專利名稱：一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此有一定間隔和互相正對。形成在兩個基板上的多個電極相互正對。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因?yàn)槿缟纤鲆壕э@示裝置不發(fā)射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖I所示，上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107，液晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。在陣 列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管(TFT) 114、陣列子像素111、掃描線110、信號線112等。信號線112連接到TFT的漏極，像素電極108連接到源級，掃描線110連接到柵極。背光源113發(fā)出的光線經(jīng)過下偏光片109,成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓,而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向，偏振光透過相應(yīng)的彩膜102后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片101，則顯示出相應(yīng)的顏色；電場強(qiáng)度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過的光強(qiáng)不一樣，顯示的亮度也不同。通過紅綠藍(lán)三種顏色的不同光強(qiáng)的組合來顯示五顏六色的圖像。近年來隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早，但是其均一性差，制作工藝復(fù)雜；金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術(shù)，節(jié)省工藝步驟，提高了均勻率和合格率；工藝簡單，采用傳統(tǒng)的濺射和濕刻工藝就可以，不需要采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和干刻技術(shù)。另外，目前的激光晶化技術(shù)還達(dá)不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶體管因?yàn)椴恍枰す饩Щ瑒t沒有尺寸的限制。由于這幾方面的優(yōu)勢，金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關(guān)注，成為近幾年研究的熱點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝的金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法。本發(fā)明提供一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線，位于底層；信號線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。本發(fā)明提供又一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線，位于底層；信號線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；柵格狀共通電極，位于頂層，且與所述共通電極線電性連接，其中，第二絕緣層，位于柵格狀共通電極之上；所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，且所述第一絕緣層位于像素電極之上。本發(fā)明提供又一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案；第二步在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層，并在共通電極線上的第 一絕緣層上形成第一接觸孔圖形；第三步在第一絕緣層的圖案基礎(chǔ)上形成位于像素區(qū)域內(nèi)的共通電極圖形，并通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線；第四步在形成第三步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在第一信號線、第二信號線、掃描線、共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第五步在第二絕緣層圖案上形成透明ITO層，具體形成圖案為信號線連接線、TFT源極、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、以及位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道；第六步在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形和溝道保護(hù)層圖形。本發(fā)明提供又一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案；第二步在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層，并在第一信號線和第二信號線上的第一絕緣層上分別形成第一接觸孔和第二接觸孔的圖形；第三步在第一絕緣層上形成透明ITO層，具體形成在第一接觸孔和第二接觸孔之間形成信號線連接線、與第二信號線的第二接觸孔連接形成的TFT源極、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道；第四步在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形；第五步在形成第四步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第六步在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線的接觸孔電連接?xùn)鸥駹罟餐姌O與共通電極線。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。


圖I為現(xiàn)有液晶顯不(IXD)裝置的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為本發(fā)明液晶顯示面板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為圖I所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖3為圖I所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖3A為圖3所示在A-A’方向的剖視圖；圖4為圖I所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖4A為圖4所示在A-A’方向的剖視
圖5為圖I所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖5A為圖5所示在A-A’方向的剖視圖；圖6為圖I所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖6A為圖6所示在A-A’方向的剖視圖；圖7為圖I所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖7A為圖7所示在A-A’方向的剖視圖；圖8為圖I所示液晶顯示面板的第六步制造方法的示意圖；圖8A為圖8所示在A-A’方向的剖視圖；圖9為本發(fā)明液晶顯示面板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9A為圖9所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖10為圖9所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖IOA為圖10所示在A-A’方向的剖視圖；圖11為圖9所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖IlA為圖11所示在A-A’方向的剖視圖；圖12為圖9所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖12A為圖12所示在A_A’方向的剖視圖；圖13為圖9所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖13A為圖13所示在A_A’方向的剖視圖；圖14為圖9所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖14A為圖14所示在A-A’方向的剖視圖；圖15為圖9所不液晶顯不面板的第TK步制造方法的不意圖；圖15A為圖15所示在AA’方向的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。本發(fā)明是一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，邊緣場開關(guān)型FFS(FringeFiled Switching)技術(shù)是一種通過TFT基板上的頂層條狀像素電極和底層面COM電極之間的邊緣電場，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動的技術(shù)。圖2至圖8A是本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖。
如圖2和圖2A，本發(fā)明金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板包括信號線10、與信號線10縱橫交錯的掃描線30、由信號線10和掃描線30交叉限定的多個像素單元、與掃描線30平行的共通電極線20、共通電極50、第一絕緣層40、第二絕緣層60。每個像素單元包括薄膜晶體管單元、與薄膜晶體管單元連接的柵格狀像素電極80，該柵格狀像素電極80位于本液晶顯示面板的頂層。其中，薄膜晶體管單元包括與掃描線30連接的TFT柵極31、與信號線10電性連接的TFT源極72、與柵格狀像素電極80電性連接的TFT漏極74，所述TFT源極72與TFT漏極74之間設(shè)有TFT溝道73，在TFT溝道73內(nèi)設(shè)有金屬氧化物層溝道110，在金屬氧化物層溝道110上設(shè)有保護(hù)層120。所述共通電極50通過開設(shè)在第一絕緣層40上的第一接觸孔21與共通電極線20電性連接，該共通電極50為本液晶顯示面板的COM電極，通過共通電極50與位于頂層的柵·格狀像素電極80之間產(chǎn)生邊緣電場，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動的技術(shù)。所述信號線10包括第一信號線11、相鄰像素單元的第二信號線12和位于第一信號線11和第二信號線12之間的信號線連接線71，該信號線連接線71與柵格狀像素電極80、TFT源極72、以及TFT漏極74四者同時制成，該四者都是透明ITO制成。本發(fā)明液晶顯示面板的制造步驟如下第一步如圖3和圖3A,在玻璃基板(圖未不)上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線11、相鄰像素單元的第二信號線12、掃描線30、共通電極線20、以及TFT柵極31的圖案，TFT柵極31連接在掃描線30上，且底層金屬的材料是Cr、或Al、或Cu，厚度為3500-4500埃，最好為4000埃。其中，第一信號線11和相鄰像素單元的第二信號線12之間斷開，共通電極線20和掃描線30相互平行，且共通電極線20和掃描線30位于第一信號線11和第二信號線12斷開之間，且相鄰的兩共通電極線20、以及相鄰兩第二信號線12所圍設(shè)的區(qū)域是像素區(qū)域。第二步如圖4和圖4A，在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層40，并在共通電極線20上的第一絕緣層40上形成第一接觸孔21圖形，其中，第一絕緣層40的材料是SiNx或SiO2，第一絕緣層40的厚度為1500-2500埃。第三步如圖5和圖5A，在第一絕緣層40的圖案基礎(chǔ)上形成位于像素區(qū)域內(nèi)的共通電極50圖形，并通過共通電極線20上的接觸孔21連接共通電極50與共通電極線20，共通電極50的材料是ΙΤ0，其厚度450-550埃，最好為500埃。第四步如圖6和圖6A，在形成第三步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層60，并在第一信號線11、第二信號線12、掃描線30、共通電極線20相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形，具體為在第一信號線11上形成第二接觸孔61 ;在共通電極線20上形成第三接觸孔62 ;在掃描線30上形成第四接觸孔63 ;在第二信號線12上形成第五接觸孔64。所述第二絕緣層50的材料是SiNx或SiO2,厚度約為500-1500 ±矣，最好為1000埃。第五步如圖7和圖7A，在第二絕緣層60圖案上形成透明ITO層，具體形成圖案為在第二接觸孔61和第五接觸孔64之間形成信號線連接線71、與第二信號線12的第四接觸孔63連接形成的TFT源極72、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極80、與柵格狀像素電極80連接形成TFT漏極74、位于TFT源極72與TFT漏極74之間形成TFT溝道73、連接在第三接觸孔62上形成共通電極線端子信號引出線90圖案、以及連接在第四接觸孔63上形成掃描線端子信號引出線100圖案。通過信號線連接線71將第一信號線11與第二信號線12之間的斷開連接起來形成信號線10圖案。ITO層厚度為450-550埃，最好為500埃。第六步如圖8和圖8A，在TFT 溝道73上形成金屬氧化物層溝道110圖形和溝道保護(hù)層120圖形。金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0，厚度為450-550埃；保護(hù)層120圖形的材料是SiNx或SiO2,厚度為500-1500埃，最好為1000埃。圖9至圖12A是本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖。本發(fā)明的第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例主要區(qū)別是第一實(shí)施例的最頂層為柵格狀像素電極，而本第二實(shí)施例最頂層為與共通電極線電性連接的柵格狀共通電極。如圖9和圖9A，本發(fā)明金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板包括信號線10’、與信號線10’縱橫交錯的掃描線30’、由信號線10’和掃描線30’交叉限定的多個像素單元、與掃描線30’平行的共通電極線20’、柵格狀共通電極50’、第一絕緣層40’、以及第二絕緣層60’，所述柵格狀共通電極50’位于本液晶顯示面板的頂層。每個像素單元包括薄膜晶體管單元、與薄膜晶體管單元連接的像素電極80’，該柵格狀像素電極80’位于第一絕緣層40’上。其中，薄膜晶體管單元包括與掃描線30’連接的TFT柵極31’、與信號線10’電性連接的TFT源極72’、與像素電極80’電性連接的TFT漏極74’，所述TFT源極72’與TFT漏極74’之間設(shè)有TFT溝道73’，在TFT溝道73’內(nèi)設(shè)有金屬氧化物層溝道110’，在金屬氧化物層溝道110’上設(shè)有第二絕緣層60’。所述柵格狀共通電極50’通過開設(shè)在第二絕緣層60’上的第四接觸孔62’與底層的共通電極線20電性連接，該柵格狀共通電極50’為本液晶顯示面板的COM電極，通過頂層?xùn)鸥駹罟餐姌O50’與像素電極80’之間產(chǎn)生邊緣電場，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動的技術(shù)。所述信號線10’包括第一信號線11’、相鄰像素單元的第二信號線12’和位于第一信號線11’和第二信號線12’之間的信號線連接線71’，該信號線連接線71’與像素電極80’、TFT源極72’、以及TFT漏極74’四者同時制成，該四者都是透明ITO制成。以下為本發(fā)明液晶顯示面板第二實(shí)施例的制造步驟如下第一步該第一步與上述第一實(shí)施例的第一步制造方法是相同的，如圖10和圖10A,在玻璃基板(圖未不)上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線11’、相鄰像素單元的第二信號線12’、掃描線30’、共通電極線20’、以及TFT柵極31’的圖案，TFT柵極31’連接在掃描線30’上，且底層金屬的材料是Cr、或Al、或Cu，厚度為3500-4500埃之間，最好為4000埃。其中，第一信號線11’和相鄰像素單元的第二信號線12’之間斷開，共通電極線20’和掃描線30’相互平行，且共通電極線20’和掃描線30’位于第一信號線11’和第二信號線12’斷開之間，且相鄰的兩共通電極線20’、以及相鄰兩第二信號線12’所圍設(shè)的區(qū)域是像素區(qū)域。第二步如圖11和圖11A，在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層40’，并在第一信號線11’和第二信號線12’上的第一絕緣層40’上分別形成第一接觸孔41’和第二接觸孔42’的圖形，其中，第一絕緣層40’的材料是SiNx或SiO2，第一絕緣層40’的厚度為1500-2500埃，最好為1000埃。第三步如圖12和圖12A，在第一絕緣層40’上形成透明ITO層，具體形成在第一接觸孔41’和第二接觸孔42’之間形成信號線連接線71’、與第二信號線12’的第二接觸孔42 ’連接形成的TFT源極72 ’、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極80 ’、與柵格狀像素電極80’連接形成TFT漏極74’、位于TFT源極72’與TFT漏極74’之間形成TFT溝道73’。通過信號線連接線71’將第一信號線11’與第二信號線12’之間的斷開連接起來形成信號線10’圖案。信號線連接線71’、TFT源極72’、TFT漏極74’和柵格狀像素電極80’實(shí)際是一體 形成的，且是一個整體。透明ITO層厚度為450-550埃，最好為500埃。第四步如圖13和圖13A，TFT溝道73’上形成金屬氧化物層溝道110’圖形，金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。第五步如圖14和圖14A，在形成第四步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層60’，并在掃描線30’和共通電極線20’相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形，具體為在共通電極線20’上形成第三接觸孔61’和第四接觸孔62’ ；在掃描線30’上形成第五接觸孔63’。第二絕緣層60’的材料是SiNx或Si02，厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第六步如圖15和圖15A，在第二絕緣層60’上形成柵格狀共通電極50’圖形，通過共通電極線20’上的第四接觸孔62’電連接?xùn)鸥駹罟餐姌O50’與共通電極線20’，通過掃描線30’的第五接觸孔63’引出形成掃描線端子信號引出線90’圖案；通過共通電極線20’的第三接觸孔61’引出形成共通電極線端子信號引出線100’圖案。柵格狀共通電極50’的材料是ΙΤ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。
權(quán)利要求
1.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于，包括 掃描線，位于底層； 信號線，與掃描線縱橫交叉； 像素單元，由掃描線和信號線交叉限定； 共通電極線，位于底層； 第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上； 共通電極，與所述共通電極線電性連接； 第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中， 所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。
2.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于，包括 掃描線，位于底層； 信號線，與掃描線縱橫交叉； 像素單元，由掃描線和信號線交叉限定； 共通電極線，位于底層； 第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上； 柵格狀共通電極，位于頂層，且與所述共通電極線電性連接，其中， 第二絕緣層，位于柵格狀共通電極之上； 所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，且所述第一絕緣層位于像素電極之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的液晶顯示面板，其特征在于所述信號線包括第一信號線和相鄰像素單元的第二信號線、以及連接第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線，所述信號線連接線由ITO制成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于所述薄膜晶體管包括與掃描線連接的柵極、與信號線連接線連接的源極、以及與像素電極連接的漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于所述源極、漏極、以及像素電極均由ITO制成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于所述源極與漏極之間設(shè)有ITO溝道。
7.根據(jù)權(quán)利要求5述的液晶顯示面板，其特征在于所述TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形。
8.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案； 第二步在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層，并在共通電極線上的第一絕緣層上形成第一接觸孔圖形； 第三步在第一絕緣層的圖案基礎(chǔ)上形成位于像素區(qū)域內(nèi)的共通電極圖形，并通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線； 第四步在形成第三步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在第一信號線、第二信號線、掃描線、共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第五步在第二絕緣層圖案上形成透明ITO層，具體形成圖案為信號線連接線、TFT源極、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、以及位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道； 第六步在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形和溝道保護(hù)層圖形。
9.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案； 第二步在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層，并在第一信號線和第二信號線上的第一絕緣層上分別形成第一接觸孔和第二接觸孔的圖形； 第三步在第一絕緣層上形成透明ITO層，具體形成在第一接觸孔和第二接觸孔之間形成信號線連接線、與第二信號線的第二接觸孔連接形成的TFT源極、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道； 第四步在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形； 第五步在形成第四步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形； 第六步在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線的接觸孔電連接?xùn)鸥駹罟餐姌O與共通電極線。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料均是SiNx或SiO2。
全文摘要
本發(fā)明提出一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法，包括掃描線，位于底層；信號線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。
文檔編號G02F1/1362GK102854685SQ201210363678
公開日2013年1月2日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者焦峰 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司