專利名稱：一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此有一定間隔和互相正對(duì)。形成在兩個(gè)基板上的多個(gè)電極相互正對(duì)。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因?yàn)槿缟纤鲆壕э@示裝置不發(fā)射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖I所示，上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107，液晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。在陣列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管(TFT) 114、陣列子像素111、掃描線110、信號(hào)線112等。信號(hào)線112連接到TFT的漏極，像素電極108連接到源級(jí)，掃描線110連接到柵極。背光源113發(fā)出的光線經(jīng)過下偏光片109,成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓,而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向，偏振光透過相應(yīng)的彩膜102后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片101，則顯示出相應(yīng)的顏色；電場(chǎng)強(qiáng)度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過的光強(qiáng)不一樣，顯示的亮度也不同。通過紅綠藍(lán)三種顏色的不同光強(qiáng)的組合來顯示五顏六色的圖像。近年來隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動(dòng)電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早，但是其均一性差，制作工藝復(fù)雜；金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術(shù)，節(jié)省工藝步驟，提高了均勻率和合格率；工藝簡(jiǎn)單，采用傳統(tǒng)的濺射和濕刻工藝就可以，不需要采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和干刻技術(shù)。另外，目前的激光晶化技術(shù)還達(dá)不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶體管因?yàn)椴恍枰す饩Щ?，則沒有尺寸的限制。由于這幾方面的優(yōu)勢(shì)，金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關(guān)注，成為近幾年研究的熱點(diǎn)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝的金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法。本發(fā)明提供一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉，所述信號(hào)線包括第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線和位于第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間的信號(hào)線連接線；像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定，所述每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號(hào)線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極，所述TFT源極、TFT漏極及像素電極位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層；第一絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極和像素電極之上；共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在信號(hào)線、掃描線和共通電極線之上。本發(fā)明又提供一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線，位于頂層；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉，所述信號(hào)線包括第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線和位于第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間的信號(hào) 線連接線；像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定，所述每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號(hào)線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極；共通電極，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在共通電極之上；共通電極線，位于頂層與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在信號(hào)線連接線、TFT源極、TFT漏極以及柵格狀像素電極之上。本發(fā)明又提供一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步基板上形成底層金屬氧化物層，具體形成像素電極圖案、源漏極連接線圖案、以及信號(hào)線連接線圖案；第二步在源漏極連接線之間形成保護(hù)層圖案，然后利用離子注入方式讓保護(hù)層以外的金屬氧化物成為具有導(dǎo)體特性的透明電極；第三步在形成第二步圖案的基礎(chǔ)形成第一絕緣層圖案，并在信號(hào)線連接的兩端形成第一接觸孔和第二接觸孔；第四步在第一絕緣層圖案上以金屬形成信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極圖案；第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖案；第六步在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖案，所述柵格狀共通電極通過接觸孔電連接共通電極線。本發(fā)明又提供一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步基板上形成共通電極圖形；第二步在共通電極上形成第一絕緣層，并在共通電極上形成第一接觸孔圖形；第三步在第一絕緣層形成金屬氧化物層，具體形成柵格狀像素電極圖案、與柵格狀像素電極圖案連接的源漏極連接線圖案、以及與源漏極連接線連接的信號(hào)線連接線圖案，所述柵格狀像素電極通過第一接觸孔連接共通電極與共通電極連接線；第四步在源漏極連接線上形成保護(hù)層圖形，然后利用離子注入方式讓溝道保護(hù)層圖形以外的金屬氧化物成為具有導(dǎo)體特性的透明電極；第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在信號(hào)線連接線位置的兩端形成第二接觸孔和第三接觸孔、在共通電極連接線的相應(yīng)位置上形成第四接觸孔圖形；第六步在第二絕緣層上以金屬形成信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案，通過信號(hào)線位置通過相鄰的信號(hào)線連接線的第二接觸孔和第三接觸孔連接，通過共通電極連接線上的第四接觸孔連接共通電極連接線與共通電極線。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝。


圖I為現(xiàn)有液晶顯不(IXD)裝置的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為本發(fā)明液晶顯示面板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為圖I所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖3為圖I所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖； 圖3A為圖3所示在A-A’方向的剖視圖；圖4為圖I所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖4A為圖4所示在A-A’方向的剖視圖；圖5為圖I所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖5A為圖5所示在A-A’方向的剖視圖；圖6為圖I所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖6A為圖6所示在A-A’方向的剖視圖；圖7為圖I所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖7A為圖7所示在A-A’方向的剖視圖；圖8為圖I所示液晶顯示面板的第六步制造方法的示意圖；圖8A為圖8所示在A-A’方向的剖視圖；圖9為本發(fā)明液晶顯示面板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9A為圖9所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖10為圖9所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖IOA為圖10所示在A-A’方向的剖視圖；圖11為圖9所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖IlA為圖11所示在A-A’方向的剖視圖；圖12為圖9所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖12A為圖12所示在A_A’方向的剖視圖；圖13為圖9所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖13A為圖13所示在A_A’方向的剖視圖；圖14為圖9所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖14A為圖14所示在A-A’方向的剖視圖；圖15為圖9所不液晶顯不面板的第TK步制造方法的不意圖；圖15A為圖15所示在A-A’方向的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。本發(fā)明是一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，邊緣場(chǎng)開關(guān)型FFS(FringeFiled Switching)技術(shù)是一種通過TFT基板上的頂層條狀像素電極和底層面COM電極之間的邊緣電場(chǎng)，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)的技術(shù)。圖2至圖8A是本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖。如圖2和圖2A，本發(fā)明金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板包括信號(hào)線60、與信號(hào)線60縱橫交錯(cuò)的掃描線70、由信號(hào)線60和掃描線70交叉限定的多個(gè)像素單元、與掃描線70平行的共通電極線80、柵格狀共通電極100、第一絕緣層50、第二絕緣層90。每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管單元、與薄膜晶體管單元連接的像素電極10。其中，薄膜晶體管單元包括與掃描線70連接的TFT柵極71、與信號(hào)線60電性連 接的TFT源極21、與像素電極10電性連接的TFT漏極22，所述TFT源極21與TFT漏極22之間設(shè)有TFT溝道區(qū)，在TFT溝道區(qū)內(nèi)上設(shè)有保護(hù)層40。所述TFT源極21、TFT漏極、以及像素電極10均由金屬氧化物上通過陽離子注入方式成為具有導(dǎo)體特性的透明電極，且TFT源極21、TFT漏極、以及像素電極10均位于本液晶顯不面板的底層。所述柵格狀共通電極100通過開設(shè)在第二絕緣層90上的第四接觸孔92與共通電極線80電性連接，該柵格狀共通電極100為本液晶顯示面板的COM電極，通過柵格狀共通電極100與位于底層的像素電極10之間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)的技術(shù)。所述信號(hào)線60包括第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線和位于第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間的信號(hào)線連接線30，該信號(hào)線連接線30與像素電極10、TFT源極21、以及TFT漏極22四者同時(shí)制成，該四者都是均由金屬氧化物上通過陽離子注入方式成為具有導(dǎo)體特性的透明電極。所述信號(hào)線60、掃描線70、TFT柵極71、以及共通電極線80均位于第一絕緣層50上，所述柵格狀共通電極100位于第二絕緣層90上，且由于本液晶顯示面板的柵極71不是位于底層，故，本液晶顯示面板是頂柵結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。本發(fā)明液晶顯示面板的制造步驟如下第一步如圖3和圖3A，在玻璃基板(圖未示)上形成底層金屬氧化物層，具體形成像素電極10圖案、源漏極連接線20圖案、以及信號(hào)線連接線30圖案。金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。第二步如圖4和圖4A，在源漏極連接線20之間形成保護(hù)層40圖案，然后利用離子注入方式讓保護(hù)層40以外的金屬氧化物成為具有導(dǎo)體特性的透明電極，并同時(shí)形成與信號(hào)線連接30連接的TFT源極21、以及與像素電極10連接的TFT漏極22、由保護(hù)層40保護(hù)的區(qū)域是TFT溝道區(qū)。保護(hù)層40圖案的材料是SiNx或SiO2,厚度為500-1500埃，厚度最好為1000埃。第三步如圖5和圖5A，在形成第二步圖案的基礎(chǔ)形成第一絕緣層50圖案，并在信號(hào)線連接30的兩端形成第一接觸孔51和第二接觸孔52。第一絕緣層50圖案的材料是SiNx或SiO2,厚度為1500-2500埃，最好為2000埃。
第四步如圖6和圖6A,在第一絕緣層50圖案上以金屬形成信號(hào)線60、掃描線70、共通電極線80、以及TFT柵極71圖案，其中，信號(hào)線60連接在第一接觸孔51和第二接觸孔52之間，掃描線70和共通電極線80平行設(shè)置于信號(hào)線連接30上，掃描線70與信號(hào)線60在空間上是縱橫交叉的，TFT柵極71連接在掃描線70上，且TFT柵極71位于TFT溝道區(qū)上部。所述金屬材料是Cr、或Al、或Cu，厚度為3500-4500埃，最好為4000埃。第五步如圖7和圖7A，在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層90，并在掃描線70和共通電極線80相應(yīng)位置上形成接觸孔圖案，具體為在共通電極線80上形成第三接觸孔91和第四接觸孔92，在掃描線70上形成第五接觸孔93。第二絕緣層90圖案的材料是SiNx或SiO2，厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第六步如圖8和圖8A，在第二絕緣層90上形成柵格狀共通電極100圖案、通過·掃描線70的第五接觸孔93引出形成掃描線端子信號(hào)引出線110圖案、以及通過共通電極線80的第三接觸孔91引出形成共通電極線端子信號(hào)引出線120圖案，所述柵格狀共通電極100通過共通電極線80上的第四接觸孔92電連接共通電極線80。所述柵格狀共通電極100的材料是ΙΤ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。圖9至圖15A是本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖。本發(fā)明的第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例主要區(qū)別是第一實(shí)施例的最頂層為柵格狀共通電極100，底層為信號(hào)線60、掃描線70和共通電極線80 ;而本第二實(shí)施例最頂層為信號(hào)線60’、掃描線70’和共通電極線80’，底層為共通電極100’。如圖9和圖9A，本發(fā)明金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板包括信號(hào)線60’、與信號(hào)線60’縱橫交錯(cuò)的掃描線70’、由信號(hào)線60’和掃描線70’交叉限定的多個(gè)像素單元、與掃描線70’平行的共通電極線80’、共通電極100’、第一絕緣層50’、第二絕緣層90’。所述共通電極100’位于本液晶顯示面板的底層。每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管單元、與薄膜晶體管單元連接的柵格狀像素電極10，。其中，薄膜晶體管單元包括與掃描線70’連接的TFT柵極71’、與信號(hào)線60’電性連接的TFT源極21’、與柵格狀像素電極10’電性連接的TFT漏極22’，所述TFT源極21’與TFT漏極22’之間設(shè)有TFT溝道區(qū)，在TFT溝道區(qū)內(nèi)上設(shè)有保護(hù)層40’。所述TFT源極21’、TFT漏極22’、以及柵格狀像素電極10’均由金屬氧化物上通過陽離子注入方式成為具有導(dǎo)體特性的透明電極，且TFT源極21、TFT漏極、以及柵格狀像素電極10’均位于本液晶顯示面板的第一絕緣層50’上。所述信號(hào)線60’、掃描線70’、TFT柵極71’、以及共通電極線80’位于本液晶顯示面板的頂層。所述柵格狀像素電極10’通過開設(shè)在第二絕緣層90’上的第四接觸孔93’與共通電極線80’電性連接；所述共通電極100’為本液晶顯示面板的COM電極，通過柵格狀像素電極10’與位于底層的共通電極100’之間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)的技術(shù)。所述信號(hào)線60’包括第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線和位于第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間的信號(hào)線連接線30’，該信號(hào)線連接線30’與柵格狀像素電極10’、TFT源極21’、以及TFT漏極22’四者同時(shí)制成，該四者都是均由金屬氧化物上通過陽離子注入方式成為具有導(dǎo)體特性的透明電極。所述信號(hào)線60’、掃描線70’、TFT柵極71’、以及共通電極線80’均位于第二絕緣層90’上，所述共通電極100’位于底層，且由于本液晶顯示面板的柵極71’不是位于底層，故，本液晶顯示面板是頂柵結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。如圖9和圖9A，本發(fā)明金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板包括信號(hào)線10’、與信號(hào)線10’縱橫交錯(cuò)的掃描線30’、由信號(hào)線10’和掃描線30’交叉限定的多個(gè)像素單元、與掃描線30’平行的共通電極線20’、柵格狀共通電極50’、第一絕緣層40’、以及第二絕緣層60’，所述柵格狀共通電極50’位于本液晶顯示面板的頂層。每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管單元、與薄膜晶體管單元連接的像素電極80’，該柵格狀像素電極80’位于第一絕緣層40’上。 其中，薄膜晶體管單元包括與掃描線30’連接的TFT柵極31’、與信號(hào)線10’電性連接的TFT源極72’、與像素電極80’電性連接的TFT漏極74’，所述TFT源極72’與TFT漏極74’之間設(shè)有TFT溝道73’，在TFT溝道73’內(nèi)設(shè)有金屬氧化物層溝道110’，在金屬氧化物層溝道110’上設(shè)有第二絕緣層60’。所述柵格狀共通電極50’通過開設(shè)在第二絕緣層60’上的第四接觸孔62’與底層的共通電極線20電性連接，該柵格狀共通電極50’為本液晶顯示面板的COM電極，通過頂層?xùn)鸥駹罟餐姌O50’與像素電極80’之間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)的技術(shù)。所述信號(hào)線10’包括第一信號(hào)線11’、相鄰像素單元的第二信號(hào)線12’和位于第一信號(hào)線11’和第二信號(hào)線12’之間的信號(hào)線連接線71’，該信號(hào)線連接線71’與像素電極80’、TFT源極72’、以及TFT漏極74’四者同時(shí)制成，該四者都是透明ITO制成。以下為本發(fā)明液晶顯示面板第二實(shí)施例的制造步驟如下第一步如圖10和圖10A，在玻璃基板(圖未示)上形成共通電極100’圖形，共通電極100’的材料是ΙΤ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。第二步如圖11和圖11A，在共通電極100’上形成第一絕緣層50’，并在共通電極100’上形成第一接觸孔51’圖形。第一絕緣層50’的材料是SiNx或Si02，厚度為1500-2500埃，最好為2000埃。第三步如圖12和圖12A，在第一絕緣層50’形成金屬氧化物層，具體形成柵格狀像素電極10’圖案、與柵格狀像素電極10’圖案連接的源漏極連接線20’圖案、以及與源漏極連接線20’連接的信號(hào)線連接線30’圖案，所述柵格狀像素電極10’通過第一接觸孔51’連接共通電極100’與共通電極連接線11’。金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。第四步如圖13和圖13A，在源漏極連接線20’上形成保護(hù)層40’圖形，然后利用陽離子注入方式讓溝道保護(hù)層40’圖形以外的金屬氧化物成為具有導(dǎo)體特性的透明電極，并同時(shí)形成與信號(hào)線連接線30’連接的TFT源極21’、以及與柵格狀像素電極10’連接的TFT漏極22’、由保護(hù)層40’保護(hù)的區(qū)域是TFT溝道區(qū)。保護(hù)層40’圖形的材料是SiNx或Si02，厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第五步如圖14和圖14A，在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層90’，并在信號(hào)線連接線30’位置的兩端形成第二接觸孔91’和第三接觸孔92’、在共通電極連接線11’的相應(yīng)位置上形成第四接觸孔92’圖形。第二絕緣層90’圖案的材料是SiNx或Si02，厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第六步如圖15和圖15A，在第二絕緣層90’上以金屬形成信號(hào)線60’、掃描線70’、共通電極線80’、以及與掃描線70’連接的TFT柵極71’的圖案，通過信號(hào)線60’位置通過相鄰的信號(hào)線連接線30’的第二接觸孔91’和第三接觸孔92’連接，通過共通電極連接線11’上的第四接觸孔92’連 接共通電極連接線11’與共通電極線80’，且掃描線70’與共通電極線80’位于相鄰兩共通電極100’之間。金屬的材料是Cr、或Al、或Cu，厚度為3500-4500埃，最好為4000埃。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝。
權(quán)利要求
1.一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于，包括 掃描線； 信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉，所述信號(hào)線包括第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線和位于第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間的信號(hào)線連接線； 像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定，所述每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號(hào)線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極，所述TFT源極、TFT漏極及像素電極位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層； 第一絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極和像素電極之上； 共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接； 第二絕緣層，覆蓋在信號(hào)線、掃描線和共通電極線之上。
2.一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于，包括 掃描線，位于頂層； 信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉，所述信號(hào)線包括第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線和位于第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間的信號(hào)線連接線； 像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定，所述每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號(hào)線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極； 共通電極，位于底層； 第一絕緣層，覆蓋在共通電極之上； 共通電極線，位于頂層與所述共通電極線電性連接； 第二絕緣層，覆蓋在信號(hào)線連接線、TFT源極、TFT漏極以及柵格狀像素電極之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的液晶顯示面板，其特征在于所述信號(hào)線連接線、TFT源極、TFT漏極以及像素電極為金屬氧化物，其上通過離子注入方式成為具有導(dǎo)體特性的透明電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的液晶顯示面板，其特征在于所述TFT源極與TFT漏極之間設(shè)有保護(hù)層。
5.一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 第一步基板上形成底層金屬氧化物層，具體形成像素電極圖案、源漏極連接線圖案、以及信號(hào)線連接線圖案； 第二步在源漏極連接線之間形成保護(hù)層圖案，然后利用離子注入方式讓保護(hù)層以外的金屬氧化物成為具有導(dǎo)體特性的透明電極； 第三步在形成第二步圖案的基礎(chǔ)形成第一絕緣層圖案，并在信號(hào)線連接的兩端形成第一接觸孔和第二接觸孔； 第四步在第一絕緣層圖案上以金屬形成信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極圖案； 第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖案；第六步在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖案，所述柵格狀共通電極通過接觸孔電連接共通電極線。
6.一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 第一步基板上形成共通電極圖形； 第二步在共通電極上形成第一絕緣層，并在共通電極上形成第一接觸孔圖形； 第三步在第一絕緣層形成金屬氧化物層，具體形成柵格狀像素電極圖案、與柵格狀像素電極圖案連接的源漏極連接線圖案、以及與源漏極連接線連接的信號(hào)線連接線圖案，所述柵格狀像素電極通過第一接觸孔連接共通電極與共通電極連接線； 第四步在源漏極連接線上形成保護(hù)層圖形，然后利用離子注入方式讓溝道保護(hù)層圖 形以外的金屬氧化物成為具有導(dǎo)體特性的透明電極； 第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在信號(hào)線連接線位置的兩端形成第二接觸孔和第三接觸孔、在共通電極連接線的相應(yīng)位置上形成第四接觸孔圖形；第六步在第二絕緣層上以金屬形成信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案，通過信號(hào)線位置通過相鄰的信號(hào)線連接線的第二接觸孔和第三接觸孔連接，通過共通電極連接線上的第四接觸孔連接共通電極連接線與共通電極線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料均是SiNx或SiO2。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于所述保護(hù)層圖形的材料是SiNx或Si02。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于信號(hào)線、掃描線、共通電極線是Cr、或Al、或Cu。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0。
全文摘要
本發(fā)明提出一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法，包括掃描線；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉，像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定，所述每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與TFT柵極、TFT源極、以及TFT漏極，所述TFT源極、TFT漏極及像素電極位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層；第一絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極和像素電極之上；共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在信號(hào)線、掃描線和共通電極線之上。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK102854684SQ20121036342
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者焦峰, 王海宏 申請(qǐng)人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司