專(zhuān)利名稱(chēng)：包括夾在兩個(gè)基板之間的光偏轉(zhuǎn)芯片的光偏轉(zhuǎn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開(kāi)的主題涉及能夠應(yīng)用于例如投影型顯示系統(tǒng)的光偏轉(zhuǎn)裝置。
背景技術(shù)：
近來(lái)，在投影型顯示系統(tǒng)中，來(lái)自光源的點(diǎn)射光(spotlight)通過(guò)光偏轉(zhuǎn)裝置偏轉(zhuǎn)，然后被投影到屏幕上。光偏轉(zhuǎn)裝置包括二維光偏轉(zhuǎn)器和用于保護(hù)所述二維光偏轉(zhuǎn)器的封裝件，所述二維光偏轉(zhuǎn)器是利用半導(dǎo)體制造工藝和微機(jī)械技術(shù)制造的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件。通常，二維光偏轉(zhuǎn)器包括反射鏡，其用于反射來(lái)自光源的點(diǎn)射光；活動(dòng)框架，其圍繞所述反射鏡以用于支撐所述反射鏡；內(nèi)致動(dòng)器，其用于使反射鏡關(guān)于反射鏡的X軸振動(dòng)(擺動(dòng))；支撐體，其圍繞所述活動(dòng)框架；以及外致動(dòng)器，其用于通過(guò)活動(dòng)框架使反射鏡關(guān)于反射鏡的Y軸(與X軸垂直)擺動(dòng)。作為第一個(gè)示例，內(nèi)致動(dòng)器由扭桿型壓電致動(dòng)器構(gòu)造，以用于通過(guò)扭桿使反射鏡擺動(dòng)，并且外致動(dòng)器由其它扭桿型壓電致動(dòng)器構(gòu)造，以用于通過(guò)其它扭桿使活動(dòng)框架擺動(dòng)(參見(jiàn)JP2008-20701A)。另外，作為第二個(gè)示例，內(nèi)致動(dòng)器由扭桿型壓電致動(dòng)器構(gòu)造，以用于通過(guò)扭桿使反射鏡擺動(dòng)，并且外致動(dòng)器由彎折型壓電致動(dòng)器構(gòu)造，以用于使活動(dòng)框架擺動(dòng)(參見(jiàn)JP2009-223165A)。另外，作為第三個(gè)示例，內(nèi)致動(dòng)器由彎折型壓電致動(dòng)器構(gòu)造，以用于使反射鏡擺動(dòng)，并且外致動(dòng)器由其它彎折型壓電致動(dòng)器構(gòu)造，以用于使活動(dòng)框架擺動(dòng)(參見(jiàn) JP2010-122480A 和 US2011/0292479A1)。所述光偏轉(zhuǎn)裝置的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)小而簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率不會(huì)太大。為了有效體現(xiàn)這一優(yōu)點(diǎn)，封裝件優(yōu)選地盡可能地小。在現(xiàn)有技術(shù)的第一光偏轉(zhuǎn)裝置中，光偏轉(zhuǎn)器利用樹(shù)脂進(jìn)行晶片接合(die-bond)以形成陶瓷封裝件，然后，在光偏轉(zhuǎn)器的電極焊盤(pán)和陶瓷封裝件的電極焊盤(pán)之間執(zhí)行引線接合(wire-bond)操作。然而，在上述現(xiàn)有技術(shù)的第一光偏轉(zhuǎn)裝置中，由于陶瓷封裝件中需要用于接合引線的空間，陶瓷封裝件的尺寸將大于二維光偏轉(zhuǎn)器。另外，由于陶瓷封裝件被燒結(jié)，所以陶瓷封裝件的步長(zhǎng)尺寸和周界寬度無(wú)法減小。因此，整個(gè)光偏轉(zhuǎn)裝置的尺寸將較大。需要指出的是，如果光偏轉(zhuǎn)器本身尺寸減小，則可以減小整個(gè)光偏轉(zhuǎn)裝置。然而，在這種情況下，光偏轉(zhuǎn)器需要被重新設(shè)計(jì)以增加開(kāi)發(fā)周期。在現(xiàn)有技術(shù)的第二光偏轉(zhuǎn)裝置中，采用無(wú)線晶圓級(jí)封裝技術(shù)(參見(jiàn)JP2005-19966A)。即，將布置有與光偏轉(zhuǎn)器對(duì)應(yīng)的多個(gè)MEMS芯片的硅晶圓粘接到布置有密封蓋的蓋晶圓(cap wafer)。然后，在硅晶圓內(nèi)形成硅穿孔(TSV)，以將MEMS芯片電連接至娃晶圓的外表面上的電極。最后，利用切割刀片(dicing blade)等沿其劃線對(duì)娃晶圓和蓋晶圓進(jìn)行切片，以將與各個(gè)密封蓋關(guān)聯(lián)的各個(gè)MEMS芯片彼此分離。因此，各個(gè)切片的密封蓋的尺寸與切片的MEMS芯片的尺寸相同，使得光偏轉(zhuǎn)裝置的尺寸減小。然而，在上述現(xiàn)有技術(shù)的第二光偏轉(zhuǎn)裝置中，由于需要在硅晶圓內(nèi)形成TSV，所以產(chǎn)量將減少，使得制造成本增加。另外，即使硅晶圓包括有缺陷的MEMS芯片，這些有缺陷的MEMS芯片也將通過(guò)密封蓋組裝，這也將增加制造成本。另外，當(dāng)通過(guò)使用切割刀片的刀切片工藝對(duì)硅晶圓切片時(shí)，硅晶圓的MEMS芯片中將產(chǎn)生非常小的缺陷，即，所謂的劃傷(tipping)，使得產(chǎn)量減少，進(jìn)而增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開(kāi)的主題試圖解決一個(gè)或更多個(gè)上述問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的主題，在一種光偏轉(zhuǎn)裝置中，光偏轉(zhuǎn)芯片包括反射鏡、被設(shè)置為使所述反射鏡擺動(dòng)的致動(dòng)器以及在所述光偏轉(zhuǎn)芯片的正面上并連接至所述致動(dòng)器的第一焊盤(pán)。第一基板包括在所述第一基板的背面上的第二焊盤(pán)，在所述第一基板中形成有開(kāi)口。所述光偏轉(zhuǎn)芯片的正面粘接到所述第一基板的背面，使得所述光偏轉(zhuǎn)芯片的第一焊盤(pán)與所述第一基板的各個(gè)所述第二焊盤(pán)接觸，并且所述反射鏡與所述開(kāi)口相對(duì)。所述光偏轉(zhuǎn)芯片的背面粘接到所述第二基板的正面。另外，所述第一基板包括諸如玻璃環(huán)氧樹(shù)脂的有機(jī)材料。在這種情況下，所述第一基板還包括第三焊盤(pán)，其位于所述第一基板的正面上；通孔結(jié)構(gòu)，其在所述第一基板中連接在所述第一焊盤(pán)和所述第三焊盤(pán)之間；以及電極端子，其位于所述第一基板的所述正面上，并連接至各個(gè)所述第三焊盤(pán)。此外，所述第一基板包括陶瓷。在這種情況下，所述第一基板還包括電極端子，其位于所述第一基板的正面上；以及互連，其在所述第一基板中連接在所述第二焊盤(pán)和各個(gè)所述電極端子之間。所述光偏轉(zhuǎn)芯片還包括第一框形密封電極圖案，其位于所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述正面上；以及第二框形密封電極圖案，其位于所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述背面上。所述第一基板還包括第三框形電極圖案，其位于所述第一基板的所述背面上，并與所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述第一框形電極圖案接觸。所述第二基板還包括第四框形電極圖案，其位于所述第二基板的所述正面上，并與所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述第二框形電極圖案接觸。所述光偏轉(zhuǎn)裝置還包括密封透明玻璃片，其粘接到所述第一基板的所述正面。在所述光偏轉(zhuǎn)裝置中，引入了惰性氣體以代替空氣，或者抽空了內(nèi)部的空氣。另外，防反射層形成在所述密封透明玻璃片的兩個(gè)面上。各個(gè)所述防反射層被構(gòu)造為反射紅光成分、綠光成分和藍(lán)光成分。所述第二基板包括諸如鋁的金屬。根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的主題，由于第一基板和第二基板在橫向方向上的尺寸基本上與光偏轉(zhuǎn)芯片相同，所以光偏轉(zhuǎn)裝置的尺寸可以減小。另外，由于無(wú)需在光偏轉(zhuǎn)芯片內(nèi)構(gòu)建TSV,并且正面焊盤(pán)和背面焊盤(pán)之間的互連的通孔電極較便宜，所以制造成本可以降低。


從下面結(jié)合附圖對(duì)具體實(shí)施方式
的描述，本發(fā)明公開(kāi)的主題的上述和其它優(yōu)點(diǎn)和特征將更明顯，附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的主題的光偏轉(zhuǎn)裝置的第一實(shí)施方式的剖視圖；圖2A是圖1的鋁基板的正視圖2B是圖1的光偏轉(zhuǎn)芯片的正視圖；圖2C是圖1的雙面印刷電路板的正視圖；圖3和圖4是用于說(shuō)明圖1的光偏轉(zhuǎn)裝置的組裝操作的流程圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的主題的光偏轉(zhuǎn)裝置的第二實(shí)施方式的剖視圖；圖6A是圖5的鋁基板的正視圖；圖6B是圖5的光偏轉(zhuǎn)芯片的正視圖；圖6C是圖5的雙面印刷電路板的正視圖；圖7是用于說(shuō)明圖5的光偏轉(zhuǎn)裝置的組裝操作的流程圖；以及圖8和圖9分別是示出圖1和圖5的光偏轉(zhuǎn)裝置的修改的剖視圖。
具體實(shí)施例方式圖1是示出根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的主題的光偏轉(zhuǎn)裝置的第一實(shí)施方式的剖視圖，在圖1中，光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的正面通過(guò)所謂的倒裝接合工藝粘接到雙面印刷電路板20A的背面，所述雙面印刷電路板20A作為由有機(jī)材料(例如，玻璃環(huán)氧樹(shù)脂，所謂的FR4)制成的第一基板，而光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的背面粘接到諸如鋁基板30A的金屬基板的正面，所述金屬基板作為沒(méi)有電路的第二基板。需要指出的是，圖1的光偏轉(zhuǎn)裝置是開(kāi)放型的。圖2B是圖1的光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的正視圖，在圖2B中，光偏轉(zhuǎn)芯片IOA由以下部件構(gòu)造而成圓形反射鏡11 ;活動(dòng)框架12，其圍繞反射鏡11，以通過(guò)一對(duì)扭桿131和132支撐反射鏡11 ;兩對(duì)扭桿型內(nèi)壓電致動(dòng)器141和142，其固定在活動(dòng)框架12與扭桿131和132之間，并用作通過(guò)扭桿131和132使反射鏡11相對(duì)于反射鏡11的X軸擺動(dòng)的懸臂；支撐體15，其圍繞活動(dòng)框架12，以通過(guò)一對(duì)扭桿161和162支撐活動(dòng)框架12 ;以及兩對(duì)扭桿型外壓電致動(dòng)器171和172，其固定在支撐體15與扭桿161和162之間，并用作通過(guò)扭桿161和162以及活動(dòng)框架12使反射鏡11相對(duì)于反射鏡11的Y軸(與X軸垂直)擺動(dòng)的懸臂。在支撐體15的正面上設(shè)置有由電鍍Au或Cu制成的焊盤(pán)18，其連接至內(nèi)壓電致動(dòng)器141和142以及外壓電致動(dòng)器171和172的上電極層和下電極層(未不出)。另外，支撐體15具有肋結(jié)構(gòu)，其比光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的其它部分厚，從而增強(qiáng)其剛性。需要指出的是，圖1的支撐體15中的二氧化硅層19和硅基板19’分別是用于制造光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的絕緣體上娃(SOI)晶圓的埋氧層(Box layer)和操作層(Handle layer)。返回圖1，雙面印刷電路板20A具有與光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的反射鏡11相對(duì)的開(kāi)口20a，使得來(lái)自光源(未示出)的入射光可通過(guò)開(kāi)口 20a到達(dá)反射鏡11，從反射鏡11反射的光可通過(guò)開(kāi)口 20a發(fā)射。另外，具有焊盤(pán)22和23的電鍍通孔結(jié)構(gòu)21以及電極端子24設(shè)置在雙面印刷電路板20A中。在這種情況下，焊盤(pán)22設(shè)置在背面上，各個(gè)焊盤(pán)22對(duì)應(yīng)于光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的一個(gè)焊盤(pán)18。另一方面，焊盤(pán)23設(shè)置在正面上，各個(gè)焊盤(pán)23通過(guò)電鍍通孔結(jié)構(gòu)21電連接至一個(gè)焊盤(pán)22。通孔結(jié)構(gòu)21、焊盤(pán)23和電極端子24由電鍍Au或Cu制成。另一方面，焊盤(pán)22是通過(guò)電鍍工藝、濺射工藝和/或蒸發(fā)工藝從雙面印刷電路板20A由Ti (或Cr)/Ni (或Pt)/Au (或Cu)的三重結(jié)構(gòu)構(gòu)造而成。即，由Ti (或Cr)制成的下層與玻璃環(huán)氧樹(shù)脂良好接觸，阻擋金屬層由Ni (或Pt)制成，上層根據(jù)用于將光偏轉(zhuǎn)芯片IOA接合到雙面印刷電路板20A的焊料或凸塊(bump)的材料由Au(或Cu)制成。柔性印刷電路(FPC)線纜40通過(guò)熱接觸接合工藝連接至雙面印刷電路板20A的電極端子24。柔性印刷電路(FPC)線纜40還連接至用于控制光偏轉(zhuǎn)芯片IOA并向其供電的控制/電源電路(未示出)。圖2C是圖1的雙面印刷電路板20A的正視圖，在圖2C中，各個(gè)焊盤(pán)23經(jīng)由形成在正面上的布線圖案25連接至一個(gè)電極端子24，使得圖2B的光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的壓電致動(dòng)器141、142、171和172的上電極和下電極可連接至FPC線纜40。圖2A是圖1的鋁基板30A的正視圖，在圖2A中，至少兩個(gè)對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口 31設(shè)置在鋁基板30A處，以便將光偏轉(zhuǎn)裝置安裝在投影系統(tǒng)中。接下來(lái)參照?qǐng)D3說(shuō)明圖1的光偏轉(zhuǎn)芯片10A、雙面印刷電路板20A和鋁基板30A的
組裝操作。首先，參照步驟301,將不含Pb的焊膏(solder paste)或AuSn共晶焊膏模板印刷(stencile)到雙面印刷電路板20A的焊盤(pán)22上。接下來(lái)，參照步驟302，將光偏轉(zhuǎn)芯片IOA安裝到雙面印刷電路板20A上，使得光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的焊盤(pán)18與雙面印刷電路板20A的帶有焊膏的對(duì)應(yīng)焊盤(pán)22直接接觸。接下來(lái)，參照步驟303，在軟熔爐中在260°C至310°C的溫度下進(jìn)行軟熔工藝。因此，光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的正面粘接到雙面印刷電路板20A的背面。最后，參照步驟304，在光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的支撐體15或鋁基板30A的正面上涂敷粘合劑。然后，利用對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口 31將鋁基板30A的正面安裝到光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的背面上，使得鋁基板30A的正面粘接到光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的背面，即，支撐體15。接下來(lái)參照?qǐng)D4說(shuō)明圖1的光偏轉(zhuǎn)芯片10A、雙面印刷電路板20A和鋁基板30A的
另一組裝操作。首先，參照步驟401，在雙面印刷電路板20A的焊盤(pán)22上形成Au凸塊。接下來(lái)，參照步驟402，將光偏轉(zhuǎn)芯片IOA安裝到雙面印刷電路板20A上，使得光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的焊盤(pán)18與雙面印刷電路板20A的帶有Au凸塊的對(duì)應(yīng)焊盤(pán)22直接接觸。接下來(lái)，參照步驟403，在Au凸塊上執(zhí)行超聲和加熱接合操作以使其熔融。因此，光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的正面粘接到雙面印刷電路板20A的背面。最后，參照步驟404，在光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的支撐體15或鋁基板30A的正面上涂敷粘合劑。然后，利用對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口 31將鋁基板30A的正面安裝到光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的背面上，使得鋁基板30A的正面粘接到光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的背面，即，支撐體15。因此，根據(jù)上述第一實(shí)施方式，由于在橫向方向上，雙面印刷電路板20A的尺寸和鋁基板30A的尺寸基本上與光偏轉(zhuǎn)芯片IOA相同，所以圖1的光偏轉(zhuǎn)裝置的尺寸可減小。另夕卜，由于沒(méi)有TSV的雙面印刷電路板20A和鋁基板30A均較便宜，所以制造成本可降低。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的主題的光偏轉(zhuǎn)裝置的第二實(shí)施方式的剖視圖，在圖5中，光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的正面通過(guò)所謂的倒裝接合工藝粘接到雙面印刷電路板20B的背面，所述雙面印刷電路板20B作為由諸如低溫共燒陶瓷(LTCC)的無(wú)機(jī)材料制成的第一基板，而光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的背面粘接到諸如鋁基板30B的金屬基板的正面，所述金屬基板作為沒(méi)有電路的第二基板。需要指出的是，圖6的光偏轉(zhuǎn)裝置是密封型的，其中引入了諸如氮?dú)獾亩栊詺怏w來(lái)代替空氣或者內(nèi)部空氣被抽空。圖6B是圖5的光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的正視圖，在圖5和圖6B中，除了圖1和圖2B的光偏轉(zhuǎn)芯片IOA的元件之外，光偏轉(zhuǎn)芯片IOB還包括框形密封電極圖案18’和18”。框形密封電極圖案18’和18”的材料與焊盤(pán)18的那些材料(S卩，電鍍Au或Cu)相同。框形密封電極圖案18’沿周界布置在光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的正面上，即，布置在支撐體15的正面上，而框形密封電極圖案18”沿周邊布置在光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的背面上，即，布置在支撐體15的背面上。圖6C是圖5的雙面印刷電路板20B的正視圖，在圖5和圖6C中，雙面印刷電路板20B包括由Ag或Cu制成的互連21’，代替圖1和圖2C的雙面印刷電路板20A的電鍍通孔結(jié)構(gòu)21。互連21’將焊盤(pán)22直接連接至電極端子24。因此，沒(méi)有設(shè)置圖1和圖2C的焊盤(pán)23。需要指出的是，如果雙面印刷電路板20B由高溫共燒陶瓷(HTCC)制成，則互連21’可由諸如W或Ti的難熔金屬制成。雙面印刷電路板20B還包括與光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的框形密封電極圖案18’對(duì)應(yīng)的框形密封電極圖案22’?？蛐蚊芊怆姌O圖案22’的材料與焊盤(pán)22相同。圖6A是圖5的鋁基板30B的正視圖，在圖5和圖6A中，鋁基板30B包括與光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的框形密封電極圖案18”對(duì)應(yīng)的框形密封電極圖案32?？蛐蚊芊怆姌O圖案32的材料與焊盤(pán)22相同，因此，框形密封電極圖案32是通過(guò)電鍍工藝、濺射工藝和/或蒸發(fā)工藝從鋁基板30B由Ti (或Cr) /Ni (或Pt) /Au (或Cu)的三重結(jié)構(gòu)構(gòu)造而成。另外，在圖5中，提供由硼硅酸鹽制成的密封透明玻璃51，在其兩側(cè)涂敷防反射層52a和52b，以將圖5的光偏轉(zhuǎn)裝置的開(kāi)口 20a密封。在這種情況下，如果用于為圖5的光偏轉(zhuǎn)裝置產(chǎn)生入射光的光源由紅色激光二極管、綠色激光二極管和藍(lán)色激光二極管構(gòu)造而成，貝1J防反射層52a和52b各自被構(gòu)造為反射紅光成分、綠光成分和藍(lán)光成分。接下來(lái)參照?qǐng)D7說(shuō)明圖5的光偏轉(zhuǎn)芯片10B、雙面印刷電路板20B和鋁基板30B的組裝操作。首先，參照步驟701，將不含Pb的焊膏或AuSn共晶焊膏模板印刷到雙面印刷電路板20B的焊盤(pán)22和框形密封電極圖案22’以及鋁基板30B的框形密封電極圖案32上。接下來(lái)，參照步驟702，將光偏轉(zhuǎn)芯片IOB安裝到雙面印刷電路板20B上，使得光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的焊盤(pán)18和框形密封電極圖案18’與雙面印刷電路板20B的帶有焊膏的對(duì)應(yīng)焊盤(pán)22和對(duì)應(yīng)框形密封電極圖案22’直接接觸。然后，將光偏轉(zhuǎn)芯片IOB安裝到鋁基板30B上，使得光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的框形密封電極圖案18”與鋁基板30B的帶有焊膏的對(duì)應(yīng)電極圖案32直接接觸。接下來(lái)，參照步驟703，在軟熔爐中在260°C至310°C的溫度下進(jìn)行軟熔工藝。因此，光偏轉(zhuǎn)芯片IOB的正面粘接到雙面印刷電路板20B的背面和鋁基板30B的正面。接下來(lái)，參照步驟704，在氮?dú)馐一蛘婵帐抑欣貌缓琍b的焊膏通過(guò)焊接工藝將帶有防反射層52a和52b的密封透明玻璃51安裝到雙面印刷電路板20B的正面上。在氮?dú)馐抑?，?zhí)行吹掃(purging)操作多次，以從氮?dú)馐遗懦鏊魵?、二氧化碳等。另一方?在真空室中，壓力為約0.1atm至0.8atm。最后，參照步驟705，在軟熔爐中在260°C的溫度下進(jìn)行軟熔工藝。在這種情況下，由于步驟705的軟熔溫度低于步驟703的軟熔溫度，所以光偏轉(zhuǎn)芯片IOB和雙面印刷電路板20B之間的焊膏以及光偏轉(zhuǎn)芯片IOB和鋁基板30B之間的焊膏不會(huì)再熔。因此，密封透明玻璃51的正面穩(wěn)固地粘接到雙面印刷電路板20B的正面。在上述第二實(shí)施方式中，對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口 32可以按照與第一實(shí)施方式相同的方式設(shè)置在鋁基板30B的拐角。
因此，根據(jù)上述第二實(shí)施方式，由于在橫向方向上，雙面印刷電路板20B的尺寸和鋁基板30B的尺寸基本上與光偏轉(zhuǎn)芯片IOB相同，所以圖5的光偏轉(zhuǎn)裝置的尺寸可減小。另夕卜，可容易地實(shí)現(xiàn)密封的光偏轉(zhuǎn)裝置，而不會(huì)增加制造成本。圖8是圖1的光偏轉(zhuǎn)裝置的修改，在圖8中，反射鏡11’具有在這種情況下厚度與支撐體15相同的肋結(jié)構(gòu)，另外，與反射鏡11’的肋結(jié)構(gòu)相對(duì)的凹槽33形成在鋁基板30A中。因此，當(dāng)帶有肋結(jié)構(gòu)的反射鏡11’擺動(dòng)時(shí)，帶有肋結(jié)構(gòu)的反射鏡11’不會(huì)與鋁基板30A碰撞。需要指出的是，凹槽33在橫向方向上的尺寸小于雙面印刷電路板20B的開(kāi)口 20a在橫向方向上的尺寸。反射鏡11’的肋結(jié)構(gòu)用于有效抑制反射鏡11’擺動(dòng)時(shí)反射鏡11’的動(dòng)態(tài)變形。由于基板30A由諸如鋁的金屬制成，因此可容易地通過(guò)切割工藝等形成凹槽33。圖9是圖5的光偏轉(zhuǎn)裝置的修改，在圖9中，按照與圖8相同的方式，反射鏡11’具有在這種情況下厚度與支撐體15相同的肋結(jié)構(gòu)，另外，與反射鏡11’的肋結(jié)構(gòu)相對(duì)的凹槽33形成在鋁基板30B中。因此，當(dāng)帶有肋結(jié)構(gòu)的反射鏡11’擺動(dòng)時(shí)，帶有肋結(jié)構(gòu)的反射鏡11’不會(huì)與鋁基板30B碰撞。在上述實(shí)施方式中，光偏轉(zhuǎn)芯片構(gòu)成內(nèi)致動(dòng)器和外致動(dòng)器均為扭桿型壓電致動(dòng)器的二維光偏轉(zhuǎn)器；然而，本發(fā)明公開(kāi)的主題可應(yīng)用于其它二維光偏轉(zhuǎn)器。另外，本發(fā)明公開(kāi)的主題可應(yīng)用于一維光偏轉(zhuǎn)器。此外，本發(fā)明公開(kāi)的主題可應(yīng)用于梳形型靜電致動(dòng)器。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言明顯的是，在不脫離本發(fā)明公開(kāi)的主題的精神或范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明公開(kāi)的主題進(jìn)行各種修改和變型。因此，本發(fā)明公開(kāi)的主題意在覆蓋對(duì)本發(fā)明公開(kāi)的主題的這些修改和變型，只要其落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。通過(guò)引用將以上以及在本說(shuō)明書(shū)的背景技術(shù)部分中描述的所有現(xiàn)有技術(shù)參考文獻(xiàn)全部并入本文。本申請(qǐng)要求2011年9月29日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)No. JP2011-215621的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其公開(kāi)內(nèi)容全部并入本文。
權(quán)利要求
1.一種光偏轉(zhuǎn)裝置，該光偏轉(zhuǎn)裝置包括: 光偏轉(zhuǎn)芯片，其包括反射鏡、被設(shè)置為使所述反射鏡擺動(dòng)的致動(dòng)器以及位于所述光偏轉(zhuǎn)芯片的正面上并連接至所述致動(dòng)器的第一焊盤(pán)； 第一基板，其包括所述第一基板的背面上的第二焊盤(pán)，在所述第一基板中形成有開(kāi)口 ；以及 第二基板， 所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述正面粘接到所述第一基板的所述背面，使得所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述第一焊盤(pán)與所述第一基板的各個(gè)所述第二焊盤(pán)接觸，并且所述反射鏡與所述開(kāi)口相對(duì)， 所述光偏轉(zhuǎn)芯片的背面粘接到所述第二基板的正面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述第一基板包括有機(jī)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述有機(jī)材料是玻璃環(huán)氧樹(shù)脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述第一基板還包括: 第三焊盤(pán)，其位于所述 第一基板的正面上； 通孔結(jié)構(gòu)，其在所述第一基板中連接在所述第一焊盤(pán)和所述第三焊盤(pán)之間；以及 電極端子，其位于所述第一基板的所述正面上，并連接至各個(gè)所述第三焊盤(pán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述正面與第一基板的所述背面之間的粘接通過(guò)將焊膏模板印刷到所述第一基板的所述第二焊盤(pán)上來(lái)進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述正面與第一基板的所述背面之間的粘接通過(guò)將凸塊安裝到所述第一基板的所述第二焊盤(pán)上來(lái)進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述第一基板包括陶瓷。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述第一基板還包括: 電極端子，其位于所述第一基板的正面上；以及 互連，其在所述第一基板中連接在所述第二焊盤(pán)和各個(gè)所述電極端子之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述光偏轉(zhuǎn)芯片還包括: 第一框形密封電極圖案，其位于所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述正面上；以及 第二框形密封電極圖案，其位于所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述背面上， 所述第一基板還包括第三框形電極圖案，該第三框形電極圖案位于所述第一基板的所述背面上，并與所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述第一框形電極圖案接觸， 所述第二基板還包括第四框形電極圖案，該第四框形電極圖案位于所述第二基板的所述正面上，并與所述光偏轉(zhuǎn)芯片的所述第二框形電極圖案接觸， 所述光偏轉(zhuǎn)裝置還包括密封透明玻璃片，該密封透明玻璃片粘接到所述第一基板的所述正面，以密封所述開(kāi)口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，引入了惰性氣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，抽成了真空。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，該光偏轉(zhuǎn)裝置還包括防反射層，該防反射層形成在所述密封透明玻璃片的兩個(gè)面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，各個(gè)所述防反射層被構(gòu)造為反射紅光成分、綠光成分和藍(lán)光成分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述反射鏡具有肋結(jié)構(gòu)，并且在所述第二基板中形成有與所述肋結(jié)構(gòu)相對(duì)的凹槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述第二基板包括金屬。
16.根據(jù)權(quán)利要求1 5所述的光偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述金屬包括鋁。
全文摘要
包括夾在兩個(gè)基板之間的光偏轉(zhuǎn)芯片的光偏轉(zhuǎn)裝置。在一種光偏轉(zhuǎn)裝置中，光偏轉(zhuǎn)芯片包括反射鏡、被設(shè)置為使所述反射鏡擺動(dòng)的致動(dòng)器以及在所述光偏轉(zhuǎn)芯片的正面上并連接至所述致動(dòng)器的第一焊盤(pán)。第一基板包括在所述第一基板的背面上的第二焊盤(pán)，并且在所述第一基板中形成有開(kāi)口。所述光偏轉(zhuǎn)芯片的正面粘接到所述第一基板的背面，使得所述光偏轉(zhuǎn)芯片的第一焊盤(pán)與所述第一基板的各個(gè)所述第二焊盤(pán)接觸，并且所述反射鏡與所述開(kāi)口相對(duì)。所述光偏轉(zhuǎn)芯片的背面粘接到第二基板的正面。
文檔編號(hào)G02B26/08GK103076675SQ20121037203
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者安田喜昭 申請(qǐng)人:斯坦雷電氣株式會(huì)社