薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板和包括該陣列基板的液晶顯示裝置，所述陣列基板包括：第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層彼此絕緣；多個(gè)子像素；所述第一透明導(dǎo)電層包括第一類子像素組的像素電極和第二類子像素組的公共電極；所述第二透明導(dǎo)電層包括第二類子像素組的像素電極和第一類子像素組的公共電極；所述第一類子像素組與第二類子像素組在所述陣列基板上相鄰設(shè)置，且第一類子像素組相互之間不相鄰，第二類子像素組相互之間不相鄰。本發(fā)明通過改變陣列基板像素電極和公共電極的設(shè)置方式消除或者減少殘影現(xiàn)象發(fā)生以及簡化了極性反轉(zhuǎn)的方式。
【專利說明】薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]IPS模式液晶顯示裝置通過在兩層基板中注入液晶，通過陣列基板上的像素電極和公共電極形成的電場改變液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向從而調(diào)節(jié)可以通過的光線量，實(shí)現(xiàn)對(duì)圖像的顯示。
[0003]在液晶的制造過程中，不可避免地會(huì)在液晶中殘留可移動(dòng)的雜質(zhì)離子，在液晶被施加電場時(shí)，雜質(zhì)離子會(huì)受到電極上與其相反的電荷的吸引而向電極移動(dòng)，如果在陣列基板的電極上持續(xù)殘留相同極性的電壓(也即直流偏置電壓(DC bias))，例如，對(duì)像素施加正負(fù)交流電壓時(shí)，若正電壓高于負(fù)電壓，則形成正性偏置電壓，該偏置電壓會(huì)吸引液晶盒內(nèi)的雜質(zhì)離子形成內(nèi)部電場。該電場會(huì)導(dǎo)致液晶分子不能以期望的速度回復(fù)初始的位置，由此影響液晶的排列和穿透度，改變液晶的T-V曲線，使得即使完全不施加電壓時(shí)，液晶的排列會(huì)與原始排列狀態(tài)不同，進(jìn)而導(dǎo)致希望消失的圖像仍然殘留在液晶顯示裝置上，形成殘影(Image Sticking),影響液晶顯示裝置的性能。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，利用液晶分子在完全相反的電場作用下排列方式不變的特點(diǎn)，通常通過在數(shù)據(jù)線上施加交流數(shù)據(jù)信號(hào)并配合柵線的時(shí)序控制使得陣列基板上同一子像素的電極電壓周期性地極性反轉(zhuǎn)，從而使得雜質(zhì)離子隨著電極極性的翻轉(zhuǎn)往復(fù)移動(dòng)，進(jìn)而避免雜質(zhì)離子聚集導(dǎo)致殘影現(xiàn)象出現(xiàn)?，F(xiàn)有的極性反轉(zhuǎn)技術(shù)包括面極性反轉(zhuǎn)、行極性反轉(zhuǎn)和點(diǎn)極性反轉(zhuǎn)。
[0005]其中，面極性反轉(zhuǎn)為整個(gè)陣列基板的像素電極極性在某一周期均為正，在下一周期均為負(fù)。行極性反轉(zhuǎn)為在某一周期奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素電極極性相反，在下一個(gè)周期奇偶行的像素電極的極性互換。點(diǎn)極性反轉(zhuǎn)為在某一周期內(nèi)相鄰子像素的像素電極極性相反在下一個(gè)周期相鄰子像素的像素電極極性互換。
[0006]其中，使用點(diǎn)極性技術(shù)的薄膜晶體管陣列基板性能最好，但是，其時(shí)序控制以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)極為復(fù)雜，制造工藝難度較大，功耗很高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提出一 種薄膜晶體管陣列基板和包括該陣列基板的液晶顯示裝置，在減少或消除殘影現(xiàn)象的同時(shí)，降低功耗簡化制造工藝。
[0008]本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板，包括:
[0009]第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層彼此絕緣；
[0010]多個(gè)子像素；
[0011]所述第一透明導(dǎo)電層包括第一類子像素組的像素電極和第二類子像素組的公共電極；
[0012]所述第二透明導(dǎo)電層包括第二類子像素組的像素電極和第一類子像素組的公共電極；
[0013]所述第一類子像素組與第二類子像素組在所述陣列基板上相鄰設(shè)置，且第一類子像素組相互之間不相鄰，第二類子像素組相互之間不相鄰。
[0014]優(yōu)選地，所述第一類子像素組為像素電極位于第一透明導(dǎo)電層，公共電極位于第二透明導(dǎo)電層的子像素組；
[0015]所述第二類子像素組為像素位于第二透明導(dǎo)電層，公共電極位于第一透明導(dǎo)電層的子像素組。
[0016]優(yōu)選地，所述子像素組由獨(dú)立的子像素組成；或者
[0017]所述子像素組包括至少兩個(gè)相鄰設(shè)置的子像素。
[0018]優(yōu)選地，還包括顯示區(qū)；所述第一透明導(dǎo)電層的公共電極圖案與所述第二透明導(dǎo)電層的公共電極圖案在所述陣列基板的顯示區(qū)外形成電連接。
[0019]優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電層的公共電極圖案與所述第二透明導(dǎo)電層的公共電極圖案在所述陣列基板邊緣形成電連接，或通過基板外部電路形成電連接。
[0020]優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電層的像素電極相互絕緣地設(shè)置；
[0021 ] 所述第二透明導(dǎo)電層的像素電極相互絕緣地設(shè)置。
[0022]優(yōu)選地，所述基板適用于共面開關(guān)模式(IPS)液晶顯示裝置。
[0023]優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有絕緣層。
[0024]優(yōu)選地，所述像素電極和公共電極之間的電場周期性反轉(zhuǎn)。
[0025]本發(fā)明還公開了一種液晶顯示裝置，其包括如上所述的任意一種薄膜晶體管陣列基板。
[0026]本發(fā)明通過改變陣列基板像素電極和公共電極的設(shè)置方式，使得相鄰的子像素的像素電極和公共電極顛倒設(shè)置，使得在對(duì)數(shù)據(jù)線施加相同極性信號(hào)，也即像素電極被施加直流偏置電壓的情況下，仍能使得相鄰子像素的電場方向相反，通過框反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式既可以實(shí)現(xiàn)點(diǎn)極性反轉(zhuǎn)的效果，可以消除或者減少殘影現(xiàn)象發(fā)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的截面示意圖；
[0028]圖2a是本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的第一透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖；
[0029]圖2b是本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖；
[0030]圖2c是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一實(shí)施方式的第一透明導(dǎo)電層的電極分布不意圖；
[0031]圖2d是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一實(shí)施方式的第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖；
[0032]圖2e是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一實(shí)施方式的第一透明導(dǎo)電層的電極分布不意圖；[0033]圖2f是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一實(shí)施方式的第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖；
[0034]圖2g是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一實(shí)施方式的第一透明導(dǎo)電層的電極分布不意圖；
[0035]圖2h是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一實(shí)施方式的第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖；
[0036]圖3a是本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的截面原理示意圖；
[0037]圖3b是本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板在極性反轉(zhuǎn)前的電場分布示意圖；
[0038]圖3c是本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板在極性反轉(zhuǎn)后的電場分布示意圖；
[0039]圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的截面示意圖；
[0040]圖5a是本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的第一透明導(dǎo)電層示意圖；
[0041]圖5b是本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的第二透明導(dǎo)電層的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0043]實(shí)施例一
[0044]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的截面示意圖。圖1截取了薄膜晶體管陣列基板上兩個(gè)相鄰的子像素單元的截面，圖1中示出了第一子像素IOa和與其相鄰的第二子像素10b。薄膜晶體管陣列基板包括基板11，所述基板11可以為透明材料，例如玻璃，形成于玻璃基板11上的多個(gè)子像素，每個(gè)像素包括用于構(gòu)成像素開關(guān)元件的薄膜晶體管12。在圖1中，為了方便說明，薄膜晶體管12均以圖塊的形式示出，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，薄膜晶體管12的數(shù)量可以是一個(gè)也可以是多個(gè)，其取決于所使用的像素開關(guān)元件的類型，而且薄膜晶體管12實(shí)際上是通過將半導(dǎo)體層，絕緣層以及金屬層以特定的結(jié)構(gòu)多層層疊形成的有源半導(dǎo)體器件，任何現(xiàn)有的以及本領(lǐng)域公知的薄膜晶體管均可適用于本實(shí)施例。
[0045]陣列基板上所有的子像素對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管均相同。鈍化層14覆蓋在薄膜晶體管12上形成可供形成電極的絕緣層，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，鈍化層14上可以形成一平坦化層。陣列基板還包括圖案化的第一透明導(dǎo)電層15、形成于第一透明導(dǎo)電層15上的絕緣層16和形成于絕緣層16上的圖案化的第二透明導(dǎo)電層17。
[0046]本實(shí)施例中，薄膜晶體管陣列基板的子像素分為第一類子像素組和第二類子像素組，所述第一類子像素組為像素電極位于第一透明導(dǎo)電層15，公共電極位于第二透明導(dǎo)電層17的子像素組；所述第二類子像素組為像素電極位于第二透明導(dǎo)電層17，公共電極位于第一透明導(dǎo)電層15的子像素組。
[0047]如圖1所示，第一子像素IOa是第一類子像素組，包括位于第一透明導(dǎo)電層15的像素電極151和位于第二透明導(dǎo)電層17的公共電極171。
[0048]第二子像素IOb是第二類子像素組，包括位于第一透明導(dǎo)電層15的公共電極152和位于第二透明導(dǎo)電層17的像素電極172。[0049]在本實(shí)施例中，所述第一類子像素組與第二類子像素組在薄膜晶體管陣列基板上相鄰設(shè)置，且第一類子像素組相互之間不相鄰，第二類子像素組相互之間不相鄰。
[0050]在本實(shí)施例中，子像素或子像素組“相鄰”是指以矩陣陣列方式排列的子像素陣列或子像素組中，兩個(gè)子像素或子像素組在陣列的列方向上相互毗鄰或在行方向上相互毗鄰。
[0051]在本實(shí)施例中圖1所示的實(shí)施方式中，子像素組由一個(gè)獨(dú)立的子像素構(gòu)成，也即一個(gè)子像素即構(gòu)成一個(gè)子像素組。由此，第一子像素IOa構(gòu)成一個(gè)第一類子像素組，也即，第一類子像素組為間隔設(shè)置的子像素，例如，對(duì)于包括N*M個(gè)子像素的陣列，第一類子像素組可以包括陣列基板上所有第2n+2行第2m+2列的子像素和2n+l行第2m+l列的子像素(η=O, I,......, N ；η = O, I,......, Μ)。
[0052]類似地，第二子像素IOb構(gòu)成第二類子像素組。第二類子像素組為與第一類子像素組相鄰設(shè)置的子像素，在上面的例子中，對(duì)于包括Ν*Μ個(gè)子像素的陣列，第二類子像素組可以包括陣列基板上所有第2η+2行第2m+l列的子像素和2n+l行第2m+2列的子像素(η =O, I,......, N ；η = O, I,......, Μ)。
[0053]圖2a示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的第一透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖。圖2a示出了一個(gè)3*3子像素陣列的第一透明導(dǎo)電層，如圖2a所示，針對(duì)相鄰的子像素的像素區(qū)域，對(duì)應(yīng)的電極類型不同，也即，相鄰的兩個(gè)子像素的第一透明導(dǎo)電層中一個(gè)形成像素電極21a (圖中用P標(biāo)識(shí))，另一個(gè)形成為公共電極22a (圖中用C標(biāo)識(shí))。其中，第一透明導(dǎo)電層上的像素電極21a之間相互絕緣地設(shè)置，而第一透明導(dǎo)電層上的公共電極22a形成連通的圖案從而相互之間形成電連接。
[0054]在本發(fā)明中，“連通”是指圖案的任意兩點(diǎn)之間都存在連通的路徑。
[0055]在圖2a中，為了方便理解，像素電極和公共電極僅用字母示出，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，像素電極可以根據(jù)需要形成為條狀、折線狀、魚骨狀或其它現(xiàn)有的或公知的圖案形狀。同樣地，公共電極也可以根據(jù)需要形成為不同的形狀，只要同一透明導(dǎo)電層上的公共電極相互連通即可。
[0056]圖2b示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖。與圖2a相對(duì)應(yīng)，圖2b所示的第二透明導(dǎo)電層，在第一透明導(dǎo)電層形成有像素電極的子像素的第二透明導(dǎo)電層形成對(duì)應(yīng)子像素的公共電極21b，在第一透明導(dǎo)電層形成有公共電極的子像素的第二透明導(dǎo)電層形成對(duì)應(yīng)子像素的像素電極22b。與第一透明導(dǎo)電層相同，第二透明導(dǎo)電層中，針對(duì)相鄰的像素區(qū)域，對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案類型不同，也即，相鄰的兩個(gè)像素區(qū)域，一個(gè)形成像素電極21b，另一個(gè)形成公共電極22b。其中，第二透明導(dǎo)電層17上的像素電極21b相互絕緣地設(shè)置，而第二透明導(dǎo)電層上的公共電極22b形成連通的圖案從而相互之間形成電連接。
[0057]其中，第一透明導(dǎo)電層15的公共電極152彼此連通，所述第二透明導(dǎo)電層17的公共電極172彼此連通。也即，在第一透明導(dǎo)電層15中，所有第二類子像素組對(duì)應(yīng)的子像素的公共電極152相互連通，由此，所有第二類子像素組的公共電極圖案相互之間電連接。相應(yīng)地，在第二透明導(dǎo)電層17中，所有第一類子像素組對(duì)應(yīng)的子像素的公共電極172相互連通，由此，所有第一類子像素組對(duì)應(yīng)的子像素的公共電極相互之間電連接。
[0058]在本實(shí)施例的另一種優(yōu)選實(shí)施方式中，所述子像素組還可以形成為包括至少兩個(gè)相鄰設(shè)置的子像素。圖2c和圖2d分別是本實(shí)施方式的第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖。如圖2c和圖2d所示，在本實(shí)施方式中，每個(gè)子像素組包括在行方向上相鄰設(shè)置的兩個(gè)子像素，由此，在第一透明導(dǎo)電層15上(圖2c)，每個(gè)第一類子像素組的像素電極(在圖中以字母P表示)包括設(shè)置在行方向相鄰的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極21al，21a2 ;每個(gè)第二類子像素組的公共電極(在圖中以字母C表示)包括設(shè)置在行方向相鄰的像素區(qū)域內(nèi)的公共電極22al和22a2。同時(shí)，在第二透明導(dǎo)電層17上(圖2d)，每個(gè)第一類像素組的公共電極(在圖中以字母C表示)包括設(shè)置在行方向相鄰的像素區(qū)域內(nèi)的公共電極21bl和21b2 ;每個(gè)第二類子像素組的像素電極(在圖中以字母P表示)包括設(shè)置在行方向相鄰的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極22bl和22b2。
[0059]第一類子像素組和第二類子像素組均間隔設(shè)置，也即，第一類子像素組僅與第二類子像素組相鄰設(shè)置，第一類子像素組相互之間不相鄰，第二類子像素組相互之間不相鄰。如圖2c所示，在第一透明導(dǎo)電層15上，每個(gè)第一類子像素組的子像素的像素電極除了與其所屬的子像素組內(nèi)的子像素的像素電極相鄰設(shè)置外，與其它的第一類子像素組的子像素的像素電極均不相鄰，同時(shí)，每個(gè)第二類子像素組的子像素的公共電極除了與其所屬的子像素組內(nèi)的子像素的公共電極相鄰設(shè)置外，與其它第二類子像素組的子像素的公共電極均不相鄰。類似地，如圖2d所示，在第二透明導(dǎo)電層17上，每個(gè)第二類子像素組的子像素的像素電極除了與其所屬的子像素組內(nèi)的子像素的像素電極相鄰設(shè)置外，與其它第二類子像素組的子像素的像素電極均不相鄰，同時(shí)，每個(gè)第一類子像素組的子像素的公共電極除了與其所屬的子像素組內(nèi)的子像素的公共電極相鄰設(shè)置外，與其它第一類子像素組的子像素的公共電極均不相鄰。
[0060]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，子像素組包含的子像素的數(shù)量不限于兩個(gè)，可以是三個(gè)或更多。當(dāng)然，也應(yīng)理解，子像素組規(guī)模越大，其顯示的效果相應(yīng)地會(huì)變差，但制造工藝的難度會(huì)降低。
[0061]在本實(shí)施例的另一種優(yōu)選實(shí)施方式中，所述子像素組中的子像素還可以是在列方向相鄰設(shè)置。圖2e和圖2f分別是本實(shí)施方式的第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖。如圖2e和圖2f所示，在本實(shí)施方式中，像素電極用字母P表示，公共電極用字母C表示。每個(gè)子像素組包括在行方向上相鄰設(shè)置的兩個(gè)子像素。第一類子像素組和第二類子像素組相鄰設(shè)置，第一類子像素組相互之間不相鄰，第二類子像素組相互之間不相鄰。
[0062]在本實(shí)施例的另一種優(yōu)選實(shí)施方式中，所述子像素組中的子像素還可以包括以陣列方式排列的在行列方向分別相鄰的4個(gè)子像素。圖2g和圖2h分別是本實(shí)施方式的第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的電極分布示意圖。如圖2g和圖2h所示，在本實(shí)施方式中，像素電極用字母P表示，公共電極用字母C表示。第一類子像素組和第二類子像素組相鄰設(shè)置，第一類子像素組相互之間不相鄰，第二類子像素組相互之間不相鄰。
[0063]圖3a是本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的截面原理示意圖。由上述說明可知，相鄰的子像素的公共電極和像素電極是相互反向顛倒設(shè)置的，相鄰的子像素所形成的相反極性的殘留直流電壓使液晶分子重排的電場方向相反，對(duì)于圖3中的，帶負(fù)電荷的雜質(zhì)離子聚集在上層的像素電極附近，帶正電荷的雜質(zhì)離子聚集在靠近公共電極的位置，而由于相鄰的像素其像素電極和公共電極的位置是顛倒的，由此，在像素31的區(qū)域，其雜質(zhì)離子形成向上方向的電場，而在相鄰的像素32的區(qū)域，雜質(zhì)離子形成向下方向的電場，由此形成雜質(zhì)離子電場隨像素區(qū)域方向交替變化。例如，像素32的區(qū)域雜質(zhì)離子電場和像素31區(qū)域的雜質(zhì)離子電場對(duì)液晶排列的影響相互抵消。由此，隨像素區(qū)域交替變化的雜質(zhì)離子電場會(huì)減弱或消除殘影現(xiàn)象的出現(xiàn)。
[0064]同時(shí),在第一巾貞本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的電場方向分布如圖3b所不,其中“ + ”表示電場方向由第一透明導(dǎo)電層指向第二透明導(dǎo)電層，表示有第二透明導(dǎo)電層指向第一透明導(dǎo)電層，在第一幀，在數(shù)據(jù)線施加相同極性電壓信號(hào)時(shí)，薄膜晶體管陣列基板呈現(xiàn)出方向交替的電場分布。在第二幀如果數(shù)據(jù)線電壓統(tǒng)一進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)(也即采用面反轉(zhuǎn)的方式來進(jìn)行驅(qū)動(dòng))，本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的電場方向分布如圖3c所示，則所有的子像素的電場方向?qū)崿F(xiàn)反轉(zhuǎn)，而由于兩種類型子像素組間隔設(shè)置，仍形成方向交替的電場分布，由此，通過面翻轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式既可以實(shí)現(xiàn)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的效果。由于在極性反轉(zhuǎn)的過程中，雜質(zhì)離子會(huì)隨著電場方向的變化往復(fù)運(yùn)動(dòng)從而可以一定程度上避免雜質(zhì)離子的聚集，進(jìn)一步減弱或消除殘影現(xiàn)象的出現(xiàn)。
[0065]由此，本實(shí)施例不需要通過高功耗的信號(hào)驅(qū)動(dòng)方式即可實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)，減弱和消除殘影和閃爍(Flicker)現(xiàn)象，簡化了陣列基板的驅(qū)動(dòng)方式，降低了產(chǎn)品功耗。
[0066]而且，由于在第一透明電極層的公共電極互相連通，其直接通過透明電極層形成電連接，類似地，第二透明電極層的公共電極互相連通，其直接通過透明電極層形成電連接，第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的公共電極在陣列基板的顯示區(qū)域外部形成連接(附圖中未示出)。不同像素區(qū)域的公共電極不必通過在像素區(qū)域制造過孔來形成連接，避免了由于像素區(qū)域存在過孔導(dǎo)致液晶分子亂排并進(jìn)而出現(xiàn)漏光的缺陷，而且還相對(duì)于通過過孔連接的方式增大了陣列基板的開口率。
[0067]實(shí)施例二
[0068]圖4是本發(fā)明是第二實(shí)施例的陣列基板的截面示意圖。圖4示出了陣列基板上兩個(gè)相鄰的像素單元的截面。薄膜晶體管陣列基板包括基板41，多晶硅層42，柵極絕緣層43，包括柵極44a和柵線44b的圖案化的第一金屬層，第一保護(hù)層45，設(shè)置于第一保護(hù)層45上圖形化的第二金屬層46，第二保護(hù)層47以及位于第二保護(hù)層47上的第一透明導(dǎo)電層48，覆蓋透明導(dǎo)電層48的絕緣層49和形成在絕緣層49上方的第二透明導(dǎo)電層40。其中，第一保護(hù)層45第二保護(hù)層47為絕緣層，多晶硅層42用于構(gòu)成薄膜晶體管的有源區(qū)，第二金屬層46通過穿透第一保護(hù)層45和絕緣層43的過孔與有源區(qū)連接形成薄膜晶體管的源極和漏極以及與源級(jí)連接的數(shù)據(jù)線。同時(shí)，多晶硅層42延伸到與柵線442重疊的部分形成存儲(chǔ)電容電極，其與柵線442的一部分構(gòu)成了存儲(chǔ)電容。
[0069]本發(fā)明第二實(shí)施例的陣列基板采用了頂柵型單柵極低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管來構(gòu)建像素驅(qū)動(dòng)電路。但上述晶體管以及電路構(gòu)成方式并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，雙柵極低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管或采用其它結(jié)構(gòu)或材料來構(gòu)成的薄膜晶體管均可以適用于本實(shí)施例，同時(shí)，本實(shí)施例對(duì)于晶體管的數(shù)量也并不限制。
[0070]在第一像素區(qū)域4a中，第一透明導(dǎo)電層48通過穿透第二保護(hù)層的過孔與漏極連接，從而使得第一透明導(dǎo)電層48與漏極形成電連接，使得第一透明導(dǎo)電層48的圖案481形成為第一像素區(qū)域4a的像素電極，其與相鄰的第二像素區(qū)域4b中的第一透明導(dǎo)電層482相互絕緣，不存在任何電連接。在第一像素區(qū)域4a中，第二透明導(dǎo)電層40形成為公共電極401。[0071]同時(shí)，在第二像素區(qū)域4b中，第二透明導(dǎo)電層40通過穿透絕緣層49、第一透明導(dǎo)電層48和第二保護(hù)層47的過孔與漏極連接，使得第二透明導(dǎo)電層40的圖案402形成為第二像素區(qū)域4b的像素電極，其與相鄰的第二像素區(qū)域4b中的第二透明導(dǎo)電層的圖案401相互絕緣，不存在任何電連接。在第二像素區(qū)域4b中，第一透明導(dǎo)電層48形成公共電極482。
[0072]圖5a是本發(fā)明第二實(shí)施例的陣列基板的第一透明導(dǎo)電層的圖案示意圖。圖5a示出了一個(gè)3*3子像素陣列的第一透明導(dǎo)電層，如圖5a所示，針對(duì)相鄰的像素區(qū)域，對(duì)應(yīng)的電極類型不同，也即，相鄰的兩個(gè)像素區(qū)域中，一個(gè)是與其它像素區(qū)域的電極絕緣設(shè)置的像素電極51a。像素電極51a形成為兩端連接且平行設(shè)置的條狀電極。相鄰的像素區(qū)域中的第一透明導(dǎo)電層則是與間隔的像素區(qū)域的電極連通的公共電極52a。所述公共電極52a具有條狀鏤空，從而形成條狀的公共電極。
[0073]同時(shí)，在其它的實(shí)施例中，本發(fā)明的公共電極需為具有鏤空的圖案，否則，當(dāng)公共電極位于第二透明導(dǎo)電層時(shí)，公共電極會(huì)對(duì)第一透明導(dǎo)電層與第二透明導(dǎo)電層形成的電場構(gòu)成屏蔽，第二導(dǎo)電層存在鏤空部分可以使得電場避免被第二透明導(dǎo)電層屏蔽。
[0074]圖5b是本發(fā)明第二實(shí)施例的陣列基板的第二透明導(dǎo)電層的圖案示意圖。與圖5a相對(duì)應(yīng)，圖5b所示的第二透明導(dǎo)電層，在第一透明導(dǎo)電層形成有像素電極的像素區(qū)域形成公共電極51b，在第一透明導(dǎo)電層形成有公共電極的區(qū)域形成像素電極52b。與第一透明導(dǎo)電層相同，第二透明導(dǎo)電層中，針對(duì)相鄰的像素區(qū)域，對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案類型不同，也即，相鄰的兩個(gè)像素區(qū)域一個(gè)是與其它像素區(qū)域的電極絕緣設(shè)置的像素電極圖案，另一個(gè)是與間隔的像素區(qū)域的電極形成連通的公共電極。其中，像素電極51a的圖案形成為兩端連接且平行設(shè)置的條狀電極。所述公共電極52a的圖案具有條狀鏤空。
[0075]像素電極和公共電極的設(shè)置使得所述的陣列基板適用于場內(nèi)轉(zhuǎn)換型(IPS)液晶顯
示裝置。
[0076]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，當(dāng)需要設(shè)計(jì)適用于其它類型的液晶顯示裝置時(shí)，像素電極以及公共電極的形狀可以形成為其它現(xiàn)有的或公知的形狀。
[0077]第一透明導(dǎo)電層48和第二透明導(dǎo)電層40的公共電極在導(dǎo)電層內(nèi)連通，也即，不同的像素區(qū)域的公共電極在導(dǎo)電層內(nèi)相互連通，存在電連接。而兩個(gè)透明導(dǎo)電層的公共電極可以通過外部電路或在陣列基板邊緣處實(shí)現(xiàn)電連接。由此，本實(shí)施例的陣列基板不必通過在像素區(qū)域制造過孔來形成連接，避免了由于像素區(qū)域存在過孔導(dǎo)致液晶分子亂排并進(jìn)而出現(xiàn)漏光的缺陷，而且還相對(duì)于通過過孔連接的方式增大了陣列基板的開口率。
[0078]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括: 第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層彼此絕緣； 多個(gè)子像素； 所述第一透明導(dǎo)電層包括第一類子像素組的像素電極和第二類子像素組的公共電極； 所述第二透明導(dǎo)電層包括第二類子像素組的像素電極和第一類子像素組的公共電極； 所述第一類子像素組與第二類子像素組在所述陣列基板上相鄰設(shè)置，且第一類子像素組相互之間不相鄰，第二類子像素組相互之間不相鄰。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一類子像素組為像素電極位于第一透明導(dǎo)電層，公共電極位于第二透明導(dǎo)電層的子像素組； 所述第二類子像素組為像素位于第二透明導(dǎo)電層，公共電極位于第一透明導(dǎo)電層的子像素組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述子像素組由獨(dú)立的子像素組成；或者 所述子像素組包括至少兩個(gè)相鄰設(shè)置的子像素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括顯示區(qū)；所述第一透明導(dǎo)電層的公共電極圖案與所述第二透明導(dǎo)電層的公共電極圖案在所述陣列基板的顯示區(qū)外形成電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層的公共電極圖案與所述第二透明導(dǎo)電層的公共電極圖案在所述陣列基板邊緣形成電連接，或通過基板外部電路形成電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層的像素電極相互絕緣地設(shè)置； 所述第二透明導(dǎo)電層的像素電極相互絕緣地設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述基板適用于IPS模式液晶顯示模式。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極和公共電極之間的電場周期性反轉(zhuǎn)。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103901675SQ201210583349
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】吳玲, 沈柏平 申請(qǐng)人:廈門天馬微電子有限公司