專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的新技術(shù)不斷地被提出和應(yīng)用?；贏DS (ADvanced Super Dimension Switch, AD-SDS,簡稱 ADS,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的TFT-LCD憑借其低功耗、寬視角等特點，得到了越來越多人們的關(guān)注。ADS技術(shù)主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技術(shù)的TFT-1XD產(chǎn)品不僅在畫面品質(zhì)上有所提高，且具有高分辨率、高透過率、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。對于ADS型TFT-1XD而言，公共電極需要制作在陣列基板上，這就在ADS型TFT-LCD的陣列基板制作過程中需要額外增加一次形成公共電極的構(gòu)圖工藝。因此在現(xiàn)有技術(shù)中通常需要通過7次構(gòu)圖工藝制造ADS型TFT-1XD陣列基板，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。構(gòu)圖工藝的次數(shù)過多將直接導(dǎo)致顯示裝置產(chǎn)品的成本上升，因此如何能夠進一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P(guān)注的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可以減少在陣列基板的制造過程中構(gòu)圖工藝的次數(shù)， 有效降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:本實用新型實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極，還包括:依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成；通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域包括所述第一透明電極。所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形位于所述金屬氧化物薄膜圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區(qū)域。所述通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域還包括:半導(dǎo)體有源層，所述半導(dǎo)體有源層位于所述刻蝕阻擋層薄膜下；用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極、用于與所述TFT的漏極電連接的漏連接電極以及第一透明電極，所述漏連接電極與所述第一透明電極為一體結(jié)構(gòu)。[0015]所述陣列基板還包括:位于所述透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線；位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵
絕緣層。所述陣列基板還包括:位于所述刻蝕阻擋層薄膜和所述第一透明電極的表面的數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極；位于所述數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的含有過孔的鈍化層，所述過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，露出公共電極線；位于所述鈍化層表面的第二透明電極，所述第二透明電極通過所述過孔與所述公共電極線電連接。所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極。所述金屬氧化物薄膜采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料，包括:InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO 中的至少一種。本實用新型實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的陣列基板。本實用新型實施例提供的陣列基板及顯示裝置，采用一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕 阻擋層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，可以在一次構(gòu)圖工藝中分別形成金屬氧化物薄膜的圖形、刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及第一透明電極，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到5次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的另一陣列基板制造方法的流程示意圖；圖3為透明基板上形成柵金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3所示的陣列基板上形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4所示的陣列基板形成有光刻膠的示意圖；圖6為圖5所示的陣列基板進行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6所示的陣列基板進行灰化后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7所示的陣列基板進行金屬化處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為圖8所示的陣列基板上形成源漏金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本實用新型實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法，包括在透明基板上形成薄膜晶體管TFT和第一透明電極的步驟，如圖1所示，形成第一透明電極的步驟包括:S101、形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜。其中，金屬氧化物薄膜可以采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料制作而成，例如，金屬氧化物薄膜可以包括:InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。S102、通過一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形。具體的，在依次形成有金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上可以通過一次構(gòu)圖工藝形成該金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的圖形，該刻蝕阻擋層薄膜的圖形位于金屬氧化物薄膜圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區(qū)域。S103、在該金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。具體的，可以對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理，形成具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜，刻蝕阻擋層薄膜下未進行金屬化處理的部分金屬氧化物薄膜形成半導(dǎo)體有源層。其中，經(jīng)過金屬化處理的金屬氧化物薄膜包括用于與TFT的源極電連接的源連接電極、用于與TFT的漏極電連接的漏連接電極以及第一透明電極，該漏連接電極與第一透明電極為一體結(jié)構(gòu)。 本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法，采用一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，可以在一次構(gòu)圖工藝中分別形成金屬氧化物薄膜的圖形、刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及第一透明電極，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到5次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。進一步地，本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法，如圖2所示，具體包括:S201、在透明基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線。在陣列基板的實際生產(chǎn)過程當中，透明基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成。在透明基板上需要采用一次構(gòu)圖工藝以形成柵線、柵電極以及公共電極線等結(jié)構(gòu)的圖形。例如，可以采用等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在透明基板上形成金屬層。其中，該金屬層可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，如圖3所示，最終在透明基板10的表面形成柵線(圖3中未示出)、柵電極111以及公共電極線112的圖案。S202、在透明基板、柵線、柵電極以及公共電極線上形成柵絕緣層。[0052]如圖4所示，圖4為TFT區(qū)域的層級結(jié)構(gòu)示意圖，可見，在該區(qū)域內(nèi)，在形成有柵電極111的透明基板10上形成有厚度均一的柵絕緣層12。S203、在依次形成有金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成該金屬氧化物薄膜和該刻蝕阻擋層薄膜的圖形，該刻蝕阻擋層薄膜的圖形位于金屬氧化物薄膜圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區(qū)域。具體的，同樣如圖4所示，在形成有柵絕緣層12的基板上還依次形成有金屬氧化物薄膜13和刻蝕阻擋層薄膜14。其中，金屬氧化物薄膜可以采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料制作而成，例如，金屬氧化物薄膜可以包括:InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種?？涛g阻擋層薄膜14可以是致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料。對這樣一種結(jié)構(gòu)的基板采用構(gòu)圖工藝進行處理，首先，如圖5所示，在刻蝕阻擋層薄膜14的表面形成有光刻膠50，通過曝光顯影得到如圖5所示的光刻膠形狀。其中，該光刻膠50在TFT溝道對應(yīng)區(qū)域處的厚度大于其余區(qū)域，這樣一來可以保證在一次構(gòu)圖之后TFT溝道區(qū)域具有仍然刻蝕阻擋層薄膜，防止電極之間產(chǎn)生短路。此外，光刻膠50覆蓋刻蝕阻擋層薄膜14的部分區(qū)域，該區(qū)域即為TFT的源漏極以及第一透明電極所在區(qū)域。對形成有光刻膠50的基板進行刻蝕，如圖6所示，通過刻蝕工藝可以刻蝕掉金屬氧化物薄膜13和刻蝕阻擋層薄膜14，直至暴露出柵絕緣層12，僅保留光刻膠50覆蓋區(qū)域的部分金屬氧化物薄膜13和刻蝕阻擋層薄膜14。進一步地，采用灰化工藝處理上述基板。通過灰化工藝的處理，光刻膠50的厚度將整體降低，將外露的刻蝕阻擋層薄膜14刻蝕掉，最終形成如圖7所示的基板，外露出金屬氧化物薄膜13，可見，通過灰化處理掉了大部分光刻膠，僅保留了原厚度較大部分的光刻膠，即覆蓋TFT溝道區(qū)域的光刻膠。S204、對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理，形成具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜，刻蝕阻擋 層薄膜下未進行金屬化處理的部分金屬氧化物薄膜形成半導(dǎo)體有源層。具體的，如圖8所示，可以通過等離子工藝或退火工藝等對外露的金屬氧化物薄膜13進行金屬化處理。該步驟可以通過以下三種方式實現(xiàn)。方式一:將具有圖7所示結(jié)構(gòu)的基板置于真空腔室中加熱到一定溫度，并保持一定時間后在空氣中冷卻。優(yōu)選的，該一定溫度值可以為200 300°C，保持的一定時間可以為20 40分鐘。方式二:將具有圖7所示結(jié)構(gòu)的基板置于還原性氣氛中在200 400°C進行熱處理。方式三:將具有圖7所示結(jié)構(gòu)的基板置于真空腔室中，采用等離子體處理的方法，一般功率為1500 2500W，壓力為1000 2000mtorr，有氫氣(H2)等離子體和氧氣(O2)等離子體處理兩種方法，使用氫氣等離子體或氧氣等離子體處理時，氫氣或氧氣的氣體流量一般為 5000 15000sccm。通過上述三種方式，可以使被金屬化處理的金屬氧化物薄膜13的載流子濃度提高，呈現(xiàn)導(dǎo)體特性，從而可以取代現(xiàn)有的像素電極材料。而刻蝕阻擋層薄膜14下未進行金屬化處理的金屬氧化物薄膜的載流子濃度較低，呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性，即為半導(dǎo)體有源層134。其中，經(jīng)過金屬化處理的金屬氧化物薄膜13具體可以包括用于與TFT的源極電連接的源連接電極131、用于與TFT的漏極電連接的漏連接電極132以及第一透明電極133，漏連接電極132與第一透明電極133為一體結(jié)構(gòu)。S205、在形成有刻蝕阻擋層薄膜和第一透明電極的基板上形成數(shù)據(jù)線、TFT的源極以及TFT的漏極。具體的，如圖9所示，基板上形成有位于源連接電極131之上的TFT的源極151、位于漏連接電極132之上的TFT的漏極152以及與TFT的源極151電連接的數(shù)據(jù)線(圖9中未示出)。進一步地，可以采用構(gòu)圖工藝對形成有如圖9所示結(jié)構(gòu)的陣列基板進行進一步處理。例如，可以通過灰化工藝使得TFT的源極151與TFT的漏極152的厚度整體降低，直至TFT的源極151與TFT的漏極152的厚度與刻蝕阻擋層薄膜14的厚度相同。這樣一來，消除了陣列基板上TFT的源極151、TFT的漏極152與刻蝕阻擋層薄膜14的段差，增加了膜層的平整性，進一步提高了顯示裝置產(chǎn)品的質(zhì)量。S206、在形成有數(shù)據(jù)線、TFT的源極以及TFT的漏極的基板上形成含有過孔的鈍化層，該過孔貫穿鈍化層和柵絕緣層，露出公共電極線。S207、在鈍化層上形成第二透明電極，該第二透明電極通過過孔與公共電極線電連接。需要說明的是，在本實用新型實施例中，第一透明電極可以為像素電極，第二透明電極可以為公共電極。具體的，TFT的源、漏電極、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二透明電極分別可以通過三次構(gòu)圖工藝形成。采用現(xiàn)有的成膜方法如磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法在基板上形成金屬薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成與源連 接電極131電連接的TFT的源極151，和與漏連接電極132電連接的TFT的漏極152以及數(shù)據(jù)線的圖案。其中，形成源、漏電極和數(shù)據(jù)線的金屬薄膜可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。接著，再在基板上通過化學(xué)氣相沉積或熱蒸發(fā)等方法制備絕緣薄膜形成鈍化層16，該鈍化層上通過構(gòu)圖工藝形成有過孔A，第二透明電極17可以通過過孔A與公共電極線112電連接。其中，該絕緣薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層薄膜，也可以采用上述材料的多層形成的多層薄膜。最后，通過磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法形成透明導(dǎo)電薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成條狀的第二透明電極17，最終形成如圖10所示的陣列基板。其中，第一透明電極133與第二透明電極17之間可以形成多維電場。第二透明電極17的材料可以是ITO、ZnO, InGaZnO,InZnO、InGaO等透明導(dǎo)電材料。本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法，采用一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，可以在一次構(gòu)圖工藝中分別形成金屬氧化物薄膜的圖形、刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及第一透明電極，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到5次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。本實用新型實施例提供的陣列基板，如圖10所示，包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極133,還包括:依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜13和刻蝕阻擋層薄膜14。[0078]其中，金屬氧化物薄膜13的圖形和刻蝕阻擋層薄膜14的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成。通過金屬化處理的金屬氧化物薄膜13的圖形區(qū)域包括第一透明電極133。該陣列基板可以為采用上述各個實施例說明的陣列基板的制造方法制得的陣列基板。該陣列基板具體包括TFT、第一透明電極133和第二透明電極17。其中，源連接電極131、漏連接電極132、第一透明電極133以及半導(dǎo)體有源層134均是由同一金屬氧化薄膜通過一次構(gòu)圖工藝形成的，其中，第一透明電極133由金屬氧化物薄膜通過金屬化處理得到，半導(dǎo)體有源層134由未被金屬化處理的金屬氧化物薄膜形成。需要說明的是，上述各個實施例中是以像素電極和公共電極異層設(shè)置的陣列基板為例進行的說明。可以理解的是，以上實施例中像素電極和公共電極同層設(shè)置在陣列基板上時，也可以通過構(gòu)圖工藝、金屬化處理等在一層金屬氧化物薄膜上形成有源層、像素電極和公共電極的圖案。因此，本實用新型實施例提供的陣列基板通過適當?shù)淖冃我部梢赃m用于IPS (In-Plane Switching，平面內(nèi)開關(guān))型和AD-SDS型的TFT陣列基板。本實用新型實施例提供的陣列基板，采用一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，可以在一次構(gòu)圖工藝中分別形成金屬氧化物薄膜的圖形、刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及第一透明電極，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到5次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。進一步地，如圖10所示，刻蝕阻擋層薄膜14的圖形可以位于金屬氧化物薄膜13圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區(qū)域。通過金屬化處理 的金屬氧化物薄膜13的圖形區(qū)域還可以包括:半導(dǎo)體有源層134，該半導(dǎo)體有源層134可以位于刻蝕阻擋層薄膜14下。以及用于與TFT的源極151電連接的源連接電極131、用于與TFT的漏極152電連接的漏連接電極132以及第一透明電極133，該漏連接電極132與第一透明電極133可以為
一體結(jié)構(gòu)。進一步地，陣列基板還可以包括:位于透明基板10和金屬氧化物薄膜13之間的柵線(圖10中未示出)、柵電極111以及公共電極線112。位于柵線、柵電極111以及公共電極線112和金屬氧化物薄膜13之間的柵絕緣層12。陣列基板還可以包括:位于刻蝕阻擋層薄膜14和第一透明電極133的表面的數(shù)據(jù)線(圖10中未示出)、TFT的源極151以及TFT的漏極152。位于數(shù)據(jù)線、TFT的源極151以及TFT的漏極152的表面的含有過孔A的鈍化層16，該過孔A貫穿鈍化層16和柵絕緣層12，露出公共電極線112。位于鈍化層表面16的第二透明電極17，該第二透明電極17通過過孔A與公共電極線112電連接。在本實用新型實施例中，第一透明電極133可以為像素電極，第二透明電極17可以為公共電極。其中，金屬氧化物薄膜13可以采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料，例如，可以包括:InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。本實用新型實施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。該陣列基板具體包括TFT、第一透明電極和第二透明電極。其中，源連接電極、漏連接電極、第一透明電極以及半導(dǎo)體有源層均是由同一金屬氧化薄膜通過一次構(gòu)圖工藝形成的，其中，第一透明電極由金屬氧化物薄膜通過金屬化處理得到，半導(dǎo)體有源層由未被金屬化處理的金屬氧化物薄膜形成。需要說明的是本實用新型所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。本實用新型實施例提供的顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板采用一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，可以在一次構(gòu)圖工藝中分別形成金屬氧化物薄膜的圖形、刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及第一透明電極，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到5次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為 準。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極，其特征在于，還包括: 依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜； 所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成； 通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域包括所述第一透明電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形位于所述金屬氧化物薄膜圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域還包括: 半導(dǎo)體有源層，所述半導(dǎo)體有源層位于所述刻蝕阻擋層薄膜下； 用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極、用于與所述TFT的漏極電連接的漏連接電極以及第一透明電極，所述漏連接電極與所述第一透明電極為一體結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 位于所述透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線； 位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 位于所述刻蝕阻擋層薄膜和所述第一透明電極的表面的數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極； 位于所述數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的含有過孔的鈍化層，所述過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，露出公共電極線； 位于所述鈍化層表面的第二透明電極，所述第二透明電極通過所述過孔與所述公共電極線電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極。
7.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至6任一所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以減少在陣列基板的制造過程中構(gòu)圖工藝的次數(shù)，有效降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。陣列基板包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極，還包括依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成；通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域包括所述第一透明電極。本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括前述的陣列基板。
文檔編號G02F1/1368GK203085534SQ20122065274
公開日2013年7月24日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者崔承鎮(zhèn), 金熙哲, 宋泳錫, 劉圣烈 申請人:京東方科技集團股份有限公司