明掩膜M的照明系IL、將經(jīng)曝光用光EL照明的掩膜M的圖案的像投影至基板P的投影光學系PL、能以曝光用光EL的光路的至少一部分被液體LQ充滿的方式形成液浸空間LS的液浸構(gòu)件7、控制曝光裝置EX全體的動作的控制裝置8、以及連接于控制裝置8用以儲存與曝光相關(guān)的各種信息的存儲裝置8R。存儲裝置8R，包含例如RAM等的存儲器、硬盤、CD - ROM等的記錄媒體。于存儲裝置8安裝有用以控制電腦系統(tǒng)的作業(yè)系統(tǒng)(OS)，內(nèi)儲存有用以控制曝光裝置EX的程序。
[0160]曝光裝置EX亦具備測量掩膜載臺1、基板載臺2及測量載臺3的位置的干涉儀系統(tǒng)11、與檢測系統(tǒng)300。檢測系統(tǒng)300包含可檢測基板P的對準標記的對準系統(tǒng)302、與可檢測基板P的上面(表面)Pa的位置的表面位置檢測系統(tǒng)303。又，檢測系統(tǒng)300亦可具備例如美國專利申請公開第2007/0288121號所揭示的用以檢測基板載臺2的位置的編碼器系統(tǒng)。
[0161]掩膜M包含形成有待投影至基板P的元件圖案的標線片(reticle)。掩膜M包含透射型掩膜，此種透射型掩膜具有例如玻璃板等的透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成的圖案。又，掩膜M亦可使用反射型掩膜。
[0162]基板P用以制造元件的基板?；錚包含例如半導體晶片等的基材與該基材上形成的感光膜。感光膜為感光材(photoresist光阻劑)的膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜的保護膜(topcoat膜)。
[0163]又，曝光裝置EX亦具備調(diào)整曝光用光EL行進的空間102的環(huán)境(溫度、濕度、壓力及潔凈度的至少一種)的腔室裝置103。腔室裝置103，具備形成空間102的腔室構(gòu)件104與調(diào)整該空間102的環(huán)境的空調(diào)系統(tǒng)105。
[0164]空間102包含空間102A及空間102B?？臻g102A為處理基板P的空間?；遢d臺2及測量載臺3在空間102A中移動。
[0165]空調(diào)系統(tǒng)105具有對空間102AU02B供應氣體的供氣部105S，從該供氣部105S將氣體供應至空間102AU02B以調(diào)整該空間102AU02B的環(huán)境。本實施形態(tài)中，至少基板載臺2、測量載臺3及投影光學系PL的終端光學元件12配置在空間102A。
[0166]照明系IL對既定照明區(qū)域IR照射曝光用光EL。照明區(qū)域IR包含從照明系IL射出的曝光用光EL可照射的位置。照明系IL以均一照度分布的曝光用光EL照明配置在照明區(qū)域IR的掩膜M的至少一部分。從照明系IL射出的曝光用光EL，使用例如從水銀燈射出的輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子激光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子激光(波長193nm)及F2激光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實施形態(tài)中，曝光用光EL使用紫外光(真空紫外光)的ArF準分子激光。
[0167]掩膜載臺I能在保持掩膜M的狀態(tài)下，在包含照明區(qū)域IR的基座構(gòu)件9的導引面9G上移動。驅(qū)動系統(tǒng)4包含用以在導引面9G上移動掩膜載臺I的平面馬達。平面馬達例如美國專利第6452292號所揭示，具有配置在掩膜載臺I的可動子與配置在基座構(gòu)件9的固定子。本實施形態(tài)中，掩膜載臺I可通過驅(qū)動系統(tǒng)4的作動，在導引面9G上移動于X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ及Θ Z方向的6個方向。
[0168]投影光學系PL將曝光用光EL照射于既定投影區(qū)域PR。投影區(qū)域PR包含從投影光學系PL射出的曝光用光EL可照射到的位置。投影光學系PL將掩膜M的圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區(qū)域PR的基板P的至少一部分。本實施形態(tài)的投影光學系PL投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等的縮小系。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系的任一者。本實施形態(tài)中，投影光學系PL的光軸AX與Z軸平行。又,投影光學系PL可以是不包含反射光學元件的折射系、不包含折射光學元件的反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件的反射折射系中的任一種。又，投影光學系PL可以形成倒立像與正立像的任一種。
[0169]基板載臺2可移動至從投影光學系PL射出的曝光用光EL可照射到的位置(投影區(qū)域PR)。基板載臺2能在保持基板P的狀態(tài)下，在包含投影區(qū)域PR的基座構(gòu)件10的導引面IOG上移動。測量載臺3可移動至從投影光學系PL射出的曝光用光EL可照射到的位置(投影區(qū)域PR)。測量載臺3能在保持測量構(gòu)件C的狀態(tài)下，在包含投影區(qū)域PR的基座構(gòu)件10的引導面IOG上移動?；遢d臺2與測量載臺3可在導引面IOG上獨立移動。
[0170]用以移動基板載臺2的驅(qū)動系統(tǒng)5包含用以在導引面IOG上移動基板載臺2的平面馬達。平面馬達例如美國專利第6452292號所揭示，具有配置在基板載臺2的可動子與配置在基座構(gòu)件10的固定子。同樣的，用以移動測量載臺3的驅(qū)動系統(tǒng)6包含平面馬達，具有配置在測量載臺3的可動子與配置在基座構(gòu)件10的固定子。
[0171]本實施形態(tài)中，基板載臺2具有將基板P的下面Pb以可釋放的方式加以保持的第I保持部31、與規(guī)定可配置基板P的開口 Th且在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下配置在基板P的上面Pa周圍的上面。
[0172]又，本實施形態(tài)中，基板載臺2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號、及美國專利申請公開第2008/0049209號等所揭的配置在第I保持部31的周圍、將覆蓋構(gòu)件T的下面Tb保持成可釋放的第2保持部32。覆蓋構(gòu)件T配置在被保持于第I保持部31的基板P的周圍。本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T具有配置第I保持部31所保持的基板P的開口Th。本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T具有上面2U。
[0173]本實施形態(tài)中，第I保持部31可將基板P保持成基板P的上面Pa與XY平面大致平行。第2保持部32將覆蓋構(gòu)件T保持成覆蓋構(gòu)件T的上面2U與XY平面大致平行。本實施形態(tài)中，被保持在第I保持部31的基板P的上面Pa與被保持在第2保持部32的覆蓋構(gòu)件T的上面2U，配置在大致同一平面內(nèi)(大致成一面)。
[0174]此外，覆蓋構(gòu)件T可一體的形成于基板載臺2。例如，基板載臺2的至少部分構(gòu)件可具有上面2U。
[0175]本實施形態(tài)中，測量載臺3具有將測量構(gòu)件C以可釋放的方式加以保持的第3保持部33、與配置在第3保持部33周圍將覆蓋構(gòu)件Q以可釋放的方式加以保持的第4保持部34。第3、第4保持部33、34具有銷夾頭(pin chuck)機構(gòu)。覆蓋構(gòu)件Q配置在被保持于第3保持部33的測量構(gòu)件C周圍。又，于第3保持部33及第4保持部34的至少一方使用的保持機構(gòu)不限于銷夾頭機構(gòu)。此外，測量構(gòu)件C及覆蓋構(gòu)件Q的至少一方可一體的形成于測量載臺3。
[0176]本實施形態(tài)中，第3保持部33將測量構(gòu)件C保持成測量構(gòu)件C的上面與XY平面大致平行。第4保持部34將覆蓋構(gòu)件Q保持成覆蓋構(gòu)件Q的上面與XY平面大致平行。本實施形態(tài)中，被保持于第3保持部33的測量構(gòu)件C的上面與被保持于第4保持部34的覆蓋構(gòu)件Q的上面，大致配置在同一平面內(nèi)(大致成一面)。
[0177]此處，于以下說明中，將被保持于第2保持部32的覆蓋構(gòu)件T的上面2U適當?shù)姆Q為基板載臺2的上面2U，將被保持于第3保持部33的測量構(gòu)件C的上面及被保持于第4保持部34的覆蓋構(gòu)件Q的上面適當?shù)暮戏Q為測量載臺3的上面3U。
[0178]干涉儀系統(tǒng)11，包含測量掩膜載臺I的位置的激光干涉儀單元IlA與測量基板載臺2及測量載臺3的位置的激光干涉儀單元11B。激光干涉儀單元IlA可使用配置在掩膜載臺I的測量鏡(miirorUR，測量掩膜載臺I的位置。激光干涉儀單元IlB可使用配置在基板載臺2的測量鏡2R及配置在測量載臺3的測量鏡3R，測量基板載臺2及測量載臺3各個的位置。
[0179]對準系統(tǒng)302檢測基板P的對準標記，以檢測該基板P的照射區(qū)域S的位置。對準系統(tǒng)302具有基板載臺2 (基板P)可對向的下面?；遢d臺2的上面2U及被保持于基板載臺2的基板P的上面(表面)Pa，可與朝向一 Z方向的對準系統(tǒng)302的下面對向。
[0180]表面位置檢測系統(tǒng)303，例如亦被稱為自動對焦、調(diào)平系統(tǒng)，對被保持于基板載臺2的基板P的上面(表面)Pa照射檢測光，以檢測該基板P的上面Pa的位置。表面位置檢測系統(tǒng)303具有可與基板載臺2 (基板P)對向的下面?；遢d臺2的上面2U及被保持于基板載臺2的基板P的上面Pa，能與朝向一 Z方向的表面位置檢測系統(tǒng)303的下面對向。
[0181]實施基板P的曝光處理時、或?qū)嵤┘榷y量處理時，控制裝置8根據(jù)干涉儀系統(tǒng)11的測量結(jié)果及檢測系統(tǒng)300的檢測結(jié)果，使驅(qū)動系統(tǒng)4、5、6作動以實施掩膜載臺1(掩膜M)、基板載臺2 (基板P)及測量載臺3 (測量構(gòu)件C)的位置控制。
[0182]液浸構(gòu)件7可形成一曝光用光EL的光路的至少一部分被液體LQ充滿的液浸空間LS0液浸構(gòu)件7配置在投影光學系PL的多個光學元件中最接近投影光學系PL的像面的終端光學元件12的近旁。本實施形態(tài)中，液浸構(gòu)件7為一環(huán)狀構(gòu)件，配置在曝光用光EL的光路周圍。本實施形態(tài)中，液浸構(gòu)件7的至少一部分配置在終端光學元件12的周圍。[0183]終端光學元件12具有朝向投影光學系PL的像面射出曝光用光EL的射出面13。本實施形態(tài)中，于射出面13側(cè)形成液浸空間LS。液浸空間LS形成為從射出面13射出的曝光用光EL的光路K被液體LQ充滿。從射出面13射出的曝光用光EL行進于一 Z方向。射出面13朝向曝光用光EL的行進方向(一 Z方向)。本實施形態(tài)中，射出面13是與XY平面大致平行的平面。當然，射出面13亦可相對XY平面傾斜、或者包含曲面。
[0184]液浸構(gòu)件7具有至少一部分朝向一 Z方向的下面14。本實施形態(tài)中，射出面13及下面14可在與配置于從射出面13射出的曝光用光EL可照射到的位置(投影區(qū)域PR)的物體之間保持液體LQ。液浸空間LS是由被保持在射出面13及下面14的至少一部分與配置在投影區(qū)域PR的物體之間的液體LQ而形成。液浸空間LS是以射出面13與配置在投影區(qū)域PR的物體之間的曝光用光EL的光路K被液體LQ充滿的方式形成。液浸構(gòu)件7可在與物體之間保持液體LQ以將終端光學元件12與物體之間的曝光用光EL的光路K以液體LQ加以充滿。
[0185]本實施形態(tài)中，可配置在投影區(qū)域PR的物體，包含可在投影光學系PL的像面?zhèn)?終端光學元件12的射出面13側(cè))相對投影區(qū)域PR移動的物體。該物體可相對終端光學元件12及液浸構(gòu)件7移動。該物體具有能與射出面13及下面14的至少一方對向的上面(表面)。物體的上面可在與射出面13之間形成液浸空間LS。該物體可在與終端光學元件12的光軸(Z軸)垂直的面內(nèi)(XY平面內(nèi))移動。本實施形態(tài)中，物體的上面可在與射出面13及下面14的至少一部分之間形成液浸空間LS。通過將液體LQ保持在一側(cè)的射出面13及下面14與另一側(cè)的物體的上面(表面)之間，來以終端光學元件12與物體之間的曝光用光EL的光路K被液體LQ充滿的方式形成液浸空間LS。
[0186]本實施形態(tài)中，該物體包含基板載臺2、被保持于基板載臺2的基板P、測量載臺3及被保持于測量載臺3的測量構(gòu)件C中的至少一者。例如，基板載臺2的上面2U及被保持于基板載臺2的基板P的表面(上面)Pa,能與朝向一 Z方向的終端光學兀件12的射出面13及朝向一 Z方向的液浸構(gòu)件7的下面14對向。當然，可配置在投影區(qū)域PR的物體并不限于基板載臺2、被保持于基板載臺2的基板P、測量載臺3及被保持于測量載臺3的測量構(gòu)件C的至少一者。此外，該等物體能與檢測系統(tǒng)300的至少一部分對向。
[0187]本實施形態(tài)中，液浸空間LS形成為當基板P被曝光用光EL照射時，包含投影區(qū)域PR的基板P表面的部分區(qū)域被液體LQ覆蓋。于基板P的曝光時，液浸構(gòu)件7可以終端光學元件12與基板P之間的曝光用光EL的光路K被液體LQ充滿的方式，在與基板P之間保持液體LQ。液體LQ的界面(彎月面、邊緣)LG的至少一部是形成在液浸構(gòu)件7的下面14與基板P的表面之間。亦即，本實施形態(tài)的曝光裝置EX是采用局部液浸方式。
[0188]圖2顯示本實施形態(tài)的液浸構(gòu)件7及基板載臺2的一實施例的側(cè)視剖面圖。圖3為圖2的部分放大圖。又，圖2中，雖于投影區(qū)域PR(與終端光學元件12及液浸構(gòu)件7對向之置)配置有基板P，但如上所述，亦可例如配置基板載臺2 (覆蓋構(gòu)件T)及測量載臺3 (覆蓋構(gòu)件Q、測量構(gòu)件C)。
[0189]如圖2所示，液浸構(gòu)件7包含至少一部分與終端光學元件12的射出面13對向的對向部71、與至少一部分配置在終端光學元件12周圍的本體部72。對向部71在與射出面13對向的位置具有孔(開口)7K。對向部71具有至少一部分隔著間隙與射出面13對向的上面7U、與基板P (物體)可對向的下面7Η?？?Κ形成將上面7U與下面7Η加以連結(jié)。上面7U配置在孔7K的上端周圍、下面7H則配置在孔7K的下端周圍。從射出面13射出的曝光用光EL,可通過孔7K照射于基板P。
[0190]本實施形態(tài)中，上面7U及下面7H分別配置在光路K的周圍。本實施形態(tài)中，下面7H為平坦面。下面7H可在與基板P(物體)之間保持液體LQ。以下的說明中，將下面7H適當?shù)姆Q為保持面7H。
[0191]又，液浸構(gòu)件7具有可供應液體LQ的供應口 15、與可回收液體LQ的回收口 16。供應口 15，例如在基板P的曝光時供應液體LQ。
[0192]回收口 16例如在基板P的曝光時回收液體LQ。此外，供應口 15在基板P的曝光時及非曝光時的任一方或雙方時皆能供應液體LQ。又，回收口 16則在基板P的曝光時及非曝光時的任一方或雙方時皆能回收液體LQ。
[0193]供應口 15配置成在從射出面13射出的曝光用光EL的光路K近旁，面向該光路K。又，供應口 15只要是面向射出面13與開口 7K間的空間及終端光學元件12側(cè)面中的一方雙方即可。本實施形態(tài)中，供應口 15將液體LQ供應至上面7U與射出面13間的空間。從供應口 15供應的液體LQ，在流過該上面7U與射出面13間的空間后，通過開口 7K供應至基板P (物體)上。
[0194]供應口 15通過流路17與液體供應裝置18連接。液體供應裝置18可送出潔凈且溫度經(jīng)調(diào)整的液體LQ。流路17包含形成在液浸構(gòu)件7內(nèi)部的供應流路17R及將該供應流路17R與液體供應裝置18加以連接的供應管形成的流路。從液體供應裝置18送出的液體LQ經(jīng)由流路17供應至供應口 15。至少于基板P的曝光中，供應口 15供應液體LQ。
[0195]回收口 16可回收與液浸構(gòu)件7的下面14對向的物體上的液體LQ的至少一部分?；厥湛?16配置在曝光用光EL通過的開口 7K周圍的至少一部分。本實施形態(tài)中，回收口 16配置在保持面7H周圍的至少一部分?；厥湛?16配置在與物體表面對向的液浸構(gòu)件7的既定位置。至少于基板P的曝光中，基板P對向于回收口 16。于基板P的曝光中，回收口 16回收基板P上的液體LQ。
[0196]本實施形態(tài)中，本體部72具有面向基板P (物體)的開口 7P。開口 7P配置在保持面7H周圍的至少一部分。本實施形態(tài)中，液浸構(gòu)件7具有配置在開口 7P的多孔構(gòu)件19。本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件19包含多個孔(openings或pores)的板片狀構(gòu)件。又，亦可于開口 7P配置多數(shù)小孔形成為網(wǎng)眼狀的多孔構(gòu)件的網(wǎng)眼篩(mesh filter)。
[0197]本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件19具有基板P (物體)可對向的下面19H、朝向下面19H的相反方向的上面19U、與將上面19U與下面19H加以連結(jié)的多個孔。下面19H配置在保持面7H周圍的至少一部分。本實施形態(tài)中，液浸構(gòu)件7的下面14的至少一部分包含保持面7H及下面19H。
[0198]本實施形態(tài)中，回收口 16包含多孔構(gòu)件19的孔。本實施形態(tài)中，基板P(物體)上的液體LQ是通過多孔構(gòu)件19的孔(回收口 16)加以回收。又，亦可不配置多孔構(gòu)件19。
[0199]回收口 16通過流路20與液體回收裝置21連接。液體回收裝置21可將回收口 16連接于真空系統(tǒng)，通過回收口 16吸引液體LQ。流路20包含形成在液浸構(gòu)件7內(nèi)部的回收流路20R、及以將該回收流路20R與液體回收裝置21加以連接的回收管形成的流路。從回收口 16回收的液體LQ，通過流路20回收至液體回收裝置21。
[0200]本實施形態(tài)中，控制裝置8可通過與從供應口 15的液體LQ的供應動作并行，實施從回收口 16的液體LQ的回收動作，據(jù)以在一側(cè)的終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與另一側(cè)的物體之間以液體LQ形成液浸空間LS。
[0201]又，作為液浸構(gòu)件7，可使用例如美國專利申請公開第2007/0132976號說明書、歐洲專利申請公開第1768170號說明書所揭示的液浸構(gòu)件(嘴(nozzle)構(gòu)件)。
[0202]如圖2及圖3所示，基板載臺2具備至少一部分配置在基板P與覆蓋構(gòu)件T (基板載臺2)間的間隙Ga的多孔構(gòu)件80。本實施形態(tài)中，流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分是通過多孔構(gòu)件80加以回收。
[0203]本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80，具有射出面13及下面14的至少一方可對向的上面80A、被第I保持部31保持的基板P的側(cè)面Pc可對向的第I側(cè)面80B、以及被第2保持部32保持的覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc可對向的第2側(cè)面80C?；錚的側(cè)面Pc，將基板P的上面Pa與朝向上面Pa的相反方向的基板P的下面Pb加以連結(jié)。覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc，將覆蓋構(gòu)件T的上面Ta與朝向上面Ta的相反方向的覆蓋構(gòu)件T的下面Tb加以連結(jié)。覆蓋構(gòu)件T的上面Ta包含基板載臺2的上面2U。在未配置多孔構(gòu)件80的狀態(tài)下，基板P的側(cè)面Pc與覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc可對向。
[0204]本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80為例如鈦制。多孔構(gòu)件80能以例如燒結(jié)法形成。
[0205]本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80的上面80A對液體LQ為撥液性。
[0206]本實施形態(tài)中，上面80A對液體LQ對的接觸角，例如大于90度。上面80A對液體LQ的接觸角，可以是例如100度以上、或110度以上。
[0207]本實施形態(tài)中，于多孔構(gòu)件80的上面80A涂有含氟的撥液性材料。亦即，于上面80A配置有含撥液性材料的膜80F。撥液性材料可以是例如PFA (過氟烷基化物，Tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯，Polytetra fluoro ethylene)、PEEK (聚醚醚酮，polyetheretherketone)、或鐵氟龍(登錄商標)。
[0208]本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80的上面80A對液體LQ的接觸角大于第I側(cè)面80B的接觸角。此外，本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80的上面80A對液體LQ的接觸角大于第2側(cè)面80C的接觸角。
[0209]又，多孔構(gòu)件80的上面80A對液體LQ的接觸角可較第I側(cè)面80B的接觸角小、亦可與第I側(cè)面80B的接觸角大致相同。此外，多孔構(gòu)件80的上面80A對液體LQ的接觸角，可較第2側(cè)面80C的接觸角小、亦可與第2側(cè)面80C的接觸角大致相同。
[0210]本實施形態(tài)中，基板P的上面Pa對液體LQ的接觸角、及覆蓋構(gòu)件T的上面Ta的接觸角，較第I側(cè)面80B的接觸角大。又，本實施形態(tài)中，基板P的上面Pa對液體LQ的接觸角、及覆蓋構(gòu)件T的上面Ta的接觸角,可較第2側(cè)面80C的接觸角大。
[0211]又，對液體LQ的基板P的上面Pa的接觸角、及覆蓋構(gòu)件T的上面Ta的接觸角，可較第I側(cè)面80B的接觸角小、亦可與第I側(cè)面80B的接觸角大致相同。此外，對液體LQ的基板P的上面Pa的接觸角、及覆蓋構(gòu)件T的上面Ta的接觸角，可較第2側(cè)面80C的接觸角小、亦可與第2側(cè)面80C的接觸角大致相同。
[0212]又，本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80的上面80A與被第I保持部31保持的基板P的上面Pa、及被第2保持部32保持的覆蓋構(gòu)件T的上面Ta大致成一面。
[0213]又，多孔構(gòu)件80的上面80A可配置在較基板P的上面Pa及覆蓋構(gòu)件T的上面Ta低的位置(一 Z側(cè)的位置)、亦可配置在較高的位置(+ Z側(cè)的位置)。
[0214]本實施形態(tài)中，被第I保持部31保持的基板P的側(cè)面Pc、與多孔構(gòu)件80的第I側(cè)面80B間的距離LI，較被第2保持部32保持的覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc、與多孔構(gòu)件80的第2側(cè)面80C間的距離L2大。
[0215]又，側(cè)面Pc與第I側(cè)面80B間的距離LI，可較內(nèi)面Tc與第2側(cè)面80C間的距離L2小、亦可以與距離L2大致相同。
[0216]本實施形態(tài)中，基板載臺2具有通至間隙Ga的空間部23?？臻g部23位于間隙Ga的下方。本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80的至少一部分配置在空間部23。本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80，包含配置在間隙Ga的第I部分801、與配置在空間部23的第2部分802。
[0217]本實施形態(tài)中，于相對第I保持部31中心的放射方向，間隙Ga的尺寸Wa較空間部23的尺寸Wb小。又,尺寸Wa可大于尺寸Wb、亦可與尺寸Wb大致相同。
[0218]又，本實施形態(tài)中，于相對第I保持部31中心的放射方向，第2部分802的尺寸W2較第I部分801的尺寸Wl大。此外,尺寸W2可較尺寸Wl小、亦可與尺寸Wl大致相同。
[0219]又，相對第I保持部31中心的放射方向的尺寸，是指在XY平面內(nèi)的放射方向的尺寸。
[0220]本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80被盒81支承。盒81于空間部23，配置成與第2部分802的至少一部分接觸。本實施形態(tài)中，盒81配置成與第2部分802的下面及側(cè)面的至少一部分接觸。本實施形態(tài)中，盒81例如陶藝制。又，盒81亦可以是金屬制。
[0221]又，本實施形態(tài)中，于多孔構(gòu)件80及盒81與覆蓋構(gòu)件T之間，配置支承構(gòu)件82。支承構(gòu)件82被支承于多孔構(gòu)件80 (第2部分802)及盒81的至少一部分。支承構(gòu)件82能與覆蓋構(gòu)件T的下面Tb的至少一部分對向。支承構(gòu)件82支承覆蓋構(gòu)件T的下面Tb的至少一部分。
[0222]本實施形態(tài)中，基板載臺2具有配置于空間部23的吸引口 24。本實施形態(tài)中，吸引口 24是形成在形成空間部23的基板載臺2內(nèi)面的至少一部分。吸引口 24吸引空間部23的流體的至少一部分，以使空間部23成為負壓。吸引口 24可吸引空間部23的液體及氣體的一方或雙方。
[0223]吸引口 24通過流路25與流體吸引裝置26連接。流體吸引裝置26可將吸引口 24連接于真空系統(tǒng)，通過吸引口 24吸引液體及氣體中的一方或雙方。流路25的至少一部分形成在基板載臺2的內(nèi)部。從吸引口 24吸引的流體(液體及氣體中的至少一方)是通過流路25被吸引至流體吸引裝置26。
[0224]本實施形態(tài)中，盒81具有將盒81的外面與內(nèi)面加以連結(jié)的孔(開口)81H?？?1H上端的開口 83，面向多孔構(gòu)件80的下面?？?1H下端的開口與吸引口 24連結(jié)。吸引口 24通過孔81H吸引該盒81內(nèi)側(cè)空間的流體，以使盒81的內(nèi)側(cè)空間成為負壓。
[0225]本實施形態(tài)中，第I保持部31具有例如銷夾頭機構(gòu)。第I保持部31具有配置在基板載臺2的支承面31S且基板P的下面Pb可對向的周壁部35、配置在周壁部35內(nèi)側(cè)的支承面31S且包含多個銷(pin)構(gòu)件的支承部36、以及配置在支承面31S用以吸引流體的吸引口 37。吸引口 37與流體吸引裝置連接。流體吸引裝置受控制裝置8控制。周壁部35的上面能與基板P的下面Pb對向。周壁部35可在與基板P的下面Pb之間的至少一部分形成負壓空間。又，于支承面31，周壁部35為實質(zhì)圓形，于前述及后述說明中，第I保持部31的中心為周壁部35的中心。此外，本實施形態(tài)中，于XY平面內(nèi)，周壁部35為實質(zhì)圓形(圓環(huán)狀)?？刂蒲b置8可在基板P的下面Pb與周壁部35的上面接觸的狀態(tài)下，實施吸引口 37的吸引動作，據(jù)以使周壁部35與基板P的下面Pb與支承面3IS所形成的空間3IH成為負壓。據(jù)此，將基板P保持于第I保持部31。又，通過解除吸引口 37的吸引動作，基板P即從第I保持部31解放。
[0226]本實施形態(tài)中，通過使空間31H成為負壓，將基板P的下面保持于支承部36 (多個銷構(gòu)件)的上端。亦即，通過支承部36 (多個銷構(gòu)件)的上端規(guī)定保持基板P的保持面36S的至少一部分。
[0227]本實施形態(tài)中，第2保持部32具有例如銷夾頭機構(gòu)。第2保持部32具有于基板載臺2的支承面32S圍繞周壁部35配置且覆蓋構(gòu)件T的下面Tb可對向的周壁部38、于支承面32S圍繞周壁部38配置且覆蓋構(gòu)件T的下面Tb可對向的周壁部39、配置在周壁部38與周壁部39間的支承面32S且包含多個銷構(gòu)件的支承部40、以及配置在支承面32S用以吸引流體的吸引口 41。吸引口 41與流體吸引裝置連接。流體吸引裝置受控制裝置8控制。周壁部38、39的上面可與覆蓋構(gòu)件T的下面Tb對向。周壁部38、39可在與覆蓋構(gòu)件T的下面Tb間的至少一部分形成負壓空間。控制裝置8可在覆蓋構(gòu)件T的下面Tb與周壁部38、39的上面接觸的狀態(tài)下，通過實施吸引口 41的吸引動作，據(jù)以使周壁部38與周壁部39與覆蓋構(gòu)件T的下面Tb與支承面32S所形成的空間32H成為負壓。據(jù)此，將覆蓋構(gòu)件T保持于第2保持部32。此外，通過解除吸引口 41的吸引動作，使覆蓋構(gòu)件T從第2保持部32解放。
[0228]空間部23包含周壁部35周圍的空間。本實施形態(tài)中，空間部23包含周壁部35與周壁部38間的空間。
[0229]圖4顯示通過多孔構(gòu)件80回收流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分的一狀態(tài)例的圖。本實施形態(tài)，是在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與被第I保持部31保持的基板P及被第2保持部32保持的覆蓋構(gòu)件T中至少一方之間，形成液浸空間LS。又，液浸空間LS有可能形成在間隙Ga上。此時，該液浸空間LS的液體LQ的至少一部分有可能流入間隙Ga。
[0230]本實施形態(tài)中，控制裝置8將流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分，通過多孔構(gòu)件80加以回收。回收流入間隙Ga的液體LQ時，控制裝置8控制流體吸引裝置26將吸引口24連接于真空系統(tǒng)。據(jù)此，空間部23的流體即被從吸引口 24吸出，空間部23成為負壓。
[0231]如上所述，吸引口 24可通過孔81H吸引盒81內(nèi)側(cè)空間的流體。通過吸引口 24的吸引動作的進行，盒81的內(nèi)側(cè)空間、及配置在該盒81內(nèi)側(cè)空間的多孔構(gòu)件80的孔，即成為負壓。如此，多孔構(gòu)件80周圍的流體即被從多孔構(gòu)件80的孔吸出。
[0232]如圖4所示，通過吸引口 24的吸引動作的進行，流入多孔構(gòu)件80的第I側(cè)面80B與基板P的側(cè)面Pc間的液體LQ，即被第I側(cè)面80B的孔吸引。亦即，多孔構(gòu)件80將流入第I側(cè)面80B與基板P的側(cè)面Pc間的液體LQ，從與基板P的側(cè)面Pc對向的第I側(cè)面80B的孔加以回收。
[0233]又，如圖4所示，通過吸引口 24的吸引動作的進行，流入多孔構(gòu)件80的第2側(cè)面80C與覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc間的液體LQ，被第2側(cè)面80C的孔吸引。亦即，多孔構(gòu)件80，將流入第2側(cè)面80C與覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc間的液體LQ，從與覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc對向的第2側(cè)面80C的孔回收。[0234]經(jīng)由多孔構(gòu)件80回收的液體LQ的至少一部分，從吸引口 24吸引。本實施形態(tài)中，從第1、第2側(cè)面80B、80C的孔回收的液體LQ的至少一部分，在流過多孔構(gòu)件80內(nèi)部后，從吸引口 24吸引。據(jù)此，即從間隙Ga及空間部23除去液體LQ。
[0235]本實施形態(tài)中，第2部分802的下面及側(cè)面被盒81覆蓋。
[0236]第I部分801的第1、第2側(cè)面80B、80C未被盒81覆蓋。第I部分801的第1、第2側(cè)面80B、80C能與流入間隙Ga的液體LQ接觸。因此，通過吸引口 24的吸引動作的進行，流入間隙Ga的液體LQ即被從第1、第2側(cè)面80B、80C順暢的回收。
[0237]如以上所述，本實施形態(tài)中，對液體LQ的多孔構(gòu)件80的上面80A的接觸角，較第1、第2側(cè)面80B、80C的接觸角大。本實施形態(tài)中，液體LQ往上面80A的孔的流入，較往第1、第2側(cè)面80B、80C的孔的流入受到抑制。例如，多孔構(gòu)件80可不從上面80A的孔回收液體LQ。
[0238]又，液體LQ往上面80A的孔流入，可以不較往第1、第2側(cè)面80B、80C的孔的流入受到抑制。亦即，多孔構(gòu)件80可以從上面80A的孔回收液體LQ。
[0239]其次，針對曝光裝置EX的動作的一實施例，參照圖5、圖6及圖7加以說明。圖5顯示本實施形態(tài)的曝光裝置EX的一動作例的流程圖。圖6顯示被保持于第I保持部31 (基板載臺2)的基板P的一實施例的圖。圖7顯示基板載臺2及測量載臺3的一動作例的圖。
[0240]本實施形態(tài)中，基板載臺2至少可在第I位置EP與第2位置RP之間移動。第I位置EP，可在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與第I保持部31所保持的基板P的上面Pa及基板載臺2的上面2U(Ta)中至少一方之間形成液浸空間LS的位置。換言之，第I位置EP與終端光學元件12及液浸構(gòu)件7對向的位置。
[0241]第2位置RP，是無法在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與第I保持部31所保持的基板P的上面Pa及基板載臺2的上面2U中至少一方之間形成液浸空間LS的位置。
[0242]第I位置EP可使第I保持部31所保持的基板P曝光的位置。本實施形態(tài)中，第2位置RP，例如實施將曝光后的基板P從第I保持部31搬出的動作及將曝光前的基板P搬入第I保持部31的動作中至少一方的基板更換位置。
[0243]又，第2位置EP不限于基板更換位置。
[0244]以下的說明中，將第I位置EP適當?shù)姆Q為曝光位置EP，將第2位置RP適當?shù)姆Q為基板更換位置RP。
[0245]又，以下的說明中，將在基板更換位置RP進行的將曝光前的基板P搬入第I保持部31的處理、以及將曝光后的基板P從第I保持部31搬出的處理，適當?shù)姆Q為基板更換處理。
[0246]為使保持在第I保持部31的基板P曝光，使基板載臺2移動至曝光位置EP，在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板載臺2 (基板P)之間以液體LQ形成液浸空間LS后，控制裝置8即開始基板P的曝光處理(步驟STl)。
[0247]本實施形態(tài)的曝光裝置EX是一邊使掩膜M與基板P往既定掃描方向同步移動、一邊將掩膜M的圖案像投影至基板P的掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進機)。本實施形態(tài)中，設基板P的掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向，掩膜M的掃描方向(同步移動方向)亦設為Y軸方向。控制裝置8使基板P相對投影光學系PL的投影區(qū)域PR移動于Y軸方向，并與該基板P往Y軸方向的移動同步，一邊相對照明系IL的照明區(qū)域IR使掩膜M移動于Y軸方向、一邊通過投影光學系PL與基板P上的液浸空間LS的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P。據(jù)此，基板P即通過液體LQ而被曝光用光EL曝光，掩膜M的圖案像通過投影光學系PL及液體LQ被投影至基板P。
[0248]如圖6所示，本實施形態(tài)中，基板P上曝光對象區(qū)域的照射區(qū)域S成矩陣狀配置多個?？刂蒲b置8使基板P上所定的多個照射區(qū)域S依序曝光。
[0249]使基板P的照射區(qū)域S曝光時，使終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板P對向，形成一以液體LQ充滿終端光學兀件12與基板P間的曝光用光EL的光路K的液浸空間LS。使基板P的多個照射區(qū)域S依序曝光時，在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板P的上面Pa及基板載臺2的上面2U中至少一方之間以液體LQ形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，通過驅(qū)動系統(tǒng)5使基板載臺2于XY平面內(nèi)移動。控制裝置8，在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板P的上面Pa及基板載臺2的上面2U中至少一方之間以液體LQ形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，一邊移動基板載臺2、一邊實施基板P的曝光。
[0250]例如為使基板P上的多個照射區(qū)域S中最初的照射區(qū)域(第I照射區(qū)域)S曝光，控制裝置8使該第I照射區(qū)域S移動至曝光開始位置?？刂蒲b置8在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，一邊使第I照射區(qū)域S (基板P)相對投影光學系PL的投影區(qū)域PR移動于Y軸方向、一邊對該第I照射區(qū)域S照射曝光用光EL。
[0251]第I照射區(qū)域S的曝光結(jié)束后，為使下一個第2照射區(qū)域S曝光，控制裝置8在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，使基板P移動于X軸方向(或于XY平面內(nèi)相對X軸方向傾斜的方向)，將第2照射區(qū)域S移動至曝光開始位置?？刂蒲b置8，與第I照射區(qū)域S同樣的使第2照射區(qū)域S曝光。
[0252]控制裝置8，一邊反復進行在使照射區(qū)域S相對投影區(qū)域PR移動于Y軸方向的同時對該照射區(qū)域S照射曝光用光EL的動作(掃描曝光動作)、與該照射區(qū)域S的曝光結(jié)束后為使下一個照射區(qū)域S移動至曝光開始位置的動作(步進動作)，一邊通過投影光學系PL及液浸空間LS的液體LQ使基板P上的多個照射區(qū)域S依序曝光。對基板P的多個照射區(qū)域S依序照射曝光用光EL。
[0253]本實施形態(tài)中，控制裝置8 一邊使基板載臺2移動以使投影光學系PL的投影區(qū)域PR與基板P沿圖6中箭頭Rl所示移動軌跡相對移動、一邊對投影區(qū)域PR照射曝光用光EL通過液體LQ以曝光用光EL使基板P的多個照射區(qū)域S依序曝光。在基板載臺2于基板P的曝光中的移動中的至少一部分，液浸空間LS形成在間隙Ga上。
[0254]基板P上的多個照射區(qū)域S中最后一個照射區(qū)域S的曝光結(jié)束，換言之，對多個照射區(qū)域S的曝光用光EL的照射結(jié)束后，即結(jié)束該基板P的曝光(步驟ST2)。
[0255]對多個照射區(qū)域S的曝光用光EL的照射結(jié)束后(基板P的曝光結(jié)束后)，控制裝置8為實施基板更換處理而使基板載臺2移動至基板更換位置RP (步驟ST3)。
[0256]如圖7所示，在將基板載臺2配置于基板更換位置RP后，控制裝置8即使用基板搬送裝置(未圖示)將曝光后的基板P從第I保持部31搬出(卸載)(步驟ST4)。
[0257]在將曝光后的基板P從第I保持部31搬出(卸載)后，控制裝置8使用基板搬送裝置(未圖示)將曝光前的基板P搬入(裝載于)第I保持部31 (步驟ST5)。
[0258]又，如圖7所示，在實施基板更換處理時，于曝光位置EP配置測量載臺3?？刂蒲b置8，視需要使用測量載臺3 (測量構(gòu)件C、測量器)實施既定的測量處理。將曝光前的基板P裝載于第I保持部31、使用測量載臺3的測量處理結(jié)束后，控制裝置8使基板載臺2移動至曝光位置EP (步驟ST6)。
[0259]本實施形態(tài)中，控制裝置8在基板載臺2從基板更換位置RP往曝光位置EP的移動時，使用對準系統(tǒng)302進行檢測基板載臺2 (第I保持部31)所保持的基板P的對準標記(步驟ST7)。又，控制裝置8在基板載臺2從基板更換位置RP往曝光位置EP的移動時，使用表面位置檢測系統(tǒng)303檢測基板載臺2 (第I保持部31)所保持的基板P的上面Pa的位置。
[0260]基板P的對準標記的檢測及基板P的上面Pa的位置的檢測結(jié)束后，控制裝置8根據(jù)該檢測結(jié)果一邊調(diào)整基板P的位置、一邊開始該基板P的曝光。之后，反復進行同樣的處理，多個基板P即被依序曝光。
[0261]本實施形態(tài)中，在實施基板P的曝光的第I期間的至少一部分、及未實施基板P的曝光的第2期間的至少一部分的各個中，實施吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引動作。
[0262]本實施形態(tài)中，第I期間包含基板載臺2P被配置于曝光位置EP的期間。又，第I期間包含基板P的曝光開始起(步驟STl)至該基板P的曝光結(jié)束為止(步驟ST2)的期間。
[0263]本實施形態(tài)中，第I期間包含從多個照射區(qū)域S中最初的照射區(qū)域S的曝光開始起，至最后一個照射區(qū)域S的曝光結(jié)束為止的期間?？刂蒲b置8從多個照射區(qū)域S中最初的照射區(qū)域S的曝光開始起至最后一個照射區(qū)域S的曝光結(jié)束為止，持續(xù)實施吸引口 24的流體吸引動作。
[0264]據(jù)此，在例如對多個照射區(qū)域S依序照射曝光用光EL的第I期間的至少一部分中，于間隙Ga上形成液浸空間LS，即使該液浸空間LS的液體LQ通過間隙Ga流入間隙Ga，流入間隙Ga的液體LQ亦會在第I期間中立即被吸引口 24(多孔構(gòu)件80)吸引。此外，通過間隙Ga流入空間部23的液體LQ亦從吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)被吸引。
[0265]本實施形態(tài)中，第2期間包含對基板P的曝光用光EL的照射結(jié)束后的期間。本實施形態(tài)中，第2期間包含對多個照射區(qū)域S的曝光用光EL的照射結(jié)束后的期間。換言之，第2期間包含多個照射區(qū)域S中最后一個照射區(qū)域S的曝光后的期間。通過于第2期間實施的吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引動作，即使在第I期間實施吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引動作亦無法將空間部23的液體LQ完全吸引(回收)，亦可通過在該第2期間的吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引動作，從間隙Ga(空間部23)除去液體LQ。
[0266]又，本實施形態(tài)中，第2期間包含對基板P開始照射曝光用光EL前的期間。本實施形態(tài)中，第2期間包含對多個照射區(qū)域S開始照射曝光用光EL前的期間。換言之，第2期間包含多個照射區(qū)域S中最初的照射區(qū)域S的曝光前的期間。通過在第2期間實施吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引動作，可在從間隙Ga(空間部23)除去液體LQ后開始基板P的曝光。
[0267]本實施形態(tài)中，控制裝置8控制實施基板P的曝光的第I期間的至少一部分中的吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引力，較未實施基板P的曝光的第2期間中的吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引力小。亦即，控制裝置8控制在第I期間的至少一部分以第I吸引力從吸引口 24吸引間隙Ga(空間部23)的流體，在第2期間則以較第I吸引力大的第2吸引力從吸引口 24吸引間隙Ga(空間部23)的流體。換言之，控制裝置8控制在第I期間的至少一部分以每單位時間的第I流量從吸引口 24(多孔構(gòu)件80)吸引流體，而在第2期間則以較每單位時間的第I流量多的第2流量從吸引口 24(多孔構(gòu)件80)吸引流體。
[0268]本實施形態(tài)中，第2期間包含從待依序曝光的多個基板P中第I基板P的曝光結(jié)束時(最后一個照射區(qū)域S的曝光結(jié)束時)至下一個第2基板P的曝光開始時(最初的照射區(qū)域S的曝光開始時)為止的至少一部分期間。
[0269]例如，第2期間可以是從第I基板P的曝光結(jié)束后(步驟ST2)至將該曝光后的第I基板P從第I保持部31搬出、并將曝光前的第2基板P搬入第I保持部31，該曝光前的第2基板P的對準標記檢測開始(步驟ST7)為止的期間。亦即，本實施形態(tài)中，第2期間可以是從基板P的曝光結(jié)束(步驟ST2)至次一基板P的對準標記檢測為止(步驟ST7)的期間。
[0270]又，第2期間亦可以是對基板P的曝光用光EL的照射結(jié)束后(步驟ST2)，以第I保持部31保持曝光前基板P的基板載臺2開始移動至曝光位置EP為止(步驟ST6)的期間。
[0271]又，第2期間亦可以是對基板P的曝光用光EL的照射結(jié)束后(步驟ST2)，將曝光前基板P搬入第I保持部31為止(步驟ST5)的期間。
[0272]又，第2期間亦可以是對基板P的曝光用光EL的照射結(jié)束后(步驟ST2)，將基板P從第I保持部31搬出為止(步驟ST4)的期間。
[0273]又，第2期間亦可以是對基板P的曝光用光EL的照射結(jié)束后(步驟ST2)，以第I保持部31保持該曝光后基板P的基板載臺2開始移動至基板更換位置EP為止(步驟ST3)的期間。
[0274]又，第2期間亦可以是基板載臺2被配置于基板更換位置RP的期間。此外，第2期間亦可以是基板P未被保持在第I保持部31的期間?；錚未被保持在第I保持部31的期間，包含從曝光后的基板P被從第I保持部31搬出(步驟ST4)至曝光前的基板P被搬入第I保持部31為止(步驟ST5)的期間(基板更換處理期間)。又，基板P未被保持在第I保持部31的期間不限于基板更換處理期間。
[0275]又，第2期間可以是步驟ST3?ST7的期間、步驟ST3?ST6的期間、步驟ST3?ST5的期間、步驟ST3?ST4的期間、步驟ST4?ST7的期間、或步驟ST4?ST6的期間。
[0276]本實施形態(tài)中，控制裝置8控制在基板P(多個照射區(qū)域S)的曝光中從吸引口24 (多孔構(gòu)件80)以第I吸引力吸引流體，在對基板P的最后一個照射區(qū)域S的曝光用光EL的照射結(jié)束時(步驟ST2)，將吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引力從第I吸引力變更為第2吸引力。此場合，第2期間亦包含對基板P(多個照射區(qū)域S)的曝光用光EL的照射結(jié)束后，于終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板P的上面及基板載臺2的上面2U中至少一方之間形成有液浸空間LS的期間。
[0277]又，亦可在從液浸空間LS形成于基板載臺2上的狀態(tài)變化成形成于測量載臺3上的狀態(tài)時(例如步驟ST3)，將吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)的吸引力從第I吸引力變更為第2吸引力。此場合，曝光用光EL的照射結(jié)束后，在液浸空間LS形成于基板P的上面及基板載臺2的上面2U中至少一方之上的期間中，從吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)以第I吸引力吸引流體。
[0278]當然，亦可在將曝光后的基板P從第I保持部31搬出時(步驟ST4)，將吸引口24(多孔構(gòu)件80)的吸引力從第I吸引力變更為第2吸引力。[0279]又，亦可在將曝光前的基板P搬入第I保持部31時(步驟ST5)，將吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引力從第2吸引力變更為第I吸引力。
[0280]又，亦可在從液浸空間LS形成于測量載臺3上的狀態(tài)變化成形成于基板載臺2上的狀態(tài)時(例如步驟ST6)，將吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)的吸引力從第2吸引力變更為第I吸引力。
[0281]又，亦可在檢測基板P的對準標記時(步驟ST7)，將吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)的吸引力從第2吸引力變更為第I吸引力。
[0282]此外，亦可在對基板P的最初的照射區(qū)域S開始照射曝光用光EL時(步驟STl)，將吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的吸引力從第2吸引力變更為第I吸引力。
[0283]再者，本實施形態(tài)，例如可在對基板P (照射區(qū)域S)照射曝光用光EL的掃描曝光動作中實施吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的流體吸引動作，而在不對基板P照射曝光用光EL的步進動作中停止吸引口 24(多孔構(gòu)件80)的流體吸引動作。當然，亦可在不對基板P照射曝光用光EL的步進動作中實施吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)的流體吸引動作，而在對基板P (照射區(qū)域S)照射曝光用光EL的掃描曝光動作中停止吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)的流體吸引動作。
[0284]此外，本實施形態(tài)，可在掃描曝光動作中從吸引口 24 (多孔構(gòu)件80)以第I吸引力吸引流體，而于步進動作中從吸引口 24(多孔構(gòu)件80)以第2吸引力吸引流體。
[0285]如以上的說明，根據(jù)本實施形態(tài)，由于設計成將流入間隙Ga的液體LQ通過至少一部分配置在間隙Ga的多孔構(gòu)件80加以回收，因此能抑制液體LQ的殘留。是以，能抑制曝光不良的發(fā)生、以及不良元件的產(chǎn)生。
[0286]又，本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80的上面80A對液體LQ為撥液性，因此能抑制液體LQ殘留于上面80A。
[0287]〈第2實施形態(tài)〉
[0288]其次，說明第2實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0289]圖8顯示第2實施形態(tài)的基板載臺200A的一實施例的圖。如圖8所示，本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件80配置成多孔構(gòu)件80的第2側(cè)面80C與覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc接觸。又，圖8所示例中，省略了支承構(gòu)件82。當然，亦可于圖8所示例中配置支承構(gòu)件82。
[0290]又，本實施形態(tài)中，基板載臺200A具備調(diào)整多孔構(gòu)件80的溫度的溫度調(diào)整裝置305。溫度調(diào)整裝置305，例如包含帕耳帖元件。
[0291]本實施形態(tài)中，溫度調(diào)整裝置305以和盒81接觸的方式配置。溫度調(diào)整裝置305通過盒81調(diào)整多孔構(gòu)件80的溫度。溫度調(diào)整裝置305亦能調(diào)整盒81的溫度。
[0292]此外，溫度調(diào)整裝置305亦可配置成與多孔構(gòu)件80的至少一部分接觸。
[0293]又，溫度調(diào)整裝置305亦可包含將經(jīng)溫度調(diào)整的流體(氣體及液體的一方或雙方)供應至例如盒81內(nèi)部形成的流路的供應裝置。
[0294]又，本實施形態(tài)中，基板載臺2具備調(diào)整覆蓋構(gòu)件T的溫度的溫度調(diào)整裝置306。溫度調(diào)整裝置306，例如包含帕耳帖元件。本實施形態(tài)中，溫度調(diào)整裝置306以和覆蓋構(gòu)件T的下面Tb接觸的方式配置。本實施形態(tài)中，溫度調(diào)整裝置306配置成在周壁部38與周壁部39間的空間32H，接觸覆蓋構(gòu)件T的下面Tb。又，溫度調(diào)整裝置306亦可不接觸覆蓋構(gòu)件T。例如，溫度調(diào)整裝置306可以和覆蓋構(gòu)件T的下面Tb對向的方式配置于支承面32S。
[0295]此外，溫度調(diào)整裝置306亦可包含例如將經(jīng)溫度調(diào)整的流體(氣體及液體的一方或雙方)供應至覆蓋構(gòu)件T內(nèi)部形成的流路的供應裝置。
[0296]又，亦可設置調(diào)整于第I實施形態(tài)說明的多孔構(gòu)件80的溫度的溫度調(diào)整裝置、以及調(diào)整覆蓋構(gòu)件T的溫度的溫度調(diào)整裝置。
[0297]又，上述實施形態(tài)中，于盒81的周圍可以沒有間隙。此外，亦可設置用以回收流入盒81周圍的間隙的液體LQ的回收口。
[0298]〈第3實施形態(tài)〉
[0299]其次，說明第3實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0300]圖9顯示第3實施形態(tài)的基板載臺200Β的一實施例的圖。圖9中，多孔構(gòu)件800Β包含板片狀部分801Β、板片狀部分802Β、與棒狀部分803Β。
[0301]部分801Β于空間部23配置成面向間隙Ga。部分802Β則于空間部23配置成面向吸引口 24。部分803Β配置在部分801Β與部分802Β之間。
[0302]本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件800Β未配置在間隙Ga。又，可將多孔構(gòu)件800Β(部分801Β)的至少一部分配置于間隙Ga。
[0303]又，圖9所示例中，覆蓋構(gòu)件Τ2的下面Tb的一部分的區(qū)域84Β、及內(nèi)面Tc的一部分的區(qū)域84C，對液體LQ為親液性。區(qū)域84Β是相對開口 Th (第I保持部31)的中心，較周壁部38為內(nèi)側(cè)的區(qū)域。區(qū)域84C包含內(nèi)面Tc的下端、不包含上端的區(qū)域。區(qū)域84C的下端與區(qū)域84Β連結(jié)。下面Tb的區(qū)域84Β與多孔構(gòu)件800Β (部分801Β)的上面對向。
[0304]本實施形態(tài)中，下面Tb (區(qū)域84Β)與多孔構(gòu)件800Β (部分801Β)的上面，隔著間隙對向。又，下面Tb (區(qū)域84Β)與多孔構(gòu)件800Β (部分801Β)的上面亦可以是接觸的。
[0305]本實施形態(tài)中，對液體LQ的區(qū)域84B、84C的接觸角例如小于90度。對液體LQ的區(qū)域84B、84C的接觸角，可以是例如80度以下、亦可以是70度以下。
[0306]本實施形態(tài)中，下面Tb的一部分及內(nèi)面Tc的一部分涂有親液性的材料。亦即，于下面Tb的一部分及內(nèi)面Tc的一部分，配置有包含親液性的材料。又，區(qū)域84B、84C可以是例如鈦的表面。
[0307]本實施形態(tài)中，對液體LQ的覆蓋構(gòu)件T的內(nèi)面Tc的區(qū)域84C的接觸角，較覆蓋構(gòu)件T的上面Ta的接觸角小。又，對液體LQ的覆蓋構(gòu)件T的下面Tb的區(qū)域84B的接觸角，較覆蓋構(gòu)件T的上面Ta的接觸角小。
[0308]又，本實施形態(tài)中，區(qū)域84C上方的內(nèi)面Tc的區(qū)域84D，相對開口 Th (第I保持部31)的中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0309]流入間隙Ga的液體LQ通過多孔構(gòu)件80B加以回收。通過多孔構(gòu)件800B回收的液體LQ的至少一部分從吸引口 24吸引。
[0310]如以上的說明，本實施形態(tài)，亦能回收流入間隙Ga的液體LQ，以抑制液體LQ的殘
&3甶O
[0311]<第4實施形態(tài)>
[0312]其次，說明第4實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。[0313]圖10顯示第4實施形態(tài)的基板載臺200C的一實施例的圖。圖10中，基板載臺2具備對覆蓋構(gòu)件T2賦予超音波的超音波產(chǎn)生裝置85。超音波產(chǎn)生裝置85包含例如壓電元件等的超首波廣生兀件。
[0314]又，本實施形態(tài)中，雖將第3實施形態(tài)所說明的覆蓋構(gòu)件T2保持于第2保持部32，但亦可是將第1、第2實施形態(tài)所說明的覆蓋構(gòu)件T保持于第2保持部32。
[0315]超音波產(chǎn)生裝置85與覆蓋構(gòu)件T2的至少一部分接觸。本實施形態(tài)中，超音波產(chǎn)生裝置85配置成與覆蓋構(gòu)件T2的背面Tb接觸。
[0316]本實施形態(tài)中，超音波產(chǎn)生裝置85配置在周壁部38與周壁部39間的空間32H，與背面Tb接觸。本實施形態(tài)中，第2保持部32具有配置在空間32H、用以支承超音波產(chǎn)生裝置85的支承部86。
[0317]于空間部23配置多孔構(gòu)件800。本實施形態(tài)中，雖未于間隙Ga配置多孔構(gòu)件800，但亦可將多孔構(gòu)件800的至少一部分配于間隙Ga。
[0318]通過超音波產(chǎn)生裝置85的作動，使覆蓋構(gòu)件T2振動。由于覆蓋構(gòu)件T2振動，存在于間隙Ga的液體LQ即順暢的移動至空間部23。例如于間隙Ga殘留有液體LQ的情形時，通過覆蓋構(gòu)件T2的振動，該液體LQ即掉落至空間部23。又，在例如液體LQ (例如液體LQ之滴)附著在覆蓋構(gòu)件T2的內(nèi)面Tc的情形時，通過覆蓋構(gòu)件T2的振動，附著在該內(nèi)面Tc的液體LQ即掉落至空間部23。此外，在內(nèi)面Tc與側(cè)面Pc之間存在液體LQ的界面的情形時,通過覆蓋構(gòu)件T2的振動，該液體LQ的界面即往空間部23移動。
[0319]從間隙Ga移動至空間部23的液體LQ，通過多孔構(gòu)件800加以回收。
[0320]通過多孔構(gòu)件800回收的液體LQ的至少一部分，從吸引口 24加以吸引。
[0321]如以上的說明，本實施形態(tài)，亦能回收流入間隙Ga的液體LQ，以抑制液體LQ的殘
&3甶O
[0322]〈第5實施形態(tài)〉
[0323]其次，說明第5實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0324]圖11顯示第5實施形態(tài)的基板載臺200D的一實施例的圖。圖11中，基板載臺200D，具備將基板P的下面Pb以可釋放的方式加以保持的第I保持部31與用以規(guī)定可配置基板P的開口 Uh、具備在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下配置在基板P的上面Pa周圍的上面Ua的回收構(gòu)件U。
[0325]本實施形態(tài)中，回收構(gòu)件U配置在第I保持部31周圍的至少一部分。回收構(gòu)件U的至少一部分配置成圍繞周壁部35。本實施形態(tài)中，回收構(gòu)件U與周壁部35間形成間隙Gb。又，回收構(gòu)件U與周壁部35的至少一部分可以是接觸的。
[0326]本實施形態(tài)中，回收構(gòu)件U被支承于基板載臺2的保持部87。保持部87將回收構(gòu)件U以可釋放的方式加以保持。又，回收構(gòu)件U與基板載臺2可以是一體的。
[0327]本實施形態(tài)中，上面Ua與XY平面大致平行。上面Ua與上面Pa配置在同一平面內(nèi)(成一面)。又，于Z軸方向的上面Ua的位置與上面Pa的位置可以不同。例如，上面Ua可以配置在上面Pa低的位置(一 Z側(cè)的位置)、亦可以配置在較其高的位置(+ Z側(cè)的位置)。
[0328]又，回收構(gòu)件U具有被保持于第I保持部31的基板P的側(cè)面Pc可對向的內(nèi)面Uc、與至少一部分與基板P的下面Pb對向的對向面Ub。
[0329]本實施形態(tài)中，回收構(gòu)件U的內(nèi)面Uc與基板P的側(cè)面Pc間形成有間隙Ga。又，對向面Ub與基板P的下面Pb間形成有間隙Ge。亦即，回收構(gòu)件U與基板P是分離的。
[0330]本實施形態(tài)中，上面Ua對液體LQ為撥液性。本實施形態(tài)中，對液體LQ的上面Ua的接觸角較內(nèi)面Uc的接觸角大。又,對液體LQ的上面Ua的接觸角可以較內(nèi)面Uc的接觸角小、亦可與內(nèi)面Uc的接觸角大致相同。
[0331]回收構(gòu)件U具有配置成與第I保持部31所保持的基板P的側(cè)面Pc對向的回收口88?；厥湛?88回收流體(氣體及液體的至少一方)。
[0332]回收口 88回收流入基板P與回收構(gòu)件U間的間隙Ga的液體LQ的至少一部分。本實施形態(tài)中，回收口 88為多個配置在基板P的周圍。
[0333]回收構(gòu)件U具有空間部89?？臻g部89形成在回收構(gòu)件U的內(nèi)部。
[0334]回收口 88與空間部89的至少一部分連結(jié)。從回收口 88回收的液體LQ，流過空間部89的至少一部分。
[0335]本實施形態(tài)中，回收構(gòu)件U具有面向空間部89的吸引口 90。本實施形態(tài)中，吸引口 90形成在形成空間部89的回收構(gòu)件U的內(nèi)面的至少一部分。吸引口 90吸引空間部89的流體的至少一部分，以使空間部89成為負壓。吸引口 90能吸引空間部89的液體及氣體的一方或雙方。
[0336]吸引口 90通過流路91與流體吸引裝置92連接。流體吸引裝置92可將吸引口 90連接于真空系統(tǒng)，可通過吸引口 90吸引液體及氣體的一方或雙方。從吸引口 90吸引的流體(液體及氣體的至少一方)通過流路91被吸引至流體吸引裝置92。
[0337]流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分從回收口 88加以回收。回收流入間隙Ga的液體LQ時，控制裝置8控制流體吸引裝置92，將吸引口 90連接于真空系統(tǒng)。當空間部89的流體從吸引口 90被吸引而空間部89成為負壓時，回收口 88周圍的流體即從回收口 88被回收。
[0338]通過進行吸引口 90的吸引動作，流入回收構(gòu)件U的內(nèi)面Uc與基板P的側(cè)面Pc之間的液體LQ，從回收口 88被回收。亦即，回收構(gòu)件U將流入內(nèi)面Uc與側(cè)面Pc之間的液體LQ，從與基板P的側(cè)面Pc對向的回收口 88加以回收。
[0339]如以上的說明，本實施形態(tài)，亦能回收流入間隙Ga的液體LQ，以抑制液體LQ的殘
&3甶O
[0340]又，如圖11所示，亦可設置用以調(diào)整回收構(gòu)件U的溫度的溫度調(diào)整裝置93。例如，用以調(diào)整回收構(gòu)件U的溫度的帕耳帖元件，可以配置成與回收構(gòu)件U接觸。
[0341]〈第6實施形態(tài)>
[0342]其次，說明第6實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0343]圖12顯示第6實施形態(tài)的基板載臺200E的一實施例的圖。圖12中，基板載臺200E，具備將基板P的下面Pb以可釋放的方式加以保持的第I保持部31與用以規(guī)定可配置基板P的開口 Th、具有在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下配置在基板P的上面Pa周圍的上面Ta的覆蓋構(gòu)件T3。
[0344]本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T3包含多孔構(gòu)件。覆蓋構(gòu)件T3具有能與基板P的側(cè)面Pc對向的內(nèi)面Tc。覆蓋構(gòu)件T3配置在內(nèi)面Tc，能從基板P的側(cè)面Pc對向的多孔構(gòu)件的孔回收流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分。
[0345]本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T3通過流路94與流體吸引裝置95連接。流體吸引裝置95可將覆蓋構(gòu)件T3連接于真空系統(tǒng)?？刂蒲b置8控制流體吸引裝置95，可通過將覆蓋構(gòu)件T3連接于真空系統(tǒng)，而從基板P的側(cè)面Pc對向的覆蓋構(gòu)件T3的孔回收流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分。
[0346]<第7實施形態(tài)>
[0347]其次，說明第7實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0348]圖13顯示第7實施形態(tài)的基板載臺200F的一實施例的圖。圖13中，基板載臺200F，具備將基板P的下面Pb以可釋放的方式加以保持的第I保持部31與用以規(guī)定可配置基板P的開口 Th、具有在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下配置在基板P的上面Pa周圍的上面Ta的覆蓋構(gòu)件T。又，基板載臺2具有連通至基板P與覆蓋構(gòu)件T間的間隙Ga的空間部23。
[0349]本實施形態(tài)中，基板載臺200F具備配置在空間部23、具有可回收流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分的回收口 95的回收構(gòu)件100。
[0350]回收構(gòu)件100，包含配置成至少一部分為面向間隙Ga的多孔構(gòu)件97與支承多孔構(gòu)件97、在與多孔構(gòu)件97之間形成空間99的支承構(gòu)件98。
[0351]多孔構(gòu)件97為板片狀。多孔構(gòu)件97具有至少一部分為面向間隙Ga的上面97A、朝向上面97A的相反方向而面向空間99的下面97B、以及將上面97A與下面97B加以連結(jié)的多個孔97H。本實施形態(tài)中，回收口 95包含孔97H的上端。
[0352]又，回收構(gòu)件100具有面向空間99、對空間99供應液體LQ的供應口 110、與回收空間99的液體LQ的回收口 111。供應口 110通過流路112與液體供應裝置113連接?；厥湛?111通過流路114與液體回收裝置115連接。
[0353]本實施形態(tài)中，從回收口 95實質(zhì)上僅回收液體LQ，不回收氣體。
[0354]本實施形態(tài)中，從回收口 95回收流入間隙Ga的液體LQ時，控制裝置8控制液體供應裝置113及液體回收裝置115的至少一方，將空間99以液體LQ充滿。又，控制裝置8調(diào)整上面97A側(cè)的壓力(腔室裝置103的空間102的壓力)與下面97B側(cè)的壓力(空間99的壓力)間之差，以從回收口 95僅回收液體LQ而不回收氣體?？刂蒲b置8可控制腔室裝置103 (空調(diào)系統(tǒng)105)調(diào)整空間102的壓力。此外，控制裝置8可控制液體供應裝置113及液體回收裝置115的至少一方，以調(diào)整空間99的壓力?？刂蒲b置8調(diào)整空間102的壓力及空間99的壓力的至少一方，以從回收口 95僅回收液體LQ而不回收氣體?？刂蒲b置8，根據(jù)例如對液體LQ的孔97H內(nèi)面的接觸角、以及液體LQ的表面張力等，調(diào)整空間102的壓力與空間99的壓力之差。通過多孔構(gòu)件僅回收液體的技術(shù)，已揭露于例如美國專利第7292313號說明書等。
[0355]流入間隙Ga的液體LQ，通過多孔構(gòu)件95加以回收。通過多孔構(gòu)件95流入空間99的液體LQ的至少一部分，通過回收口 111回收至液體回收裝置115。
[0356]如以上的說明，本實施形態(tài)，亦能回收流入間隙Ga的液體LQ，以抑制液體LQ的殘
&3甶O[0357]又，圖13所示的孔構(gòu)件97，于金屬板片形成多個孔97H據(jù)以形成。此外，亦可通過以例如圖14所示的藉燒結(jié)法形成的多孔構(gòu)件116來回收液體LQ。圖14所示例中，亦可通過調(diào)整空間99的壓力與空間102的壓力之差，據(jù)以通過多孔構(gòu)件116僅回收液體LQ。
[0358]〈第8實施形態(tài)〉
[0359]其次，說明第8實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0360]圖15顯示第8實施形態(tài)的基板載臺200H的一實施例的圖。圖15中，基板載臺200H，具備將基板P的下面Pb以可釋放的方式加以保持的第I保持部31與用以規(guī)定可配置基板P的開口 Th、具有在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下配置在基板P的上面Pa周圍的上面Ta的覆蓋構(gòu)件T。又，基板載臺200H具有連通至基板P與覆蓋構(gòu)件T間的間隙Ga的空間部23。
[0361]本實施形態(tài)中，基板載臺200H，具備配置于空間部23、具有可回收流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分的回收口 118的回收構(gòu)件117。
[0362]回收構(gòu)件117，具有配置成至少一部分面向間隙Ga的回收口 118、與回收口 118連結(jié)而形成在內(nèi)部的空間119、以及面向空間119用以回收空間119的流體的回收口 120?；厥湛?120通過流路121與流體回收裝置122連接。
[0363]本實施形態(tài)中，從回收口 118回收液體LQ及氣體。當然，亦可從回收口 118僅回收液體LQ、或僅回收氣體。
[0364]從回收口 118回收流入間隙Ga的液體LQ時，控制裝置8控制流體回收裝置122以使空間119成為負壓。據(jù)此，流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分即被從回收口 118回收。通過回收口 118流入空間119的液體LQ的至少一部分，則通過回收口 120回收至流體回收裝置122。此外，從回收口 118流入空間119的氣體，亦通過回收口 120回收至流體回收裝置122。
[0365]本實施形態(tài)中，基板載臺200H具有調(diào)整回收構(gòu)件117的溫度的溫度調(diào)整裝置123。溫度調(diào)整裝置123，具有:具有供溫度調(diào)整用流體流動的流路124的調(diào)溫構(gòu)件125、與將經(jīng)溫度調(diào)整的流體供應至流路124的供應裝置126。調(diào)溫構(gòu)件125配置成與回收構(gòu)件117接觸。供應裝置126將例如經(jīng)溫度調(diào)整的液體供應至流路124。又，供應裝置126亦可以是將經(jīng)溫度調(diào)整的氣體供應至流路124。此外，流路124的流體可回到供應裝置126、亦可回收至與供應裝置126不同的其他裝置(例如回收裝置)。
[0366]又，溫度調(diào)整裝置123可包含例如帕耳帖元件。例如，可將帕耳帖元件配置成與回收構(gòu)件117接觸。
[0367]<第9實施形態(tài)>
[0368]其次，說明第9實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0369]圖16顯示第9實施形態(tài)的基板載臺200L的一實施例的圖。圖16中，基板載臺200L，具備將基板P的下面Pb以可釋放的方式加以保持的第I保持部31與用以規(guī)定可配置基板P的開口 Th、具有在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下配置在基板P的上面Pa周圍的上面Ta的覆蓋構(gòu)件T10。又，基板載臺200L具有連通至基板P與覆蓋構(gòu)件TlO間的間隙Ga的空間部23。于空間部23配置有多孔構(gòu)件800L。多孔構(gòu)件800L的至少一部分配置在間隙Ga的下方。流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分是通過多孔構(gòu)件800L加以回收。
[0370]本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T10，具有基板P的側(cè)面Pc可對向的第I內(nèi)面Tcll與配置在第I內(nèi)面Tcll下方、相對第I保持部31較第I內(nèi)面Tcll遠離的第2內(nèi)面Tcl2。
[0371]又，覆蓋構(gòu)件TlO具有與第I內(nèi)面Tcll的下端連結(jié)、朝向上面Ta的相反方向的下面Tcl3。第2內(nèi)面Tcl2與下面Tcl3的外緣連結(jié)。下面Tcl3與第2內(nèi)面Tcl2的上端連結(jié)。
[0372]本實施形態(tài)中，第I內(nèi)面Tcll與第2內(nèi)面Tcl2實質(zhì)上平行。第I內(nèi)面Tcll及第2內(nèi)面Tcl2與終端光學元件12的光軸(Z軸)實質(zhì)上平行。本實施形態(tài)中，上面Ta與下面Tcl3實質(zhì)上平行。
[0373]本實施形態(tài)中，第I內(nèi)面Tcll及第2內(nèi)面Tcl2與上面Ta的法線實質(zhì)上平行。
[0374]于上面Ta的法線方向(Z軸方向)，第I內(nèi)面Tcll的尺寸Hll較第2內(nèi)面Tcl2的尺寸H12小。尺寸Hll包含上面Ta與下面Tc 13間的距離。
[0375]多孔構(gòu)件800L的上面800La的一部分隔著間隙與下面Tcl3對向。
[0376]本實施形態(tài)中，上面800La為多孔構(gòu)件800的上端。本實施形態(tài)中，上面800La系配置在較覆蓋構(gòu)件TlO的上面Ta的下方、較第I保持部31的保持面36S上方處。又，上面800La配置在較第I內(nèi)面Tcll的下端下方、較第2內(nèi)面Tcl2的下端上方處。此外，如圖16所示，在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下，上面SOOLa配置在基板P與覆蓋構(gòu)件TlO之間。又，多孔構(gòu)件800L外側(cè)面的至少一部分，隔著間隙與第2內(nèi)面Tcl2對向。此外，多孔構(gòu)件800L內(nèi)側(cè)面的至少一部分與基板P的側(cè)面Pc對向。本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件800L不與第I內(nèi)面Tcll對向。
[0377]又，本實施形態(tài)中，亦可配置成多孔構(gòu)件800L的至少一部分與第I內(nèi)面Tcll對向。
[0378]根據(jù)本實施形態(tài)，例如基板載臺200L以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件TlO的上面Ta移動至基板P的上面Pa的方式移動的情形時，可防止液體LQ殘留在間隙Ga近旁的覆蓋構(gòu)件TlO的上面Ta的現(xiàn)象、或防止液體LQ留在間隙Ga的現(xiàn)象(所謂架橋現(xiàn)象)。
[0379]又，如圖17所示，多孔構(gòu)件800M的上面800Ma的一部分可與下面Tcl3接觸。此夕卜，如圖17所示，多孔構(gòu)件800M的上面800Ma與下面Tcl3可通過粘著劑800Mc加以粘著。又，多孔構(gòu)件800M外側(cè)面的一部分可與第2內(nèi)面Tcl2接觸。
[0380]又，如圖17所示，多孔構(gòu)件80011可具有角部8001&。角部800Mk面向間隙Ga。又，下面Tcl3的一部分亦可不與多孔構(gòu)件800M對向。換言之，下面Tcl3可具有與多孔構(gòu)件800M對向的對向區(qū)域、與不對向的非對向區(qū)域。此外，亦可于下面Tcl3的非對向區(qū)域與多孔構(gòu)件800M(角部800Mk)之間形成有空間800Ms。
[0381]<第10實施形態(tài)>
[0382]其次，說明第10實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0383]圖18顯示第10實施形態(tài)的基板載臺200N的一實施例的圖。圖18中，基板載臺200N,具備將基板P的下面Pb以可釋放的方式加以保持的第I保持部31與用以規(guī)定可配置基板P的開口 Th、具有在基板P被保持于第I保持部31的狀態(tài)下配置在基板P的上面Pa周圍的上面Ta的覆蓋構(gòu)件Tll。又，基板載臺200N具有連通至基板P與覆蓋構(gòu)件Tll間的間隙Ga的空間部23。于空間部23配置有多孔構(gòu)件800N。流入間隙Ga的液體LQ的至少一部分通過多孔構(gòu)件800N加以回收。
[0384]如圖18所示，基板P的側(cè)面Pc對向的覆蓋構(gòu)件Tll的內(nèi)面Tc的至少一部分，是相對第I保持部31的中心朝外側(cè)向下方傾斜。
[0385]本實施形態(tài)中，通過多孔構(gòu)件800N將空間部23中的液體LQ與氣體Gs分離回收。本實施形態(tài)中，于多孔構(gòu)件800N形成有主要是氣體Gs流通、而液體LQ的流通受到限制的流路127R。流路127R的一端與空間部23的氣體空間連接。流路127R的另一端與包含真空系統(tǒng)的流體吸引裝置127連接。流路127R的尺寸(直徑)較多孔構(gòu)件800N的孔的尺寸大。
[0386]多孔構(gòu)件800N通過流路128R與包含真空系統(tǒng)的流體吸引裝置128連接。流路128R的一端(上端)與多孔構(gòu)件800N的下面連接。
[0387]空間部23的液體LQ流過與流路127R不同的多孔構(gòu)件800R的內(nèi)部流路，被回收至流體吸引裝置128。
[0388]從間隙Ga流入空間部23的液體LQ，接觸多孔構(gòu)件800N的表面(上面等)。通過流體吸引裝置128的作動，接觸于該多孔構(gòu)件800N表面的液體LQ，通過多孔構(gòu)件800N被回收至流體吸引裝置128。
[0389]又，通過流體吸引裝置127的作動，空間部23的氣體Gs經(jīng)由流路127R被回收至流體吸引裝置127。又，通過流體吸引裝置127的作動，生成從間隙Ga之上側(cè)空間(上面Pa、Ta側(cè)的空間)流向空間部23的氣體Gs的流動。通過該氣體Gs的流動，可將該液體LQ拉至空間部23，防止例如液體LQ停留于間隙Ga的現(xiàn)象(所謂架橋現(xiàn)象)。
[0390]又，于流路127R實質(zhì)上僅氣體Gs流過，液體LQ并不流過，因此可抑制汽化熱的發(fā)生。
[0391]又，如圖19所示，亦可調(diào)整多孔構(gòu)件800N下面?zhèn)鹊膲毫εc上面?zhèn)鹊膲毫χ睿栽谶B接于多孔構(gòu)件800N下面的流路128Rb被液體LQ充滿的狀態(tài)下，通過多孔構(gòu)件800N將液體LQ回收至流體吸引裝置128b。本實施形態(tài)中，多孔構(gòu)件800N下面?zhèn)鹊膲毫山辶黧w吸引裝置128b加以調(diào)整。多孔構(gòu)件800N上面?zhèn)鹊膲毫山謇缜皇已b置103(空調(diào)系統(tǒng)105)加以調(diào)整。又，通過多孔構(gòu)件僅回收液體的技術(shù)例已揭露于例如美國專利第7292313號說明書等。
[0392]<第11實施形態(tài)>
[0393]其次，說明第11實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0394]圖20顯示本實施形態(tài)的基板載臺200J的一部分的側(cè)視剖面圖，圖21是從上側(cè)(十Z側(cè))所視的基板載臺200J的一部分的圖。圖20及圖21中，基板載臺200J，具備將基板P以可釋放的方式加以保持的第I保持部31J、將覆蓋構(gòu)件T以可釋放的方式加以保持的第2保持部32J、以及通至基板P的上面Pa與覆蓋構(gòu)件T的上面Ta間的間隙Ga的空間部23?？臻g部23包含周壁部35周圍的空間。本實施形態(tài)中，空間部23包含周壁部35與周壁部38間的空間。
[0395]又，圖21顯示了第I保持部31J上沒有基板P、第2保持部32J上沒有覆蓋構(gòu)件T的狀態(tài)。又，圖20及圖21所示例中，基板載臺200J雖是具有第I實施形態(tài)所說明的多孔構(gòu)件80，但亦可以是具有第2?第10實施形態(tài)中任一形態(tài)所說明的多孔構(gòu)件(回收構(gòu)件)。
[0396]第I保持部31J，具有配置在周壁部35內(nèi)側(cè)、基板P的下面Pb可對向的周壁部43與將氣體供應至周壁部35與周壁部43間的空間部44的供氣口 45。又，第I保持部31J具有排出空間部44的流體(液體及氣體的一方或雙方)的排出口 46。
[0397]第I保持部31J的支承部36配置在周壁部43的內(nèi)側(cè)。本實施形態(tài)，在基板P的下面Pb與周壁部43的上面對向的狀態(tài)下，于基板P的下面Pb與周壁部43與支承面31S之間形成空間31H。
[0398]如圖21所示，供氣口 45沿著周壁部43 (周壁部35)配置有多個。排出口 46沿周壁部43 (周壁部35)配置有多個。本實施形態(tài)中，于供氣口 45的一方及另一側(cè)分別配置有排出口 46。換言之，于2個排出口 46之間配置有供氣口 45。又，本實施形態(tài)中，于排出口46的一方及另一側(cè)分別配置有供氣口 45。換言之，于2個供氣口 45之間配置有排出口 46。亦即，本實施形態(tài)中，于周壁部43周圍，多個供氣口 45與多個排出口 46交互配置。當然，多個供氣口 45與多個排出口 46亦可以不是交互配置。例如，可于供氣口 45的一側(cè)配置排出口 46、于另一側(cè)配置供氣口 45。例如，于排出口 46的一側(cè)配置供氣口 45、于另一側(cè)配置排出口 46。
[0399]本實施形態(tài)中，供氣口 45是通過流路與供氣裝置連接。供氣裝置，包含例如可送出氣體的泵、可調(diào)整所供應的氣體的溫度的溫度調(diào)整裝置、以及可除去所供應的氣體中的異物(雜質(zhì))的過濾裝置等。
[0400]本實施形態(tài)中，排出口 46是通過流路與流體吸引裝置連接。流體吸引裝置，包含例如可吸引流體(氣體及液體的一方或雙方)的泵、以及將所吸引的氣體與液體加以分離的氣液分離裝置等。
[0401]連接于供氣口 45的供氣裝置、及連接于排出口 46的流體吸引裝置受控制裝置8控制。控制裝置8可控制從供氣口 45的供氣動作及從排出口 46的排氣動作(吸引動作)。通過從供氣口 45供應氣體、并從排出口 46排出排氣(吸引)流體，如圖21所示，于空間部44生成氣流F。例如，于空間部44，氣體從供氣口 45朝向排出口 46流動。
[0402]如圖20所示，被保持于第I保持部31J的基板P與被保持于第2保持部32的覆蓋構(gòu)件T之間形成間隙Ga?；錚的上面Pa及覆蓋構(gòu)件T的上面Ta的至少一方面向的空間中存在的液體LQ(例如液浸空間LS的液體LQ)，有可能通過間隙Ga流入空間部23。
[0403]又，液體LQ有可能流入例如空間部44。例如，空間部23的液體LQ有可能通過基板P的下面Pb與周壁部35上面之間而流入空間部44。本實施形態(tài)中，排出口 46可吸引空間部44的液體LQ?？刂蒲b置8可控制實施排出口 46的吸引動作，以從空間部44除去液體LQ0據(jù)此，液體LQ流入空間31H的情形即受到抑制。
[0404]〈第12實施形態(tài)〉
[0405]其次，說明第12實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0406]圖22顯示第12實施形態(tài)的基板載臺200K的一部分的圖。圖22是從上方所視的基板載臺200K的周壁部35及周壁部38的圖。基板載臺200K為例如第I實施形態(tài)所說明的基板載臺2中省略多孔構(gòu)件80的形態(tài)。[0407]如圖22所示，于第I保持部31的周壁部35與第2保持部32的周壁部38之間配置吸引口 24。吸引口 24于第I保持部31周圍配置有多個。
[0408]吸引口 24的各個，可回收流入基板P與覆蓋構(gòu)件T間的間隙Ga的液體LQ的至少一部分。圖22所示例中，并未于空間部23配置多孔構(gòu)件。
[0409]在液體LQ的液浸空間LS形成在終端光學元件12的射出面13側(cè)的狀態(tài)下，相對終端光學元件12，基板P及覆蓋構(gòu)件T于XY平面內(nèi)移動。例如，與上述實施形態(tài)同樣的，于基板P的曝光中，在液體LQ的液浸空間LS形成在終端光學兀件12及液浸構(gòu)件7與基板P及覆蓋構(gòu)件T的至少一方之間的狀態(tài)下，相對終端光學元件12及液浸構(gòu)件7，基板P及覆蓋構(gòu)件T于XY平面內(nèi)移動。
[0410]本實施形態(tài)，根據(jù)相對液浸空間LS的間隙Ga的位置、以及相對液浸空間LS的間隙Ga的移動條件的一方或雙方，進行從多個吸引口 24中的部分的回收口 24回收液體LQ。
[0411]圖23用以說明本實施形態(tài)的曝光裝置EX的一動作例的示意圖?？刂蒲b置8根據(jù)例如形成在基板P周圍的間隙Ga與液浸空間LS的位置關(guān)系，控制多個吸引口 24的吸引動作。
[0412]本實施形態(tài)中，基板P周圍的間隙Ga，分為例如第I部分ARl?第6部分AR6。控制裝置8，在間隙Ga中、例如第2部分AR2上有液浸空間LS時，即進行從第I保持部31周圍配置的多個吸引口 24中、配置在可吸引流入第2部分AR2的液體LQ的位置的吸引口 24的吸引動作。本實施形態(tài)，進行配置在緊臨第2部分AR2下方的吸引口 24的吸引動作。另一方面，控制裝置8在第2部分AR2上有液浸空間LS時，并不進行從配置在第I保持部31周圍的多個吸引口 24中、配置在可回收在流入第1、第3、第4、第5、第6部分AR1、AR3、AR4、AR5、AR6的液體LQ的位置的吸引口 24的吸引動作。例如，在第2部分AR2上存在液浸空間LS時，停止配置在緊臨第1、第3、第4、第5、第6部分AR1、AR3、AR4、AR5、AR6下方的吸引口 24的吸引動作。
[0413]又，控制裝置8，在間隙Ga中、例如于第4部分AR4上有液浸空間LS時，即進行配置在第I保持部31周圍的多個吸引口 24中、配置在可回收流入第4部分AR4的液體LQ的位置的吸引口 24的吸引動作。
[0414]另一方面，控制裝置8在間隙Ga中、于第4部分AR4上有液浸空間LS時，并不進行配置在第I保持部31周圍的多個吸引口 24中、配置在可回收流入第1、第2、第3、第5、第6部分AR1、AR2、AR3、AR5、AR6的液體LQ的位置的吸引口 24的吸引動作(停止)。
[0415]控制裝置8可根據(jù)例如干涉儀系統(tǒng)11的測量結(jié)果，求出在XY平面內(nèi)的液浸空間LS與第I部分?第6部分ARl?AR6間的位置關(guān)系。
[0416]本實施形態(tài)中，基板載臺200K的位置是以干涉儀系統(tǒng)11加以測量。干涉儀系統(tǒng)11，對基板載臺200K所具有的干涉儀用的測量鏡2R照射檢測光，以求出該基板載臺200K的位置?；遢d臺200K所具有的測量鏡2R與間隙Ga(第I部分ARl?第6部分AR6)間的位置關(guān)系為已知。因此，控制裝置8可根據(jù)干涉儀系統(tǒng)11的測量結(jié)果，求出在干涉儀系統(tǒng)11的坐標系內(nèi)的間隙Ga(第I部分ARl?第6部分AR6)的位置。
[0417]又，本實施形態(tài)中，液浸空間LS的液體LQ的界面LG的位置為已知。此外，在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板載臺200K等物體間形成有液浸空間LS的狀態(tài)下物體移動時的界面LG的位置，亦為已知。例如，界面LG的位置，是根據(jù)包含從液浸構(gòu)件7的供應口 15的每單位時間的液體供應量、及從回收口 16的每單位時間的液體回收量的液浸條件來加以決定。
[0418]又，界面LG的位置，是根據(jù)在形成液浸空間LS的狀態(tài)下的物體移動條件(移動速度、加速度、于某一方向的移動距離、及移動軌跡等)加以決定。
[0419]例如，根據(jù)液浸條件及移動條件的至少一方?jīng)Q定的界面LG的位置，可根據(jù)預備實驗或模擬求出。本實施形態(tài)中，控制裝置8包含存儲裝置8R，與根據(jù)液浸條件及移動條件的至少一方?jīng)Q定的界面LG的位置相關(guān)的信息，儲存于存儲裝置SR。
[0420]因此，控制裝置8可根據(jù)干涉儀系統(tǒng)11的測量結(jié)果、與存儲裝置SR的儲存信息，求出在干涉儀系統(tǒng)11的坐標系內(nèi)的間隙Ga(第I部分ARl?第6部分AR6)與液浸空間LS (界面LG)間的位置關(guān)系。
[0421]本實施形態(tài)中，控制裝置8根據(jù)間隙Ga (第I部分ARl?第6部分AR6)與界面LG間的位置關(guān)系，進行從多個吸引口 24中的部分吸引口 24的吸引動作。例如，在第I部分ARl上配置液浸空間LS的前一刻，控制裝置8及開始與原本停止吸引動作的第I部分ARl對應的吸引口 24(例如，緊臨第I部分ARl下方的吸引口 24)的吸引動作。
[0422]據(jù)此，例如在液浸空間LS配置在第I部分ARl上時，可將流入第I部分ARl的液體LQ的至少一部分從對應該第I部分ARl的吸引口 24吸引。此外，緊接著在液浸空間LS通過第I部分ARl之上后，控制裝置8可停止與原本進行吸引動作的第I部分ARl對應的吸引口 24的吸引動作。此外，控制裝置8亦可在液浸空間LS通過第2部分AR2?第6部分AR6各個之上時,實施同樣的控制。
[0423]又，本實施形態(tài)中，例如圖24所示，可于空間部23配置多孔構(gòu)件80J。于多孔構(gòu)件80J下方，配置有多個參照圖22所說明的吸引口 24。通過多個吸引口 24中的部分吸引口24的吸引動作的進行，實施使用多孔構(gòu)件80J中、配置在進行吸引動作的該吸引口 24上方的多孔構(gòu)件80J的一部分的液體回收動作。圖24所示例中，控制裝置8亦可根據(jù)相對液浸空間LS的間隙Ga的位置、以及相對液浸空間LS的間隙Ga的移動條件的一方或雙方，從多孔構(gòu)件80J的一部分進行液體LS的回收。
[0424]此外，亦可在基板P周圍配置多個參照圖4、圖8、圖11、圖12及圖20等所說明的配置成與基板P的側(cè)面Pc對向的回收口，根據(jù)相對液浸空間LS的間隙Ga的位置、以及相對液浸空間LS的間隙Ga的移動條件的一方或雙方，從該等多個回收口中的部分回收口進行液體LQ的回收。
[0425]又，本實施形態(tài)，是根據(jù)相對液浸空間LS的間隙Ga的位置、及相對液浸空間LS的間隙Ga的移動條件的一方或雙方，從多個回收口 24中的部分回收口 24進行液體LQ的回收。但本實施形態(tài)，亦可根據(jù)例如相對終端光學元件12的間隙Ga的位置、及相對液浸空間LS的間隙Ga的移動條件的一方或雙方，從多個回收口 24中的部分回收口 24進行液體LQ的回收。此外，亦可根據(jù)例如相對液浸構(gòu)件7的間隙Ga的位置、及相對液浸構(gòu)件7的間隙Ga的移動條件的一方或雙方，從多個回收口 24中的部分回收口 24進行液體LQ的回收。
[0426]亦即，本實施形態(tài)，可將相對終端光學元件12的間隙Ga的位置，視為相對液浸空間LS的間隙Ga的位置，亦可將相對液浸構(gòu)件7的間隙Ga的位置，視為相對液浸空間LS的間隙Ga的位置。又，亦可將相對終端光學元件12的間隙Ga的移動條件，視為相對液浸空間LS的間隙Ga的移動條件，將相對液浸構(gòu)件7的間隙Ga的移動條件，視為相對液浸空間LS的間隙Ga的移動條件。
[0427]〈第13實施形態(tài)〉
[0428]其次，說明第13實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0429]圖25顯示配置在基板P周圍的覆蓋構(gòu)件T4的開口 Tk的一實施例的示意圖?；錚可配置在覆蓋構(gòu)件T4的開口 Tk。覆蓋構(gòu)件T4的開口 Tk，位在距第I保持部31中心的第I距離D1，包含被保持于第I保持部31的基板P的側(cè)面Pc可對向的第I區(qū)域Al與和第I區(qū)域Al相鄰配置、位在距第I保持部31中心較第I距離Dl長的第2距離D2的第2區(qū)域A2。
[0430]本實施形態(tài)中，第2區(qū)域A2是于第I保持部31的周方向，與第I區(qū)域Al相鄰配置。換言之，第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2在與終端光學元件12的光軸(Z軸)垂直的面內(nèi)(XY平面內(nèi))彼此相鄰。
[0431]本實施形態(tài)中，第I保持部31的周方向包含周壁部35的周方向。又，本實施形態(tài)中，周壁部35的周方向包含周壁部38的周方向。本實施形態(tài)中，周壁部35于XY平面內(nèi)為實質(zhì)圓形(圓環(huán)狀)。周壁部38亦于XY平面內(nèi)為實質(zhì)圓形(圓環(huán)狀)。本實施形態(tài)中，周壁部35的中心與周壁部38的中心實質(zhì)一致。換言之，周壁部35與周壁部38配置成同心狀。
[0432]又，本實施形態(tài)中，基板P的外形(基板P的邊緣部Egp的形狀)為實質(zhì)圓形。于XY平面內(nèi)，第I保持部31的中心(周壁部35的中心)與被保持于該第I保持部31的基板P的中心，實質(zhì)一致。本實施形態(tài)中，第I保持部31的周方向包含沿被保持于第I保持部31的基板P的邊緣部Egp的方向。當然，第I保持部31的中心與被保持于該第I保持部31的基板P的中心，可以不是一致的。
[0433]于被保持于第i保持部31的基板P的邊緣部Egp周圍，配置覆蓋構(gòu)件T4的邊緣部(內(nèi)側(cè)邊緣部)Egt。又，覆蓋構(gòu)件T4的上面Ta，配置在被保持于第I保持部31的基板P的上面周圍。覆蓋構(gòu)件T4的開口 Tk以覆蓋構(gòu)件T4的邊緣部Egt加以規(guī)定。此外，邊緣部Egt規(guī)定覆蓋構(gòu)件T4的上面Ta的緣(內(nèi)緣)的至少一部分。
[0434]覆蓋構(gòu)件T4的邊緣部Egt配置在第I保持部31的周圍。于基板P的邊緣部Egp與覆蓋構(gòu)件T4的邊緣部Egt之間，沿第I保持部31的周方向形成間隙。基板P的邊緣部Egp與覆蓋構(gòu)件T4的邊緣部Egt，隔著間隙對向。
[0435]覆蓋構(gòu)件T4的邊緣部Egt，是以保持于第I保持部31的基板P的邊緣部Egp沿此的方式延伸于第I保持部31的周方向。
[0436]又，開口 Tk包含將第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2加以連結(jié)的第3區(qū)域A3。
[0437]本實施形態(tài)中，第I?第3區(qū)域Al?A3包含由覆蓋構(gòu)件T4的上面Ta與內(nèi)面Tc形成的角部的至少一部分。又，第I?第3區(qū)域Al?A3可包含覆蓋構(gòu)件T4的上面Ta的至少一部分、亦可包含內(nèi)面Tc的至少一部分。
[0438]第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2于第I保持部31的周方向交互配置。亦即，開口 Tk具有多個于第I保持部31的周方向交互配置、相對第I保持部31中心突出的凸部Tka與相對第I保持部31中心陷入的凹部Tkb。本實施形態(tài)中，第I區(qū)域Al于XY平面內(nèi)為曲面(曲線)。第2區(qū)域A2于XY平面內(nèi)為曲面(曲線)。[0439]亦即，本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T4的邊緣部Egt，包含沿第I保持部31的周方向形成的多個凸部Tka。凸部Tka包含第I區(qū)域Al。凹部Tkb包含第2區(qū)域A2。多個凸部Tka包含于第I保持部31的周方向彼相鄰的第I凸部Tka及第2凸部Tka。本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T4的上面Ta包含凸部Tka的上面。
[0440]又，本實施形態(tài)中，于相對第I保持部31中心的放射方向的第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2間的距離Da，與于第I保持部31周方向彼此相鄰的第I區(qū)域Al的距離Rl大致相同。又，距離Da與于第I保持部31周方向彼此相鄰的第2區(qū)域A2的距離R2大致相同。當然，距離Da可以較距離Rl長。再者，距離Da亦可較距離R2長。
[0441]又，本實施形態(tài)中，多個凸部Tka是沿第I保持部31的周方向以一定間隔配置。于第I保持部31的周方向彼此相鄰的第I凸部Tka與第2凸部Tka于第I保持部31周方向的距離R1，與第2凸部Tka與第3凸部Tka于第I保持部31周方向的距離Rl實質(zhì)相等。
[0442]本實施形態(tài)中，例如基板載臺2以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T4的上面Ta往基板P的上面Pa移動的方移動時，液浸空間LS的液體LQ例如殘留于基板P上的情形受到抑制。
[0443]圖26顯示比較例的示意圖。圖26中，覆蓋構(gòu)件Tj的開口是沿基板P外形的形狀。例如，當基板載臺2以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件Tj上移至基板P上的方式往一 Y方向移動時，液浸空間LS，即從圖26中(A)所示狀態(tài)、經(jīng)圖26中⑶所示狀態(tài)，變化成圖26中(C)所示狀態(tài)。圖26中(A)顯示由于基板載臺2往一 Y方向的移動，而液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件Tj上往基板P上的移動結(jié)束前一刻的狀態(tài)。圖26中(B)顯示基板載臺2從圖26中(A)所示狀態(tài)進一步往一 Y方向移動的狀態(tài)。圖26中(C)則顯示基板載臺2從圖22中(B)所示狀態(tài)進一步往一 Y方向移動的狀態(tài)。
[0444]如圖26中(C)所示，由于液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件Tj上移至基板P上，因此液浸空間LS的液體LQ的一部分有可能被拉長、斷開而成為滴狀殘留在基板P上。
[0445]本案發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，液體LQ殘留在基板P上的原因之一，配置在基板P周圍的覆蓋構(gòu)件的形狀。例如，液浸空間LS以通過間隙Ga上的方式從覆蓋構(gòu)件上往基板P上移動時，液浸空間LS的液體LQ會視覆蓋構(gòu)件的形狀(間隙Ga的形狀)流動。本案發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過調(diào)整覆蓋構(gòu)件的形狀，可使液體LQ以不會殘留在基板P上的方式流動。亦即，本案發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過對與基板P形成間隙Ga的覆蓋構(gòu)件的內(nèi)側(cè)邊緣形狀進行改善，可使得液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件上往基板P上移動時，液體LQ易于從覆蓋構(gòu)件分離，而能抑制殘留在基板P上。
[0446]以下說明中，將基板載臺2于XY平面內(nèi)往第I方向(例如一 Y方向)移動的情形時，液浸空間LS的液體LQ的界面LG中相對終端光學元件12的光軸于第I方向側(cè)(例如一Y側(cè))的界面LGb，適當?shù)姆Q為后側(cè)界面LGb。
[0447]例如，當液體LQ因接觸的物體的幾何學上形狀的急激變化而使得后側(cè)界面LGb的形狀變化，液體LQ會顯示停留在物體的舉動，其結(jié)果，即有可能產(chǎn)生完工在物體上的現(xiàn)象。圖26所示例中，液浸空間LS依序移動于覆蓋構(gòu)件Tj上、間隙Ga上及基板P上，由于間隙Ga的存在，于覆蓋構(gòu)件Tj與基板P急激產(chǎn)生幾何學上的形狀變化。由于該幾何學上的形狀變化，液浸空間LS的液體LQ的流動即有可能產(chǎn)生液體LQ的至少一部分殘留在基板P上的情形。
[0448]圖27是以示意方式顯示本實施形態(tài)的后側(cè)界面LGb近旁的液體LQ的流動的圖。[0449]例如，在基板載臺2以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T4上移動至基板P上的方式往+ Y方向移動的情形時，于后側(cè)界面LGb近旁，液浸空間LS的液體LQ的至少一部分，有可能往圖27中、以箭頭fr所示方向流動。亦即，液浸空間LS的液體LQ的至少一部分會沿第3區(qū)域A3，從第2區(qū)域(凹部)A2朝向第I區(qū)域(凸部)A1流動。
[0450]本實施形態(tài)中，沿第3區(qū)域A3的方向，與液浸空間LS與基板載臺2的相對移動方向(此處為Y軸方向)大致一致。亦即，液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T4上移動至基板P上時，液浸空間LS與基板載臺2的相對移動方向(Y軸方向)與在后側(cè)界面LGb近旁的液體LQ的流動方向(沿第3區(qū)域A3的方向)大致一致。因此，根據(jù)本實施形態(tài)的話，后側(cè)界面LGb近旁的液體LQ朝第I區(qū)域Al (凸部Tka)流動，液浸空間LS的液體LQ在從覆蓋構(gòu)件T4分離的前一刻，液浸空間LS的液體LQ不與覆蓋構(gòu)件T4的第2區(qū)域A2及第3區(qū)域A3接觸的可能性變高，而不會殘留在基板P上。亦即，后側(cè)界面LGb在從覆蓋構(gòu)件T4移動至基板P上時，可通過形成在覆蓋構(gòu)件T4的微細形狀，得到減輕覆蓋構(gòu)件T4與液浸空間LS的液體LQ的接觸面積的效果。據(jù)此，后側(cè)界面LGb即能從覆蓋構(gòu)件順利的離開，液體LQ殘留在基板P上面的情形受到抑制。
[0451]如以上的說明，根據(jù)本實施形態(tài)，例如基板載臺2以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T4上移動至基板P上的方式移動的場合，能抑制基板P上液體LQ的殘留。因此，能抑制曝光不良的發(fā)生、以及不良元件的產(chǎn)生。
[0452]又，本實施形態(tài)中，例如圖28所示的覆蓋構(gòu)件T5般，于相對第I保持部31中心的放射方向的第I區(qū)域Al(凸部)與第2區(qū)域A2(凹部)間的距離Da，可較相對第I保持部31周方向的彼此相鄰的第I區(qū)域Al的距離Rl短、亦可較彼此相鄰的第2區(qū)域A2的距離R2短。
[0453]又，亦可如圖29所示的覆蓋構(gòu)件T6般，第I區(qū)域Al (凸部)及第2區(qū)域A2(凹部)具有角部。
[0454]此外，亦可如圖30所示的覆蓋構(gòu)件T7般，第I區(qū)域Al與第3區(qū)域A3大致直角相交、第2區(qū)域A2與第3區(qū)域A3大致直角相交。圖30所示例中，第3區(qū)域A3的尺寸可以較第I區(qū)域Al (第2區(qū)域A2)的尺寸小。
[0455]又，亦可如圖31所示的覆蓋構(gòu)件T12般，在第I區(qū)域Al與第3區(qū)域A3大致直角相交、第2區(qū)域A2與第3區(qū)域A3大致直角相交的情形時，第3區(qū)域A3的尺寸較第I區(qū)域Al(第2區(qū)域A2)的尺寸大。亦即，于第I保持部31周方向的第I區(qū)域Al的尺寸Wl，可較相對第I保持部31中心的放射方向的第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2間的距離Da小。此外，于第I保持部31周方向的第2區(qū)域A2的尺寸W2，可以較相對第I保持部31中心的放射方向的第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2間的距離Da小。
[0456]又，于第I保持部31周方向彼此相鄰的第I區(qū)域Al的距離R1，可以較距離Da小。又，于第I保持部31周方向彼此相鄰的第2區(qū)域A2的距離R2可以較距離Da小。
[0457]又，亦可如圖32所示的覆蓋構(gòu)件T13般，配置在第I區(qū)域Al兩側(cè)的第3區(qū)域A3a與第3區(qū)域A3b間的距離，朝向第I區(qū)域Al慢慢的變小。
[0458]又，亦可如圖33所示的覆蓋構(gòu)件T14般，配置在第I區(qū)域Al兩側(cè)的第3區(qū)域A3c與第3區(qū)域A3d的至少一部分平行。
[0459]〈第14實施形態(tài)〉[0460]其次，說明第14實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0461]圖34顯示本實施形態(tài)的覆蓋構(gòu)件T8的一實施例的剖面圖。如圖34所示，基板P的側(cè)面Pc對向的覆蓋構(gòu)件T8的內(nèi)面Tc的至少一部分，是相對第I保持部31中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0462]本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T8的內(nèi)面Tc，包含第I內(nèi)面Tcl與配置在第I內(nèi)面Tcl上方、基板P的側(cè)面Pc的至少一部分與的對向、下端與第I內(nèi)面Tcl連結(jié)而上端與覆蓋構(gòu)件T8的上面Ta連結(jié)的第2內(nèi)面Tc2。
[0463]第I內(nèi)面Tcl與第2內(nèi)面Tc2非平行。于覆蓋構(gòu)件T8的上面Ta的法線方向(Z軸方向)，第2內(nèi)面Tc2的尺寸H2較第I內(nèi)面Tcl的尺寸Hl大。本實施形態(tài)中，第2內(nèi)面Tc2是相對第I保持部31中心朝外側(cè)向上方傾斜。本實施形態(tài)中，第I內(nèi)面Tcl與Z軸大致平行。
[0464]又，第I內(nèi)面Tcl的下端與覆蓋構(gòu)件T8的下面Tb連結(jié)。本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T8的上面Ta與下面Tb大致平行。此外，上面Ta與XY平面大致平行。
[0465]本實施形態(tài)中，于Y軸方向(相對第I保持部31中心的放射方向)的第2內(nèi)面Tc2的尺寸E2，較于Z軸方向的第2內(nèi)面Tc2的尺寸H2大。又，第2內(nèi)面Tc2相對XY平面的角度，例如為10度?45度。
[0466]圖35顯示液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T8上往基板P上移動的狀態(tài)的一實施例的圖。液浸空間LS，從圖35中(A)所示的狀態(tài)、經(jīng)圖35中⑶所示狀態(tài)，變化至圖35中(C)所示狀態(tài)。圖35顯示基板載臺2以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T8上往基板P上移動的方式往+Y方向移動的狀態(tài)的一實施例。
[0467]圖35中(A)顯示液浸空間LS的后側(cè)界面LGb位于覆蓋構(gòu)件T8上的狀態(tài)。圖35中(B)顯示后側(cè)界面LGb從覆蓋構(gòu)件T8上往基板P上移動的狀態(tài)。圖35中(C)顯示后側(cè)界面LGb位于基板P上的狀態(tài)。
[0468]由于覆蓋構(gòu)件T8具有包含傾斜的第2內(nèi)面Tc2的內(nèi)面Tc，因此在基板載臺2以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T8上往基板P上移動的方式移動時，液浸空間LS的液體LQ殘留在基板P上的情形即受到抑制。
[0469]例如圖35中㈧所示，后側(cè)界面LGb的下端位于第2內(nèi)面Tc2時，后側(cè)界面LGb與第2內(nèi)面Tc2所成角度接近90度。亦即，覆蓋構(gòu)件T8上形成液體LQ的薄膜的情形受到抑制。本實施形態(tài)中，后側(cè)界面LGb在第2內(nèi)面Tc2上移動時，如后側(cè)界面LGb與第2內(nèi)面Tc2所成角度為接近90度的值所示，換言之，為避免在第2內(nèi)面Tc2上形成液體LQ的薄膜，調(diào)整了第2內(nèi)面Tc2的尺寸H2、尺寸E2、及對XY平面的角度等。
[0470]如圖35中⑶所示，在后側(cè)界面LGb的下端從覆蓋構(gòu)件T8的第2內(nèi)面Tc2移動至基板P的上面Pa之后一刻，后側(cè)界面LGb與上面Pa所成角度接近90度。亦即，在基板P上形成液體LQ的薄膜的情形受到抑制。本實施形態(tài)中，在后側(cè)界面LGb從第2內(nèi)面Tc2上移動至基板P的上面Pa上時，如后側(cè)界面LGb與上面Pa所成角度接近90度的值所示，換言之，為避免上面Pa上形成液體LQ的薄膜，調(diào)整了第2內(nèi)面Tc2的尺寸H2、尺寸E2、及對XY平面的角度等。
[0471]如圖35中(C)所示，在后側(cè)界面LGb的下端位于基板P的上面Pa時，后側(cè)界面LGb與基板P的上面Pa所成角度接近90度。亦即，基板P上形成液體LQ的薄膜的情形受到抑制。
[0472]圖36中顯示了比較例。圖36中，覆蓋構(gòu)件Tj具有內(nèi)面Tc。內(nèi)面Tc與Z軸大致平行。
[0473]圖36中(A)?圖36中(C)顯示基板載臺2以液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件Tj上往基板P上移動的方式往+ Y方向移動的狀態(tài)的一實施例的圖。液浸空間LS從圖36中(A)所示狀態(tài)、經(jīng)圖36中(B)所示狀態(tài)變化為圖36中(C)所示狀態(tài)。
[0474]圖36中⑷顯示液浸空間LS的后側(cè)界面LGb位于覆蓋構(gòu)件Tj上的狀態(tài)。圖36中(B)顯示后側(cè)界面LGb從覆蓋構(gòu)件Tj上往基板P上移動的狀態(tài)。圖36中(C)則顯示后側(cè)界面LGb位于基板P上的狀態(tài)。
[0475]如圖36中(A)所示，后側(cè)界面LGb的下端位于上面Ta的邊緣時，后側(cè)界面LGb與上面Ta所成的角度小。如圖36中(B)所示，后側(cè)界面LGb的下端從覆蓋構(gòu)件Tj的上面Ta移至基板P的上面Pa之后一刻，后側(cè)界面LGb與上面Pa所成的角度亦小。亦即，基板P上形成液體LQ的薄膜的可能性變高。其結(jié)果，如圖36中(C)所示，基板P上殘留液體LQ的可能性變高。
[0476]如以上的說明，根據(jù)本實施形態(tài)，由于內(nèi)面Tc包含傾斜的第2內(nèi)面Tc2，因此在液浸空間LS從覆蓋構(gòu)件T8上移基板P上時，液體LQ薄膜化的情形受到抑制。因此，液體LQ殘留在基板P上等的情況受到抑制。
[0477]此外，例如參照圖25、圖28?圖33等所說明的覆蓋構(gòu)件的凸部，亦可具有參照圖34等所說明的第2內(nèi)面Tc2。亦即，覆蓋構(gòu)件T的凸部可具有從其前端部往離開第I保持部31的方向、且向上方傾斜的上面。
[0478]又，如圖37所示，基板P的側(cè)面Pc對向的覆蓋構(gòu)件T15的內(nèi)面Tc的至少一部分，可相對第I保持部31的中心朝外側(cè)向下方傾斜。圖37中，覆蓋構(gòu)件T15的面Tc，包含第I內(nèi)面Tcl4與配置在第I內(nèi)面Tcl4下方、基板P的側(cè)面Pc的至少一部分與的對向、上端與第I內(nèi)面Tcl4連結(jié)而下端與覆蓋構(gòu)件T15的下面Tb連結(jié)的第2內(nèi)面Tcl5。
[0479]第I內(nèi)面Tcl4與第2內(nèi)面Tcl5非平行。于覆蓋構(gòu)件T15的上面Ta的法線方向(Z軸方向)，第2內(nèi)面Tcl5的尺寸H15較第I內(nèi)面Tcl4的尺寸H14大。圖37所示例中，第2內(nèi)面Tcl5相對第I保持部31的中心朝外側(cè)向下方傾斜。第I內(nèi)面Tcl4與Z軸大致平行。
[0480]又，第I內(nèi)面Tcl4的上端與覆蓋構(gòu)件T15的上面Ta連結(jié)。覆蓋構(gòu)件T15的上面Ta與下面Tb大致平行。此外，上面Ta與XY平面大致平行。
[0481]于Y軸方向(相對第I保持部31中心的放射方向)的第2內(nèi)面Tcl5的尺寸E15，較于Z軸方向的第2內(nèi)面Tcl5的尺寸H15大。又，相對XY平面的第2內(nèi)面Tcl5的角度例如為10度?45度。
[0482]于圖37所示的覆蓋構(gòu)件T15中，液體LQ的殘留等亦受到抑制。
[0483]此外，如圖38所示，亦可于第I內(nèi)面Tcl4設置多個凸部130。通過凸部130，調(diào)整對液體LQ的第I內(nèi)面Tcl4的接觸角。
[0484]又，例如參照圖25、圖28?圖33等所說明的覆蓋構(gòu)件的凸部，可具有參照圖37等所說明的第2內(nèi)面Tcl5。亦即，覆蓋構(gòu)件T的凸部可具有從其前端部往離開第I保持部31的方向、且向下方傾斜的下面。
[0485]又，亦可于參照例如圖25、圖28?圖33等所說明的于覆蓋構(gòu)件的凸部，設置參照圖38等所說明的凸部130。
[0486]〈第15實施形態(tài)〉
[0487]其次，說明第15實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0488]圖39顯示本實施形態(tài)的覆蓋構(gòu)件T16的一實施例的剖面圖。如圖39所示，基板P的側(cè)面Pc對向的覆蓋構(gòu)件T16的內(nèi)面Tc的一部分，是相對第I保持部31的中心往外側(cè)上方傾斜，一部分則往下方傾斜。
[0489]本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T16的內(nèi)面Tc，包含至少一部分對向于基板P的側(cè)面Pc的第I內(nèi)面Tc 16與配置在第I內(nèi)面Tc 16的下方、基板P的側(cè)面Pc的至少一部分對向的第2內(nèi)面Tcl7。
[0490]第I內(nèi)面Tcl6的上端與覆蓋構(gòu)件T16的上面Ta連結(jié)。第I內(nèi)面Tcl6的下端與第2內(nèi)面Tcl7的上端連結(jié)。第2內(nèi)面Tcl7的下端與覆蓋構(gòu)件T16的下面Tb連結(jié)。
[0491]第I內(nèi)面Tcl6與第2內(nèi)面Tcl7非平行。于覆蓋構(gòu)件T16的上面Ta的法線方向(Z軸方向)，第2內(nèi)面Tcl7的尺寸H17較第I內(nèi)面Tcl6的尺寸H16大。本實施形態(tài)中，第I內(nèi)面Tcl6相對第I保持部31的中心朝外側(cè)向上方傾斜。第2內(nèi)面Tcl7相對第I保持部31的中心朝外側(cè)向下方傾斜。
[0492]覆蓋構(gòu)件T16的上面Ta與下面Tb大致平行。又，上面Ta與XY平面大致平行。
[0493]本實施形態(tài)中，于Y軸方向(相對第I保持部31中心的放射方向)的第2內(nèi)面Tcl7的尺寸E17，較于Z軸方向的第2內(nèi)面Tcl7的尺寸H17大。又，相對XY平面的第2內(nèi)面Tcl7的角度，例如為10度?45度。此外，第I內(nèi)面Tcl6與第2內(nèi)面Tcl7所成角度Θ c為銳角。第I內(nèi)面Tcl6與第2內(nèi)面Tcl7形成的角部是尖的。
[0494]本實施形態(tài)，亦能抑制液體LQ的殘留等。
[0495]又，例如參照圖25、圖28?圖33等所說明的覆蓋構(gòu)件的凸部，可具有參照圖39等所說明的第I內(nèi)面Tcie及第2內(nèi)面Tcl7。亦即，覆蓋構(gòu)件T的凸部可具有從其前端部往離開第I保持部31的方向、且向下方傾斜的下面與向上方傾斜的上面。
[0496]〈第16實施形態(tài)〉
[0497]其次，說明第16實施形態(tài)。以下的說明中，與上述實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0498]圖40及圖41顯示本實施形態(tài)的曝光裝置EX2的一實施例的圖。本實施形態(tài)的曝光裝置EX2，具備例如美國專利申請公開第2007/0288121號所揭示的使用基板載臺200G具有的標尺構(gòu)件GT來測量該基板載臺200G的位置的編碼器系統(tǒng)600。標尺構(gòu)件GT具有作為測量基板載臺200G的位置的測量構(gòu)件的功能。圖40顯示編碼器系統(tǒng)600的圖，圖41則顯示基板載臺200G及測量載臺3的圖。
[0499]圖41中，基板載臺200G，具有將基板P的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部31、配置在第I保持部31周圍的至少一部分且可形成液浸空間LS的標尺構(gòu)件GT、以及與標尺構(gòu)件GT鄰接設置且具有可形成液浸空間LS的上面的覆蓋構(gòu)件T9。本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T9配置在被保持于第I保持部31的基板P的周圍。標尺構(gòu)件GT配置在覆蓋構(gòu)件T9的周圍。又，亦可以是標尺構(gòu)件GT配置在被保持于第I保持部31的基板P的周圍，而覆蓋構(gòu)件T9配置在標尺構(gòu)件GT的周圍。標尺構(gòu)件GT具有以編碼器系統(tǒng)600的編碼器讀頭測量的格子。覆蓋構(gòu)件T9不具有格子。
[0500]本實施形態(tài)中，標尺構(gòu)件GT與覆蓋構(gòu)件T9之間形成有間隙Gm。
[0501]此外，如圖41所示，于測量載臺3，測量構(gòu)件C與覆蓋構(gòu)件Q之間形成有間隙Gn。
[0502]覆蓋構(gòu)件T9，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規(guī)定該上面的緣(外緣)的至少一部分的邊緣部Eg9。標尺構(gòu)件GT，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規(guī)定該上面的緣(內(nèi)緣)的至少一部分的邊緣部Egg。覆蓋構(gòu)件T9的上面與標尺構(gòu)件GT的上面是隔著間隙Gm并置。標尺構(gòu)件GT的上面配置在覆蓋構(gòu)件T9的上面周圍。
[0503]通過基板載臺200G的移動，覆蓋構(gòu)件T9及標尺構(gòu)件GT即在終端光學元件12的下方移動。覆蓋構(gòu)件T9以該覆蓋構(gòu)件T9上面的至少一部分與液浸空間LS的液體LQ接觸的方式，在終端光學元件12的下方移動。標尺構(gòu)件GT以該標尺構(gòu)件GT上面的至少一部分與液浸空間LS的液體LQ接觸的方式，在終端光學元件12的下方移動。
[0504]覆蓋構(gòu)件Q，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規(guī)定該上面的緣(內(nèi)緣)的至少一部分的邊緣部Egq。測量構(gòu)件C，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規(guī)定該上面的緣(外緣)的至少一部分的邊緣部Egc。覆蓋構(gòu)件Q的上面與測量構(gòu)件C的上面隔著間隙Gn并置。
[0505]覆蓋構(gòu)件Q的上面配置在測量構(gòu)件C的上面周圍。
[0506]通過測量載臺3的移動，覆蓋構(gòu)件Q及測量構(gòu)件C即在終端光學元件12的下方移動。覆蓋構(gòu)件Q以該覆蓋構(gòu)件Q的上面的至少一部分與液浸空間LS的液體LQ接觸的方式，在終端光學元件12的下方移動。測量構(gòu)件C以該測量構(gòu)件C的上面的至少一部分與液浸空間LS的液體LQ接觸的方式，在終端光學元件12的下方移動。
[0507]圖42顯示標尺構(gòu)件GT與覆蓋構(gòu)件T9間的間隙Gm近旁的側(cè)視剖面圖。間隙Gm，包含標尺構(gòu)件GT的邊緣部Egg與覆蓋構(gòu)件T9的邊緣部Eg9間的間隙。圖42中，基板載臺200G,具有至少一部分配置在標尺構(gòu)件GT與覆蓋構(gòu)件T9間的間隙Gm、具有對液體LQ為撥液性的上面的多孔構(gòu)件80G。回收至多孔構(gòu)件80G的液體LQ，通過吸引口 24G及流路25G被吸引至流體吸引裝置26G。
[0508]此外，亦可于測量載臺3，在測量構(gòu)件C與覆蓋構(gòu)件Q間的間隙Gn，配置具有對液體LQ為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，通過該多孔構(gòu)件來回收流入間隙Gn的液體LQ的至少一部分。又，間隙Gn，包含測量構(gòu)件C的邊緣部Egc與覆蓋構(gòu)件Q的邊緣部Egq間的間隙。
[0509]又，亦可如圖43所示，從配置成與標尺構(gòu)件GT的側(cè)面對向的回收口 700，回收流入間隙Gm的液體LQ的至少一部分。圖43所示例中，是于覆蓋構(gòu)件T9配置回收口 700。此夕卜，亦可從配置成與覆蓋構(gòu)件T9的側(cè)面對向的回收口，回收流入間隙Gm的液體LQ的至少一部分。該回收口可配置于標尺構(gòu)件GT。
[0510]又，于測量載臺3，亦可從配置成與測量構(gòu)件C的側(cè)面對向的回收口，回收流入間隙Gn的液體LQ的至少一部分。該回收口可配置于覆蓋構(gòu)件Q。此外，亦可從配置成與覆蓋構(gòu)件Q的側(cè)面對向的回收口，回收流入間隙Gn的液體LQ的至少一部分。
[0511]該回收口可配置于測量構(gòu)件C。
[0512]又，如圖44所示，與標尺構(gòu)件GT之間形成間隙Gm的覆蓋構(gòu)件T9的側(cè)面(邊緣部Eg9)，可包含位于距標尺構(gòu)件GT中心的第I距離、標尺構(gòu)件GT的側(cè)面可對向的第I區(qū)域Agl與和第I區(qū)域Agl相鄰配置、位于距標尺構(gòu)件GT中心較第I距離長的第2距離的第2區(qū)域Ag2。
[0513]如圖41等所示，本實施形態(tài)中，在XY平面內(nèi)的標尺構(gòu)件GT的邊緣部Egg的外形，為實質(zhì)四方形。邊緣部Egg包含延伸于X軸方向的部分與延伸于Y軸方向的部分。延伸于X軸方向的部分是與X軸平行的直線。延伸于Y軸方向的部分是與Y軸平行的直線。
[0514]又，覆蓋構(gòu)件T9的邊緣部Eg9亦包含延伸于X軸方向的部分與延伸于Y軸方向的部分。
[0515]圖44中，第I區(qū)域Agl與第2區(qū)域Ag2于X軸方向交互配置。亦即，覆蓋構(gòu)件T9，包含多個于沿著標尺構(gòu)件GT的邊緣部Egg的X軸方向交互配置、相對標尺構(gòu)件GT突出的凸部Tma與相對標尺構(gòu)件GT陷入的凹部Tmb。本實施形態(tài)中，第I區(qū)域Agl于XY平面內(nèi)為曲面(曲線)。第2區(qū)域Ag2于XY平面內(nèi)為曲面(曲線)。
[0516]亦即，本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T9的邊緣部Eg9包含沿X軸方向形成的多個凸部Tma。凸部Tma包含第I區(qū)域Agl。凹部Tmb包含第2區(qū)域Ag2。多個凸部Tma包含于X軸方向彼此相鄰的第I凸部Tma及第2凸部Tma。本實施形態(tài)中，覆蓋構(gòu)件T9的上面包含凸部Tma的上面。
[0517]本實施形態(tài)中，多個凸部Tma是沿X軸方向以一定間隔配置。
[0518]于X軸方向彼此相鄰的第I凸部Tma與第2凸部Tma間于X軸方向的距離，和第2凸部Tma與第3凸部Tma間于X軸方向的距離實質(zhì)相等。
[0519]又，圖44雖顯示凸部Tma于X軸方向的配置例，但于Y軸方向亦同。
[0520]此外，與覆蓋構(gòu)件T9之間形成間隙Gm的標尺構(gòu)件GT的側(cè)面，可包含位于距覆蓋構(gòu)件T9中心的第I距離且覆蓋構(gòu)件T9的側(cè)面可對向的第I區(qū)域與和第I區(qū)域相鄰配置且位于較距覆蓋構(gòu)件T9中心的第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。亦即，可于標尺構(gòu)件GT的邊緣部Egg于X軸方向(Y軸方向)配置多個凸部。
[0521]又，于測量載臺3，與測量構(gòu)件C之間形成間隙Gn的覆蓋構(gòu)件Q的側(cè)面，可包含位于距測量構(gòu)件C中心的第I距離且測量構(gòu)件C的側(cè)面可對向的第I區(qū)域與和第I區(qū)域相鄰配置且位于較距測量構(gòu)件C中心的第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。亦即，可于覆蓋構(gòu)件Q的邊緣部Egq配置多個凸部。覆蓋構(gòu)件Q的凸部，可在配置測量構(gòu)件C的覆蓋構(gòu)件Q的開口中心的周方向配置多個配置。
[0522]又，在與覆蓋構(gòu)件Q之間形成間隙Gn的測量構(gòu)件C的側(cè)面，可包含位于距測量構(gòu)件C中心的第I距離且測量構(gòu)件C的側(cè)面可對向的第I區(qū)域與和第I區(qū)域相鄰配置且位于較距測量構(gòu)件C中心的第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。亦即，可于測量構(gòu)件C的邊緣部Egc配置多個凸部。
[0523]測量構(gòu)件C的凸部可于測量構(gòu)件C的中心的周方向配置多個。
[0524]此外，如圖45所示，覆蓋構(gòu)件T9的內(nèi)面可包含第I內(nèi)面Tcgl與配置在第I內(nèi)面Tcgl的上方、標尺構(gòu)件GT側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與第I內(nèi)面Tcgl連結(jié)且上端與覆蓋構(gòu)件T9的上面連結(jié)的第2內(nèi)面Tcg2。第I內(nèi)面Tcgl與前述第2內(nèi)面Tcg2非平行，于覆蓋構(gòu)件T9上面的法線方向，第2內(nèi)面Tcg2的尺寸較第I內(nèi)面Tcgl的尺寸大，至少第2內(nèi)面Tcg2可以是相對標尺構(gòu)件GT的中心朝外側(cè)向上方傾斜。[0525]又，標尺構(gòu)件GT的內(nèi)面，可包含第I內(nèi)面與配置在第I內(nèi)面上方、覆蓋構(gòu)件T9側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與第I內(nèi)面連結(jié)且上端與標尺構(gòu)件GT的上面連結(jié)的第2內(nèi)面。第I內(nèi)面與前述第2內(nèi)面非平行，于標尺構(gòu)件GT上面的法線方向，第2內(nèi)面的尺寸較第I內(nèi)面的尺寸大，至少第2內(nèi)面可相對覆蓋構(gòu)件T9的中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0526]又，于測量載臺3，覆蓋構(gòu)件Q的內(nèi)面，可包含第I內(nèi)面與配置在第I內(nèi)面上方、測量構(gòu)件C側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與第I內(nèi)面連結(jié)且上端與覆蓋構(gòu)件Q的上面連結(jié)的第2內(nèi)面。第I內(nèi)面與前述第2內(nèi)面非平行，于覆蓋構(gòu)件Q上面的法線方向，第2內(nèi)面的尺寸較第I內(nèi)面的尺寸大，至少第2內(nèi)面可相對測量構(gòu)件C的中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0527]又，測量構(gòu)件C的內(nèi)面，可包含第I內(nèi)面與配置在第I內(nèi)面上方、覆蓋構(gòu)件Q側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與第I內(nèi)面連結(jié)且上端與測量構(gòu)件C的上面連結(jié)的第2內(nèi)面。第I內(nèi)面與前述第2內(nèi)面非平行，于測量構(gòu)件C上面的法線方向，第2內(nèi)面的尺寸較第I內(nèi)面的尺寸大，至少第2內(nèi)面可相對覆蓋構(gòu)件Q的中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0528]又，上述覆蓋構(gòu)件的所有形狀(構(gòu)造)，皆可適用于標尺構(gòu)件GT、測量構(gòu)件C及覆蓋構(gòu)件Q等。
[0529]又，參照例如圖44等所說明的覆蓋構(gòu)件T9的凸部，可具有參照圖45等所說明的第I內(nèi)面Tcgl及第2內(nèi)面Tcg2。亦即，覆蓋構(gòu)件T9的凸部可具有從其前端部往離開第I保持部31的方向、且向上方傾斜的上面。
[0530]又，覆蓋構(gòu)件T9的凸部可具有從其前端部往離開第I保持部31的方向、且向下方傾斜的下面。
[0531]又，標尺構(gòu)件GT的凸部可具有從其前端部往離開第I保持部31的方向、且向上方傾斜的上面。
[0532]又，標尺構(gòu)件GT的凸部可具有從其前端部往離開第I保持部31的方向、且向下方傾斜的下面。
[0533]又，亦可設置多個可回收流入標尺構(gòu)件GT與覆蓋構(gòu)件T9間的間隙Gm的液體LQ的至少一部分的回收口。例如，可以圍繞第I保持部31的方式設置多個回收口?？稍诮K端光學元件12的射出面13側(cè)形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，標尺構(gòu)件GT及覆蓋構(gòu)件T9移動時，根據(jù)相對液浸空間LS(終端光學兀件12、液浸構(gòu)件7)的間隙Gm的位置、及相對液浸空間LS (終端光學兀件12、液浸構(gòu)件7)的間隙Gm的移動條件的一方或雙方,從多個回收口中的部分回收口進行液體LQ的回收。
[0534]又，亦可于測量載臺3，設置多個能回收流入測量構(gòu)件C與覆蓋構(gòu)件Q間的間隙Gn的液體LQ的至少一部分的回收口。例如，可以圍繞保持測量構(gòu)件C的保持部的方式設置多個回收口。可在終端光學元件12的射出面13側(cè)形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，移動測量構(gòu)件C及覆蓋構(gòu)件Q時，根據(jù)相對液浸空間LS (終端光學元件12、液浸構(gòu)件7)的間隙Gn的位置、及相對液浸空間LS(終端光學兀件12、液浸構(gòu)件7)的間隙Gn的移動條件的一方或雙方，從多個回收口中的部分回收口進行液體LQ的回收。
[0535]又，亦可于基板載臺，在第I保持部31周圍的至少一部分配置曝光用光EL照射的測量構(gòu)件C。此外，亦可和該測量構(gòu)件C相鄰接的方式配置覆蓋構(gòu)件(T等)。例如，可在基板載臺具有的覆蓋構(gòu)件(T等)設置用以配置測量構(gòu)件C的開口。再者，亦可于該基板載臺設置至少一部分配置在測量構(gòu)件C與覆蓋構(gòu)件間的間隙、具有對液體LQ為撥液性的上面的多孔構(gòu)件?？赏ㄟ^該多孔構(gòu)件回收流入間隙的液體LQ的至少一部分。
[0536]又，在基板載臺設置測量構(gòu)件C的場合，可以圍繞保持該測量構(gòu)件C的保持部的方式設置多個可回收流入測量構(gòu)件C與覆蓋構(gòu)件間的間隙的液體LQ的至少一部分的回收口?？稍诮K端光學元件12的射出面13側(cè)形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，移動測量構(gòu)件C及覆蓋構(gòu)件的場合，根據(jù)相對液浸空間LS的測量構(gòu)件C與覆蓋構(gòu)件間的間隙的位置、及相對液浸空間LS的測量構(gòu)件C與覆蓋構(gòu)件間的間隙的移動條件的一方或雙方，從多個回收口中的部分回收口進行液體LQ的回收。
[0537]此外，在基板載臺設置測量構(gòu)件C的場合，可從與該測量構(gòu)件C的側(cè)面對向配置的回收口，回收流入測量構(gòu)件C覆蓋構(gòu)件間的間隙的液體LQ的至少一部分。該回收口，例如可設置于覆蓋構(gòu)件。
[0538]又，在基板載臺設置測量構(gòu)件C的場合，與該測量構(gòu)件C之間形成間隙的覆蓋構(gòu)件的側(cè)面，可包含位于距測量構(gòu)件C中心的第I距離、測量構(gòu)件C的側(cè)面可對向的第I區(qū)域與和第I區(qū)域相鄰配置、位于較距測量構(gòu)件C中心的第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。亦即，可于該覆蓋構(gòu)件的邊緣部設置多個凸部。此外，亦可于測量構(gòu)件的邊緣部設置多個凸部。
[0539]又，在基板載臺設置測量構(gòu)件C的場合，與該測量構(gòu)件C鄰接設置的覆蓋構(gòu)件的內(nèi)面，可包含第I內(nèi)面與配置在第I內(nèi)面上方、測量構(gòu)件C側(cè)面的至少一部分可與的對向、下端與第I內(nèi)面連結(jié)且上端與覆蓋構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面。又，第I內(nèi)面與第2內(nèi)面非平行，于覆蓋構(gòu)件上面的法線方向，第2內(nèi)面的尺寸較第I內(nèi)面的尺寸大，至少第2內(nèi)面可相對測量構(gòu)件的中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0540]又，上述覆蓋構(gòu)件等的所有形狀(構(gòu)造)，可適用于在曝光裝置EX(EX2)內(nèi)彼此相鄰的構(gòu)件BI及構(gòu)件B2中的至少一方。亦即，在曝光裝置EX(EX2)具備能在終端光學元件12下方移動、分別具有可形成液浸空間LS的上面的2個構(gòu)件B1、B2的情形時，在與一構(gòu)件BI的側(cè)面之間形成間隙的另一構(gòu)件B2的側(cè)面，可包含位于距構(gòu)件BI側(cè)面的第I距離、構(gòu)件BI的側(cè)面可與的對向的第I區(qū)域與和第I區(qū)域相鄰配置、位于較距構(gòu)件BI側(cè)面的第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0541]構(gòu)件BI的上面與構(gòu)件B2的上面是通過間隙并置。亦即，可于隔著間隙配置的構(gòu)件BI的邊緣部及構(gòu)件B2的邊緣部的至少一方，沿既定方向設置多個凸部。又，該凸部可具有傾斜的下面。
[0542]如上所述，在一方的構(gòu)件BI是標尺構(gòu)件GT時，另一方的構(gòu)件B2可以是覆蓋構(gòu)件T9。在一方的構(gòu)件BI是覆蓋構(gòu)件T9時，另一方的構(gòu)件B2可以是標尺構(gòu)件GT。在一方的構(gòu)件BI是覆蓋構(gòu)件Q時，另一方的構(gòu)件B2可以是測量構(gòu)件C。而在一方的構(gòu)件BI是測量構(gòu)件C時，另一方的構(gòu)件B2可以是覆蓋構(gòu)件Q。
[0543]又，基板P雖非曝光裝置EX的一部分，但若一方的構(gòu)件是基板P時，另一方的構(gòu)件B2可以是覆蓋構(gòu)件(T等)、亦可以是標尺構(gòu)件GT。
[0544]又，本實施形態(tài)的曝光裝置EX (EX2)，可如美國專利申請公開第2006/0023186號及美國專利申請公開第2007/0127006號等的揭示，為了在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板載臺及測量載臺中的至少一方之間持續(xù)形成液體LQ的液浸空間LS，而在使基板載臺的上面與測量載臺的上面接近或接觸的狀態(tài)下，一邊使終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板載臺及測量載臺中的至少一方對向、一邊相對終端光學兀件12及液浸構(gòu)件7使基板載臺及測量載臺在XY平面內(nèi)移動。亦即，曝光裝置EX (EX2)，可在使基板載臺與測量載臺接近或接觸的狀態(tài)下使該等基板載臺與測量載臺在XY平面內(nèi)移動，以使液浸空間LS從形成在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與基板載臺之間的狀態(tài)、與形成在終端光學元件12及液浸構(gòu)件7與測量載臺之間的狀態(tài)中的一方變化至另一方。此場合，一方的構(gòu)件BI是基板載臺時，另一方的構(gòu)件B2可以是測量載臺。一方的構(gòu)件BI是測量載臺時，另一他的構(gòu)件B2可以是基板載臺。此外，基板載臺包含被保持于該基板載臺的覆蓋構(gòu)件(T等)及標尺構(gòu)件(GT等)中的至少一方。測量載臺包含被保持于該測量載臺的覆蓋構(gòu)件(Q等)及測量構(gòu)件(C等)中的至少一方。
[0545]又，例如美國專利第6341007號、美國專利第6208407號及美國專利第6262796號等所揭示的具備第1、第2基板載臺的雙載臺型曝光裝置的場合，一方的構(gòu)件BI是第I基板載臺時，另一方的構(gòu)件B2可以是第2基板載臺。
[0546]亦即，上述一方的構(gòu)件BI的形狀可以是圖25、圖28?圖34、圖37?圖39、圖44、圖45等所示的形狀。另一方的構(gòu)件B2的形狀可以是圖25、圖28?圖34、圖37?圖39、圖44、圖45等所示的形狀。構(gòu)件BI及與構(gòu)件BI對向的構(gòu)件B2的雙方，可以是圖25、圖28?圖34、圖37?圖39、圖44、圖45等所示的形狀。
[0547]又，構(gòu)件BI可以是圖46所示的形狀、亦可以是圖47所示的形狀。構(gòu)件BI可在終端光學元件12的下方移動，具有可形成液浸空間LS的上面。構(gòu)件BI的側(cè)面與構(gòu)件B2的側(cè)面之間形成間隙。構(gòu)件B2可在終端光學元件12的下方以和構(gòu)件BI鄰接的狀態(tài)移動，具有可形成液浸空間LS的上面。構(gòu)件BI及構(gòu)件B2在與終端光學元件12的光軸(Z軸)垂直的面內(nèi)(XY平面內(nèi))移動。
[0548]構(gòu)件BI的側(cè)面，包含位于距構(gòu)件B2側(cè)面的第I距離D1、構(gòu)件B2的側(cè)面可對向的第I區(qū)域Al與和第I區(qū)域Al相鄰配置、位于較距構(gòu)件B2側(cè)面的第I距離Dl長的第2距離D2的第2區(qū)域A2。第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2在XY平面內(nèi)彼此相鄰。第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2在XY平面內(nèi)交互配置。
[0549]在XY平面內(nèi)的第I區(qū)域Al的尺寸Wl，較第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2間的距離Da小。又，第2區(qū)域A2的尺寸W2較距離Da小。
[0550]彼此相鄰的第I區(qū)域Al的距離(間距)Rl較距離Da小。彼此相鄰的第2區(qū)域A2的距離(間距)R2亦較距離Da小。
[0551 ] 此外，構(gòu)件B2可具有第1、第2區(qū)域Al、A2，或者構(gòu)件BI及構(gòu)件B2的雙方可具有第1、第2區(qū)域A1、A2。
[0552]據(jù)此，例如即使是構(gòu)件BI及構(gòu)件B2相對終端光學元件12及液浸構(gòu)件7在XY平面內(nèi)移動，以使液浸空間LS從構(gòu)件BI上移動至構(gòu)件B2上時，構(gòu)件B1、B2上液體LQ殘留情形亦會受到抑制。又，即使構(gòu)件BI及構(gòu)件B2相對終端光學元件12及液浸構(gòu)件7在XY平面內(nèi)移動，以使液浸空間LS從構(gòu)件B2上移動至構(gòu)件BI上時，構(gòu)件B1、B2上液體LQ殘留的情形亦會受到抑制。
[0553]接著，說明清潔上述多孔構(gòu)件80的清潔程序。針對上述各實施形態(tài)中的多孔構(gòu)件(例如多孔構(gòu)件800D等)皆可適用以下清潔程序事，自無需贅言。此外，在清潔被保持于基板載臺的覆蓋構(gòu)件(T等)及標尺構(gòu)件(GT等)、被保持于測量載臺的覆蓋構(gòu)件(Q等)及測量構(gòu)件(C等)等時，亦可使用此清潔程序。
[0554]本實施形態(tài)的清潔程序，可在例如因曝光而使得形成于基板P的圖案中缺陷增加的情形、或在曝光后的基板P上面的周緣部殘留液體增加的情形時等，視需要實施。
[0555]本實施形態(tài)的清潔程序,包含供應清潔(cleaning)用液體LC的處理、與在使用液體LC進行清潔后供應清洗(rinse)用液體的處理。又，亦可適當追加供應清潔用液體LC的處理與供應清洗用液體的處理以外的處理。此外,亦可省略供應清洗用液體的處理。
[0556]作為清潔用液體LC，可使用堿性液體。例如液體LC可包含氫氧化四甲銨(TMAH:tetramethyl ammonium hydroxide)。例如液體LC可使用氫氧化四甲銨(TMAH:tetramethylammonium hydroxide) 7jC溶液°
[0557]又，作為液體LC，可使用酸性液體。例如液體LC可包含過氧化氫。例如液體LC可使用過氧化氫水溶液(過氧化氫水)。
[0558]此外，作為液體LC，可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等的無機堿溶液、氫氧化三甲(2-羥乙酯)銨等的有機堿溶液。又，亦可使用氨水作為液體LC。又，液體LC亦可包含緩沖氫氟酸溶液。此外，液體LC可以是包含氫氟酸及過氧化氫的溶液。緩沖氫氟酸溶液為氫氟酸與氟化銨的混合物。又，亦可使用包含臭氧的臭氧液體作為液體LC。再者,亦可使用包含過氧化氫與臭氧的溶液作為液體LC。又，作為清潔用液體,亦可使用上述曝光用液體LQ。
[0559]清洗用液體，可使用與上述曝光用液體LQ相同的液體。作為清洗用液體，本實施形態(tài)使用例如水(純水)。
[0560]實施本實施形態(tài)的清潔程序時，可于第I保持部31保持虛擬基板DP。虛擬基板DP是較用制造元件的基板P更不易釋出異物的基板。虛擬基板DP，可使用例如半導體晶片。例如，可使用未形成感光膜而形成有對液體LC(LQ)為撥液性的膜的半導體晶片。此外，作為虛擬基板DP，亦可使用例如金屬制的基板。
[0561]于上述清潔程序中，為在液浸構(gòu)件7與多孔構(gòu)件(例如多孔構(gòu)件80)之間形成清潔用液體LC的液浸空間，而對液浸構(gòu)件7的下面14面向的空間供應液體LC。控制裝置8控制實施既定時間的液體LC的供應。既定時間，例如可充分清潔洗凈對象的多孔構(gòu)件80的液體LC的供應時間。本實施形態(tài)中，在對下面14面向的空間供應液體LC時，于第I保持部31保持虛擬基板DP、于第2保持部32保持覆蓋構(gòu)件T。在虛擬基板DP與覆蓋構(gòu)件T間的間隙配置多孔構(gòu)件80的至少一部分的狀態(tài)下，對下面14面向的空間供應液體LC。
[0562]此時，可通過多孔構(gòu)件80回收從液浸構(gòu)件7供應的液體LC的至少一部分。例如，控制裝置8可控制流體吸引裝置26從多孔構(gòu)件80的孔回收液體LC。據(jù)此，多孔構(gòu)件80的孔的內(nèi)面(多孔構(gòu)件80的內(nèi)部)即被液體LC清潔。
[0563]控制裝置8，在開始液體LC的供應后經(jīng)既定時間，即停止液體LC的供應。據(jù)此，使用液體LC的清潔即結(jié)束。停止液體LC的供應后，控制裝置8持續(xù)進行既定時間的使用多孔構(gòu)件80的回收，以回收存在于上述間隙等的液體LC。
[0564]液體LC被回收后，控制裝置8供應清洗用液體。本實施形態(tài)，是從液浸構(gòu)件7供應清洗用液體LQ。例如，可從液浸構(gòu)件7的供應口 15供應液體LQ、亦可從回收口 16供應液體LQ，或從與供應口 15及回收口 16不同的其他設于液浸構(gòu)件7的開口供應液體LQ。從液浸構(gòu)件7供應清洗用液體LQ時，于第I保持部31保持虛擬基板DP。
[0565]又，上述清潔程序的清潔對象，不限于上述。亦即，對從基板P與覆蓋構(gòu)件T間的間隙流入該間隙下方空間的液體LQ有可能接觸的構(gòu)件，皆可適用本實施形態(tài)的清潔程序。
[0566]又，如上所述，控制裝置8包含含CPU等的電腦系統(tǒng)。
[0567]又，控制裝置8包含可實施電腦系統(tǒng)與外部裝置間的通信的接口。存儲裝置SR，例如包含RAM等的存儲器、硬盤、CD - ROM等的記錄媒體。于存儲裝置8R安裝有用以控制電腦系統(tǒng)的作業(yè)系統(tǒng)(OS)，內(nèi)儲存有用以控制曝光裝置EX的程序。
[0568]又，亦可于控制裝置8連接可輸入輸入信號的輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、鼠標等的輸入機器、或可輸入來自外部裝置的數(shù)據(jù)的通信裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等的顯示裝置。
[0569]包含記錄在存儲裝置SR的程序的各種信息，可由控制裝置8 (電腦系統(tǒng))加以讀取。于存儲裝置8R中，儲存有使控制裝置8實施通過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光的曝光裝置EX的控制的程序。
[0570]存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口且在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)下，使該基板曝光的動作；以及通過至少一部分配置在該基板與該第I構(gòu)件間的間隙、具有對液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0571]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎幸后w的液浸空間的狀態(tài)下，一邊移動將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板、及用以規(guī)定可配置該基板的開口且在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件，一邊使該基板曝光的動作:以及根據(jù)相對于該液浸空間的該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對于該液浸空間的該間隙的移動條件中的一方或雙方，從配置在該基板及該第I保持部中至少一方周圍的多個回收口中的部分回收口，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0572]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及從配置成與該基板側(cè)面對向的回收口，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0573]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的開口，包含位于距該第I保持部中心的第I距離、被保持于該第I保持部的該基板的側(cè)面可對向的第I區(qū)域，以及和該第I區(qū)域相鄰配置、位于距該第I保持部中心的較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。[0574]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面上方、該基板側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與該第I內(nèi)面連結(jié)且上端與該第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面是相對該第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0575]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及具有上面與用以規(guī)定該上面外緣的一部分的邊緣部的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的該邊緣部，是以該第I保持部所保持的該基板的邊緣部沿此的方式延伸于既定方向；于該第I構(gòu)件的該邊緣部，沿該既定方向形成有多個凸部。
[0576]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、以及用以規(guī)定可配置該基板的開口、在該基板被保持于該第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在該基板上面周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含該基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面下方、對該第I保持部較該第I內(nèi)面遠離的第2內(nèi)面；通過至少一部分與該第2內(nèi)面對向的方式配置的多孔構(gòu)件，回收流入該基板與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分。
[0577]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，形成有該液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及通過至少一部分配置在該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙、具有對該液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0578]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎性撘航臻g的狀態(tài)下，一邊移動將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板、配置在該第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、及與該測量構(gòu)件鄰接設置的第I構(gòu)件，一邊使該基板曝光的動作；以及根據(jù)相對于該液浸空間的該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對該液浸空間的該間隙的移動條件的一方或雙方，從配置在該間隙的多個回收口中的部分回收口，回收流入該間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0579]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；以及從與該測量構(gòu)件的側(cè)面對向配置的回收口，回收流入該測量構(gòu)件與該第I構(gòu)件間的間隙的該液體的至少一部分的動作。
[0580]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；與該測量構(gòu)件之間形成間隙的該第I構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距該測量構(gòu)件中心的第I距離、可與該測量構(gòu)件的側(cè)面對向的第I區(qū)域與和該第I區(qū)域相鄰配置、位于距該測量構(gòu)件中心較該第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
[0581]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:在具有該曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將該基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的該基板的上面、配置在該第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與該測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使該基板曝光的動作；該第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在該第I內(nèi)面上方、該測量構(gòu)件側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與該第I內(nèi)面連結(jié)且上端與該第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；該第I內(nèi)面與該第2內(nèi)面非平行，于該第I構(gòu)件上面的法線方向，該第2內(nèi)面的尺寸較該第I內(nèi)面的尺寸大；至少該第2內(nèi)面是相對該測量構(gòu)件中心朝外側(cè)向上方傾斜。
[0582]又，存儲裝置SR中記錄的程序，可依上述實施形態(tài)，使控制裝置8實施:使具有第I上面與用以規(guī)定該第I上面的部分外緣的第I邊緣部的第I構(gòu)件，以該第I上面的至少一部分與該液浸空間接觸的方式在該光學構(gòu)件下方移動的動作；以及使具有第2上面與用以規(guī)定該第2上面的部分外緣的第2邊緣部的第2構(gòu)件，在該光學構(gòu)件下方移動的動作；該第I邊緣部及該第2邊緣部延伸于既定方向；于該第I邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；于該第I邊緣部沿該既定方向形成有多個凸部。
[0583]通過將存儲裝置SR中儲存的程序讀取至控制裝置8，基板載臺2、液浸構(gòu)件7、驅(qū)動系統(tǒng)5及流體吸引裝置26等曝光裝置EX的各種裝置即協(xié)同動作，在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，實施基板P的液浸曝光等的各種處理。
[0584]又，上述各實施形態(tài)中，雖然投影光學系PL的終端光學元件12的射出側(cè)(像面?zhèn)?的光路K是被液體LQ充滿，但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號所揭示的終端光學元件12的入射側(cè)(物體面?zhèn)?光路亦被液體LQ充滿的投影光學系。
[0585]又，上述各實施形態(tài)中，曝光用的液體LQ雖使用水，但亦可以是水以外的液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P的表面的感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin (登錄商標)oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。
[0586]又，上述各實施形態(tài)的基板P，不僅僅是半導體元件制造用的半導體晶片，亦可適用顯示元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或曝光裝置所使用的掩膜或標線片的原版(合成石英、硅晶片)等。[0587]又，作為曝光裝置EX，除了使掩膜M與基板P同步移動來對掩膜M的圖案進行掃描曝光的步進掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進機)之外，亦可以適用例如使掩膜M與基板P在靜止的狀態(tài)下，使掩膜M的圖案一次曝光，并使基板P依序步進移動的的步進重復方式的投影曝光裝置(步進機)。
[0588]再者，于步進重復方式的曝光中，亦可在使第I圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)，使用投影光學系PL將第I圖案的縮小像轉(zhuǎn)印至基板P上后，在第2圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)，使用投影光學系PL將第2圖案的縮小像與第I圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式的一次曝光裝置)。又，接合方式的曝光裝置，亦可以是于基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉(zhuǎn)印，并使基板P依序移動的步進接合(step & stitch)方式的曝光裝置。
[0589]又，本發(fā)明亦能適用于例如美國專利第6611316號所揭示的將2個掩膜的圖案通過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上的I個照射區(qū)域大致同時雙重曝光的曝光裝置。此外，本發(fā)明亦能適用于近接方式的曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。
[0590]又，本發(fā)函亦可適用于例如美國專利第6341007號、美國專利第6208407號、及美國專利第6262796號等所揭的具備多個基板載臺的雙載臺型的曝光裝置。例如，如圖48所示，曝光裝置EX可具備2個基板載臺2001、2002。此時，可與射出面13對向配置的物體，包含一方的基板載臺、保持于該一方的基板載臺的基板、另一方的基板載臺、以及被保持于該另一方的基板載臺的基板中的至少一者。
[0591 ] 此外，亦能適用于具備多個基板載臺與測量載臺的曝光裝置。
[0592]曝光裝置EX的種類不限于將半導體元件圖案曝光至基板P的半導體元件制造用的曝光裝置，亦可廣泛適用于液晶顯示元件制造用或顯示器制造用的曝光裝置、或用以制造薄膜磁頭、攝影元件(CXD)、微機器、MEMS、DNA晶片、標線片或掩膜等的曝光裝置。
[0593]又，上述實施形態(tài)中，雖使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)的光透射型掩膜，但亦可取代此掩膜，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據(jù)待曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案或反射圖案、或形成發(fā)光圖案的可變成形掩膜(電子掩膜、主動掩膜或影像產(chǎn)生器)。又，亦可取代具有非發(fā)光型影像顯示元件的可變成形掩膜，而裝備包含自發(fā)光型影像顯示元件的圖案形成裝置。
[0594]上述各實施形態(tài)中，雖是以具備投影光學系PL的曝光裝置為例作了說明，但本發(fā)明亦可適用于不使用投影光學系PL的曝光裝置及曝光方法。例如，可在透鏡等光學構(gòu)件與基板之間形成液浸空間，通過該光學構(gòu)件對基板照射曝光用光。
[0595]又，本發(fā)明亦可適用于例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示的通過在基板P上形成干涉條紋，據(jù)以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。
[0596]上述實施形態(tài)的曝光裝置EX，是通過組裝各種次系統(tǒng)(含各構(gòu)成要素)，以能保持既定的機械精度、電氣精度、光學精度的方式所制造。為確保此等各種精度，于組裝前后，進行對各種光學系統(tǒng)進行用以達成光學精度的調(diào)整、對各種機械系統(tǒng)進行用以達成機械精度的調(diào)整、對各種電氣系統(tǒng)進行用以達成電氣精度的調(diào)整。從各種次系統(tǒng)至曝光裝置EX的組裝工藝，包含機械連接、電路的配線連接、氣壓回路的配管連接等。當然，從各種次系統(tǒng)至曝光裝置EX的組裝步驟前，有各次系統(tǒng)個別的組裝步驟。在各種次系統(tǒng)組裝至曝光裝置EX的步驟結(jié)束后，即進行綜合調(diào)整，以確保曝光裝置EX整體的各種精度。此外，曝光裝置EX的制造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理的無塵室進行。
[0597]半導體元件等的微元件，如圖49所示，是經(jīng)進行微元件的功能、性能設計的步驟201，根據(jù)此設計步驟制作掩膜M (標線片)的步驟202，制造元件基材的基板的步驟203，包含依據(jù)上述實施形態(tài)進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M的圖案以曝光用光EL使基板曝光的動作、以及使曝光后基板顯影的動作)的基板處理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結(jié)合步驟、封裝步驟等的加工工藝)205，以及檢查步驟206等而制造。
[0598]又，上述各實施形態(tài)的要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構(gòu)成要素的情形。此外，在法令許可范圍內(nèi)，援用上述各實施形態(tài)及變形例所引用的關(guān)于曝光裝置等的所有公開公報及美國專利的揭示作為本文記載的一部分。
【權(quán)利要求】
1.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面； 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第I保持部保持的狀態(tài)下配置在所述基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；以及 多孔構(gòu)件，至少一部分配置在所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙、具有對所述液體為撥液性的上面； 通過所述多孔構(gòu)件回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件的上面與所述基板的上面及所述第I構(gòu)件的上面大致成一面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件具有所述基板的側(cè)面可對向的第I側(cè)面，從所述第I側(cè)面的孔回收所述液體。
4.如權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件具有所述第I構(gòu)件的內(nèi)面可對向的第2側(cè)面； 所述基板的側(cè)面與所述第I側(cè)面間的距離，較所述第I構(gòu)件的內(nèi)面與所述第2側(cè)面間的距離大。
5.如權(quán)利要求3或4所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件的上面對所述液體的接觸角，較所述第I側(cè)面的接觸角大。
6.如權(quán)利要求3至5中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述基板的上面對所述液體的接觸角、及所述第I構(gòu)件的上面的接觸角，較所述第I側(cè)面的接觸角大。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件的至少一部分配置在連通至所述間隙的所述基板保持裝置的空間部。
8.如權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于，具備配置在所述空間部、吸引所述空間部的流體的至少一部分以使所述空間部成為負壓的吸引口 ； 通過所述多孔構(gòu)件回收的所述液體的至少一部分，從所述吸引口吸引。
9.如權(quán)利要求7或8所述的曝光裝置，其特征在于，于相對所述第I保持部中心的放射方向，所述間隙的尺寸較所述空間部的尺寸小。
10.如權(quán)利要求7至9中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件包含配置在所述間隙的第I部分、與配置在所述空間部的第2部分； 于相對所述第I保持部中心的放射方向，所述第2部分的尺寸較所述第I部分的尺寸大。
11.如權(quán)利要求7至10中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，以所述多孔構(gòu)件將所述空間部的所述液體與氣體分離回收。
12.如權(quán)利要求11所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件具有連接于第I吸引裝置、主要供氣體流通而液體流通受到限制的流路。
13.如權(quán)利要求1至12中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，具備調(diào)整所述多孔構(gòu)件的溫度的溫度調(diào)整裝置。
14.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件配置在所述基板周圍的至少一部分；在所述液體的液浸空間形成在所述光學構(gòu)件與所述基板及所述第I構(gòu)件中至少一方之間的狀態(tài)下，移動所述基板及所述第I構(gòu)件； 根據(jù)相對所述液浸空間的所述間隙的位置、及相對所述液浸空間的所述間隙的移動條件的一方或雙方，進行從所述多孔構(gòu)件的一部分的所述液體的回收。
15.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面； 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第I保持部保持的狀態(tài)下配置在所述基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；以及 回收口，在所述基板及所述第I保持部的至少一方的周圍配置有多個，可回收流入所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分； 在所述液體的液浸空間形成在所述光學構(gòu)件的射出面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下，移動所述基板及所述第I構(gòu)件； 根據(jù)相對所述液浸空間的所述間隙的位置、及相對所述液浸空間的所述間隙的移動條件的一方或雙方，進行從所述多個回收口中的部分回收口回收所述液體。
16.如權(quán)利要求15所述的曝光裝置，其特征在于，所述回收口配置在連通至所述間隙的所述基板保持裝置的空間部。
17.如權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于，具備配置在所述空間部的第2構(gòu)件； 所述回收口配置于所述第2構(gòu)件。
18.如權(quán)利要求17所述的曝光裝置，其特征在于，具備調(diào)整所述第2構(gòu)件的溫度的溫度調(diào)整裝置。
19.如權(quán)利要求15至18中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述回收口配置成與所述基板的側(cè)面對向。
20.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面； 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第I保持部保持的狀態(tài)下配置在所述基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件；以及 回收口，配置成與所述基板的側(cè)面對向，回收流入所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分。
21.如權(quán)利要求19或20所述的曝光裝置，其特征在于，所述回收口配置于所述第I構(gòu)件。
22.如權(quán)利要求1至21中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件的開口，包含位于距所述第I保持部中心的第I距離、被保持于所述第I保持部的所述基板的側(cè)面可對向的第I區(qū)域，以及和所述第I區(qū)域相鄰配置、位于距所述第I保持部中心的較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
23.—種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面；以及 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第I保持部保持的狀態(tài)下配置在所述基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件； 所述第I構(gòu)件的開口，包含位于距所述第I保持部中心的第I距離、被保持于所述第I保持部的所述基板的側(cè)面可對向的第I區(qū)域，以及和所述第I區(qū)域相鄰配置、位于距所述第I保持部中心的較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
24.如權(quán)利要求22或23所述的曝光裝置，其特征在于，所述第2區(qū)域于所述第I保持部的周方向與所述第I區(qū)域相鄰配置。
25.如權(quán)利要求24所述的曝光裝置，其特征在于，于所述第I保持部周方向的所述第I區(qū)域的尺寸，較于相對所述第I保持部中心的放射方向的所述第I區(qū)域與所述第2區(qū)域間的距離小。
26.如權(quán)利要求24或25所述的曝光裝置，其特征在于，于所述第I保持部周方向的所述第2區(qū)域的尺寸，較于相對所述第I保持部中心的放射方向的所述第I區(qū)域與所述第2區(qū)域間的距離小。
27.如權(quán)利要求22至26中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I區(qū)域與所述第2區(qū)域，于所述第I保持部的周方向交互配置。
28.如權(quán)利要求27所述的曝光裝置，其特征在于，于所述第I保持部周方向相鄰的所述第I區(qū)域的距離，較于相對所述第I保持部中心的放射方向的所述第I區(qū)域與所述第2區(qū)域間的距離小。
29.如權(quán)利要求1至28中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述基板側(cè)面的至少一部分對向的所述第I構(gòu)件內(nèi)面的至少一部分，相對所述第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
30.如權(quán)利要求29所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面以及配置在所述第I內(nèi)面上方、所述基板側(cè)面的至少一部分對向且下端與所述第I內(nèi)面連結(jié)而上端與所述第I構(gòu)件上面連結(jié)的第2內(nèi)面； 所述第I內(nèi)面與所述第2內(nèi)面非平行，于所述第I構(gòu)件上面的法線方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述第I內(nèi)面的尺寸大； 至少所述第2內(nèi)面相對所述第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
31.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面；以及 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第I保持部保持的狀態(tài)下配置在所述基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件； 所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面以及配置在所述第I內(nèi)面上方、所述基板側(cè)面的至少一部分對向且下端與所述第I內(nèi)面連結(jié)而上端與所述第I構(gòu)件上面連結(jié)的第2內(nèi)面； 所述第I內(nèi)面與所述第2內(nèi)面非平行，于所述第I構(gòu)件上面的法線方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述第I內(nèi)面的尺寸大； 至少所述第2內(nèi)面相對所述第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
32.如權(quán)利要求30或31所述的曝光裝置，其特征在于，于相對所述第I保持部中心的放射方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的尺寸大。
33.如權(quán)利要求30至32中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I內(nèi)面的下端與所述第I構(gòu)件的下面連結(jié)。
34.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光照射基板的上面，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面；以及 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及具有上面及用以規(guī)定所述上面外緣的一部分外緣的一部邊緣部的第I構(gòu)件； 所述第I構(gòu)件的所述邊緣部，以被保持于所述第I保持部的所述基板的邊緣部沿此方式延伸于既定方向； 于所述第I構(gòu)件外緣的一部所述邊緣部，沿所述既定方向形成有多個凸部。
35.如權(quán)利要求34所述的曝光裝置，其特征在于，所述多個凸部包含于所述既定方向相鄰的第I凸部及第2凸部。
36.如權(quán)利要求34或35所述的曝光裝置，其特征在于，所述多個凸部沿所述既定方向以一定間隔配置。
37.如權(quán)利要求34至36中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，在所述基板的所述邊緣部與所述第I構(gòu)件的所述邊緣部之間，沿所述既定方向形成有間隙。
38.如權(quán)利要求34至37中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件的所述邊緣部配置在所述第I保持部的周圍。
39.如權(quán)利要求38所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件具有可配置所述基板的開口 ； 所述開口以所述邊緣部加以規(guī)定。
40.如權(quán)利要求38或39所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件的所述上面配置在被保持于所述第I保持部的所述基板的上面周圍。
41.如權(quán)利要求34至40中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件的所述上面包含所述凸部的上面。
42.如權(quán)利要求34至41中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述凸部具有從其前端部往相對所述第I保持部分離的方向、且向下方傾斜的下面。
43.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面；以及 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第I保持部保持的狀態(tài)下配置在所述基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件； 所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含所述基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面，以及配置在所述第I內(nèi)面下方、相對所述第I保持部較所述第I內(nèi)面更分離的第2內(nèi)面； 具備配置成至少一部分與所述第2內(nèi)面對向的多孔構(gòu)件； 通過所述多孔構(gòu)件，回收流入所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分。
44.如權(quán)利要求43中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I內(nèi)面與所述第2內(nèi)面實質(zhì)平行。
45.如權(quán)利要求44所述的曝光裝置，其特征在于，于所述第I構(gòu)件的上面的法線方向，所述第I內(nèi)面的尺寸較所述第2內(nèi)面的尺寸小。
46.如權(quán)利要求43至45中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件包含與所述第I內(nèi)面的下端連結(jié)、朝向所述第I構(gòu)件的上面的相反方向的下面； 所述第2內(nèi)面與所述下面的外緣連結(jié)。
47.如權(quán)利要求43至46中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件的上端配置在較所述第I構(gòu)件的上面下方、較所述第I保持部的保持面上方處。
48.如權(quán)利要求47所述的曝光裝置，其特征在于，所述多孔構(gòu)件的上端配置在較所述第I內(nèi)面的下端下方、較所述第2內(nèi)面的下端上方處。
49.如權(quán)利要求47或48所述的曝光裝置，其特征在于，在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下，所述多孔構(gòu)件的上端配置在所述第I構(gòu)件與所述基板之間。
50.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面；以及 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第I保持部保持的狀態(tài)下配置在所述基板的上面周圍的上面的第I構(gòu)件； 所述第I構(gòu)件包含所述基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面、配置在所述第I內(nèi)面下方且相對所述第I保持部較所述第I內(nèi)面更分離的第2內(nèi)面、以及與所述第I內(nèi)面的下端及所述第2內(nèi)面的上端連結(jié)而朝向與所述第I構(gòu)件的上面相反方向的下面。
51.如權(quán)利要求50所述的曝光裝置，其特征在于，具備配置成至少一部分與所述第2內(nèi)面對向的多孔構(gòu)件； 通過所述多孔構(gòu)件回收流入所述基`板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分。
52.如權(quán)利要求1至51中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件內(nèi)面至少一部分對所述液體的接觸角較所述第I構(gòu)件上面的接觸角小。
53.如權(quán)利要求1至52中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件具有朝向所述第I構(gòu)件的上面的相反方向的下面； 所述第I構(gòu)件下面對所述液體的接觸角較所述第I構(gòu)件的上面的接觸角小。
54.如權(quán)利要求1至53中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，具備調(diào)整所述第I構(gòu)件的溫度的調(diào)整裝置。
55.如權(quán)利要求1至54中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，具備對所述第I構(gòu)件賦予超音波的超音波產(chǎn)生裝置。
56.如權(quán)利要求1至55中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，具備配置在所述第I保持部周圍、將所述第I構(gòu)件以可釋放的方式加以保持的第2保持部。
57.一種曝光裝置，其特征在于，通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面； 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在所述第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置且具有所述液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；以及 多孔構(gòu)件，至少一部分配置在所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙，具有對所述液體為撥液性的上面；通過所述多孔構(gòu)件回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分。
58.一種曝光裝置，其特征在于，通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面； 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在所述第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置且具有所述液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；以及 多個回收口，可回收流入所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分； 在所述光學 構(gòu)件的所述射出面?zhèn)刃纬伤鲆航臻g的狀態(tài)下，移動所述測量構(gòu)件及所述第I構(gòu)件； 根據(jù)相對所述液浸空間的所述間隙的位置、及相對所述液浸空間的所述間隙的移動條件的一方或雙方，進行從所述多個回收口中的一部分回收口回收所述液體。
59.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面； 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分且具有所述液浸空間可形成的上面的測量構(gòu)件、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置且具有所述液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件；以及 回收口，配置成與所述測量構(gòu)件的側(cè)面對向，回收流入所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分。
60.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面；以及 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分且具有所述液浸空間可形成的上面的測量構(gòu)件、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置且具有所述液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件； 與所述測量構(gòu)件之間形成間隙的所述第I構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距所述測量構(gòu)件中心的第I距離且所述測量構(gòu)件的側(cè)面可對向的第I區(qū)域、以及與所述第I區(qū)域相鄰配置且位于距所述測量構(gòu)件中心較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
61.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面； 第I構(gòu)件，能在所述光學構(gòu)件的下方移動、具有液浸空間可形成的第I上面；以及第2構(gòu)件，能在所述光學構(gòu)件的下方以和所述第I構(gòu)件相鄰接的狀態(tài)移動、具有液浸空間可形成的第2上面； 與所述第I構(gòu)件的側(cè)面間形成間隙的所述第2構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距所述第I構(gòu)件側(cè)面的第I距離且能與所述第I構(gòu)件的側(cè)面對向的第I區(qū)域、以及與所述第I區(qū)域相鄰配置且位于距所述第I構(gòu)件側(cè)面較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
62.如權(quán)利要求61所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件及所述第2構(gòu)件在與所述光學構(gòu)件的光軸垂直的面內(nèi)移動。
63.如權(quán)利要求61或62所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I區(qū)域與所述第2區(qū)域在與所述光學構(gòu)件的光軸垂直的面內(nèi)相鄰。
64.如權(quán)利要求61至63中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件及所述第2構(gòu)件被保持在能于所述光學構(gòu)件的下方移動的載臺。
65.如權(quán)利要求64所述的曝光裝置，其特征在于，所述載臺可保持所述基板。
66.如權(quán)利要求61至63中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件被保持在能于所述光學構(gòu)件的下方移動的第I載臺； 所述第2構(gòu)件被保持在能于所述光學構(gòu)件的下方移動的第2載臺。
67.如權(quán)利要求66所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I載臺及所述第2載臺的至少一方可保持所述基板。
68.如權(quán)利要求61至67中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件及所述第2構(gòu)件的至少一方包含測量構(gòu)件。
69.一種曝光裝置，其特征在于，通過液體以曝光用光使基板曝光，具備: 光學構(gòu)件，具有所述曝光用光射出的射出面；以及 基板保持裝置，包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分且具有所述液浸空間可形成的上面的測量構(gòu)件、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置且具有所述液浸空間可形成的上面的第I構(gòu)件； 所述第I構(gòu)件的內(nèi)面包含第I內(nèi)面以及配置在所述第I內(nèi)面上方、所述測量構(gòu)件側(cè)面的至少一部分與的對向且下端與所述第I內(nèi)面連結(jié)而上端與所述第I構(gòu)件上面連結(jié)的第2內(nèi)面； 所述第I內(nèi)面與所述第2內(nèi)面非平行，于所述第I構(gòu)件的上面的法線方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述第I內(nèi)面的尺寸大； 至少所述第2內(nèi)面相對所述測量構(gòu)件中心朝外側(cè)向上方傾斜。
70.一種曝光裝置，其特征在于，通過形成在光學構(gòu)件射出面?zhèn)鹊囊航臻g的液體將曝光用光照射基板的上面，具備: 第I構(gòu)件，具有第I上面與規(guī)定所述第I上面的外緣的一部分的第I邊緣部，以所述第I上面的至少一部分與所述液浸空間接觸的方式在所述光學構(gòu)件下方移動；以及 第2構(gòu)件，具有第2上面與規(guī)定所述第2上面的外緣的一部分的第2邊緣部，于所述光學構(gòu)件下方移動； 所述第I邊緣部及所述第2邊緣部延伸于既定方向； 所述第I邊緣部與所述第2邊緣部之間形成有間隙； 于所述第I邊緣部，沿所述既定方向形成有多個凸部。
71.如權(quán)利要求70所述的曝光裝置，其特征在于，所述多個凸部包含于所述既定方向相鄰的第I凸部及第2凸部。
72.如權(quán)利要求70或71所述的曝光裝置，其特征在于，所述多個凸部沿所述既定方向以一定間隔配置。
73.如權(quán)利要求70至72中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I上面與所述第2上面通過所述間隙并置。
74.如權(quán)利要求73所述的曝光裝置，其特征在于，所述既定方向為直線。
75.如權(quán)利要求73所述的曝光裝置，其特征在于，所述第2上面配置在所述第I上面的周圍。
76.如權(quán)利要求70至75中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件為測量構(gòu)件。
77.如權(quán)利要求70至76中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第2構(gòu)件為測量構(gòu)件。
78.如權(quán)利要求70至77中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述第I構(gòu)件的所述上面包含所述凸部的上面。
79.如權(quán)利要求70至78中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述凸部具有從其前端部朝向與所述第I保持部分離的方向、且向下方傾斜的下面。
80.如權(quán)利要求70至79中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，于所述第2邊緣部，沿所述既定方向形成有多個凸部。
81.—種元件制造方法，其特征在于，包含: 使用權(quán)利要求1至80中任一項所述的曝光裝置使基板曝光的動作；以及 使曝光后的所述基板顯影的動作。
82.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口且在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)下，使所述基板曝光的動作；以及 通過至少一部分配置在所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙、具有對液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
83.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎幸后w的液浸空間的狀態(tài)下，一邊移動將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板、及用以規(guī)定可配置所述基板的開口且在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件，一邊使所述基板曝光的動作:以及 根據(jù)相對于所述液浸空間的所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對于所述液浸空間的所述間隙的移動條件中的一方或雙方，從配置在所述基板及所述第I保持部中至少一方周圍的多個回收口中的部分回收口，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
84.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；以及 從配置成與所述基板側(cè)面對向的回收口，回收流入所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分的動作。
85.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；以及所述第I構(gòu)件的開口，包含位于距所述第I保持部中心的第I距離、被保持于所述第I保持部的所述基板的側(cè)面可對向的第I區(qū)域，以及和所述第I區(qū)域相鄰配置、位于距所述第I保持部中心的較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
86.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在所述第I內(nèi)面上方、所述基板側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與所述第I內(nèi)面連結(jié)且上端與所述第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；所述第I內(nèi)面與所述第2內(nèi)面非平行，于所述第I構(gòu)件上面的法線方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述第I內(nèi)面的尺寸大； 至少所述第2內(nèi)面相對所述第I保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
87.—種曝光方法，其特征在于，通過液體以曝光用光照射基板的上面，包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及具有上面與用以規(guī)定所述上面外緣的一部分的邊緣部的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作； 所述第I構(gòu)件的所述邊緣部，以所述第I保持部所保持的所述基板的邊緣部沿此的方式延伸于既定方向； 于所述第I構(gòu)件的所述邊緣部，沿所述既定方向形成有多個凸部。
88.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板上面周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作； 所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含所述基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面與配置在所述第I內(nèi)面下方、對所述第I保持部較所述第I內(nèi)面遠離的第2內(nèi)面； 通過至少一部分與所述第2內(nèi)面對向的方式配置的多孔構(gòu)件，回收流入所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分。
89.—種曝光方法,其特征在于,通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、配置在所述第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，形成有所述液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；以及通過至少一部分配置在所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙、具有對所述液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
90.一種曝光方法,其特征在于,通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎兴鲆航臻g的狀態(tài)下，一邊移動將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板、配置在所述第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、及與所述測量構(gòu)件鄰接設置的第I構(gòu)件，一邊使所述基板曝光的動作；以及 根據(jù)相對于所述液浸空間的所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對所述液浸空間的所述間隙的移動條件的一方或雙方，從配置在所述間隙的多個回收口中的部分回收口，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
91.一種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；以及 從與所述測量構(gòu)件的側(cè)面對向配置的回收口，回收流入所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分的動作。
92.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基`板的上面、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作； 與所述測量構(gòu)件之間形成間隙的所述第I構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距所述測量構(gòu)件中心的第I距離、可與所述測量構(gòu)件的側(cè)面對向的第I區(qū)域與和所述第I區(qū)域相鄰配置、位于距所述測量構(gòu)件中心較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
93.—種曝光方法,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,包含: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作； 所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含第I內(nèi)面與配置在所述第I內(nèi)面上方、所述測量構(gòu)件側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與所述第I內(nèi)面連結(jié)且上端與所述第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面； 所述第I內(nèi)面與所述第2內(nèi)面非平行，于所述第I構(gòu)件上面的法線方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述第I內(nèi)面的尺寸大； 至少所述第2內(nèi)面相對所述測量構(gòu)件中心朝外側(cè)向上方傾斜。
94.一種曝光方法，其特征在于，通過形成在光學構(gòu)件射出面?zhèn)鹊囊航臻g的液體將曝光用光照射于基板上面，包含: 使具有第I上面與用以規(guī)定所述第I上面的部分外緣的第I邊緣部的第I構(gòu)件，以所述第I上面的至少一部分與所述液浸空間接觸的方式在所述光學構(gòu)件下方移動的動作；以及 使具有第2上面與用以規(guī)定所述第2上面的部分外緣的第2邊緣部的第2構(gòu)件，在所述光學構(gòu)件下方移動的動作； 所述第I邊緣部及所述第2邊緣部延伸于既定方向； 于所述第I邊緣部與所述第2邊緣部之間形成有間隙； 于所述第I邊緣部沿所述既定方向形成有多個凸部。
95.一種元件制造方法，其特征在于，包含； 使用權(quán)利要求82至94中任一項所述的曝光方法使基板曝光的動作；以及 使曝光后的所述基板顯影的動作。
96.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口且在所述基板被保持于所述第I 保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)下，使所述基板曝光的動作；以及 通過至少一部分配置在所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙、具有對液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
97.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎幸后w的液浸空間的狀態(tài)下，一邊移動將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板、及用以規(guī)定可配置所述基板的開口且在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件，一邊使所述基板曝光的動作:以及 根據(jù)相對于所述液浸空間的所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對于所述液浸空間的所述間隙的移動條件中的一方或雙方，從配置在所述基板及所述第I保持部中至少一方周圍的多個回收口中的部分回收口，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
98.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；以及 從配置成與所述基板側(cè)面對向的回收口，回收流入所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分的動作。
99.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施:在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；所述第I構(gòu)件的開口，包含位于距所述第1保持部中心的第I距離、被保持于所述第I保持部的所述基板的側(cè)面可對向的第1區(qū)域，以及和所述第I區(qū)域相鄰配置、位于距所述第I保持部中心的較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
100.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含 第I內(nèi)面與配置在所述第I內(nèi)面上方、所述基板側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與所述第I內(nèi)面連結(jié)且上端與所述第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面；所述第I內(nèi)面與所述第2內(nèi)面非平行，于所述第I構(gòu)件上面的法線方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述第I內(nèi)面的尺寸大； 至少所述第2內(nèi)面相對所述第1保持部中心朝外側(cè)向上方傾斜。
101.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體將曝光用光照射于基板上面的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第1保持部所保持的所述基板的上面、以及具有上面與用以規(guī)定所述上面外緣的一部分的邊緣部的第1構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作； 所述第I構(gòu)件的所述邊緣部，以所述第I保持部所保持的所述基板的邊緣部沿此的方式延伸于既定方向； 于所述第I構(gòu)件的所述邊緣部，沿所述既定方向形成有多個凸部。
102.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、以及用以規(guī)定可配置所述基板的開口、在所述基板被保持于所述第I保持部的狀態(tài)下至少一部分配置在所述基板上面周圍的第I構(gòu)件的上面中至少一方之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作； 所述第I構(gòu)件的內(nèi)面，包含所述基板的側(cè)面可對向的第I內(nèi)面與配置在所述第I內(nèi)面下方、對所述第I保持部較所述第I內(nèi)面遠離的第2內(nèi)面； 通過至少一部分與所述第2內(nèi)面對向的方式配置的多孔構(gòu)件，回收流入所述基板與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分。
103.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、配置在所述第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，形成有所述液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；以及 通過至少一部分配置在所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙、具有對所述液體為撥液性的上面的多孔構(gòu)件，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
104.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液浸空間的液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件的射出面?zhèn)刃纬捎兴鲆航臻g的狀態(tài)下，一邊移動將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板、配置在所述第I保持部周圍至少一部分的測量構(gòu)件、及與所述測量構(gòu)件鄰接設置的第I構(gòu)件，一邊使所述基板曝光的動作；以及 根據(jù)相對于所述液浸空間的所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙的位置、以及相對所述液浸空間的所述間隙的移動條件的一方或雙方，從配置在所述間隙的多個回收口中的部分回收口，回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分的動作。
105.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；以及 從與所述測量構(gòu)件的側(cè)面對向配置的回收口，回收流入所述測量構(gòu)件與所述第I構(gòu)件間的間隙的所述液體的至少一部分的動作。
106.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作； 與所述測量構(gòu)件之間形成間隙的所述第I構(gòu)件的側(cè)面，包含位于距所述測量構(gòu)件中心的第I距離、可與所述測量構(gòu)件的側(cè)面對向的第I區(qū)域與和所述第I區(qū)域相鄰配置、位于距所述測量構(gòu)件中心較所述第I距離長的第2距離的第2區(qū)域。
107.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 在具有所述曝光用光射出的射出面的光學構(gòu)件、與將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第I保持部所保持的所述基板的上面、配置在所述第I保持部周圍的至少一部分的測量構(gòu)件的上面、以及與所述測量構(gòu)件相鄰設置的第I構(gòu)件的上面中至少一者之間，以所述液體形成有液浸空間的狀態(tài)，使所述基板曝光的動作；所述第1構(gòu)件的內(nèi)面，包含第1內(nèi)面與配置在所述第1內(nèi)面上方、所述測量構(gòu)件側(cè)面的至少一部分與的對向、下端與所述第1內(nèi)面連結(jié)且上端與所述第I構(gòu)件的上面連結(jié)的第2內(nèi)面； 所述第1內(nèi)面與所述第2內(nèi)面非平行，于所述第1構(gòu)件上面的法線方向，所述第2內(nèi)面的尺寸較所述第1內(nèi)面的尺寸大； 至少所述第2內(nèi)面相對所述測量構(gòu)件中心朝外側(cè)向上方傾斜。
108.一種程序，其特征在于，使電腦實施通過形成在光學構(gòu)件射出面?zhèn)鹊囊航臻g的液體將曝光用光照射于基板上面的曝光裝置的控制，其使電腦實施: 使具有第1上面與用以規(guī)定所述第1上面的部分外緣的第I邊緣部的第1構(gòu)件，以所述第1上面的至少一部分與所述液浸空間接觸的方式在所述光學構(gòu)件下方移動的動作；以及 使具有第2上面與用以規(guī)定所述第2上面的部分外緣的第2邊緣部的第2構(gòu)件，在所述光學構(gòu)件下方移動的動作； 所述第1邊緣部及所述第2邊緣部延伸于既定方向； 于所述第1邊緣部與所述第2邊緣部之間形成有間隙； 于所述第1邊緣部沿所述既定方向形成有多個凸部。
109.—種電腦可讀取的記錄媒體,其特征在于,記錄有權(quán)利要求96至108中任一項所述的程序。
【文檔編號】G03F7/20GK103765555SQ201280042481
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2012年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月21日
【發(fā)明者】佐藤真路 申請人:株式會社 尼康