液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種在使用光取向處理形成水平取向膜的情況下不易產(chǎn)生取向缺陷的液晶顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的液晶顯示的制造方法具有對(duì)涂敷在一對(duì)基板中的至少一個(gè)基板上的光取向膜材料進(jìn)行照射光的光取向處理而形成水平取向膜的工序，該光取向處理是對(duì)該基板面從傾斜方向?qū)ο嗤膮^(qū)域照射兩次以上的光的處理，該光取向處理中的照射兩次以上的光之中至少兩次的光是從相互相差90°以上的方位照射的偏振光。
【專利說明】液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的制造方法。更具體而言，涉及在通過光取向處理形成的水平取向膜上形成用于改善特性的聚合物層的液晶顯示裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(LCD:Liquid Crystal Display)是通過控制具有雙折射性的液晶分子的取向來控制光的透過/遮斷(顯示的開/關(guān))的顯示裝置。作為LCD的顯示方式，可以列舉:使具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶分子對(duì)基板面垂直取向的垂直取向(VA:Vertical Alignment)模式、使具有正或負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶分子對(duì)基板面水平取向并對(duì)液晶層施加橫電場(chǎng)的面內(nèi)開關(guān)(IPS:1n-Plane Switching)模式、條紋狀電場(chǎng)開關(guān)(FFS:Fringe Field Switching(邊緣場(chǎng)開關(guān)))模式等。
[0003]其中，在使用具有負(fù)的介電常數(shù)各向異性的液晶分子，作為取向限制用結(jié)構(gòu)物設(shè)置有堤壩(肋)或電極的缺口部(狹縫)的MVA (Mult1-domain Vertical Alignment,多疇垂直取向)模式中，不對(duì)取向膜實(shí)施摩擦處理也能夠?qū)⑹┘与妷簳r(shí)的液晶取向方位控制成多個(gè)方位，視角特性優(yōu)異。但是，在現(xiàn)有的MVA-LCD中，突起上方或狹縫上方成為液晶分子的取向分割的邊界，在白顯示時(shí)的透過率變低，在顯示中有時(shí)能夠看見暗線，因此存在改善的余地。
[0004]對(duì)此，作為獲得高亮度且能夠高速響應(yīng)的LCD的方法，提出了利用使用聚合物的取向穩(wěn)定化技術(shù)(以下也稱為PS (Polymer Sustained,聚合物穩(wěn)定)技術(shù)。)(例如參照專利文獻(xiàn)I?8。)。其中，使用了聚合物的預(yù)傾角賦予技術(shù)(以下也稱PSA (Polymer SustainedAlignment,聚合物穩(wěn)定取向)技術(shù))中,將混合了具有聚合性的單體、低聚物等可聚合成分的液晶組合物封入基板間，在基板間施加電壓而使液晶分子傾斜(tilt)的狀態(tài)下，使單體聚合而形成聚合物。由此，即使在去除電壓施加之后，也能夠獲得以規(guī)定的預(yù)傾角傾斜的液晶分子，能夠?qū)⒁壕Х肿拥娜∠蚍轿灰?guī)定為一定方向。作為單體選擇在熱、光(紫外線)等的作用下聚合的材料。另外，液晶組合物中有時(shí)還可以混入用于引發(fā)單體聚合反應(yīng)的聚合引發(fā)劑(例如參照專利文獻(xiàn)4)。
[0005]作為使用聚合性單體的另外的液晶顯示元件可以列舉例如I3DLC (PolymerDispersed Liquid Crystal,聚合物分散液晶)和PNLC(Polymer Network Liquid Crystal,聚合物網(wǎng)狀液晶)(例如參照專利文獻(xiàn)9。)。它們具有將聚合性單體添加于液晶中照射紫外線等而形成的聚合物，利用液晶和聚合物的折射率匹配失配進(jìn)行光散射的開關(guān)。另外，作為另外的液晶顯示元件也可以列舉高分子穩(wěn)定化強(qiáng)介電性(FLC (Ferroelectrics LiquidCrystal，鐵電性液晶))液晶相(例如參照專利文獻(xiàn)10。)、高分子穩(wěn)定化OCB (OpticallyCompensated Bend,光學(xué)補(bǔ)償彎曲)(例如參照非專利文獻(xiàn)I。)等。
[0006]另一方面，作為獲得優(yōu)異的視角特性的技術(shù)，近年來，探討了不對(duì)取向膜實(shí)施摩擦處理也能夠?qū)⑹┘与妷簳r(shí)的液晶取向方位控制成多個(gè)方位，能夠獲得優(yōu)異的視角特性的光取向技術(shù)。光取向技術(shù)是通過作為取向膜的材料使用對(duì)光表現(xiàn)出活性的材料并對(duì)形成的膜照射紫外線等光線，使取向膜產(chǎn)生取向限制力的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)U。)。
[0007]另外，最近研究發(fā)表了將光取向技術(shù)與使用上述聚合物的高分子穩(wěn)定化技術(shù)組合時(shí)的、抑制遲滯的產(chǎn)生的方法(例如參照非專利文獻(xiàn)2和3。)。在非專利文獻(xiàn)2和3中，探討了在對(duì)一個(gè)基板進(jìn)行摩擦處理并對(duì)另一個(gè)基板進(jìn)行光取向處理的IPS模式單元中，對(duì)混合于液晶的單體的濃度進(jìn)行調(diào)整。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本專利第4175826號(hào)說明書
[0011]專利文獻(xiàn)2:日本專利第4237977號(hào)說明書
[0012]專利文獻(xiàn)3:日本特開2005-181582號(hào)公報(bào)
[0013]專利文獻(xiàn)4:日本特開2004-286984號(hào)公報(bào)
[0014]專利文獻(xiàn)5:日本特開2009-102639號(hào)公報(bào)
[0015]專利文獻(xiàn)6:日本特開2009-132718號(hào)公報(bào)
[0016]專利文獻(xiàn)7:日本特開2010-33093號(hào)公報(bào)
[0017]專利文獻(xiàn)8:美國專利第6177972號(hào)說明書
[0018]專利文獻(xiàn)9:日本特開2004-70185號(hào)公報(bào)
[0019]專利文獻(xiàn)10:日本特開2007-92000號(hào)公報(bào)
[0020]專利文獻(xiàn)11:國際公開第2006/043485號(hào)
[0021]非專利文獻(xiàn)
[0022]非專利文獻(xiàn)1:H.Kikuchi, etal.、Nature Materials、1、64_68、2002
[0023]非專利文獻(xiàn)2:長竹等人、液晶討論會(huì)2010論文集、“使用高分子穩(wěn)定化技術(shù)的光取向IXD的遲滯特性改善的研究”、2010.9
[0024]非專利文獻(xiàn)3:Y.Nagatake, etal、ITE and SID、“Hysteresis Reduction inEO Characteristics Of Photo-Aligned IPS-LCDs with Polymer-Surface-StabilizedMethod”、IDW’ 10、89_92、LCTp2_5、2010.12

【發(fā)明內(nèi)容】

[0025]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0026]但是，可知在通過光取向處理形成水平取向膜時(shí)，與通過現(xiàn)有的光取向處理形成垂直取向膜的情況不同，在進(jìn)行黑顯示時(shí)的顯示畫面中產(chǎn)生多個(gè)小的亮點(diǎn)，有時(shí)產(chǎn)生顯示不良。這些亮點(diǎn)是由于產(chǎn)生多個(gè)小的向錯(cuò)(液晶取向缺陷)而產(chǎn)生的。另外，本發(fā)明人進(jìn)行研討時(shí)發(fā)現(xiàn)，這種亮點(diǎn)在VA模式等使用垂直取向膜的模式的顯示中不產(chǎn)生，在IPS模式、FFS模式等使用水平取向膜的模式的顯示中特有地產(chǎn)生。
[0027]本發(fā)明是基于上述現(xiàn)狀而完成的，目的在于提供一種在使用光取向處理形成水平取向膜的情況下，不易產(chǎn)生取向缺陷的液晶顯示裝置的制造方法。
[0028]用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0029]本發(fā)明人對(duì)向錯(cuò)發(fā)生的原因研討的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)上述向錯(cuò)容易發(fā)生在存在于液晶顯示面板內(nèi)的凹凸、例如柱狀間隔件的周圍、為了使像素電極導(dǎo)通至下層而設(shè)置于絕緣膜的孔、具有錐形形狀的配線等的附近。[0030]另外，關(guān)于不產(chǎn)生上述向錯(cuò)的方法進(jìn)行了各種研討，結(jié)果著眼于當(dāng)前一般用于進(jìn)行光取向處理的紫外線照射從法線方向?qū)迕孢M(jìn)行這點(diǎn)，并且，發(fā)現(xiàn)當(dāng)采用這種來自基板面法線方向的照射時(shí)，在具有凹凸的表面中，難以進(jìn)行均勻的光照射。而且，對(duì)從傾斜方向?qū)迕孢M(jìn)行照射的方法進(jìn)行研討，結(jié)果判定對(duì)相同的部位從相互相差90°以上的方位進(jìn)行從傾斜方向的照射兩次以上，凹凸部附近的向錯(cuò)得到較大改善。
[0031]通過從傾斜方向的多次照射改善上述技術(shù)問題的理由如下。圖1?圖4是表示對(duì)具有凹凸的表面照射紫外線的情形的示意圖。圖3和圖4表示從法線方向?qū)迕嬲丈湟淮蔚那樾?現(xiàn)有例)，圖1和圖2表示從傾斜方向?qū)迕嬲丈涠啻蔚那樾?本發(fā)明)。
[0032]如圖3所示，在基板11上具有表面平滑的柱狀的突起物12 (例如，相當(dāng)于間隔件)且在這些結(jié)構(gòu)物上涂敷有包含光取向膜材料的膜14的狀態(tài)下，對(duì)基板11面從法線方向照射光時(shí)，與對(duì)上述突起物12上的膜14的表面從傾斜方向照射光的情形相同。光取向具有基于構(gòu)成膜14的材質(zhì)的光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生的功能，因此，光照射的強(qiáng)度的差異會(huì)引起反應(yīng)的進(jìn)行的差異。即，在該情況下，上述突起物12上的膜14的表面中產(chǎn)生多個(gè)光的照射量微妙不同的區(qū)域，在光化學(xué)反應(yīng)不充分的區(qū)域中，表現(xiàn)出光取向的取向限制力不足等的影響。另一方面，例如，如圖4所示，在基板11上存在表面向內(nèi)部凹陷的絕緣膜13 (例如，相當(dāng)于形成于絕緣膜的TFT的接觸部位)的情況下，也同樣在上述凹陷的部位上的膜14的表面中產(chǎn)生多個(gè)光的照射量微妙不同的區(qū)域，在光化學(xué)反應(yīng)不充分的區(qū)域中，表現(xiàn)出光取向的取向限制力不足等的影響。
[0033]相對(duì)于此，如圖1所示，在對(duì)基板11面從傾斜方向照射多次且分別從相互不同的方位照射的情況下，不產(chǎn)生這種不均。例如，如圖1所示，在基板11上具有表面光滑的柱狀的突起物12的情況下，對(duì)一個(gè)突起物12從斜向兩側(cè)照射光，因此，各照射區(qū)域中的光的照射量在任何區(qū)域中都被平均化。這在例如如圖2所示，在基板11上存在表面向內(nèi)部凹陷的絕緣膜13的情況下可以說也相同。并且，這種照射方法對(duì)原本表面平坦的區(qū)域照射的情況下也不存在問題。這是因?yàn)?，在進(jìn)行多次照射的情況下，取向限制力基于各照射量的合計(jì)而產(chǎn)生，各照射區(qū)域中的光的照射量在任何區(qū)域中都被平均化。另外，根據(jù)以上說明可知，當(dāng)在傾斜方向上照射的至少兩次以上的光的方位相差為180°且入射角的大小相同的V字曝光時(shí)，與正面曝光等效，因此最能發(fā)揮其效果。
[0034]另外，作為使用這種照射方法的優(yōu)點(diǎn)列舉以下方面。圖5為作為光取向膜材料使用具有肉桂酸酯基的化合物、且進(jìn)行曝光的光為偏振光時(shí)的照射光的偏振光方向與對(duì)液晶的取向限制力的朝向的關(guān)系的概念圖。圖5中單向箭頭(I)?(3)表示曝光方向，各個(gè)雙向箭頭表示各自的偏振方向。另外，包含肉桂酸酯基的雙向箭頭表示對(duì)偏振光產(chǎn)生反應(yīng)的肉桂酸酯基、即包含于取向膜材料的肉桂酸酯基的一部分的碳碳雙鍵部(-C = C-)和其躍遷矩的朝向(a)?(d)。
[0035]如圖5的(I)所示，在從正面方向?qū)埫鎯?nèi)(左右方向)照射具有電矢量的偏振光的情況下，在(a)?(d)中，(a)最容易發(fā)生反應(yīng)。(b)和(C)也因上述(I)的照射稍微進(jìn)行反應(yīng)。因上述光照射而產(chǎn)生的對(duì)液晶的取向限制力的朝向?yàn)榕c(a)的雙向箭頭方向垂直的方向。另外，對(duì)于(d)的朝向的肉桂酸酯基，在上述(I)的照射中，幾乎不進(jìn)行反應(yīng)。
[0036]對(duì)此，如圖5的(2)和(3)所示，在從具有自正面方向傾斜的角度的方向照射偏振光的情況下，在(b)和(C)的朝向反應(yīng)充分地進(jìn)行，并且在(a)和(d)的朝向反應(yīng)也進(jìn)行。即，這種從傾斜方向的曝光方法對(duì)如肉桂酸酯基那樣具有直線性光反應(yīng)性官能團(tuán)的化合物特別有效。由此，官能團(tuán)的反應(yīng)數(shù)量增加，因此能夠獲得優(yōu)異的反應(yīng)率。
[0037]另外，在從傾斜方向照射的情況下，需要考慮光的反射，因此，當(dāng)照射光為P偏振光時(shí)，與其它的偏振光相比，為低反射率，進(jìn)入取向膜的程度增加，所以當(dāng)采用P偏振光時(shí)，能夠進(jìn)一步促進(jìn)傾斜照射的情況下的光取向膜的反應(yīng)。
[0038]這樣，本發(fā)明人想出能夠巧妙地解決上述技術(shù)問題的方法，從而完成了本發(fā)明。
[0039]S卩，本發(fā)明的一個(gè)方面是一種液晶顯示裝置的制造方法，其具有對(duì)涂敷在一對(duì)基板中的至少一個(gè)基板上的光取向膜材料進(jìn)行照射光的光取向處理而形成水平取向膜的工序，該光取向處理是對(duì)該基板面從傾斜方向?qū)ο嗤膮^(qū)域照射兩次以上的光的處理，該光取向處理中的照射兩次以上的光之中至少兩次的光是從相互相差90。以上的方位照射的偏振光。
[0040]作為上述液晶顯示裝置的制造方法的構(gòu)成要素，只要以這種構(gòu)成要素作為必須而形成的，則不被其他構(gòu)成要素特別限定。以下，對(duì)上述液晶顯示裝置的制造方法及其優(yōu)選的方法進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，將以下所記載的上述液晶顯示裝置的制造方法的各個(gè)優(yōu)選方法組合2個(gè)以上的方法也是上述液晶顯示裝置的制造方法的優(yōu)選方法。
[0041]上述液晶顯示裝置的制造方法具有對(duì)涂敷在一對(duì)基板中的至少一個(gè)基板上的光取向膜材料進(jìn)行照射光的光取向處理而形成水平取向膜的工序。優(yōu)選對(duì)一對(duì)基板的雙方的基板進(jìn)行光取向處理。光取向膜是具有因偏振光或無偏振光的照射在膜中產(chǎn)生各向異性而對(duì)液晶產(chǎn)生取向限制力的性質(zhì)的高分子膜。本發(fā)明中使用偏振光作為用于光取向處理的光。光取向膜材料能夠使用利用光的照射進(jìn)行活化的材料。
[0042]上述光取向膜材料優(yōu)選包含選自聯(lián)三苯衍生物、萘衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、螺吡喃衍生物、螺萘嵌間二氮雜苯(Spiix) Perimidine,螺□白啶)衍生物、紫精(Viologen)衍生物、二芳基乙烯衍生物、蒽醌衍生物、偶氮苯衍生物、肉桂酰衍生物、查耳酮衍生物、肉桂酸酯衍生物、香豆素衍生物、芪衍生物和蒽衍生物中的至少一種。另外，這些衍生物中所含的苯環(huán)可以為雜環(huán)。此處“衍生物”是指由特定的原子或官能團(tuán)取代的產(chǎn)物，和作為不僅I價(jià)的官能團(tuán)而且作為2價(jià)以上的官能團(tuán)組合入分子結(jié)構(gòu)中的產(chǎn)物。這些衍生物存在于聚合物主鏈的分子結(jié)構(gòu)中、或者存在于聚合物側(cè)鏈的分子結(jié)構(gòu)中、或?yàn)閱误w或低聚物均可。在光取向材料中包含具有光活性的官能團(tuán)的單體或低聚物(優(yōu)選3重量％以上)的情況下，構(gòu)成光取向膜的聚合物本身也可以是非光活性的。從耐熱性的觀點(diǎn)出發(fā)，構(gòu)成光取向膜的聚合物優(yōu)選聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。
[0043]上述光取向膜材料，在具有上述性能的前提下，可以是單一的高分子，也可以是除高分子外還包括其它分子的混合物。例如，可以是在含有可進(jìn)行光取向的官能團(tuán)的高分子中，包括添加劑等其它低分子、或非光活性的其它高分子的形態(tài)。例如，也可以是在非光活性的高分子中混合含有可進(jìn)行光取向的官能團(tuán)的添加劑的形態(tài)。光取向膜材料選擇產(chǎn)生光分解反應(yīng)、光異構(gòu)化反應(yīng)或光二聚化反應(yīng)的材料。與光分解反應(yīng)相比，光異構(gòu)化反應(yīng)和光二聚化反應(yīng)通常能夠以長波長且少的照射量進(jìn)行取向，因此，批量生產(chǎn)性優(yōu)異。
[0044]S卩，形成上述光取向膜的材料優(yōu)選包含具有光異構(gòu)化型、光二聚化型或這兩種類型的官能團(tuán)的化合物。產(chǎn)生光異構(gòu)化反應(yīng)或光二聚化反應(yīng)的代表性的材料為偶氮苯衍生物、肉桂酰衍生物、查爾酮衍生物、肉桂酸酯衍生物、香豆素衍生物、二芳基乙烯衍生物、芪衍生物和蒽衍生物。產(chǎn)生光分解反應(yīng)的代表性的材料為具有環(huán)丁烷骨架的材料。這些光反應(yīng)性官能團(tuán)所包含的苯環(huán)可以為雜環(huán)。
[0045]上述光取向膜材料特別優(yōu)選包含具有選自偶氮基、查爾酮基、芪基、香豆素基和肉桂酸酯基中的至少一種官能團(tuán)的化合物，當(dāng)進(jìn)行本發(fā)明的光取向處理時(shí)反應(yīng)性特別優(yōu)異。其中，肉桂酸酯基的反應(yīng)率較高。
[0046]通過對(duì)上述光取向膜材料進(jìn)行光照射的工序而形成的取向膜是水平取向膜。水平取向膜是指使鄰近的液晶分子實(shí)質(zhì)上相對(duì)于該水平取向膜面水平地取向的膜。水平取向膜的取向限制力主要由光取向膜材料(光官能團(tuán))的種類決定，通過光的種類、光的照射時(shí)間、光的照射強(qiáng)度、光官能團(tuán)的種類等能夠調(diào)節(jié)液晶分子的取向方位、預(yù)傾角的大小等。作為利用上述液晶顯示裝置的制造方法制作的液晶顯示裝置的例子可以列舉IPS型、FFS型、OCB型、TN (Twisted Nematic,扭轉(zhuǎn)向列)型、STN (Super Twisted Nematic,超扭轉(zhuǎn)向列)型、FLC 型、AFLC (Ant1-Ferroelectric,反鐵電液晶)型、F1DLC 型和 PNLC (Polymer NetworkLiquid Crystal)型。優(yōu)選為IPS型、FFS型、FLC型或AFLC型，由于通過來自基板正面的一次偏振光照射能夠完成所期望的取向，所以工藝簡便且批量生產(chǎn)性優(yōu)異。
[0047]上述取向類型也適合于為了改善視角特性而在上述一對(duì)基板的至少一個(gè)中形成有多疇結(jié)構(gòu)的方式。多疇結(jié)構(gòu)是在未施加電壓時(shí)或施加電壓時(shí)的任一時(shí)刻、或者在這兩種情況下存在液晶分子的取向方式(例如，OCB中的彎曲方向、TN和STN中的扭曲方向)或取向方向不同的多個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)多疇結(jié)構(gòu)，需要積極地進(jìn)行將電極圖案化為適當(dāng)?shù)男螒B(tài)、或?qū)饣钚圆牧险丈涔鈺r(shí)使用光掩模等任一處理或這兩種處理。
[0048]上述光取向處理是對(duì)上述基板面從傾斜方向?qū)ο嗤膮^(qū)域照射兩次以上的光的處理，該光取向處理中的照射兩次以上的光之中至少兩次的光是從相互相差90°以上的方位照射的偏振光。如上所述，當(dāng)采用這種照射時(shí)，能夠有效地防止在存在于液晶顯示面板的凹凸(例如，柱狀間隔件的周圍、用于使像素電極導(dǎo)通至下層而設(shè)置在絕緣膜的孔、具有錐形形狀的配線等)的附近產(chǎn)生液晶分子的取向缺陷(向錯(cuò))。另外，當(dāng)采用上述方法時(shí)，在對(duì)原本表面平坦的區(qū)域照射的情況下，也不存在問題。此外，上述“從相互不同的方位照射”在進(jìn)行三次以上的照射的情況下，是指在三次之中、至少兩次從相差90°以上的方位照射。
[0049]優(yōu)選上述照射兩次以上的光之中至少兩次的光從相互相差150?210°的方位照射。更優(yōu)選從相互相差180°的方位照射。由此，在存在凹凸的區(qū)域和不存在凹凸的區(qū)域任一者中，都能夠賦予均勻性更加優(yōu)異的取向特性。
[0050]優(yōu)選上述的照射兩次以上的光之中至少兩次的光的入射角的誤差在45°以內(nèi)。由此，能夠減少由各光照射所賦予的取向限制力的誤差，能夠獲得具有均勻的取向特性的水平取向膜。
[0051]特別是在使用將它們組合的V字曝光的情況下，即上述光取向處理中照射的光之中至少二次從相互相差180°的方位照射、且上述至少兩次的光的入射角的誤差在10°的范圍內(nèi)的情況下，在存在凹凸的區(qū)域和不存在凹凸的區(qū)域任一者中，能夠賦予均勻性更加優(yōu)異的平衡良好的取向特性。另外，V字曝光也具有能夠使曝光裝置的裝置結(jié)構(gòu)簡化的優(yōu)點(diǎn)。
[0052]優(yōu)選上述照射兩次以上的光之中至少一次的光具有10?60°的入射角。更優(yōu)選形成上述水平取向膜的工序中照射的光都具有10?60°的入射角。[0053]優(yōu)選上述照射兩次以上的光中的至少一次的光為P偏振光。更優(yōu)選上述光取向處理中照射的光都為P偏振光。在對(duì)基板面從傾斜方向照射的情況下，需要考慮光的反射，照射光為P偏振光時(shí)，與其它的偏振相比為低反射率，進(jìn)入取向膜的程度增加，能夠促進(jìn)傾斜照射的情況下的光取向膜的反應(yīng)。
[0054]優(yōu)選上述液晶顯示裝置的制造方法還具有如下工序:對(duì)注入上述一對(duì)基板間的包含液晶材料和單體的液晶組合物照射光，使上述單體聚合，在上述水平取向膜上形成對(duì)鄰近的液晶分子進(jìn)行取向控制的聚合物層。下面，詳述其理由。
[0055]現(xiàn)有的光取向技術(shù)主要被導(dǎo)入VA模式等使用垂直取向膜的類型的TV的批量生產(chǎn)用途，尚未被導(dǎo)入IPS模式等使用水平取向膜的類型的TV的批量生產(chǎn)用途。其理由是因?yàn)?，通過使用水平取向膜，在液晶顯示中會(huì)嚴(yán)重產(chǎn)生影像殘留。影像殘留是指:當(dāng)對(duì)液晶單元的一部分連續(xù)施加相同電壓一定時(shí)間，然后將顯示整體改變?yōu)槠渌娘@示時(shí)，在連續(xù)施加電壓的部分和沒有施加電壓的部分，明亮度看起來不同的現(xiàn)象。
[0056]圖6是表示進(jìn)行光取向處理而制作的IPS模式的液晶單元的影像殘留的情形的示意圖。如圖6所示，可知電壓(AC)施加部和電壓(AC)未施加部中，明亮度差別較大，電壓(AC)施加部中發(fā)生嚴(yán)重的影像殘留。
[0057]因此，本發(fā)明人進(jìn)行了在制作使用光取向處理的IPS模式的液晶單元時(shí)導(dǎo)入高分子穩(wěn)定化(PS)工序的研究，上述高分子穩(wěn)定化(PS)工序在液晶中添加聚合性單體，通過熱或光使聚合性單體聚合而在構(gòu)成與液晶層的界面的表面上形成聚合物層。圖7是表示導(dǎo)入光取向處理且采用PS工序制作出的IPS模式的液晶單元的影像殘留的情形的示意圖。如圖7所示，可知在電壓(AC)施加部和電壓(AC)未施加部中，明亮度幾乎不變化，電壓(AC)施加部中的影像殘留得到改善。這樣，通過在現(xiàn)有的方法中加入PS工序，影像殘留被大幅改善。
[0058]本發(fā)明人對(duì)在IPS模式的液晶單元中特別嚴(yán)重地產(chǎn)生影像殘留的原因進(jìn)行了各種研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在IPS模式的液晶單元和VA模式的液晶單元中，影像殘留產(chǎn)生的機(jī)理不同。根據(jù)本發(fā)明人的研究，對(duì)于影像殘留的發(fā)生，在VA模式中，在于極角方向的傾斜殘存(記憶)這一點(diǎn)，而在IPS模式中，在于方位角方向的取向殘存(記憶)，并且形成有雙電層這一點(diǎn)。另外，通過進(jìn)一步研究，得知這些現(xiàn)象是由光取向膜所用的材料引起的。
[0059]另外，本發(fā)明人進(jìn)行了詳細(xì)的研究，結(jié)果得知:由PS工序產(chǎn)生的改善效果在使用由具有光活性的材料形成的取向膜時(shí)特別有效，例如，在用由非光活性的材料形成的取向膜進(jìn)行基于摩擦法的處理時(shí)或在不進(jìn)行取向處理自身時(shí)，無法得到由PS工序產(chǎn)生的改善效果。
[0060]根據(jù)本發(fā)明人的考察，優(yōu)選由具有光活性的材料形成的取向膜與PS工序的組合的理由如下。圖8是在對(duì)利用由非光活性的材料形成的取向膜進(jìn)行了 PS工序時(shí)的聚合性單體的聚合的情形進(jìn)行比較的示意圖。圖9是對(duì)將由具有光活性的材料形成的取向膜與PS工序組合時(shí)的聚合性單體的聚合的情形進(jìn)行比較的示意圖。如圖8和圖9所示，在PS工序中，對(duì)一對(duì)基板和填充于該一對(duì)基板間的液晶組合物進(jìn)行紫外線等的光照射，液晶層內(nèi)的聚合性單體33、43引發(fā)自由基聚合等鏈?zhǔn)骄酆希摼酆衔锒逊e在取向膜32、42的液晶層30側(cè)的表面上而形成液晶分子的取向控制用的聚合物層(以下也稱為PS層。)。
[0061]在取向膜42對(duì)光為非活性的情況下，如圖8所示，在由光照射激發(fā)的液晶層30中的聚合性單體43a在液晶層30中均勻地產(chǎn)生。然后，激發(fā)的聚合性單體43b發(fā)生光聚合，在取向膜42與液晶層30的界面通過相分離形成聚合物層。即，在PS工序中，存在在主體(bulk)中激發(fā)的聚合性單體43b光聚合后，向取向膜42與液晶層30的界面移動(dòng)的過程。
[0062]另一方面，在取向膜32對(duì)光為活性的情況下，如圖9所示，激發(fā)狀態(tài)的聚合性單體33b更多地形成。這是因?yàn)樵谌∠蚰?2中通過光照射發(fā)生光吸收，其激發(fā)能量被傳遞至聚合性單體33a的緣故，靠近光取向膜32的聚合性單體33a接受激發(fā)能量而容易變化為激發(fā)狀態(tài)的聚合性單體33b。S卩，由光照射而激發(fā)的液晶層中的聚合性單體33a偏向取向膜32和液晶層30的界面附近，且更大量地存在。因此，在取向膜32對(duì)光為活性的情況下，在激發(fā)的聚合性單體33b光聚合后，向取向膜32與液晶層30的界面移動(dòng)的過程能夠忽略。因此，聚合反應(yīng)和聚合物層的形成速度提高，能夠形成具有穩(wěn)定的取向限制力的PS層。
[0063]另外，本發(fā)明人進(jìn)行了研究，結(jié)果得知:由PS層產(chǎn)生的影像殘留的減少效果，對(duì)水平取向膜比對(duì)垂直取向膜更有效。其理由被認(rèn)為有如下。圖10是表示對(duì)于垂直取向膜使聚合性單體聚合時(shí)的情形的示意圖。圖11是表示對(duì)于水平取向膜使聚合性單體聚合時(shí)的情形的不意圖
[0064]如圖10所示，在取向膜為垂直取向膜的情況下，構(gòu)成垂直取向膜的光活性基團(tuán)52經(jīng)由疏水基團(tuán)55間接地與液晶分子54、聚合性單體53接觸，激發(fā)能量難以發(fā)生從光活性基團(tuán)52向聚合性單體53的轉(zhuǎn)移。
[0065]另一方面，如圖11所示，在取向膜為水平取向膜的情況下，構(gòu)成水平取向膜的光活性基團(tuán)62與液晶分子64、聚合性單體63直接地接觸，因此激發(fā)能量容易發(fā)生從光活性基團(tuán)62向聚合性單體63的轉(zhuǎn)移。因此，聚合反應(yīng)和聚合物層的形成速度提高，能夠形成具有穩(wěn)定的取向限制力的PS層。
[0066]因此，PS工序?qū)τ晒饣钚圆牧闲纬傻娜∠蚰みM(jìn)行且在該取向膜為水平取向膜的情況下進(jìn)行，激發(fā)能量的轉(zhuǎn)移飛躍性地提高，能夠大幅減少影像殘留的發(fā)生。而且，能夠獲得降低了影像殘留的具有優(yōu)異的顯示特性的液晶顯示裝置。
[0067]優(yōu)選上述單體的聚合性官能團(tuán)為丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、乙烯基、乙烯氧基或環(huán)氧基。另外，優(yōu)選上述單體為通過光的照射而開始聚合反應(yīng)(光聚合)的單體、或通過加熱而開始聚合反應(yīng)(熱聚合)的單體。即，優(yōu)選上述聚合物層通過光聚合形成或通過熱聚合形成。特別優(yōu)選光聚合，由此，能夠在常溫容易開始聚合反應(yīng)。優(yōu)選光聚合所使用的光為紫外光、可見光或這兩者。
[0068]用于形成上述聚合物層的聚合反應(yīng)沒有特別限定，包括二官能性的單體在產(chǎn)生新的鍵的同時(shí)分階段地進(jìn)行高分子量化的“逐步聚合”，和單體依次與由少量的催化劑(引發(fā)齊IJ)產(chǎn)生的活性種鍵合、鏈?zhǔn)缴L的“鏈?zhǔn)骄酆稀敝械娜我饩酆戏磻?yīng)。作為上述逐步聚合，可以列舉縮聚、加聚等。作為上述鏈?zhǔn)骄酆?，可以列舉自由基聚合、離子聚合(陰離子聚合、陽
宦羊夠A坐、坐閑口寸夕寸ο
[0069]上述聚合物層形成在水平取向膜上，由此能夠使水平取向膜的取向限制力穩(wěn)定。其結(jié)果為，能夠大幅減少顯示的影像殘留的發(fā)生，能夠大幅改善顯示品質(zhì)。另外，在對(duì)液晶層施加閾值以上的電壓、液晶分子預(yù)傾斜取向的狀態(tài)下使單體聚合而形成聚合物層的情況下，上述聚合物層以具有使液晶分子預(yù)傾斜取向的結(jié)構(gòu)的方式形成。
[0070]優(yōu)選上述單體為在骨架中具有芳香環(huán)且該芳香環(huán)為直線狀的棒狀分子。當(dāng)為棒狀分子時(shí)，形成與液晶分子近似的結(jié)果，因此能夠獲得容易溶解于液晶的優(yōu)點(diǎn)。作為具有成為棒狀分子的骨架的單體，可以列舉:聯(lián)苯類、萘類、菲類和蒽類單體。另外，上述單體所包含的氫原子的一部分或全部可以被取代為鹵原子、烷基、烷氧基。另外，上述烷基或烷氧基所包含的氫原子也可以部分或全部被取代為鹵原子。
[0071]優(yōu)選上述單體為利用光的照射進(jìn)行聚合的帶聚合引發(fā)劑功能的單體。在液晶層中，未反應(yīng)的單體和聚合引發(fā)劑那樣的容易帶電荷的物質(zhì)殘存在液晶層中時(shí)，由于完成后的通常的使用方式下的背光的影響、或組裝工序后的檢查用老化工序的影響而產(chǎn)生離子性雜質(zhì)，有可能在液晶顯示中產(chǎn)生影像殘留或顯示不均。當(dāng)采用帶聚合引發(fā)劑功能的單體時(shí)，帶聚合引發(fā)劑功能的單體自身成為構(gòu)成聚合物層的成分，因此在聚合反應(yīng)結(jié)束后不會(huì)作為雜質(zhì)殘存于液晶層中。作為能夠成為帶聚合引發(fā)劑功能的單體的單體，可以列舉作為聚合性官能團(tuán)具有甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、乙烯氧基、丙烯酰氨基或甲基丙烯酰氨基的單體。這些聚合性官能團(tuán)由于紫外線(具有300?380nm的范圍的波長的光)自發(fā)地產(chǎn)生自由基，所以即使沒有另外的聚合引發(fā)劑也能夠開始聚合。上述聚合性官能團(tuán)所具有的氫原子的一部分或全部可以取代為鹵原子、烷基或烷氧基。另外，上述烷基或上述烷氧基所具有的氫原子的一部分或全部可以取代為鹵原子。
[0072]另外，在PS工序中生成的聚合物的尺寸過大時(shí)，會(huì)有不在取向膜表面而在液晶層整體構(gòu)成具有巨大的分子的聚合物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的情況。其結(jié)果為，有可能引起作為主體的液晶取向固定化和液晶有效施加電壓下降，導(dǎo)致V-T特性的高電壓偏移。當(dāng)聚合引發(fā)劑為高濃度時(shí)，能夠增加聚合反應(yīng)起始點(diǎn)，因此，能夠縮小由光照射生成的聚合物尺寸，但如上所述，聚合引發(fā)劑殘存在液晶中，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生影像殘留等問題。
[0073]對(duì)此，當(dāng)采用上述帶聚合引發(fā)劑功能的單體時(shí)，不使用聚合引發(fā)劑，就能夠提高反應(yīng)起始點(diǎn)的密度，在剛進(jìn)行光照射之后容易形成聚合物尺寸小的低聚物狀物質(zhì)，另外，也能夠增加其生成數(shù)量。而且，這樣生成的低聚物狀物質(zhì)利用由在液晶層中的溶解度下降造成的析出效果，能夠作為聚合物層快速地堆積在取向膜表面。
[0074]上述帶聚合引發(fā)劑功能的單體可以組合使用不具有光聚合引發(fā)功能的丙烯酸酯單體、二丙烯酸酯單體等，由此，能夠調(diào)節(jié)光聚合反應(yīng)速度。這種光聚合反應(yīng)速度的調(diào)節(jié)在抑制聚合物網(wǎng)狀物生成的情況下，能夠成為一個(gè)有效的方法。
[0075]優(yōu)選上述單體為利用可見光的照射開始聚合的單體。當(dāng)采用可見光時(shí)，與紫外光不同，能夠降低對(duì)液晶層和取向膜的損害。作為這種單體可以列舉通過光致斷裂或奪氫生成自由基的芐基類、苯偶姻醚類、苯乙酮類、芐基縮酮類和酮類的單體。這些單體具有聚合性官能團(tuán)，例如可以列舉甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、乙烯氧基、丙烯酰氨基和甲基丙烯酰氨基。即，優(yōu)選上述單體通過紫外光或可見光的照射發(fā)生光致斷裂反應(yīng)或發(fā)生奪氫反應(yīng)。
[0076]優(yōu)選上述電極為透明電極。作為本發(fā)明中的電極材料，能夠使用鋁等遮光性的材料、和氧化銦錫(ITO:1ndium Tin Oxide)、氧化銦鋅(IZO:1ndium Zinc Oxide)等透光性的材料的任意種，但例如在一對(duì)基板中的一個(gè)基板具有彩色濾光片的情況下，為了使單體聚合而進(jìn)行的紫外線的照射需要從不具有彩色濾光片的另一個(gè)基板側(cè)進(jìn)行，因此，上述另一個(gè)基板所具有的電極具有遮光性時(shí)，導(dǎo)致單體的聚合的效率降低。
[0077]上述液晶材料優(yōu)選含有在分子結(jié)構(gòu)中包含苯環(huán)的共軛雙鍵以外的多重鍵的液晶分子。這是因?yàn)椋壕Х肿幼陨淼亩嘀劓I通過光被活化，能夠成為能夠進(jìn)行活化能量、自由基等的授受的輸送體(載體)。即，使液晶成為光活性或成為傳輸自由基等的輸送體(載體)，由此聚合性單體的反應(yīng)速度和PS層的形成速度進(jìn)一步提高，形成穩(wěn)定的PS層。
[0078]上述液晶分子可以是具有正的介電常數(shù)各向異性的液晶分子(正型)和具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶分子(負(fù)型)的任意種。上述液晶分子優(yōu)選在液晶層中具有高的對(duì)稱性的向列型液晶分子。作為上述液晶分子具有的骨架的例子，可以列舉具有兩個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)和與該環(huán)結(jié)構(gòu)鍵合的基團(tuán)直線地連接的結(jié)構(gòu)的骨架。上述多重鍵不包含苯環(huán)的共軛雙鍵。這因?yàn)楸江h(huán)的反應(yīng)性弱。此外，上述液晶分子只要必須具有苯環(huán)的共軛雙鍵以外的多重鍵，則可以具有苯環(huán)的共軛雙鍵，該鍵并不特別除外。另外，上述液晶分子可以混合多種。為了確?？煽啃?、提高響應(yīng)速度、以及調(diào)整液晶相溫度范圍、彈性常數(shù)、介電常數(shù)各向異性和折射率各向異性，可以使液晶材料為多種液晶分子的混合物。
[0079]上述多重鍵優(yōu)選為雙鍵，優(yōu)選包含在酯基或烯基中。對(duì)于上述多重鍵而言，雙鍵比三鍵的反應(yīng)性優(yōu)異。此外，上述多重鍵可以為三鍵，但是在該情況下，優(yōu)選上述三鍵包含在氰基中。更優(yōu)選上述液晶分子具有兩種以上的上述多重鍵。
[0080]發(fā)明效果
[0081]根據(jù)本發(fā)明，在與液晶層的界面存在多個(gè)凹凸的情況下，也穩(wěn)定形成控制液晶分子的取向性的PS層，因此，能夠獲得取向缺陷少的液晶顯示裝置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0082]圖1是對(duì)具有凹凸的表面照射紫外線的情形的示意圖，表示對(duì)基板面從傾斜方向照射多次的情形(本發(fā)明)。
[0083]圖2是對(duì)具有凹凸的表面照射紫外線的情形的示意圖，表示對(duì)基板面從傾斜方向照射多次的情形(本發(fā)明)。
[0084]圖3是對(duì)具有凹凸的表面照射紫外線的情形的示意圖，表示對(duì)基板面從法線方向照射一次的情形(現(xiàn)有例)。
[0085]圖4是對(duì)具有凹凸的表面照射紫外線的情形的示意圖，表示對(duì)基板面從法線方向照射一次的情形(現(xiàn)有例)。
[0086]圖5是表示作為光取向膜材料使用具有肉桂酸酯基的化合物且曝光的光為偏振光時(shí)的、照射光的偏振光方向與對(duì)液晶的取向限制力的朝向的關(guān)系的概念圖。
[0087]圖6是表示進(jìn)行光取向處理而制作的IPS模式的液晶單元的影像殘留的情形的示意圖。
[0088]圖7是表示導(dǎo)入光取向處理且采用PS工序而制作的IPS模式的液晶單元的影像殘留的情形的不意圖。
[0089]圖8是對(duì)利用由非光活性的材料形成的取向膜進(jìn)行PS工序時(shí)的聚合性單體的聚合的情形進(jìn)行比較的示意圖。
[0090]圖9是對(duì)將由具有光活性的材料形成的取向膜和PS工序組合時(shí)的聚合性單體的聚合的情形進(jìn)行比較的示意圖。
[0091]圖10是表示對(duì)于垂直取向膜、使聚合性單體聚合時(shí)的情形的示意圖。
[0092]圖11是表示對(duì)于水平取向膜、使聚合性單體聚合時(shí)的情形的示意圖。
[0093]圖12是表示在實(shí)施方式I中對(duì)TFT基板進(jìn)行光照射的情形的立體示意圖。[0094]圖13是表示在實(shí)施方式I中對(duì)對(duì)置基板進(jìn)行光照射的情形的立體示意圖。
[0095]圖14是實(shí)施方式I中使用的曝光裝置的平面示意圖。
[0096]圖15是實(shí)施方式I中使用的曝光裝置的截面示意圖。
[0097]圖16是實(shí)施方式I中使用的曝光裝置所具備的光掩模的立體示意圖。
[0098]圖17是實(shí)施方式I中使用的曝光裝置所具備的光掩模的平面示意圖。
[0099]圖18是表示在實(shí)施方式I中對(duì)基板面進(jìn)行曝光的情形的概略圖。
[0100]圖19是表示在實(shí)施方式I中對(duì)TFT基板面進(jìn)行曝光的情形的截面示意圖。
[0101]圖20是表示在實(shí)施方式I中對(duì)TFT基板面進(jìn)行曝光的情形的平面示意圖。
[0102]圖21是表示實(shí)施方式I中的曝光工序后的基板的曝光區(qū)域的平面示意圖。
[0103]圖22是實(shí)施方式2中使用的曝光裝置的平面示意圖。
[0104]圖23是實(shí)施方式2中使用的曝光裝置的截面示意圖。
[0105]圖24是表示在實(shí)施方式2中對(duì)TFT基板面進(jìn)行曝光的情形的平面示意圖。
[0106]圖25是表不在實(shí)施方式2中對(duì)TFT基板面進(jìn)行曝光的情形的截面不意圖。
[0107]圖26是表示實(shí)施方式2中的曝光工序后的基板的曝光區(qū)域的平面示意圖。
[0108]圖27是實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的截面示意圖,表示PS聚合工序前。
[0109]圖28是實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的截面示意圖,表示PS聚合工序后。
[0110]圖29是表示實(shí)施例1?4、6、7的IPS基板的平面示意圖。
[0111]圖30是表示實(shí)施例5的FFS基板的平面示意圖。
[0112]圖31是表示下述化學(xué)式(34)和(35)所示的單體的吸收光譜的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0113]以下，列舉實(shí)施方式參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明，但是本發(fā)明不僅僅限定于這些實(shí)施方式。
[0114]實(shí)施方式I
[0115]以下，對(duì)實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的制造方法進(jìn)行說明。利用實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的制造方法制造的液晶顯示裝置能夠適合用于TV面板、數(shù)字標(biāo)牌、醫(yī)療用顯示器、電子書籍、PC用監(jiān)視器、平板電腦終端用面板、便攜電話終端用面板等。
[0116]在進(jìn)行光取向處理前，首先，準(zhǔn)備夾持液晶層的TFT基板和對(duì)置基板的一對(duì)基板。圖12是表示在實(shí)施方式I中對(duì)TFT基板進(jìn)行光照射的情形的立體示意圖。圖13是表示在實(shí)施方式I中對(duì)對(duì)置基板進(jìn)行光照射的情形的立體示意圖。
[0117]如圖12所示，作為TFT基板例如使用在玻璃基板上隔著絕緣膜分別配置有掃描信號(hào)線21、數(shù)據(jù)信號(hào)線22、TFT23和像素電極24而形成的TFT基板。掃描信號(hào)線21和數(shù)據(jù)信號(hào)線22相互交叉地配置，分別與TFT (薄膜晶體管)23的各電極連接。TFT23的電極之一還經(jīng)由設(shè)置在絕緣膜的接觸孔與像素電極24連接。而且，對(duì)TFT23施加以規(guī)定的時(shí)序脈沖性地供給的掃描信號(hào)時(shí)，從數(shù)據(jù)信號(hào)線22供給的數(shù)據(jù)信號(hào)就以該時(shí)序被供給至像素電極24。像素電極24呈矩陣狀地配置多個(gè)。此外，可以將輔助像素電位的CS配線配置為隔著絕緣膜橫切像素電極24。當(dāng)采用IPS模式或FFS模式時(shí)，像素電極為圖12所示的梳型電極，但在采用其他模式時(shí)，可以為其他形狀。例如，設(shè)置在上述絕緣膜的接觸孔成為在TFT基板的表面形成凹陷的原因，掃描信號(hào)線21、數(shù)據(jù)信號(hào)線22等各種配線、TFT23所具有的各種電極所具有的錐形形狀成為在TFT基板的表面形成凹凸的原因。
[0118]如圖13所示，作為對(duì)置基板例如使用在玻璃基板上分別配置有BM (黑色矩陣)26和彩色濾光片27的基板。BM26以遮蓋TFT基板的掃描信號(hào)線21和數(shù)據(jù)信號(hào)線22的方式形成為格子狀，在由BM26劃分形成的區(qū)域形成彩色濾光片27。這些BM26和彩色濾光片27成為在對(duì)置基板的表面形成凹凸的原因。
[0119]雖然在圖12和圖13中未圖示，但在TFT基板和/或?qū)χ没宄讼袼仉姌O之外還形成有公用電極。在采用IPS模式時(shí)，公用電極成為梳型電極，在采用FFS模式時(shí)，公用電極成為平板狀電極。另外，在TFT基板和對(duì)置基板的任一方，在貼合這些基板之前配置柱狀間隔件，另外，該柱狀間隔件也成為在基板表面形成突起結(jié)構(gòu)的原因。
[0120]接著，在利用旋涂法等對(duì)各基板的表面涂敷包含光取向膜材料的溶液之后，例如，通過在180°C進(jìn)行60分鐘的涂敷液的燒制，形成水平取向膜。作為光取向膜材料可以列舉包含感光性基團(tuán)的樹脂等。更加具體而言，優(yōu)選包含含有偶氮基(-N = N-)的偶氮苯基(下述化學(xué)式(I))、芪基(下述化學(xué)式(2))、4_查爾酮基(下述化學(xué)式(3))、4’ -查爾酮基(下述化學(xué)式(4))、香豆素基(下述化學(xué)式(5))、肉桂?；?下述化學(xué)式(6))、肉桂酸酯基(下述化學(xué)式(7))等感光性基團(tuán)的聚酰亞胺、聚酰胺酸、聚馬來酰亞胺、聚乙烯、聚硅氧烷等聚合物。下述化學(xué)式(I)?(7)的感光性基團(tuán)為由光(優(yōu)選為紫外線)的照射而產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)(包含二聚反應(yīng))、異構(gòu)化反應(yīng)、光再取向等的基團(tuán)，由此，與光分解型的光取向膜材料相比，能夠有效地減小取向膜面內(nèi)的預(yù)傾角的偏差。此外，下述化學(xué)式(I)?(7)的感光性基團(tuán)也包含苯環(huán)上鍵合有取代基的結(jié)構(gòu)。此外，下述化學(xué)式(6)的肉桂?；械聂驶M(jìn)一步與氧原子鍵合而形成的肉桂酸酯基(下述化學(xué)式(7))的反應(yīng)率特別高，能夠由低照射能量實(shí)現(xiàn)水平取向。作為苯環(huán)上的取代基的例子優(yōu)選氟、烷基、烷氧基、芐基、苯氧基、苯甲酰基、苯甲酸酯基或苯甲酰氧基或這些的衍生物，由此，電特性和取向穩(wěn)定性能夠提高。另外，當(dāng)為低照射能量時(shí)，也具有能夠抑制彩色濾光片等其它部件的劣化的進(jìn)行。因此，作為光取向膜材料更加優(yōu)選包含肉桂酸酯基的化合物。用于形成取向膜的燒制溫度、燒制時(shí)間和光取向膜的膜厚沒有特別限定，可以適當(dāng)設(shè)定。
[0121]
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 包括:對(duì)涂敷在一對(duì)基板中的至少一個(gè)基板上的光取向膜材料進(jìn)行照射光的光取向處理而形成水平取向膜的工序， 該光取向處理是對(duì)該基板面從傾斜方向?qū)ο嗤膮^(qū)域照射兩次以上的光的處理，該光取向處理中的照射兩次以上的光之中至少兩次的光是從相互相差90。以上的方位照射的偏振光。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述照射兩次以上的光之中至少兩次的光從相互相差150°?210°的方位照射。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述照射兩次以上的光之中至少兩次的光的入射角的誤差在45°以內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述照射兩次以上的光之中至少一次的光具有10?60°的入射角。
5.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述照射兩次以上的光均具有10?60°的入射角。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述照射兩次以上的光中的至少一次的光為P偏振光。
7.如權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，還具有: 對(duì)注入所述一對(duì)基板間的包含液晶材料和單體的液晶組合物照射光，使該單體聚合，在該水平取向膜上形成對(duì)接近的液晶分子進(jìn)行取向控制的聚合物層的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述液晶材料含有在分子結(jié)構(gòu)中包含苯環(huán)的共軛雙鍵以外的多重鍵的液晶分子。
9.如權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述光取向膜材料包含具有光異構(gòu)化型、光二聚化型或這兩種類型的官能團(tuán)的化合物。
10.如權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述光取向膜材料包含具有選自偶氮基、查爾酮基、芪基和香豆素基中的至少一個(gè)官能團(tuán)的化合物。
11.如權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述光取向膜材料包含具有肉桂酸酯基的化合物。
12.如權(quán)利要求1?11中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述液晶顯示裝置的取向類型為IPS型。
13.如權(quán)利要求1?11中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述液晶顯示裝置的取向類型為FFS型。
【文檔編號(hào)】G02F1/1337GK103797407SQ201280042431
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月29日
【發(fā)明者】宮地弘一, 三宅敢 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社