專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
如圖1和圖2所示,液晶顯示裝置的顯示面板包括陣列基板01,彩膜基板02及夾設(shè)于其間的液晶層05。在顯示面板的顯示區(qū)域03內(nèi)，可以通過控制液晶的偏轉(zhuǎn)對來自背光模組的光進(jìn)行調(diào)制，實(shí)現(xiàn)其顯示功能；顯示面板的非顯示區(qū)域，可以通過位于彩膜基板02側(cè)邊的黑矩陣04實(shí)現(xiàn)對周邊入射光的遮擋，黑矩陣04的邊緣一般與顯示區(qū)域03對齊。在陣列基板的設(shè)計(jì)中，各種設(shè)備在其動(dòng)作起始端和動(dòng)作終端的均一性較差，而在其動(dòng)作中間段的均一性較好，為了保證顯示區(qū)域03內(nèi)各個(gè)像素單元的工藝的均一性，通常需要在靠近顯示區(qū)域03的非顯示區(qū)域06的空白區(qū)域內(nèi)設(shè)置輔助像素單元(Dummy Piexl)區(qū)。如圖2及圖3所示，輔助像素單元的設(shè)計(jì)基本與顯示區(qū)域03內(nèi)的像素單元結(jié)構(gòu)基本一致，在此不作贅述，但通常輔助像素單元區(qū)中的TFT器件會(huì)被去除?，F(xiàn)有技術(shù)中，在陣列基板的設(shè)計(jì)中，輔助像素單元內(nèi)像素電極011的電位沒有進(jìn)行控制，像素電極011在周邊一些電極結(jié)構(gòu)(如柵極07、數(shù)據(jù)線08等)影響下，像素電極011內(nèi)的電位變化無常，導(dǎo)致像素電極011與公共電極010之間形成的電場紊亂，無法對輔助像素單元區(qū)液晶層05中液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向進(jìn)行控制，射入的光線經(jīng)過輔助像素單元區(qū)的液晶層05后，光線的傳播方向雜亂無章，其中部分光線可能會(huì)進(jìn)入顯示區(qū)域03，影響處于顯示區(qū)域03邊緣的像素單元的顯示，從而導(dǎo)致邊緣漏光，影響液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，該陣列基板的非顯示區(qū)域內(nèi)，輔助像素單元中的像素電極的電位可控，提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。本實(shí)用新型還提供了一種具有上述陣列基板的液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量較高。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和具有多個(gè)輔助像素單元(du_y piexl)的非顯示區(qū)域，還包括:與輔助像素單元的公共電極電性連接的公共電極信號線；為輔助像素單元的像素電極提供電位信號的像素信號單元。優(yōu)選地，所述像素信號單元為薄膜晶體管開關(guān)，所述薄膜晶體管開關(guān)的漏極與輔助像素單元的像素電極電性連接，源極與數(shù)據(jù)線電性連接。優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極信號線電位相等。優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極信號線電性連接。優(yōu)選地，所述像素信號單元包括:所述像素電極延伸出的連接部，所述連接部與柵極電性連接。[0015]優(yōu)選地，所述柵極與所述公共電極信號線的電位相同。優(yōu)選地，所述柵極與所述公共電極信號線電性連接。優(yōu)選地，所述柵極與所述公共電極信號線同層設(shè)置。優(yōu)選地，所述公共電極與所述像素電極設(shè)置于陣列基板，所述像素信號單元為設(shè)置于公共電極的金屬層與像素電極的金屬層之間的過孔，以及填充于所述過孔內(nèi)的連接柱，所述連接柱的一端與公共電極的金屬層電性連接，另一端與像素電極的金屬層電性連接。本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中提供的任一種陣列基板。本實(shí)用新型提供的陣列基板，包括顯示區(qū)域和具有多個(gè)輔助像素單元(drnnrnypiexl)的非顯示區(qū)域,還包括:與輔助像素單元的公共電極電性連接的公共電極信號線；為輔助像素單元的像素電極提供電位信號的像素信號單元。本實(shí)用新型提供的上述陣列基板，其非顯示區(qū)域中的輔助像素單元中，可以通過像素信號單元對像素電極的電位進(jìn)行控制，使像素電極上的電位穩(wěn)定，進(jìn)而使像素電極與公共電極之間形成的電場穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)對液晶層內(nèi)液晶分子轉(zhuǎn)向的控制，控制光線在液晶層內(nèi)的轉(zhuǎn)向，減少非顯示區(qū)域射向顯示區(qū)域的光線，從而減少非顯示區(qū)域邊緣的漏光現(xiàn)象，提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。另外，本實(shí)用新型提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中的陣列基板。該顯示裝置具有較高的顯示質(zhì)量。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的正面示意圖；圖2為圖1中所示陣列基板的A-A向結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板中輔助像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型提供的陣列基板的正面示意圖；圖5為本實(shí)用新型提供的陣列基板中輔助像素單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖。圖中主要元件符號說明:01，陣列基板;02，彩膜基板;03、3，顯示區(qū)域;04，黑矩陣;05，液晶層;06、6，非顯示區(qū)域；61，輔助像素單元；07、7，柵極；08、8，數(shù)據(jù)線；010、10，公共電極；011、11，像素電
極；111，連接部；12，公共電極信號線。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型的技術(shù)方案一提供的陣列基板，包括顯示區(qū)域和具有多個(gè)輔助像素單元(du_y piexl)的非顯示區(qū)域,還包括:[0034]與輔助像素單元的公共電極電性連接的公共電極信號線；為輔助像素單元的像素電極提供電位信號的像素信號單元。具體在顯示過程中，上述陣列基板的非顯示區(qū)域中的輔助像素單元中，可以通過像素信號單元對像素電極的電位進(jìn)行控制，使像素電極上的電位穩(wěn)定，進(jìn)而使像素電極與公共電極之間形成的電場穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)對液晶層內(nèi)液晶分子轉(zhuǎn)向的控制，控制光線在液晶層內(nèi)的轉(zhuǎn)向，減少非顯示區(qū)域射向顯示區(qū)域的光線，從而減少非顯示區(qū)域邊緣的漏光現(xiàn)象，提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案二，在技術(shù)方案一的基礎(chǔ)上，本技術(shù)方案提供了上述像素信號單元的一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，優(yōu)選地，上述像素信號單元為薄膜晶體管開關(guān)，所述薄膜晶體管開關(guān)的漏極與輔助像素單元的像素電極電性連接，源極與數(shù)據(jù)線電性連接。柵極通入高電平之后，薄膜晶體管開關(guān)打開，源極和漏極連通，進(jìn)而可以通過數(shù)據(jù)線對像素電極的電位進(jìn)行控制。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案三，在技術(shù)方案二的基礎(chǔ)上，為使上述陣列基板非顯示區(qū)域處于長黑狀態(tài)，優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極信號線電位相等。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案四，技術(shù)方案三中提到的所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極信號線電位相等可以通過本方案提供的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，具體地，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極信號線電性連接。數(shù)據(jù)線與公共電極信號線電性連接，則數(shù)據(jù)線上的電位與公共電極信號線的電位相同。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案五，本技術(shù)方案提供了上述像素信號單元的另一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，具體的，所述像素信號單元包括: 所述像素電極延伸出的連接部，所述連接部與柵極電性連接。像素電極與柵極電性連接，則可以通過柵極控制像素電極的電位。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案六，在技術(shù)方案五的基礎(chǔ)上，為使上述陣列基板非顯示區(qū)域處于長黑狀態(tài)，優(yōu)選地，所述柵極與所述公共電極信號線的電位相同。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案七，技術(shù)方案六中提到的所述柵極與所述公共電極信號線電位相等可以通過本方案提供的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，具體地，所述柵極與所述公共電極信號線電性連接。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案八，在技術(shù)方案七的基礎(chǔ)上，為便于陣列基板的制備，優(yōu)選地，所述柵極與所述公共電極信號線同層設(shè)置。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案九，本技術(shù)方案提供了上述像素信號單元的另一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，具體的，所述公共電極與所述像素電極設(shè)置于陣列基板，所述像素信號單元為設(shè)置于公共電極的金屬層與像素電極的金屬層之間的過孔，以及填充于所述過孔內(nèi)的連接柱，所述連接柱的一端與公共電極的金屬層電性連接，另一端與像素電極的金屬層電性連接。作為本實(shí)用新型的技術(shù)方案十，本技術(shù)方案提供了一種顯示裝置，包括技術(shù)方案一至技術(shù)方案九提供的任一種陣列基板。上述僅僅提供了本實(shí)用新型的幾種優(yōu)選技術(shù)方案，下面結(jié)合一些優(yōu)選實(shí)施方式對上述技術(shù)方案進(jìn)行具體描述，以便于本領(lǐng)域技術(shù)人員對上述技術(shù)方案的理解。實(shí)施例一[0050]如圖4所示，本實(shí)施例提供的陣列基板，包括顯示區(qū)域3和具有多個(gè)輔助像素單元61的非顯示區(qū)域6,還包括:與輔助像素單元61的公共電極電性連接的公共電極信號線12 ；為輔助像素單元61的像素電極提供電位信號的像素信號單元。其中，輔助像素單元61的公共電極10如圖5中所示，輔助像素單元61的像素電極11如圖5中所示。具體在顯示過程中，上述陣列基板的非顯示區(qū)域6中的輔助像素單元61中，可以通過像素信號單元對像素電極11的電位進(jìn)行控制，使像素電極11上的電位穩(wěn)定，進(jìn)而使像素電極11與公共電極10之間形成的電場穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)對液晶層內(nèi)液晶分子轉(zhuǎn)向的控制，控制光線在液晶層內(nèi)的轉(zhuǎn)向，減少非顯示區(qū)域6射向顯示區(qū)域3的光線，從而減少非顯示區(qū)域6邊緣的漏光現(xiàn)象，提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。優(yōu)選實(shí)施方式一，在上述方案一的基礎(chǔ)上，本技術(shù)方案提供了上述像素信號單元的一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，優(yōu)選地，上述像素信號單元可以為薄膜晶體管開關(guān)，薄膜晶體管開關(guān)的漏極與輔助像素單元61的像素電極11電性連接，源極與數(shù)據(jù)線8電性連接。柵極7通入高電平之后，薄膜晶體管開關(guān)打開，源極和漏極連通，將數(shù)據(jù)線8與像素電極11電性連接，通過數(shù)據(jù)線8控制像素電極11的電位；公共電極信號線12控制公共電極10電位，數(shù)據(jù)線8控制像素電極11的電位，從而可以控制公共電極10與像素電極11之間產(chǎn)生的電場，對輔助像素單元61液晶層內(nèi)液晶分子的轉(zhuǎn)向進(jìn)行控制，減少非顯示區(qū)域6射向顯示區(qū)域3的光線。在優(yōu)選實(shí)施方式一的基礎(chǔ)上，優(yōu)選，為最大限度地減少非顯示區(qū)域6內(nèi)的光線射入顯示區(qū)域3內(nèi)，對顯示區(qū)域3的顯示造成的影響，可以使陣列基板的非顯示區(qū)域6內(nèi)的輔助像素單元61處于長黑狀態(tài)，優(yōu)選地，可以使上述數(shù)據(jù)線8與上述公共電極信號線12的電位相等。數(shù)據(jù)線8和公共電極信號線12的電位相等，則像素電極11與公共電極10在通電后電位相同，液晶分子按初始方向排列，不發(fā)生旋轉(zhuǎn)，即使非顯示區(qū)域6內(nèi)的光線射入顯示區(qū)域3中也不能通過下偏光片，減小對顯示區(qū)域3的顯示造成影響。具體的，上述數(shù)據(jù)線8與上述公共電極信號線12電位相等可以通過下述結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn):如圖4所示，上述數(shù)據(jù)線8與上述公共電極信號線12電性連接。數(shù)據(jù)線8與公共電極信號線12電性連接，則數(shù)據(jù)線8上的電位與公共電極信號線12的電位相同。優(yōu)選實(shí)施方式二，優(yōu)選實(shí)施方式提供了上述像素信號單元的另一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，具體的，如圖5所示，上述像素信號單元包括:像素電極11延伸出的連接部111，連接部111與柵極7電性連接。通過柵極7控制像素電極11的電位，也可以使像素電極11與公共電極10之間形成的電場穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)對液晶層內(nèi)液晶分子轉(zhuǎn)向的控制，控制光線在液晶層內(nèi)的轉(zhuǎn)向，減少非顯示區(qū)域6射向顯示區(qū)域3的光線，從而減少非顯示區(qū)域6邊緣的漏光現(xiàn)象，提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。同理，為最大限度地減少非顯示區(qū)域6內(nèi)的光線射入顯示區(qū)域3內(nèi)，對顯示區(qū)域3的顯示造成的影響，可以使陣列基板的非顯示區(qū)域6內(nèi)的輔助像素單元61處于長黑狀態(tài)，優(yōu)選地，柵極7與公共電極信號線12的電位相同。具體地，柵極7與公共電極信號12之間的電位相等可通過下述方案實(shí)現(xiàn):柵極7與公共電極信號線12電性連接。優(yōu)選地，為便于陣列基板的制備，上述柵極7與公共電極信號線12同層設(shè)置。上述實(shí)施例一及其優(yōu)選實(shí)施方式中提供的陣列基板可以為H-ADS模式、ADS模式以及TN模式。ADS模式是平面電場寬視角核心技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。實(shí)施例二本實(shí)施例提供了上述像素信號單元的另一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，具體的，公共電極10與像素電極11設(shè)置于陣列基板，像素信號單元為設(shè)置于公共電極10的金屬層與像素電極11的金屬層之間的過孔，以及填充于過孔內(nèi)的連接柱，連接柱的一端與公共電極10的金屬層電性連接，另一端與像素電極11的金屬層電性連接。即，直接將像素電極11與公共電極10通過過孔電性連接，可以保證像素電極11電位的穩(wěn)定，同時(shí)使像素電極11與公共電極之間電位相同，保證非顯示區(qū)域6的長黑狀態(tài)。上述提到的連接柱可以為在形成像素電極11時(shí)直接濺射入過孔中的透明ITO材料，也可以為單獨(dú)填充的導(dǎo)電金屬材料，如銅、鋁、鑰以及其導(dǎo)電金屬氧化物以及合金等。本實(shí)施例提供的陣列基板可以適用于H-ADS模式和ADS模式。實(shí)施例三本實(shí)施例提供了 一種顯示裝置，包括實(shí)施例一及其優(yōu)選實(shí)施方式、實(shí)施例二提供的任一種陣列基板。該顯示裝置的顯示質(zhì)量較高。該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、PAD等顯示裝置。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和具有多個(gè)輔助像素單元(Du_y Piexl)的非顯示區(qū)域，其特征在于，還包括: 與輔助像素單元的公共電極電性連接的公共電極信號線； 為輔助像素單元的像素電極提供電位信號的像素信號單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素信號單元為薄膜晶體管開關(guān)，所述薄膜晶體管開關(guān)的漏極與輔助像素單元的像素電極電性連接，源極與數(shù)據(jù)線電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極信號線電位相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極信號線電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素信號單元包括: 所述像素電極延伸出的連接部，所述連接部與柵極電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極與所述公共電極信號線的電位相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極與所述公共電極信號線電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極與所述公共電極信號線同層設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極與所述像素電極設(shè)置于陣列基板，所述像素信號單元為設(shè)置于公共電極的金屬層與像素電極的金屬層之間的過孔，以及填充于所述過孔內(nèi)的連接柱，所述連接柱的一端與公共電極的金屬層電性連接，另一端與像素電極的金屬層電性連接。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1 9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和具有多個(gè)輔助像素單元dummy piexl的非顯示區(qū)域，還包括與dummy piexl的公共電極電性連接的公共電極信號線；為dummy piexl的像素電極提供電位信號的像素信號單元。另外，本實(shí)用新型提供了一種包括上述陣列基板的顯示裝置。上述陣列基板的非顯示區(qū)域的Dummy Piexl中，通過像素信號單元對像素電極的電位進(jìn)行控制，使像素電極上的電位穩(wěn)定，進(jìn)而使像素電極與公共電極之間形成的電場穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)對液晶層內(nèi)液晶分子轉(zhuǎn)向的控制，減少非顯示區(qū)域射向顯示區(qū)域的光線，從而減少非顯示區(qū)域邊緣的漏光現(xiàn)象，提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
文檔編號G02F1/1368GK203054408SQ201220633498
公開日2013年7月10日 申請日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月26日
發(fā)明者李紅敏, 李小和, 張曉潔, 邵賢杰 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司