專利名稱：一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
目前在TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷更新，液晶顯示面板正在向著大型化迅速發(fā)展。
現(xiàn)有的液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。如圖I所示，應(yīng)用于TN(Twist Nematic,扭曲向列)型液晶顯示器中的陣列基板包括柵線I、數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管3、公共電極線4以及像素電極5 ;其中，薄膜晶體管3 包括柵極31、源極32和漏極33，柵極31和柵線I相連，源極32和數(shù)據(jù)線2相連，漏極33 和像素電極5相連，公共電極線4和設(shè)置在彩膜基板上的公共電極電連接。
上述的公共電極線4按照排布的方向分為兩種，一種是橫向的第一公共電極線41 和縱向的第二公共電極線42。公共電極線4通常與上述的柵線I同層設(shè)置，且與柵線I無電連接；為了保證公共電極線4和柵線I不接觸，橫向的第一公共電極線41與柵線I平行， 而縱向的第二公共電極線42由于不能與柵線I接觸，故是間斷的。為了實(shí)現(xiàn)縱向的第二公共電極線42的導(dǎo)通，需要通過過孔由連接線6連接。進(jìn)一步為了減少制作工藝中的步驟，通常連接線6和像素電極5同層設(shè)置，這樣連接線6的材料與像素電極的材料一樣，是 ITO(Indium tin oxide,氧化銦錫)。
然而，由于ITO電阻較大，再加上過孔工藝存在一定不良的因素，因而，很容易使公共電極線整體的電阻值增加，容易造成顯示畫面偏綠、閃爍以及殘像等方面的不良影響， 最終使得液晶顯示面板的顯示質(zhì)量較差。尤其對于較大尺寸的液晶顯示面板，公共電極線的電阻增加，會嚴(yán)重影響液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠減小陣列基板上公共電極線的電阻，從而改善應(yīng)用這種陣列基板的顯示器的顯示質(zhì)量。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、源漏金屬層；其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極；還包括公共電極線金屬層和絕緣層；所述絕緣層位于所述公共電極線金屬層和所述柵金屬層之間，或者位于所述公共電極線金屬層和所述源漏金屬層之間；所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線。
可選的，所述公共電極線金屬層包括多條相互平行的第一公共電極線，以及多條相互平行的第二公共電極線；其中，所述第一公共電極線與所述第二公共電極線相交叉。
可選的，每相鄰的兩條第一公共電極線間的距離相等，且每相鄰的兩條第二公共電極線間的距離相等。
可選的，所述第一公共電極線與所述柵線平行，所述第二公共電極線與所述數(shù)據(jù)線平行。
可選的，所述陣列基板還包括與所述公共電極線金屬層相鄰設(shè)置的透明導(dǎo)電層， 所述透明導(dǎo)電層包括公共電極的圖案；所述公共電極與所述公共電極線直接接觸。
可選的，所述公共電極和所述公共電極線存在重疊區(qū)域。
可選的，所述透明導(dǎo)電層還包括像素電極的圖案，所述像素電極和所述漏極通過過孔電連接。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括在透明基板上設(shè)置柵金屬層的步驟，以及在透明基板上設(shè)置源漏金屬層的步驟，還包括在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟；其中，所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線；
所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟與所述在透明基板上設(shè)置柵金屬層的步驟之間，或者，所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟與所述在透明基板上設(shè)置源漏金屬層的步驟之間，所述制造方法還包括在透明基板上設(shè)置絕緣層的步驟。
可選的，所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟之前或之后，還包括在透明基板上設(shè)置與所述公共電極線金屬層相鄰設(shè)置的透明導(dǎo)電層的步驟，所述透明導(dǎo)電層包括公共電極的圖案；所述公共電極與所述公共電極線直接接觸。
可選的，所述透明導(dǎo)電層還包括像素電極的圖案。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，在陣列基板中，將公共電極線設(shè)置在公共電極線金屬層上，換言之，是將公共電極線設(shè)置在單獨(dú)的一層上，而不與柵線或數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；這樣，公共電極線就無需通過過孔以及設(shè)置在隔層的連接線進(jìn)行連接，從而能夠減小陣列基板上公共電極線的電阻，進(jìn)而改善應(yīng)用這種陣列基板的顯示器的顯示質(zhì)量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖I為現(xiàn)有技術(shù)中一種TN型液晶顯示器的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供一種ADS型液晶顯示器中陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種IPS型液晶顯示器中陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TN型液晶顯示器中陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖5-圖8為制造圖2所示的陣列基板過程中的俯視結(jié)構(gòu)示意圖9為圖4所示的陣列基板上公共電極線的俯視結(jié)構(gòu)示意圖10為圖2所示的一種陣列基板的a-a'剖視示意圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制造陣列基板的方法示意圖。
附圖標(biāo)記
I-柵線；2_數(shù)據(jù)線；3_薄膜晶體管；4-公共電極線；5_像素電極；6_連接線；7-公共電極；8_透明基板；9_絕緣層；10_柵絕緣層；11_有源層；12_保護(hù)層；31_柵極；32_源極；33_漏極；41_第一公共電極線；42_第二公共電極線。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
本發(fā)明實(shí)施例中的“上”、“下”以制造陣列基板時(shí)的先后順序?yàn)闇?zhǔn)，例如，在上的圖案是指相對在后形成的圖案，在下的圖案是指相對在先形成的圖案。
本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板可以適用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED，Organic Light Emitting Display),也可以適用于液晶顯示裝置。其中，液晶顯示裝置利用電場通過液晶控制光透性以顯示圖像。根據(jù)驅(qū)動液晶的電場方向，將液晶顯示裝置大致分為垂直電場驅(qū)動型和水平電場驅(qū)動型。垂直電場驅(qū)動型液晶顯示裝置在上下基板上彼此相對設(shè)置公共電極和像素電極，在所述公共電極和像素電極之間形成垂直的電場以驅(qū)動液晶， 如TN(TwistNematic,扭曲向列)型、VA(Vertical Alignment,多疇垂直取向)型液晶顯示裝置。水平電場驅(qū)動型液晶顯示裝置在下基板上設(shè)置公共電極和像素電極，在所述公共電極和像素電極之間形成水平的電場以驅(qū)動液晶，如ADS(Advanced-Super Dimensional Switching,高級超維場開關(guān))型、IPS(In Plane Switch,橫向電場效應(yīng))型液晶顯示裝置。
為了減少公共電極線的電阻，參考圖2-圖4任一附圖，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、源漏金屬層；其中，所述柵金屬層包括柵線I和柵極31，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線2、源極32和漏極33 ;還包括 公共電極線金屬層和絕緣層；所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線4。
在本發(fā)明實(shí)施例中，上述柵金屬層、源漏金屬層、公共電極線金屬層和絕緣層，均為單獨(dú)的層。“層”的含義可以是指利用某一種材料在基板上利用沉積等工藝制作出的一層薄膜；例如上述的絕緣層可以是在透明基板上沉積SiNx(氮化硅)所制得的?！皩印钡暮x還可以是指利用某一種材料在基板上利用沉積等工藝制作出一層薄膜，并通過構(gòu)圖工藝所形成的包含多個圖案的層結(jié)構(gòu)；例如，上述的柵金屬層可以是指在透明基板上沉積鑰，制得金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝形成包含柵線、柵極的層結(jié)構(gòu)；再如，上述的源漏金屬層可以是指在透明基板上沉積鑰，制得金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝形成包含數(shù)據(jù)線、源極和漏極的層結(jié)構(gòu)；又如，上述的公共電極線金屬層可以是在透明基板上沉積金屬材料，制得金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝形成包含公共電極線的層結(jié)構(gòu)；又如，上述的絕緣層可以根據(jù)實(shí)際需要，先在透明基板上沉積SiNx制作絕緣薄膜，在通過構(gòu)圖工藝在絕緣薄膜上去除部分，在特定位置形成過孔，制得絕緣層。也就是說，在本發(fā)明實(shí)施例中，不同的層是由不同的薄膜(材料相同或不同)形成的。
上述的源極、漏極和柵極是薄膜晶體管的三個電極，根據(jù)電極的位置關(guān)系將薄膜晶體管分為兩類。一類是柵極位于源極和漏極的下面，這類稱之為底柵型薄膜晶體管；一類是柵極位于源極和漏極的上面，這類稱之為頂柵型薄膜晶體管。
由于公共電極線是為了向公共電極輸入電壓，故而公共電極線需要與公共電極電5連接。而公共電極線一般不與其他導(dǎo)電圖案相連，例如公共電極線既不能與柵金屬層上的圖案電連接，也不能與源金屬層上的圖案電連接，故而需要設(shè)置絕緣層以避免公共電極線與其他導(dǎo)電圖案的誤連。以下，將結(jié)合薄膜晶體管的兩種類型具體闡述絕緣層的位置。
首先，對于設(shè)置有底柵型薄膜晶體管的陣列基板而言，若公共電極線金屬層設(shè)置在柵金屬層的下面，則該絕緣層需要設(shè)置在公共電極線金屬層和柵金屬層之間；若公共電極線金屬層設(shè)置在源漏金屬層的上面，則絕緣層需要設(shè)置在公共電極線金屬層和源漏金屬層之間。
其次，對于設(shè)置有頂柵型薄膜晶體的陣列基板而言，若公共電極線金屬層設(shè)置在源漏金屬層的下面，則該絕緣層需要設(shè)置在公共電極線金屬層和源漏金屬層之間；若公共電極線金屬層設(shè)置在柵金屬層的上面，則絕緣層需要設(shè)置在公共電極線金屬層和柵金屬層之間。所述電連接，為通過直接接觸、導(dǎo)線、過孔等方式實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通。
本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，將公共電極線設(shè)置在公共電極線金屬層上，換言之，是將公共電極線設(shè)置在單獨(dú)的一層上，而不與柵線或數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；這樣，公共電極線就無需通過過孔以及設(shè)置在隔層的連接線進(jìn)行連接，從而能夠減小陣列基板上公共電極線的電阻，進(jìn)而改善應(yīng)用這種陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
另外，上述陣列基板上的絕緣層使得公共電極線不與其他導(dǎo)電圖案電連接，從而保證了包含上述陣列基板的顯示器能夠正常工作。再者，由于柵線和公共電極線設(shè)置在不同層上，這樣可以根據(jù)需要縮短柵線和公共電極線的距離，從而可以適當(dāng)增大像素開口率。
優(yōu)選的，如圖2-4任一附圖，所述公共電極線金屬層包括多條相互平行的第一公共電極線41，以及多條相互平行的第二公共電極線42 ;其中，所述第一公共電極線41與所述第二公共電極線42相交叉。
進(jìn)一步的，所述第一公共電極線41與所述柵線42平行，所述第二公共電極線42 與所述數(shù)據(jù)線平行。這樣形成的公共電極線第一公共電極線41與第二公共電極線42互相垂直，如圖6所示。這樣整個公共電極線為一個整體，不需要經(jīng)過過孔以及設(shè)置在隔層的連接線進(jìn)行連接，能夠減小陣列基板上公共電極線的電阻，進(jìn)而改善應(yīng)用這種陣列基板的顯示器的顯示質(zhì)量。
進(jìn)一步的，每相鄰的兩條第一公共電極線間的距離相等，且每相鄰的兩條第二公共電極線間的距離相等。這樣設(shè)置的公共電極線，由于每相鄰的兩條第一公共電極線間與每相鄰的兩條第二公共電極線間的距離均相等，則形成的公共電極線的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格大小相同，公共電極線具有較好的均一性，可以很大程度的避免公共電壓的偏移，從而進(jìn)一步改善應(yīng)用這種陣列基板的顯示器的顯示質(zhì)量。
下面，本發(fā)明實(shí)施例將針對上述提供的陣列基板應(yīng)用于不同類型的顯示裝置時(shí)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳述。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于TN型顯示裝置的陣列基板，如圖4所示，所述陣列基板包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、源漏金屬層；其中，所述柵金屬層包括柵線I和柵極31，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線2、源極32和漏極33 ;還包括包含像素電極圖案的透明導(dǎo)電層，以及公共電極線金屬層和絕緣層。
所述公共電極金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線4。其中，公共電極線4可以參考上述的描述，在此不加贅述。另外，絕緣層的位置同樣可以參考上述的描述，在此不加贅述。
當(dāng)然，對于TN型顯示裝置的陣列基板，為了增加像素的開口率，優(yōu)選的，在透明基板上第一公共電極線的一側(cè)邊緣設(shè)置一條第二公共電極線，第一公共電極線和第二公共電極線交叉設(shè)置，且第二公共電極線通過導(dǎo)電膠與設(shè)置在彩膜基板上的公共電極電連接。但這樣公共電極線的電阻不均勻，為了得到均勻電阻的公共電極線，進(jìn)一步優(yōu)選的，其公共電極線4還可以如圖9所示，在透明基板上第一公共電極線的兩側(cè)邊緣分別設(shè)置一條第二公共電極線，且第二公共電極線通過導(dǎo)電膠與設(shè)置在彩膜基板上的公共電極電連接。
可選的，公共電極線金屬層位于陣列基板最下方，而該絕緣層覆蓋該公共電極線金屬層。這樣對整個制造工藝的改動比較小，但在本發(fā)明實(shí)施例中不限定為此種實(shí)現(xiàn)方式。
上述各圖案的電連接關(guān)系為柵線I和柵極31通過直接接觸的方式電連接，數(shù)據(jù)線2和源極32通過直接接觸的方式電連接，漏極33與像素電極5可以通過過孔電連接。另外，由于TN型顯示裝置的公共電極設(shè)置在彩膜基板上，故而上述陣列基板上的公共電極線 4可以通過導(dǎo)電膠和公共電極電連接。
對于應(yīng)用于ADS型或IPS型顯示裝置的陣列基板而言，如圖2、圖3所示，在陣列基板上需要設(shè)置公共電極7和像素電極5。這種類型的陣列基板還包括與所述公共電極線金屬層相鄰設(shè)置的透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括公共電極7的圖案；優(yōu)選的，所述公共電極7與所述公共電極線4直接接觸。這樣，不需要再使用其他的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)就可以直接實(shí)現(xiàn)公共電極7與公共電極線4的電連接，因不需要其他的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，故能夠減少陣列基板制程中的步驟。
其中，直接接觸可以是兩圖案相鄰且接觸，還可以是指兩圖案存在部分或全部重疊且接觸。在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選為，如圖10所示的剖視圖，所述公共電極7和所述公共電極線4存在重疊區(qū)域。這樣公共電極7和公共電極線4可以更好的接觸，實(shí)現(xiàn)公共電極 7與公共電極線4之間的電路導(dǎo)通。
具體的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于ADS型顯示裝置的陣列基板，如圖2所示，所述陣列基板包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、源漏金屬層；其中， 所述柵金屬層包括柵線I和柵極31，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線2、源極32和漏極33 ； 還包括公共電極線金屬層和絕緣層；所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線4。另外，還包括兩層透明導(dǎo)電層；其中一透明導(dǎo)電層包含公共電極7的圖案，且該透明導(dǎo)電層和公共電極線金屬層相鄰設(shè)置；另一透明導(dǎo)電層包含像素電極5的圖案。
如圖6所示，所述公共電極金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線4。其中，公共電極線4可以參考上述的描述，在此不加贅述。另外，絕緣層的位置同樣可以參考上述的描述，在此不加贅述。
可選的，包含公共電極7圖案的透明導(dǎo)電層和公共電極線金屬層是位于陣列基板最下方的兩層，而該絕緣層覆蓋這兩層。這樣對整個制造工藝的改動比較小。進(jìn)一步的，如圖10所示，包含公共電極7圖案的透明導(dǎo)電層位于陣列基板的最下方，公共電極線金屬層位于該透明導(dǎo)電層上，絕緣層覆蓋這兩層。但在本發(fā)明實(shí)施例中不限定為此種實(shí)現(xiàn)方式。
上述各圖案的電連接關(guān)系為柵線I和柵極31通過直接接觸的方式電連接，數(shù)據(jù)線2和源極32通過直接接觸的方式電連接，漏極33與像素電極5可以通過過孔電連接，公共電極線4和公共電極7以直接接觸的方式電連接。
對于ADS型液晶顯示裝置的陣列基板，是通過設(shè)置在所述陣列基板上的公共電極 7和像素電極5形成多維電場，使液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)顯示功能。而要形成多維電場，兩電極中位于上方的電極上形成有多個狹縫，位于下方的電極可以是平板形的、或形成有多個狹縫。若上方的電極與漏極33電連接，則該電極為像素電極；此時(shí)，下方的電極需要與公共電極線4電連接，該電極為公共電極。相反，位于上方的電極可以使公共電極，此時(shí)，位于下方的電極作為像素電極。
示例的，本實(shí)施例中如圖2所示，位于上方的像素電極5上形成有多個狹縫，位于下方的公共電極7為平板形。在電路導(dǎo)通的情況下，像素電極5與公共電極7會形成多維電場。
具體的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于IPS型顯示裝置的陣列基板，如圖3所示，所述陣列基板包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、源漏金屬層；其中， 所述柵金屬層包括柵線I和柵極31，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線2、源極32和漏極33 ； 還包括公共電極線金屬層和絕緣層；所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線4。另外，還包括一透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括公共電極7的圖案和像素電極5的圖案。
如圖3所示，所述公共電極金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線4。其中，公共電極線4可以參考上述的描述，在此不加贅述。另外，絕緣層的位置同樣可以參考上述的描述，在此不加贅述。
可選的，包含公共電極7圖案和像素電極5圖案的透明導(dǎo)電層和公共電極線金屬層是位于陣列基板最下方的兩層，而該絕緣層覆蓋這兩層。這樣對整個制造工藝的改動比較小。進(jìn)一步的，該透明導(dǎo)電層位于陣列基板的最下方，公共電極線金屬層位于該透明導(dǎo)電層上，絕緣層覆蓋這兩層。但在本發(fā)明實(shí)施例中不限定為此種實(shí)現(xiàn)方式。
上述各圖案的電連接關(guān)系為柵線I和柵極31通過直接接觸的方式電連接，數(shù)據(jù)線2和源極32通過直接接觸的方式電連接，漏極33與像素電極5可以通過過孔電連接，公共電極線4和公共電極7以直接接觸的方式電連接。
與ADS型液晶顯示裝置的顯示原理不同，IPS型液晶顯示裝置是通過陣列基板上的公共電極7和像素電極5形成水平的電場驅(qū)動液晶，從而實(shí)現(xiàn)顯示功能。而要形成水平的電場，公共電極7和像素電極5需設(shè)置在同一層，如圖3所示，所述像素電極5的和所述公共電極7分別包括多個電連接條形電極，形成如圖3所示的梳狀結(jié)構(gòu)，像素電極5的條形電極與公共電極7的條形電極平行交替排列且之間有縫隙以保證相鄰條形電極不接觸。其中與漏極33電連接的電極為像素電極；此時(shí)，與該電極相對的電極需要與公共電極線4電連接，為公共電極。
需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例的所有附圖中著重繪示出與本發(fā)明相關(guān)的部分，其他部分未不出。
另外，本發(fā)明提供的陣列基板還可以應(yīng)用于VA型顯示裝置，以及OLED中，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過本發(fā)明各實(shí)施例的描述并結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)，能夠清楚的了解應(yīng)用于這兩種顯示裝置的陣列基板的結(jié)構(gòu)，故在本發(fā)明實(shí)施例中不一一詳述。
下面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種制造上述陣列基板的制造方法，需要說明的是， 上述陣列基板的層結(jié)構(gòu)由以下步驟完成，故在下面的實(shí)施例中對各個層的具體形貌及電路連接不做詳細(xì)描述。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括在透明基板上設(shè)置柵金屬層的步驟(SlOl)，以及在透明基板上設(shè)置源漏金屬層的步驟(S102);還包括在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟(S103);其中，所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線。
對于任一種液晶顯示裝置而言，公共電極線為公共電極輸入電壓，故而公共電極線需要與公共電極電連接，而不與其他導(dǎo)電圖案相連，則所述的制造方法還包括在透明基板上設(shè)置絕緣層的步驟(S104)。
另外，無論對于哪種類型的陣列基板，還需要在步驟SlOl和步驟S102之間，在透明基板上設(shè)置有源層。并且，為了使得不需電連接的導(dǎo)電圖案間不導(dǎo)通，在透明基板上可能還需要設(shè)置其他絕緣層。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)明確還需要的制造步驟，在本實(shí)施例中不作詳細(xì)說明。
上述四個步驟的先后順序，可以根據(jù)實(shí)際需要而定，不同的先后順序制造出的陣列基板的結(jié)構(gòu)會不同。
具體的，如圖11所示，對于設(shè)置有底柵型薄膜晶體的陣列基板而言，所述制造方法依次可以包括以下步驟步驟S103、步驟S104、步驟S101、步驟S102。依次進(jìn)行以上步驟形成的陣列基板，公共電極線金屬層位于陣列基板的最下層，絕緣層位于公共電極線金屬層的上一層，而柵金屬層位于絕緣層的上一層，源漏金屬層位于柵金屬層的上層。所述上一層可以是相鄰的兩層，位于上面的一層稱之為上一層；所述上層可以為兩層圖案之間還設(shè)置有其他層，位于其他層上面的一層稱之為上層。
這樣，絕緣層位于公共電極線金屬層和柵金屬層之間，則公共電極線和柵極不會形成電連接，從而保證包含上述陣列基板的顯示器能夠正常工作。
可選的，對于設(shè)置有底柵型薄膜晶體的陣列基板而言，所述制造方法依次可以包括以下步驟步驟S101、步驟S102、步驟S104、步驟S103。依次進(jìn)行以上步驟形成的陣列基板上，柵金屬層位于陣列基板的最下層，源漏金屬層位于柵金屬層的上層，絕緣層位于源漏金屬層的上一層，公共電極線金屬層位于絕緣層的上一層。這樣，絕緣層位于源漏金屬層和公共電極線金屬層之間，則源極、漏極以及數(shù)據(jù)線不會與公共電極線形成電連接，從而保證包含上述陣列基板的顯示器能夠正常工作。
可選的，對于設(shè)置有頂柵型薄膜晶體的陣列基板而言，所述制造方法依次可以包括以下步驟步驟S103、步驟S104、步驟S102、步驟S101。依次進(jìn)行以上步驟形成的陣列基板，公共電極線金屬層位于陣列基板的最下層，絕緣層位于公共電極線金屬層的上一層，而源漏金屬層位于絕緣層的上一層，柵金屬層位于源漏金屬層的上層。這樣，絕緣層位于公共電極線金屬層和柵金屬層之間，則公共電極線和柵極不會形成電連接，從而保證包含上述陣列基板的顯示器能夠正常工作。
可選的，對于設(shè)置有頂柵型薄膜晶體的陣列基板而言，所述制造方法依次可以包括以下步驟步驟S101、步驟S102、步驟S103、步驟S104。依次進(jìn)行以上步驟形成的陣列基板，柵金屬層位于陣列基板的最下層，源漏金屬層位于柵金屬層的上層，而絕緣層位于源漏金屬層的上一層，公共電極線金屬層位于絕緣層的上一層。這樣，絕緣層位于源漏金屬層和公共電極線金屬層之間，則源極、漏極以及數(shù)據(jù)線不會與公共電極線形成電連接，從而保證包含上述陣列基板的顯示器能夠正常工作。
上述的制造方法可應(yīng)用于任一種類型的液晶顯示裝置，進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還針對不同的類型陣列基板中像素電極或公共電極的設(shè)置進(jìn)行詳細(xì)說明。
若是制造TN型顯示裝置中的陣列基板，還需要設(shè)置一層包含像素電極圖案的透明導(dǎo)電層。示例的，可以在完成上述四個步驟之后，設(shè)置一層保護(hù)層(也是起到絕緣作用的層結(jié)構(gòu))，并且該保護(hù)層上設(shè)有連通漏極的過孔，再設(shè)置包含像素電極圖案的透明導(dǎo)電層， 使得像素電極和漏極相連。
若是制造ADS型顯示裝置中的陣列基板，還需要設(shè)置兩層透明導(dǎo)電層，其中一層包含有像素電極圖案，另一層包含有公共電極圖案。若要使得公共電極和公共電極線直接接觸，可選的，所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟(S103)之前或之后，還包括在透明基板上設(shè)置與所述公共電極線金屬層相鄰設(shè)置的透明導(dǎo)電層的步驟，該透明導(dǎo)電層包括公共電極的圖案。進(jìn)一步的，示例的，在完成上述所有步驟之后，設(shè)置一層保護(hù)層，并且該保護(hù)層上設(shè)有連通漏極的過孔，再設(shè)置包含像素電極圖案的透明導(dǎo)電層，使得像素電極和漏極相連。
若是制造IPS型顯示裝置中的陣列基板，還需要設(shè)置一層既包含有公共電極圖案又包含有像素電極圖案的透明導(dǎo)電層?？蛇x的，所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟(S103)之前或之后，還包括在透明基板上設(shè)置與所述公共電極線金屬層相鄰設(shè)置的透明導(dǎo)電層的步驟，該透明導(dǎo)電層包括公共電極的圖案和像素電極的圖案，此時(shí)，像素電極可以通過設(shè)置絕緣層上的過孔使像素電極與漏極電連接。
下面，以ADS型液晶顯示裝置為例，詳述所述裝置的陣列基板的制造方法，其中， 所述陣列基板的薄膜晶體管為底柵型且公共電極金屬層設(shè)置在柵金屬層的下面。
具體的，制造這種陣列基板的方法包括以下步驟
步驟I、如圖5、圖10所示，在透明基板8上設(shè)置一包含公共電極7圖案的透明導(dǎo)電層。
示例的，在透明基板上沉積透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫ΙΤ0，形成透明導(dǎo)電薄膜， 通過一次構(gòu)圖工藝按照像素分布，形成透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層包含圖4中以陣列形式排列的公共電極7圖案。
步驟2、如圖6、圖10所示，在透明基板8上設(shè)置包含公共電極線4的公共電極線金屬層。
示例的，在透明基板上制作一金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝至少形成圖6中的公共電極線4，且公共電極線4包含橫向的第一公共電極線41和縱向的第二公共電極線42。 為了公共電極7和公共電極線4的良好接觸，兩者存在重疊區(qū)域，優(yōu)選的，第一公共電極線 41和第二公共電極線42與公共電極7均存在重疊區(qū)域。
步驟3、如圖10所示，在透明基板8上設(shè)置絕緣層9以覆蓋上述的透明導(dǎo)電層和公共電極線金屬層。
步驟4、如圖7、圖10所示，在透明基板8上設(shè)置柵金屬層。
所述柵金屬層包括柵線3和柵極31的圖案，其中柵極31可以是柵線3的一部分。
示例的，在絕緣層9上制作金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝，形成柵金屬層。
步驟5、如圖10所示，在透明基板8上設(shè)置柵絕緣層10。
步驟6、如圖10所示，在透明基板8上設(shè)置有源層11。
示例的，在形成有柵金屬層的透明基板8上，制作半導(dǎo)體薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝在柵極的上方形成有源層11。
步驟7、如圖8、圖10所示在透明基板8上設(shè)置源漏金屬層。
所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線2、源極32和漏極33的圖案，其中，源極32和數(shù)據(jù)線2相連。
示例的，在形成有有源層11的透明基板8上，制作源漏金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏金屬層。
步驟8、如圖10所示，在透明基板8上設(shè)置保護(hù)層12。
示例的，在透明基板8上制作絕緣薄膜，并通過構(gòu)圖工藝，去除位于漏極上的部分，形成設(shè)有過孔的保護(hù)層12。
步驟9、如圖2、圖10所示，在透明基板上設(shè)置包含有像素電極5的圖案的透明導(dǎo)電層。
示例的，在透明基板8上制作透明導(dǎo)電薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝，形成像素電極 5的圖案，該像素電極5通過過孔與所述漏極33相連。
上述制作陣列基板的步驟也不僅僅局限上述的描述，例如，還可以先進(jìn)行步驟 S102再進(jìn)行步驟S101，只要實(shí)現(xiàn)公共電極和公共電極線的導(dǎo)通即可。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括設(shè)置公共電極線金屬層的步驟，這樣公共電極線單獨(dú)為一層，而不與柵線或數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；公共電極線就無需通過過孔以及設(shè)置在隔層的連接線進(jìn)行連接，從而能夠減小陣列基板上公共電極線的電阻，進(jìn)而改善應(yīng)用這種陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。另外，為了避免公共電極線與其他導(dǎo)電圖案的誤連，從而保證了包含上述陣列基板的顯示器能夠正常工作，所述制造方法還包括設(shè)置絕緣層的步驟。再者，由于柵線和公共電極線分兩次步驟分別設(shè)置，這樣可以根據(jù)需要縮短柵線和公共電極線的距離，從而可以適當(dāng)增大像素開口率。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任一種陣列基板，所述陣列基板可以由本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法獲得。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。1權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、源漏金屬層； 其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極；其特征在于，還包括公共電極線金屬層和絕緣層；所述絕緣層位于所述公共電極線金屬層和所述柵金屬層之間，或者位于所述公共電極線金屬層和所述源漏金屬層之間；所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線金屬層包括多條相互平行的第一公共電極線，以及多條相互平行的第二公共電極線；其中，所述第一公共電極線與所述第二公共電極線相交叉。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每相鄰的兩條第一公共電極線間的距離相等，且每相鄰的兩條第二公共電極線間的距離相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線與所述柵線平行，所述第二公共電極線與所述數(shù)據(jù)線平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述公共電極線金屬層相鄰設(shè)置的透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括公共電極的圖案；所述公共電極與所述公共電極線直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極和所述公共電極線存在重疊區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層還包括像素電極的圖案，所述像素電極和所述漏極通過過孔電連接。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制造方法，包括在透明基板上設(shè)置柵金屬層的步驟，以及在透明基板上設(shè)置源漏金屬層的步驟，其特征在于，還包括在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟；其中，所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線；所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟與所述在透明基板上設(shè)置柵金屬層的步驟之間，或者，所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟與所述在透明基板上設(shè)置源漏金屬層的步驟之間，所述制造方法還包括在透明基板上設(shè)置絕緣層的步驟。
10.根據(jù)9所述的制造方法，其特征在于，所述在透明基板上設(shè)置公共電極線金屬層的步驟之前或之后，還包括在透明基板上設(shè)置與所述公共電極線金屬層相鄰設(shè)置的透明導(dǎo)電層的步驟，所述透明導(dǎo)電層包括公共電極的圖案；所述公共電極與所述公共電極線直接接觸。
11.根據(jù)10所述的制造方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層還包括像素電極的圖案。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示裝置陣列基板上的公共電極線電阻大，液晶顯示裝置顯示質(zhì)量差的問題。一種陣列基板，包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、源漏金屬層；其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極；還包括公共電極線金屬層和絕緣層；所述絕緣層位于所述公共電極線金屬層和所述柵金屬層之間，或者位于所述公共電極線金屬層和所述源漏金屬層之間；所述公共電極線金屬層包括多條交叉設(shè)置的公共電極線。本發(fā)明適用于陣列基板和顯示裝置的設(shè)計(jì)和制造。
文檔編號G02F1/1362GK102929056SQ20121044868
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月9日
發(fā)明者郤玉生, 胡海琛 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司