專利名稱：陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板主要由陣列基板和彩膜基板對(duì)盒組成。其中，如圖I所示，陣列基板上設(shè)有交叉排列呈網(wǎng)格狀的柵極線2和數(shù)據(jù)線3 (因它們位于不同的層中，故交叉時(shí)不會(huì)導(dǎo)通)，柵極線2和數(shù)據(jù)線3的每個(gè)交點(diǎn)限定一個(gè)像素單元I，從而多個(gè)像素單元排列成矩陣形式；對(duì)彩色液晶顯示面板，每個(gè)像素單元I對(duì)應(yīng)顯示屏的一個(gè)子像素(又稱亞像素)，而靠在一起的紅綠藍(lán)三個(gè)子像素構(gòu)成顯示屏上的一個(gè)可見(jiàn)的像素；對(duì)非彩色顯示器，一個(gè)像 素單元I也可直接對(duì)應(yīng)顯示屏上的一個(gè)像素。每個(gè)像素單元I包括一個(gè)薄膜晶體管11和一個(gè)與薄膜晶體管11漏極相連的像素電極12，一行像素單元I的薄膜晶體管11的柵極與同一根柵極線2相連，一列像素單元I的薄膜晶體管11的源極與同一根數(shù)據(jù)線3相連。當(dāng)某根柵極線2導(dǎo)通時(shí)，只要控制各數(shù)據(jù)線3的信號(hào)即可使該柵極線2所對(duì)應(yīng)的一行像素單元I同時(shí)顯示所需內(nèi)容，因此只要使各根柵極線2輪流導(dǎo)通(又稱掃描)，即可顯示出所需內(nèi)容。其中，根據(jù)顯示器型號(hào)等的不同，通常柵極線2寬度在5 80 μ m,數(shù)據(jù)線3寬度在2 30 μ m。另外，陣列基板上還有用于為公共電極供電的公共電極線4，其平行于柵極線2，可位于柵極線2側(cè)部(其與數(shù)據(jù)線3也處于不同的層，故交叉時(shí)也不會(huì)導(dǎo)通)，也可如圖I所示位于像素電極12下方，從而同時(shí)起到存儲(chǔ)電容電極的作用(此時(shí)公共電極線4應(yīng)采用透明材料制成)，每根公共電極線4用于為一行像素單元I的公共電極供電。其中，根據(jù)顯示模式的不同，公共電極可位于彩膜基板上(例如對(duì)于TN模式、VA模式)，也可與公共電極線4 一同位于陣列基板上(例如對(duì)于IPS模、ADS模式)。由于柵極線、數(shù)據(jù)線、公共電極線等所在的區(qū)域不能使液晶分子發(fā)生正確的偏轉(zhuǎn)，故這些區(qū)域會(huì)產(chǎn)生漏光，因此，需要在這些區(qū)域上方設(shè)置黑矩陣(BM，Black Matrix)以遮蔽由這些區(qū)域透過(guò)的光線，黑矩陣可位于彩膜基板上，也可位于陣列基板上(BM on Array)。其中，為了保證遮光效果，柵極線黑矩陣寬度通常在5(Γ 20μπι，數(shù)據(jù)線黑矩陣寬度通常在20 80 μ m。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題現(xiàn)有陣列基板上的柵極線寬度大且數(shù)量多，因此柵極線黑矩陣所占的總面積必然較大，由此導(dǎo)致顯示裝置的開(kāi)口率低、光能利用率低、能耗高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的顯示裝置開(kāi)口率低、能耗高的問(wèn)題，提供一種可提高顯示裝置開(kāi)口率、降低能耗、提高刷新率的陣列基板。解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括交叉排列為網(wǎng)格狀的柵極線和數(shù)據(jù)線；與所述柵極線平行的公共電極線；排列為矩陣的像素單元，其中每個(gè)像素單元連接一根柵極線和一根數(shù)據(jù)線；其中每根柵極線同時(shí)連接N行像素單元，N為大于等于2的整數(shù)；N根數(shù)據(jù)線同時(shí)連接一列像素單元，且一列像素單元中與同一根柵極線相連接的N個(gè)像素單元分別與N根不同數(shù)據(jù)線相連；每根所述公共電極線用于為與同一根柵極線相連的N行像素單元的公共電極供電。其中所述的“一列像素單元”和“一行像素單元”表示相互垂直排列的兩“排”像素單元，但僅表示這兩“排”像素單元間的相對(duì)位置關(guān)系，而并不表示“行”平行于地面或“列”
垂直于地面等。本發(fā)明的陣列基板中，一根柵極線同時(shí)控制N行像素單元，因此其柵極線總數(shù)減 少為原來(lái)的1/N，相應(yīng)的，柵極線黑矩陣的面積也減少為原來(lái)的1/N，且每根公共電極線同時(shí)為N行像素單元供電，公共電極線的數(shù)量和對(duì)應(yīng)黑矩陣的面積也必然減小，由此使顯示裝置的開(kāi)口率大幅提高，能耗降低；同時(shí)，在用本發(fā)明的陣列基板進(jìn)行顯示時(shí)，每根柵極線導(dǎo)通時(shí)會(huì)有N行像素單元一起導(dǎo)通并顯示所需內(nèi)容，也就是說(shuō)其可一次掃描N行像素，故若掃描每根柵極線所需的時(shí)間不變，其掃描整個(gè)顯示面板所需的時(shí)間會(huì)減少為原來(lái)的1/N，也就是說(shuō)其還能起到提高刷新率、改善顯示質(zhì)量的效果。當(dāng)然，由于此時(shí)每列像素單元要對(duì)應(yīng)N根數(shù)據(jù)線，故數(shù)據(jù)線數(shù)量會(huì)上升，但由于每根數(shù)據(jù)線上所接的像素單元數(shù)量減少(即負(fù)載減少)，因此每根數(shù)據(jù)線的寬度也可減少為原來(lái)的1/N，這樣數(shù)據(jù)線黑矩陣的總面積只是稍微增加(由于相鄰數(shù)據(jù)線間必須有幾微米的間隔，而黑矩陣要覆蓋該間隔，故黑矩陣面積稍有增加)，但黑矩陣總面積仍是減少的；而且，如前所述，柵極線黑矩陣的寬度比數(shù)據(jù)線黑矩陣的寬度大，因此即使數(shù)據(jù)線寬度不變，本發(fā)明也相當(dāng)于增加較細(xì)的數(shù)據(jù)線而減少較寬的柵極線，故黑矩陣總面積仍會(huì)減少。通過(guò)以上分析還可得知，相對(duì)于減少數(shù)據(jù)線并增加?xùn)艠O線的方式(可理解為與本發(fā)明“相反”的方式)，本發(fā)明采用的減少柵極線并增加數(shù)據(jù)線的方式至少具有以下優(yōu)點(diǎn)首先，由于柵極線寬度比數(shù)據(jù)線寬度大，故減少柵極線的數(shù)量對(duì)減小黑矩陣面積、增加開(kāi)口率的效果更明顯；其次，本發(fā)明還可起到提高刷新率的作用，而至于減少數(shù)據(jù)線并增加?xùn)艠O線的方式，其一行像素單元要分多次才能掃描完成，反而降低了刷新率和顯示質(zhì)量。優(yōu)選的是，所述N為2。進(jìn)一步優(yōu)選的是，每根柵極線同時(shí)連接位于其兩側(cè)的兩行像素單元。進(jìn)一步優(yōu)選的是，用于為與同一根柵極線相連的兩行像素單元的公共電極供電的公共電極線位于所述兩行像素單元的同一側(cè)。進(jìn)一步優(yōu)選的是，每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管，所述薄膜晶體位于所述像素單元的側(cè)部，所述側(cè)部靠近與所述像素單元相連的柵極線。進(jìn)一步優(yōu)選的是，在一列像素單元中，各像素單元輪流與位于該列像素單元兩側(cè)的兩根數(shù)據(jù)線相連。進(jìn)一步優(yōu)選的是，每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管，所述薄膜晶體位于所述像素單元的側(cè)部，所述側(cè)部靠近與所述像素單元相連的數(shù)據(jù)線。優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括由有機(jī)絕緣材料形成的鈍化層。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題還包括，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的顯示裝置開(kāi)口率低、能耗高的問(wèn)題，提供一種開(kāi)口率高、能耗低、刷新率高的顯示裝置。解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。由于本發(fā)明的顯示裝置采用上述的陣列基板，因此其開(kāi)口率大，能耗低，且刷新率高,顯示質(zhì)量好。本發(fā)明可用于TN模式(扭曲向列型模式)、VA模式(豎直排列模式)、IPS模式(沿面開(kāi)關(guān)模式)、ADS模式(即FFS模式，邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)模式)等任何模式的顯示裝置中。



圖I為現(xiàn)有的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例2的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；圖3為現(xiàn)有的陣列基板在數(shù)據(jù)線處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例2的陣列基板在數(shù)據(jù)線處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的實(shí)施例3的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。其中附圖標(biāo)記為1、像素單元；11、薄膜晶體管；12、像素電極；2、柵極線；3、數(shù)據(jù)線；31、數(shù)據(jù)線連接線；32、數(shù)據(jù)線絕緣層；4、公共電極線；7、鈍化層；8、柵極保護(hù)膜；9、玻璃基板。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例I :本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括交叉排列為網(wǎng)格狀的柵極線和數(shù)據(jù)線；與所述柵極線平行的公共電極線；排列為矩陣的像素單元，其中每個(gè)像素單元連接一根柵極線和一根數(shù)據(jù)線。其中，每根柵極線同時(shí)連接N行像素單元，N為大于等于2的整數(shù)；N根數(shù)據(jù)線同時(shí)連接一列像素單元，且一列像素單元中與同一根柵極線相連接的N個(gè)像素單元分別與N根不同數(shù)據(jù)線相連；每根所述公共電極線用于為與同一根柵極線相連的N行像素單元的公共電極供電。本實(shí)施例的陣列基板中，一根柵極線同時(shí)控制N行像素單元，因此其柵極線總數(shù)減少為原來(lái)的1/N，相應(yīng)的，柵極線黑矩陣的面積也減少為原來(lái)的1/N，且每根公共電極線同時(shí)為N行像素單元供電，公共電極線的數(shù)量和對(duì)應(yīng)黑矩陣的面積也必然減小，由此使顯示裝置的開(kāi)口率大幅提高，能耗降低；同時(shí)，在用本實(shí)施例的陣列基板進(jìn)行顯示時(shí)，每根柵極線導(dǎo)通時(shí)會(huì)有N行像素單元一起導(dǎo)通并顯示所需內(nèi)容，也就是說(shuō)其可一次掃描N行像素，故若掃描每根柵極線所需的時(shí)間不變，其掃描整個(gè)顯示面板所需的時(shí)間會(huì)減少為原來(lái)的I/N，也就是說(shuō)其還能起到提高刷新率、改善顯示質(zhì)量的效果。實(shí)施例2 本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖2、圖4所示，其包括玻璃基板9，玻璃基板9在上設(shè)有多根橫向排列(或者說(shuō)沿“行”方向排列)的柵極線2。多根縱向排列(或者說(shuō)沿“列”方向排列)的數(shù)據(jù)線3，其與柵極線2組成網(wǎng)格狀。顯然，雖然本實(shí)施例的陣列基板以柵極線2橫向排列、數(shù)據(jù)線3縱向排列作為例子，但若采用柵極線2縱向排列、數(shù)據(jù)線3橫向排列的方式也是可行的。像素單元I的陣列，其中每個(gè)像素單元I對(duì)應(yīng)顯示裝置上的一個(gè)子像素，三個(gè)子像素組成一個(gè)像素。每個(gè)像素單元I包括一個(gè)薄膜晶體管11以及一個(gè)與薄膜晶體管11的漏
極相連的像素電極12，其中每個(gè)薄膜晶體管11的柵極連接一根柵極線2，源極連接一根數(shù)據(jù)線3 (即每個(gè)像素單元I連接一根柵極線2和一根數(shù)據(jù)線3)。其中，如圖2所示，每根柵極線2同時(shí)和兩行像素單元I相連，或者說(shuō)，每?jī)尚邢袼貑卧狪對(duì)應(yīng)一根柵極線2。同時(shí)，一列像素單元I對(duì)應(yīng)兩根數(shù)據(jù)線3，或者說(shuō)，兩根數(shù)據(jù)線3同時(shí)連接一列像素單元1，且該列像素單元I中連接同一柵極線2的兩個(gè)像素單元I分別與兩根數(shù)據(jù)線3相連，從而保證當(dāng)該柵極線2導(dǎo)通時(shí)，兩個(gè)像素單元I可分別受兩根數(shù)據(jù)線3的控制?？梢?jiàn)，通過(guò)采取以上方式，柵極線2數(shù)量減少了一半，故其對(duì)應(yīng)的黑矩陣的面積也可減少一半，從而提高了顯示裝置的開(kāi)口率，降低了能耗。當(dāng)然，同時(shí)數(shù)據(jù)線3的數(shù)量增加了一倍，但由于每根數(shù)據(jù)線3上連接的像素單元I數(shù)減少了一半，故其負(fù)載也降低了一半，因此每根數(shù)據(jù)線3的寬度也可減小為原來(lái)的一半，因此，數(shù)據(jù)線黑矩陣的寬度只要稍有增加即可，該增加是為了覆蓋相鄰數(shù)據(jù)線3間的間隙，而該間隙寬度僅為數(shù)微米(如3 μ m)，因此由該間隙導(dǎo)致的數(shù)據(jù)線黑矩陣面積的增加與柵極線黑矩陣面積的減小相比要小的多，故黑矩陣總面積仍會(huì)明顯降低，開(kāi)口率會(huì)明顯提高。而對(duì)于柵極線2，因其原有寬度就較大，故雖然連接在其上的像素單元I數(shù)量增加，但其寬度也不用增加。經(jīng)過(guò)測(cè)試，本實(shí)施例的陣列基板可使顯示裝置的開(kāi)口率提高約4 5%。同時(shí)，如圖2所示，陣列基板還包括公共電極線4，公共電極線4平行于柵極線2，且每根公共電極線4用于為與同一根柵極線2相連的2行像素單元I的公共電極供電。由于本實(shí)施例中一根柵極線2對(duì)應(yīng)兩行像素單元I，因此一根公共電極線4可同時(shí)對(duì)應(yīng)兩行像素單元I的公共電極，故公共電極線4的數(shù)量也減少了，從而可進(jìn)一步減少黑矩陣的面積，提高開(kāi)口率。優(yōu)選的，每根柵極線2同時(shí)連接位于其兩側(cè)(上下兩側(cè))的兩行像素單元I。也就是說(shuō)，與每根柵極線2相連的兩行像素單元I優(yōu)選正好分別位于該柵極線2的上下兩側(cè)，這樣可以保證柵極線2與兩行像素單元I都能容易的相連，布線均勻，并可盡量減少引線的交叉。優(yōu)選的，公共電極線4位于與其對(duì)應(yīng)的兩即行像素單元的同一側(cè)。也就是說(shuō)，柵極線2對(duì)應(yīng)其上下兩側(cè)的兩行像素單元1，則與這兩行像素單元I對(duì)應(yīng)的公共電極線4優(yōu)選位于這兩行像素單元I的上側(cè)或下側(cè)，而不與柵極線2在一起。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，將公共電極線4和柵極線2設(shè)在不同的位置，可使各行像素單元I間的距離比較均勻；同時(shí)，由于工藝限制，兩行像素單元I顯然不可能很精確的完全無(wú)縫對(duì)接在一起，其間必定存在間隙，因此也必須設(shè)置黑矩陣，而將公共電極線4和柵極線2分開(kāi)設(shè)置實(shí)際上充分利用了各行像素單元I間必有的黑矩陣，從而減少了黑矩陣的總面積，提高了開(kāi)口率。
優(yōu)選的，像素單元I中的薄膜晶體管11位于該像素單元I的一側(cè)部(即不是位于中間)，且該側(cè)部靠近與該像素單元I相連的柵極線2。也就是說(shuō)，與某柵極線2相連的兩行像素單元I中，薄膜晶體管11均位于靠近該柵極線2的一側(cè)，如柵極線2上側(cè)的一行像素單元I中，薄膜晶體管11位于像素單元I的下側(cè)，而柵極線2下側(cè)的一行像素單元I中，薄膜晶體管11位于像素單元I的上側(cè)。這樣設(shè)計(jì)的目的是為了使薄膜晶體管11盡量靠近與其相連的柵極線2，方便其與柵極線2連接。優(yōu)選的，在每列像素單元I中，各像素單元I輪流與位于該列像素單元I兩側(cè)的兩根數(shù)據(jù)線3相連。也就是說(shuō)，在一列像素單元I中，各像素單元I輪流與其左側(cè)和右側(cè)的兩根數(shù)據(jù)線3相連。這樣設(shè)置可以保證該列像素單元I與兩條數(shù)據(jù)線3都可容易的相連，且布線均勻，并能盡量避免引線的交叉。同時(shí)，在采用這種布線形式時(shí)，必然造成數(shù)據(jù)線3兩根為一組的排列在一起，這樣每?jī)筛鶖?shù)據(jù)線3可被一個(gè)黑矩陣覆蓋，從而使黑矩陣的制備工藝簡(jiǎn)化。其中，為了避免相鄰的數(shù)據(jù)線3相互接觸，兩相臨數(shù)據(jù)線3間應(yīng)如前所述留有一定的間隙，該間隙通常為數(shù)微米(如為3 μ m)。
優(yōu)選的，像素單元I中的薄膜晶體管11位于該像素單元I的一側(cè)部(即不是位于中間)，且該側(cè)部靠近與該像素單元I相連的數(shù)據(jù)線3。也就是說(shuō)，與不同數(shù)據(jù)線3相連的像素單元I中，薄膜晶體管11均位于靠近數(shù)據(jù)線3的一側(cè)。在一列像素單元I中，與左側(cè)的數(shù)據(jù)線3相連的像素單元I的薄膜晶體管11位于像素單元I左側(cè)，與右側(cè)的數(shù)據(jù)線3相連的像素單元I的薄膜晶體管11位于像素單元I左側(cè)。這樣設(shè)計(jì)的目的是為了使薄膜晶體管11盡量靠近與其相連的數(shù)據(jù)線3，方便其與數(shù)據(jù)線3連接。顯然，如果同時(shí)還要如前所述使薄膜晶體管11靠近柵極線2，則各薄膜晶體管11均應(yīng)位于像素單元I的角部。優(yōu)選的,如圖4所示,本實(shí)施例的陣列基板包括由有機(jī)絕緣材料形成的鈍化層7。其中，有機(jī)絕緣材料可為丙烯酸酯樹(shù)脂等已知的鈍化層7材料，其可通過(guò)涂覆等常規(guī)工藝形成。如圖3所示,數(shù)據(jù)線3與柵極保護(hù)膜8(Gate Insulation)間有一定的高度差,故會(huì)形成臺(tái)階，在采用傳統(tǒng)的氮化硅材料(SiNx)作為鈍化層7時(shí)，因鈍化層7厚度較薄而不能消除該臺(tái)階，又由于臺(tái)階會(huì)造成附近的液晶分子偏轉(zhuǎn)異常，故在數(shù)據(jù)線3上方需要設(shè)置明顯比數(shù)據(jù)線寬度大的黑矩陣，從而導(dǎo)致開(kāi)口率降低；同時(shí)，柵極線2處也具有上述臺(tái)階的問(wèn)題。而如圖4所示，在采用有機(jī)絕緣材料形成鈍化層7時(shí)，因其通過(guò)涂覆形成，厚度可較大，且材質(zhì)較軟，具有一定的柔性，故可填平臺(tái)階，形成平整表面，因此在數(shù)據(jù)線3、柵極線2上方的黑矩陣寬度只要略微大于線寬即可，從而可進(jìn)一步減小黑矩陣的面積，提高開(kāi)口率。實(shí)施例3 本實(shí)施例提供一種陣列基板，其具有與實(shí)施例2的陣列基板類似的結(jié)構(gòu)。如圖5所示，其與實(shí)施例2的區(qū)別在于首先、本實(shí)施例的陣列基板中，每三行像素單元I對(duì)應(yīng)一根柵極線2，即每根柵極線2同時(shí)和三行像素單元I相連。同時(shí)，一列像素單元I對(duì)應(yīng)三根數(shù)據(jù)線3，即三根數(shù)據(jù)線3同時(shí)連接一列像素單元1，且該列像素單元I中連接同一根柵極線2的三個(gè)像素單元I分別與三根數(shù)據(jù)線3相連。由于本實(shí)施例的陣列基板中一列像素單元I對(duì)應(yīng)三根數(shù)據(jù)線3，因此在該列像素單元I通過(guò)連接線31與數(shù)據(jù)線3相連時(shí)，必然有部分連接線31會(huì)與數(shù)據(jù)線3交叉，這就需要在部分?jǐn)?shù)據(jù)線3的部分位置上設(shè)置絕緣層32或類似結(jié)構(gòu)，以免連接線31將不同的數(shù)據(jù)線3導(dǎo)通；因此，在制造本實(shí)施例的陣列基板時(shí)，三根數(shù)據(jù)線3需要在不同的構(gòu)圖工藝(光刻-沉積工藝)中形成，且還要增加形成絕緣層32的步驟。由于在陣列基板上進(jìn)行布線以及形成絕緣層等的工藝是已知的，故在此不再對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。其次、本實(shí)施例的陣列基板中，柵極線2位于與其相連的三行像素單元I的同一側(cè)；與一列像素單元I相連的三根數(shù)據(jù)線3也位于該列像素單元I的同一側(cè)。第三、本實(shí)施例的陣列基板中，公共電極線4位于柵極線2側(cè)部。本實(shí)施例的陣列基板中，每三行像素單元I對(duì)應(yīng)一根柵極線2，因此其柵極線2可減少為原來(lái)的1/3，故其減小黑矩陣面積、提高開(kāi)口率的效果更明顯。顯然，上述各實(shí)施例的陣列基板還可進(jìn)行許多變化可以是四行或更多行的像素單元對(duì)應(yīng)一根柵極線，而一列像素單元對(duì)應(yīng)四根或更多數(shù)據(jù)線；柵極線、數(shù)據(jù)線及與它們相連的像素單元間的相對(duì)位置關(guān)系可以變化，如與一根柵極線相連的多行像素單元可分別位于柵極線兩側(cè)(如實(shí)施例2)，也可位于柵極線的同一側(cè)(如實(shí)施例3)，與一列像素單元相連的多根數(shù)據(jù)線可分別位于該列像素單元的兩側(cè)(如實(shí)施例2)，也可位于該列像素單元的 同一側(cè)(如實(shí)施例3);陣列基板上還可設(shè)有專門(mén)的存儲(chǔ)電容電極等其它結(jié)構(gòu)。實(shí)施例4 本實(shí)施例提供一種液晶顯示面板，其包括彩膜基板以及上述任意一實(shí)施例所述的陣列基板，且至少在陣列基板的柵極線和數(shù)據(jù)線上方設(shè)有黑矩陣。其中，“至少在陣列基板的柵極線和數(shù)據(jù)線上方設(shè)有黑矩陣”是指該黑矩陣應(yīng)當(dāng)至少能夠覆蓋柵極線和數(shù)據(jù)線，從而阻止背光源發(fā)出的光經(jīng)由柵極線和數(shù)據(jù)線處射出；當(dāng)然，在公共電極線、薄膜晶體管等位置處也可設(shè)有黑矩陣。具體的，黑矩陣可以設(shè)置在彩膜基板上，也可設(shè)置在陣列基板上(BM on Array)。顯然，由于本實(shí)施例的液晶顯示面板中采用的是上述陣列基板，故其柵極線和數(shù)據(jù)線的數(shù)量、位置等與現(xiàn)有的液晶顯示面板不同，因此其柵極驅(qū)動(dòng)芯片(Gate Driver 1C)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片(Data Driver IC)等的數(shù)量、接口位置等也要進(jìn)行相應(yīng)變化。當(dāng)然，本實(shí)施例的液晶顯示面板中還應(yīng)包括其它公知的部件，例如隔墊物、液晶材料、框架等。由于本實(shí)施例的液晶顯示面板采用上述的陣列基板，因此其開(kāi)口率大，能耗低，刷新率高,顯示質(zhì)量好。實(shí)施例5 本實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括上述任意一實(shí)施例所述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于本實(shí)施例的顯示裝置采用上述的陣列基板，因此其開(kāi)口率大，能耗低，刷新率高,顯示質(zhì)量好?？梢岳斫獾氖?，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括交叉排列為網(wǎng)格狀的柵極線和數(shù)據(jù)線；與所述柵極線平行的公共電極線；排列為矩陣的像素單元，其中每個(gè)像素單元連接一根柵極線和一根數(shù)據(jù)線；其特征在于， 每根柵極線同時(shí)連接N行像素單元，N為大于等于2的整數(shù)； N根數(shù)據(jù)線同時(shí)連接一列像素單元，且一列像素單元中與同一根柵極線相連接的N個(gè)像素單元分別與N根不同數(shù)據(jù)線相連； 每根所述公共電極線用于為與同一根柵極線相連的N行像素單元的公共電極供電。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述N為2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每根柵極線同時(shí)連接位于其兩側(cè)的兩行像素單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，用于為與同一根柵極線相連的兩行像素單元的公共電極供電的公共電極線位于所述兩行像素單元的同一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管，所述薄膜晶體位于所述像素單元的側(cè)部，所述側(cè)部靠近與所述像素單元相連的柵極線。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在一列像素單元中，各像素單元輪流與位于該列像素單元兩側(cè)的兩根數(shù)據(jù)線相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管，所述薄膜晶體位于所述像素單元的側(cè)部，所述側(cè)部靠近與所述像素單元相連的數(shù)據(jù)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括由有機(jī)絕緣材料形成的鈍化層。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求I至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的顯示裝置開(kāi)口率低、能耗高的問(wèn)題。本發(fā)明的陣列基板包括交叉排列為網(wǎng)格狀的柵極線和數(shù)據(jù)線；與柵極線平行的公共電極線；像素單元陣列，其中每個(gè)像素單元連接一根柵極線和一根數(shù)據(jù)線；每根柵極線同時(shí)連接N行像素單元；N根數(shù)據(jù)線同時(shí)連接一列像素單元，且一列像素單元中與同一根柵極線相連接的N個(gè)像素單元分別與N根不同數(shù)據(jù)線相連；每根公共電極線用于為與同一根柵極線相連的N行像素單元的公共電極供電。本發(fā)明的顯示裝置均包括上述陣列基板。本發(fā)明可用于TN模式、VA模式、IPS模式、ADS模式等顯示裝置中。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102879962SQ20121037119
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
發(fā)明者白金超, 孫亮, 丁向前, 劉耀, 李梁梁 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司