專利名稱：襯底及其制備方法、器件制造方法、密封涂層涂敷器及其測量設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻用襯底的制備方法、一種襯底、一種器件制造方法，一種密封涂層涂敷器和一種密封涂層測量設(shè)備。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。曾有提議將光刻投影設(shè)備中的襯底浸沒到具有相對高的折射率的液體中(例如水)，這樣在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙上填充液體。在一個實施例中，所述液體是蒸餾水，也可以采用其他液體。本發(fā)明的實施例基于液體來描述。然而，別的液體也是合適的，尤其是浸濕液體、不能壓縮的液體和/或具有比空氣更高折射率的液體，優(yōu)選折射率高于水。排除氣體以外的流體尤其是希望使用的。這種方法的關(guān)鍵在于能夠?qū)Ω√卣鞒上瘢驗槠毓廨椛湓谝后w中具有更短的波長。(液體的效果也可以認(rèn)為是提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)同時增加了焦深。)其他的浸沒液體也有提到，包括含有懸浮的固體顆粒 (例如石英)的水或具有納米顆粒懸浮物(顆粒最大尺寸達(dá)到lOnm)的液體。這種懸浮顆?？梢跃哂谢蚩梢圆痪哂信c它們懸浮其中的液體相似或相同的折射率?？赡苓m合的其他液體包括碳?xì)浠衔?諸如芳香族化合物)、含氫碳氟化合物和/或水溶液。然而，將襯底或襯底與襯底臺浸入液體溶池(參見，例如美國專利US4，509，852) 意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機， 而液體中的湍流可能會導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。在浸沒設(shè)備中，浸沒流體通過流體處理系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)或設(shè)備來進行處理。在一個實施例中，流體處理系統(tǒng)可以提供浸沒流體并因此成為流體提供系統(tǒng)。在一個實施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少部分地限制浸沒流體并因此成為流體限制系統(tǒng)。在一個實施例中，流體處理系統(tǒng)可以為浸沒流體提供擋板并因此成為擋板構(gòu)件，例如流體限制結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，流體處理系統(tǒng)可以生成或使用氣流，例如來幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。該氣流可以形成密封，來限制浸沒流體，所以流體處理結(jié)構(gòu)可以稱作密封構(gòu)件；此密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，浸沒液體用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。根據(jù)前述內(nèi)容，此段涉及的關(guān)于流體定義的特征可以理解為包括關(guān)于液體定義的特征。提出來的解決方法之一是液體供給系統(tǒng)通過使用液體限制系統(tǒng)或結(jié)構(gòu)只將液體提供在襯底的局部區(qū)域上(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)且在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間。提出來的一種用于設(shè)置上述解決方案的方法在公開號為 W099/49504的PCT專利申請中公開了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對于最終元件移動的方向，通過至少一個入口 IN供給到襯底上，并在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)PL下面后，液體通過至少一個出口 OUT去除。也就是說，當(dāng)襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時， 液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)去除。圖2是所述配置的示意圖，其中液體通過入口 IN供給，并在元件的另一側(cè)通過出口 OUT去除，所述出口 OUT與低壓力源相連。在圖 2中，雖然液體沿著襯底相對于最終元件的移動方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個實施例，其中在最終元件的周圍在每側(cè)上以規(guī)則的圖案設(shè)置了四個入口 IN和出口 OUT。在圖4中示出了另一個采用液體局部供給系統(tǒng)的浸沒光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PL每一側(cè)上的兩個槽狀入口 IN供給，由設(shè)置在入口 IN沿徑向向外的位置上的多個離散的出口 OUT去除。所述入口 IN和出口 OUT可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個槽狀入口 IN提供，由位于投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)上的多個離散的出口 OUT去除，這引起投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口 IN和出口 OUT組合可能依賴于襯底W的移動方向(另外的入口 IN和出口 OUT組合是不被激活的)。另一種已經(jīng)提出的具有液體局部供給系統(tǒng)的浸沒光刻方案是提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，所述液體限制結(jié)構(gòu)沿著投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空隙的至少一部分邊界延伸。圖5中示出了這種方案。液體限制結(jié)構(gòu)在XY平面中相對于投影系統(tǒng)PL實際上是靜止的，雖然在Z方向(光軸方向)上可能有稍許的相對移動。在一個實施例中，密封形成在液體限制結(jié)構(gòu)和襯底W的表面之間，且可以是例如氣封等不接觸的密封。液體限制結(jié)構(gòu)12在投影系統(tǒng)PL的最終元件和襯底W之間的空隙11中至少部分地包含液體。對于襯底W的不接觸密封，例如氣封16，可以形成在投影系統(tǒng)PL的像場周圍， 以便把液體限制在襯底表面和投影系統(tǒng)PL的最終元件之間的空隙11中?？障?1至少部分地通過液體限制結(jié)構(gòu)12來形成，液體限制結(jié)構(gòu)12圍繞投影系統(tǒng)PL的最終元件并位于它的下面。液體通過液體入口 13被帶進投影系統(tǒng)PL下的空隙11中并且在液體限制結(jié)構(gòu)12 內(nèi)，并可以通過液體出口 13移除。液體限制結(jié)構(gòu)12可以在投影系統(tǒng)PL的最終元件的上面一點延伸，且液面升到最終元件之上，以便提供液體緩沖。在一個實施例中，液體限制結(jié)構(gòu)12在其上端具有與投影系統(tǒng)PL或投影系統(tǒng)PL的最終元件的形狀緊密地相符的內(nèi)周，并可以例如是圓形。在底端，內(nèi)周與像場的形狀緊密地相符，例如是矩形的，雖然在本案中不是必須的。
通過氣封16將液體包含在空隙11中，在使用期間，氣封16形成在液體限制結(jié)構(gòu) 12的底部和襯底W的表面之間。氣封16由氣體形成，例如空氣或合成空氣，但是在一個實施例中，由隊或另一種惰性氣體形成，其中在壓力下通過入口 15將氣體供給到液體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙，且通過出口 14排出。氣體入口 15上的過壓、出口 14上的真空等級以及間隙的幾何形狀設(shè)置成使得具有限制液體的向內(nèi)的高速氣流。那些入口/出口可以是環(huán)形的凹槽，其圍繞空隙11，且氣流有效地將液體包含在空隙11中。這種系統(tǒng)公開在美國專利申請公開出版物No. US2004-0207824中。在歐洲專利申請公開出版物No. 1420300和美國專利申請公開出版物 No. 2004-0136494中，公開了一種成對的或雙臺浸沒光刻設(shè)備的方案。這種設(shè)備具有兩個臺用以支撐襯底。在第一位置以臺進行水平測量，但沒有浸沒液體。在第二位置以臺進行曝光，其中設(shè)置浸沒液體?？蛇x的是，設(shè)備僅具有一個臺。浸沒液體和/或部件(諸如浸沒光刻設(shè)備中的襯底臺或液體供給裝置等)的污染物是一個突出的問題。這種污染的任何源頭應(yīng)當(dāng)被最小化或降低。

發(fā)明內(nèi)容
例如希望降低浸沒液體和光刻設(shè)備的一個或多個部件受到污染的風(fēng)險。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于光刻投影設(shè)備中的襯底。該襯底包括密封涂層，其覆蓋襯底上的兩層之間或襯底和層之間的第一界面的至少一部分，且未延伸到襯底的中心部。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于光刻的襯底的制備方法。該方法包括在襯底上施加一個或多個層，且施加密封涂層來覆蓋襯底上的兩層之間或襯底和層之間的界面的至少一部分，而不延伸到襯底的中心部。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種器件制造方法。該方法包括施加密封涂層來覆蓋襯底上的兩層之間或襯底和層之間的界面的至少一部分，而不延伸到襯底的中心部。該方法還包括將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于光刻投影設(shè)備中的襯底。該襯底包括密封涂層，其覆蓋襯底和層之間的界面的至少一部分。該密封涂層延伸到襯底的邊緣。該密封涂層可以包括抗蝕劑。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于光刻的襯底的制備方法。該方法可以包括在襯底上施加層。該方法可以包括施加密封涂層來覆蓋襯底和該層之間的界面的至少一部分，該密封涂層延伸到該襯底的邊緣。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種器件制造方法。該器件制造方法可以包括施加密封涂層來覆蓋該襯底和層之間的界面的至少一部分，該密封涂層延伸到該襯底的邊緣。 圖案化的輻射束可以投影到該襯底的目標(biāo)部分上。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供密封涂層涂敷器來施加密封涂層，以覆蓋襯底和該襯底上的層之間的界面的至少一部分，以便該密封涂層延伸到該襯底的邊緣，該密封涂層涂敷器包括噴頭，用于分配不連續(xù)的流體流，以形成該密封涂層；以及襯底操縱裝置，用于移動該襯底。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種密封涂層測量設(shè)備，用于檢測襯底的密封涂層的存在和/或襯底的密封涂層中的缺陷，該密封涂層測量設(shè)備包括檢測器，其檢測由密封涂層反射的輻射；以及襯底操縱裝置，用于移動該襯底。


現(xiàn)在將參考附圖，僅以實例的方式描述本發(fā)明的實施例，附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部分，且其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設(shè)備；圖2示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖3示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖5示出另一液體供給系統(tǒng)；圖6示出其上具有三個涂層的襯底的截面視圖；以及圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖10示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖11示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖12示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖13示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖14示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖15示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖16示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底的截面視圖；圖17示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的密封涂層涂敷器和密封涂層測量設(shè)備的截面視圖；以及圖18示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的密封涂層涂敷器和密封涂層測量設(shè)備的截面視圖。
具體實施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外 (DUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；以及投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯) 上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu) MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu) MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底W的目標(biāo)部分C上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底W的目標(biāo)部分C上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分C 上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨立地傾斜每一個小反射鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。 這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺和/或支撐結(jié)構(gòu)， 或可以在將一個或更多個其它臺和/或支撐結(jié)構(gòu)用于曝光的同時，在一個或更多個臺和/ 或支撐結(jié)構(gòu)上執(zhí)行預(yù)備步驟。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO 考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源SO 可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AM。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件， 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。
所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置 MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C 上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器) 的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束 B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對于所述輻射束B的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT 的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分C，但是他們可以位于目標(biāo)部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)上。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少一種1.在步進模式中，在將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上的同時，將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時，對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進行掃描(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。 在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時，對所述襯底臺WT 進行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。在浸沒光刻期間，液體與襯底頂表面上的涂層接觸。一個潛在的問題是液體會在多個層之間或在襯底和層之間蔓延。這會致使層的剝落。這會導(dǎo)致浸沒液體的污染。這種剝落會致使對于襯底和/或浸沒設(shè)備的部件的成像誤差和/或損壞。層邊緣的剝落也會導(dǎo)致襯底蝕刻的難度。底部抗反射涂層(BARC)典型地具有在硅襯底上的優(yōu)良粘附性。如果抗蝕劑層 (即，輻射敏感層)或外涂層在BARC層上，則典型地存在良好的粘附性。不幸的是，在處理期間，外涂層和/或抗蝕劑層有時會在襯底上的BARC層上延伸。這個問題可以通過使用前檢查各個襯底的邊緣并排除檢測到具有前述問題的襯底來減輕。圖6示出襯底的邊緣，其中抗蝕劑和外涂層都未覆蓋BARC層的邊緣。圖6中，BARC層100首先覆蓋在襯底W上。BARC層100具有延伸靠近襯底邊緣的邊緣。襯底邊緣和BARC層邊緣之間的間隙可以小于1. 0mm，例如大約0. 5mm。襯底可以是圓形的。這有助于不同層的旋涂。BARC層100頂部上形成有抗蝕劑層102?？刮g劑層102具有邊緣，其位于從BARC 層100的邊緣徑向向內(nèi)的位置處。在該圖示性實施例中，抗蝕劑層的邊緣離襯底的邊緣大約是2. 2mm?？刮g劑層的頂部是外涂層104。這個層在抗蝕劑層102沉積之后涂敷。如所示的那樣，外涂層104覆蓋整個抗蝕劑層102和抗蝕劑層102的邊緣，以便部分外涂層104 沉積在BARC層100的頂部上。外涂層104的邊緣徑向地位于BARC層100的邊緣和抗蝕劑層102的邊緣之間，且離襯底W的邊緣例如是約1. 4mm。也可采用其他設(shè)置。在一個實施例中，外涂層和抗蝕劑沒有位于襯底上，且到襯底邊緣的間隙小(盡可能小)。任意或全部邊珠清除(edge bead removal, EBR)方法可以應(yīng)用于本發(fā)明的實施例中。本發(fā)明的實施例無需具有圖6中描述的設(shè)置。在本發(fā)明的實施例中，參考圖7， 使用密封涂層106。該密封涂層106覆蓋襯底W上的兩層100、102、104之間或襯底W和層 100、102、104之間的界面的至少一部分。界面是限定以下位置的線即，在所述位置處一層轉(zhuǎn)換到另一層。密封涂層沒有延伸到襯底的中心部(即，器件被成像的位置)。因此，密封涂層106是環(huán)形的，且僅覆蓋施加到襯底W的層100、102、104的邊緣。該外涂層、抗蝕劑和 BARC層延伸到襯底的中心部。例如，密封涂層可以僅達(dá)到幾個mm寬。例如，密封涂層的寬度可以是在0.0和IOmm之間，希望是0.0-2mm。即，密封涂層僅存在于襯底的邊緣部分中。 存在密封涂層的襯底的邊緣部分的寬度可以僅為襯底W的寬度(例如直徑)的約1-5%。 希望密封涂層對來自光束B的輻射是透明的。在密封涂層較寬的情況下，這是尤其需要的。在一個實施例中，密封涂層106可以覆蓋不同層之間和襯底與層之間的所有界面。這在圖7中闡述。然而，即使密封涂層106僅僅覆蓋一個界面，密封涂層106的應(yīng)用也是有益的。這個實例示出在圖9和10中。密封涂層的截面形狀無關(guān)緊要。例如，其形狀可以是圖7中示出的那樣或圖8中示出的那樣，或其可以與上述兩圖中示出的形狀不同。密封涂層可以或沒有延伸到襯底W 的邊緣。密封涂層可以或沒有覆蓋襯底W的邊緣表面的至少一部分。密封涂層106可以使襯底W的邊緣截面部分平滑，這可有助于促進浸沒光刻中襯底W邊緣上液體的流動。以這種方式促進液體的流動可以降低層之間和/或襯底和層之間以及密封涂層和襯底或?qū)又g的界面上的液體的力。這有助于避免上述剝落。根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底還可以用于非浸沒光刻中(即，干光刻)。希望密封涂層的材料具有與襯底材料、BARC材料、外涂層材料、抗蝕劑材料中的至少一種材料之間的良好的粘附性。希望密封涂層的材料對浸沒液體是惰性的(其通常是純凈水但也可以是另一種流體)。希望密封涂層的材料與硅之間具有良好的粘附性。希望密封涂層的材料抗UV輻射。希望密封涂層的材料可以從其粘附的襯底和層的材料上有選擇性地被移除。密封涂層的材料可以通過與用于化學(xué)EBR中分配溶劑所用的噴嘴相同的噴嘴來施加。
例如，密封涂層可以由例如保形涂層(基于丙烯酸或硅化物)、已被改變(例如為了提高粘附性)的外涂層或抗蝕劑、或底層涂料組成。通常用于汽車、航空航天或家用產(chǎn)品領(lǐng)域的材料類型是適用的。除底層涂料之外，所列出的材料都是疏液的，底層涂料是疏水的。以這種材料制成的密封涂層上的液體將具有50到90度范圍內(nèi)的后退接觸角，希望大于70或80度且更希望在80到85度之間。前進接觸角是在80到110度的范圍內(nèi)，希望90 到100度且更希望95度左右。在浸沒光刻設(shè)備中，在常態(tài)操作溫度和壓力下定義這些接觸角，其通常是20攝氏度。圖6的層可以以下方式施加。首先，BARC層施加到襯底W。其可以通過例如旋涂來實現(xiàn)。接著可選的是化學(xué)EBR。接著是襯底的背面沖洗(可選地利用溶劑)(即，沒有被 BARC層覆蓋的襯底的一面被清洗)。接著，將該襯底置于加熱板上。這之后，將襯底置于冷卻板上。接著，涂敷抗蝕劑層102，接著是以上所述的化學(xué)EBR、背面沖洗、加熱板和冷卻板。 最后，施加外涂層104，接著是化學(xué)EBR、背面沖洗、加熱板和冷卻板。外涂層104可以施加到濕抗蝕劑層102。在這種情況下，固化之后，兩個涂層可以形成一個層。在一個實施例中，在施加外涂層104和化學(xué)EBR之后，在背面沖洗、加熱板和冷卻板之前施加密封涂層106。但是，另一方法也是適合的。例如，可以在正常工藝的最后施加密封涂層。如果密封涂層僅施加在襯底和BARC100之間的界面上，則可以在跟隨BARC涂敷的化學(xué)EBR之后或在抗蝕劑涂敷之前實現(xiàn)。如上文所述，密封涂層可通過與化學(xué)EBR期間涂敷溶劑所用的噴嘴相同的噴嘴來涂敷。例如，通過與化學(xué)EBR期間涂敷溶劑所用的噴嘴相同的噴嘴涂敷密封涂層106有困難。即，由于襯底的高旋涂速度，會發(fā)生噴濺。噴濺會導(dǎo)致浪費大量的材料，從而導(dǎo)致較
低產(chǎn)量。另一涂敷密封涂層106的方式是使用噴射技術(shù)。在噴射技術(shù)中，旋轉(zhuǎn)襯底W，且噴頭分配小液滴使其落在襯底W的邊緣上，且因此在干燥或固化時，形成所述密封涂層106。 在一個實施例中，材料從移動噴頭分配器飄散噴射。因此，密封涂層106通過非連續(xù)流體流涂敷。這例如與在基于連續(xù)流的化學(xué)EBR期間、通過與涂敷溶劑所用的噴嘴相同的噴嘴進行涂敷的方式形成對比。在一個實施例中，噴頭施加方式可以與基于噴墨打印機原理的計算機打印機相似，雖然這在本案中并不是必須的。利用噴射的襯底W以低于化學(xué)EBR中所使用的速度的較低速度移動，例如，在較低旋涂速度下旋轉(zhuǎn)。因此降低了噴濺的風(fēng)險。噴射還允許對工藝的更好的控制，且可以應(yīng)用與如上所述的用于密封涂層106的相同材料?？梢允褂萌魏晤愋偷膰娮?。例如，一個或多個壓電或機械噴頭是合適的。液滴尺寸在150 μ m和400 μ m之間是適當(dāng)?shù)?，希望?00 μ m禾口 300 μ m之間?？梢砸悦?/2到5秒進行一次循環(huán)的方式來旋涂襯底，希望是兩秒。典型地，噴頭每小時產(chǎn)生50000-200000個液滴。該設(shè)備可以設(shè)有傳感器，以檢測液滴是否被恰當(dāng)?shù)厥┘印碜赃@個傳感器的反饋可以供給到控制器，控制器可以控制襯底W的速度(例如，旋涂速度)或據(jù)此的噴頭的工藝參數(shù)。該傳感器可以包括光學(xué)檢測器，例如視頻相機。以下所描述的圖17和18就示出了這種系統(tǒng)。其他施加密封涂層106的方式可為刷涂、具有連續(xù)噴頭的針分配等等。然而，因為下述(或其他)的一個或多個原因，噴射技術(shù)是有利的。噴頭可以以這種方式設(shè)置(以一定角度)即，來自噴頭的材料不能夠到達(dá)襯底W的下表面。這一點對于針分配的方式來說是很難實現(xiàn)的。與襯底W之間的不直接接觸是必須的，這能夠降低交叉污染的風(fēng)險，交叉污染是密封涂層106的刷涂應(yīng)用造成的一個問題。噴射技術(shù)使用少量的材料，使得可以通過最小量材料的使用而實現(xiàn)一定的效率。因為使用少量的材料和對工藝的良好控制，所以不必包括襯底W的背面清洗步驟。這進一步節(jié)省了時間和材料。噴射技術(shù)具有高精確度。而且，襯底W通常在其外周中具有凹口，以有助于襯底的預(yù)對準(zhǔn)。凹口周圍的區(qū)域難以用其他技術(shù)涂覆。然而，借助于噴射可以容易地實現(xiàn)，因為其具有良好的控制性。圖8-12示出了根據(jù)本發(fā)明的一些方面的密封涂層106的實施例。其他幾何形狀也是可能的，特別是有關(guān)密封涂層106的形狀。圖11示出一個可選例，其中不存在外涂層 104?？刮g劑102可以是無外涂層抗蝕劑。不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明看作局限于襯底W上的層100、 102,104的類型或數(shù)量，或看作局限于襯底W的邊緣的細(xì)節(jié)。例如，本發(fā)明的一個實施例可以具有不總是在抗蝕劑102上延伸的外涂層104。在該實例中，密封涂層106可以位于外涂層104和抗蝕劑102之間的界面處，以及或可替換地位于抗蝕劑102和BARC層100之間和/或BARC層100和襯底W之間的界面上。在一個實施例中，可以不存在BARC層100。 而且，各種層的邊緣的設(shè)置可以圍繞襯底W的邊緣變化。在本發(fā)明的一個實施例中，不是非要讓外涂層和抗蝕劑位于BARC上或使外涂層在抗蝕劑上延伸。這是因為密封涂層足夠堅固且具有足夠優(yōu)良的附著力，即使抗蝕劑和外涂層沒有粘附到BARC，密封涂層也可以防止抗蝕劑或外涂層的邊緣剝落。密封涂層106可以位于以下任意兩個元件之間的界面之上BARC/襯底；抗蝕劑/ 襯底；外涂層/襯底；BARC/抗蝕劑；BARC/外涂層；和抗蝕劑/外涂層。這個列表是非窮舉的且不應(yīng)理解為僅限于此。圖7示出了一個實施例，其中外涂層104的邊緣延伸超過抗蝕劑層102的邊緣，以便外涂層位于BARC層100上。然而，外涂層104沒有延伸超過BARC層100的邊緣。在這個實施例中，密封涂層106存在于襯底W的邊緣處。密封涂層106覆蓋BARC層100和襯底 W之間的界面。密封涂層106還覆蓋BARC層100和外涂層104之間的界面。應(yīng)用于密封涂層106(以單一帶的形式)中的材料的量是最小化的。如圖7中所示的密封涂層顯示為單片或單帶(其圍繞襯底的整個外圍延伸)。這不是必須的。例如，可以圍繞襯底的外圍存在兩條密封涂層帶。即，一條帶可以存在于襯底 W和BARC層100之間的界面上。另一條帶可以存在于BARC層100和外涂層104之間。而且，密封涂層106可以是圍繞外圍非連續(xù)地存在。例如，無需在襯底的某方向上具有密封層。例如，密封涂層106無需存在于層的邊緣垂直于非掃描方向的位置處。圖8示出一個實施例，其中密封涂層中的材料的量大于圖7中所示的實施例中的材料量。這就允許襯底邊緣的截面輪廓是平滑的。這可以有助于襯底上的浸沒液體的流動。圖9示出一個實施例，其中密封涂層106僅存在于外涂層104和BARC層100之間的界面上。在這個實施例中，構(gòu)造密封涂層106的輪廓，使BARC層100和外涂層104之間的臺階變得平滑。而且，密封涂層106延伸，至少部分達(dá)到外涂層104的邊緣。事實上，密封涂層106總是延伸到達(dá)外涂層104的邊緣。圖10示出一個實施例，其中密封涂層106僅覆蓋BARC層100和襯底W之間的界面。密封涂層106形成為與BARC層100具有相同的高度。在制造圖10的實施例期間，密封涂層106可以在BARC層100之后立即施加，或者在施加抗蝕劑層102或外涂層104之前立即施加。密封涂層106可以在最后一步中施加，或在施加抗蝕劑層102或外涂層104之后就施加。 圖11示出一個實施例，其中不存在外涂層，使得抗蝕劑102可以是無外涂層抗蝕劑。這種抗蝕劑對于浸沒液體具有高度疏液的，例如疏水的表面。在這個實施例中，密封涂層106存在于BARC層100和襯底W之間的界面之上。密封涂層106還存在于抗蝕劑層102 和BARC層100之間的界面上。如可以看到的，密封涂層106延伸超過抗蝕劑層102的頂表圖12示出一個實施例，其相似于圖7和圖8的實施例。如圖12中所能看到的，密封涂層106向下沿著襯底W的邊緣以一個好的路徑延伸。例如，密封涂層106可以向下沿著襯底W的邊緣在路徑的十分之一長度和一半長度的范圍之間延伸。在一個實施例中，密封涂層106向下沿著襯底W的邊緣在路徑的五分之一到五分之二長度范圍之間延伸。在一個實施例中，密封涂層大致覆蓋襯底W的邊緣。在一個實施例中的密封涂層可以覆蓋沿著襯底W的邊緣向下的任意距離，且這個距離可以與圍繞襯底的整個外周邊緣的長度相同或不同。在圖12的實施例中，在其截面上，密封涂層106的厚度是變化的。而且，密封涂層 106沒有延伸到外涂層104的頂部且沒有與抗蝕劑層102的頂部一樣高。然而，從襯底W到外涂層104的過渡要比沒有密封涂層時存在的臺階輪廓更平滑。如以上探討的，本發(fā)明的一個實施例允許非理想的層邊緣設(shè)置。如圖13中所示， 外涂層104可以在襯底W上的抗蝕劑層102和BARC層100上延伸。這是沒問題的，因為密封涂層106施加到襯底W和外涂層104之間的界面上。因此，正如所看到的，在施加BARC層 100、抗蝕劑層102和外涂層104時，無須考慮得太多。層的邊緣的其他設(shè)置也是可行的。圖14到16示出其他一些設(shè)置，其示出了密封涂層106的一些實施例。這些實施例中的每個實施例都是圖11中所示的實施例的變型，其中密封涂層延伸到襯底W的邊緣。然而，如圖14中所示，密封涂層106是如圖14中所示的抗蝕劑的一體部分。該密封涂層106 是抗蝕劑且可以是無外涂層抗蝕劑。密封涂層可以是疏液的，例如，是疏水的。圖15中，密封涂層106延伸到襯底W的邊緣上。在圖16中，密封涂層106延伸到襯底W的邊緣上，以實質(zhì)上覆蓋整個邊緣。在變型例中，邊緣的任何中間范圍可以被覆蓋。在圖14到16示出的實施例的一個變型例中，密封涂層實質(zhì)上覆蓋襯底的一側(cè)，以覆蓋襯底的中心部。在一個實施例中，抗蝕劑形式的密封涂層包括具有不同工藝處理的不同區(qū)域。例如，相對于抗蝕劑的中心區(qū)域，處理抗蝕劑的密封涂層區(qū)域來增加抗蝕劑與襯底W和/或BARC層100的粘附性。這種處理可以是較低烘烤溫度。這種處理可以添加一種化學(xué)添加劑。例如，烘烤在與用于抗蝕劑和/或外涂層的溫度相同的溫度下進行，該溫度通常在90到100攝氏度的范圍內(nèi)。圖17和18示意性示出了如何使用噴頭來施加密封涂層106。圖17和18還示出了密封涂層測量設(shè)備如何檢查是否存在密封涂層106，且如果存在密封涂層106，則其是否被正確地施加(即，其是否存在任何缺陷)。圖17示出了一個獨立(離線)的實施例，其中設(shè)置了一種獨立的密封涂層涂敷器和測量單元30。軌道35從襯底預(yù)處理單元通向涂敷器和測量單元30。另一軌道36將襯底W從涂敷器和測量單元30帶到光刻設(shè)備LA。末級軌道37將襯底W帶離光刻設(shè)備LA。圖18示出了一個實施例，其中施加密封涂層并在光刻設(shè)備LA中測量。這個實施例可以看作是在線的。也可采用其他設(shè)置。例如，密封涂層106可以施加到軌道35的上游，且在進入光刻設(shè)備LA之前測量或在光刻設(shè)備LA中測量。在圖17中，襯底W安裝在襯底操縱裝置50上，襯底操縱裝置50適于在控制器51 的控制下，在與襯底W共面的平面中旋涂襯底W(通過箭頭52表示)。當(dāng)襯底W在襯底操縱裝置50上旋轉(zhuǎn)時，噴頭40將材料的液滴施加到襯底W的邊緣上，以形成使用前述噴射技術(shù)的密封涂層106。噴頭40由控制器41控制?？刂破?1還可以從襯底操縱裝置50的控制器51發(fā)送控制信號(或接收信號)。噴頭40的控制器41還從傳感器42接收信息。傳感器42檢測由噴頭40發(fā)射的液滴?？梢栽O(shè)置輻射源43來照射液滴。輻射源43可以是光源。傳感器42可以是視頻相機。來自傳感器42的信號反饋到控制器41。如果需要的話， 控制器41可以控制噴頭40或給襯底操縱裝置50的控制器51下指令，或同時控制噴頭40 和給襯底操縱裝置50的控制器51下指令來改變參數(shù)。例如，可以使用反饋回路。如果襯底操縱裝置50的控制器51提供信息給控制器41，則可替換地或可以另外使用前饋回路。 可以提供用戶界面70用于工藝的全面用戶控制。密封涂層涂敷器和測量單元30中還可以存在檢測器60和輻射源61。輻射源61 可以是光源。源61照射密封涂層106，以便檢測器60可以測量反射的輻射。檢測器60檢測襯底W的邊緣上是否存在密封涂層106。檢測器60可以檢測密封涂層106中的缺陷。例如，可以已經(jīng)施加了密封涂層106，以致其不覆蓋襯底W的整個外緣周圍的校正層100、102、 104的邊緣。設(shè)置控制器62來控制檢測器60且從檢測器60接收信號?？刂破?2包括存儲器63和處理器64。處理器64可以為用戶指示密封涂層106的存在、不存在或有缺陷，或在沒有檢測到密封涂層106的存在或檢測到密封涂層106中存在缺陷時采取其他動作(例如遺棄襯底W)。控制器62向襯底操縱裝置50的控制器51發(fā)出信號或從其接收信號。而且，控制器62連接到用戶界面70。檢測器60可以包括視頻相機?？梢允褂玫牧硪粋鞲衅魇前?亮場檢測器、電容傳感器、CCD傳感器或近程傳感器。輻射源43和61可以是任意波長的，只要不曝光抗蝕劑102。例如可以使用可見光。檢測器60的優(yōu)點在于沒有被恰當(dāng)加工的襯底W可以被遺棄，因此避免了光刻設(shè)備 LA的污染。來自檢測器60的消極的結(jié)果(例如不存在密封涂層106或密封涂層106有缺陷)可能導(dǎo)致例如襯底被測量離開光刻設(shè)備LA的方向改變以及新襯底W的選擇?？商鎿Q地或另外地，襯底W可以指向用于施加密封涂層106的密封涂層涂敷器站。圖18示出一個實施例，其中密封涂層涂敷器和測量單元30設(shè)置在光刻設(shè)備LA本身中。檢測器60和噴頭40與圖17實施例描述的有關(guān)裝置相同。然而，襯底操縱裝置50 可以是預(yù)對準(zhǔn)單元，其無論如何都存在于光刻設(shè)備LA中。預(yù)對準(zhǔn)(以及施加和/或測量密封涂層106)之后，襯底W轉(zhuǎn)移到第一襯底臺WT1。襯底W被第一襯底臺WTl帶到測量單元 MS,該測量單元MS用于再被帶到投影系統(tǒng)PS和液體限制結(jié)構(gòu)IH之下被曝光之前，對襯底 W測量(調(diào)平)。例如在曝光期間，第二襯底可以在第二襯底臺WT2上在測量階段MS被測量。
在一個實施例中，添加劑可以添加到密封涂層106的材料中，以便可以較容易地檢測密封涂層106的存在。在第一方面中，提供一種用于光刻投影設(shè)備中的襯底，該襯底包括密封涂層，其覆蓋襯底上的兩層之間或襯底和層之間的第一界面的至少一部分，且不延伸到襯底的中心部。任選地，在第一方面中，密封涂層進一步覆蓋襯底上的兩層之間或襯底和層之間的第二界面的至少一部分，該第二界面與第一界面不同。任選地，在第一方面中，作為外部層，襯底包括外涂層。所希望的是，第一界面位于外涂層和直接位于外涂層之下的層之間或外涂層和襯底之間。任選地，在第一方面中，層的其中一個包括抗蝕劑層。所希望的是，第一界面位于抗蝕劑層和與抗蝕劑層直接相鄰的層之間或抗蝕劑層和襯底之間。任選地，在第一方面中，層的其中一個包括底部抗反射涂層。所希望的是，第一界面位于底部抗反射涂層和襯底之間或底部抗反射涂層和底部抗反射涂層之上的層之間。任選地，在第一方面中，密封涂層包括選自以下的至少一種材料保形涂層、丙烯酸涂層、硅酮基的涂層、改性外涂層 (modified topcoat coating)、改性抗蝕劑涂層(modified resist coating)或底層涂料。 任選地，在第一方面中，密封涂層的邊緣延伸到襯底的邊緣。所希望的是，密封涂層的邊緣延伸到襯底的邊緣上。所希望的是，密封涂層的邊緣延伸到大致覆蓋襯底邊緣。任選地，在第一方面中，密封涂層使襯底的截面輪廓平滑。任選地，在第一方面中，密封涂層對襯底具有比所述層更好的粘附性。任選地，在第一方面中，密封涂層是可移除的，而不損壞上述層。在第二方面中，提供一種制備用于光刻的襯底的方法，該方法包括在襯底上施加一個或多個層；以及施加密封涂層來覆蓋襯底上兩層之間或襯底和層之間的界面的至少一部分，而不延伸到襯底的中心部。所希望的是，施加是通過對襯底施加非連續(xù)流體流來實施。在第三方面中，提供一種器件制造方法，其包括施加密封涂層來覆蓋襯底上兩層之間或襯底和層之間的界面的至少一部分，而不延伸到襯底的中心部；以及在襯底的目標(biāo)部分上投影圖案化輻射束。所希望的是，所述方法進一步包括在投影之前，檢測密封涂層的存在和/或密封涂層中的缺陷。所希望的是，輻射束通過襯底的頂表面上的浸沒液體。在第四方面中，提供一種用于光刻投影設(shè)備中的襯底，該襯底包括密封涂層，所述密封涂層覆蓋該襯底和層之間的第一界面的至少一部分，其中該密封涂層延伸到該襯底的邊緣。任選地，在第四方面中，密封涂層延伸到該襯底的邊緣上。所希望的是，密封涂層延伸以大致覆蓋襯底的所有邊緣。任選地，在第四方面中，密封涂層包括抗蝕劑。所希望的是， 密封涂層包括無外涂層抗蝕劑。任選地，在第四方面中，密封涂層大致覆蓋襯底的一側(cè)。任選地，在第四方面中，密封涂層具有70到90度之間的后退接觸角。所希望的是，后退接觸角是在80到85度之間。在第五方面中，提供一種制備用于光刻的襯底的方法，該方法包括在襯底上施加層；以及施加密封涂層來覆蓋該襯底和該層之間的界面的至少一部分，該密封涂層延伸到該襯底的邊緣。在第六方面中，提供一種器件制造方法，該方法包括施加密封涂層來覆蓋該襯底和層之間的界面的至少一部分，該密封涂層延伸到該襯底的邊緣；以及在該襯底的目標(biāo)部分上投影圖案化的輻射束。在第七方面中，提供一種密封涂層涂敷器，以施加密封涂層來覆蓋襯底上的層和該襯底之間的界面的至少一部分，以便該密封涂層延伸到該襯底的邊緣，該密封涂層涂敷器包括噴頭，其分配非連續(xù)流體流來形成該密封涂層；以及襯底操縱裝置，用于移動該襯底。在第八方面中，提供一種密封涂層測量設(shè)備，用于檢測襯底的密封涂層的存在和/ 或襯底的密封涂層中的缺陷，該密封涂層測量設(shè)備包括檢測器，用于檢測被密封涂層反射的輻射；以及襯底操縱裝置，用于移動該襯底。雖然本文詳述了光刻設(shè)備在制造ICs中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的光刻設(shè)備可以有其它的應(yīng)用，例如制造集成光電系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中， 可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外， 所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)。這里使用的術(shù)語“透鏡”可以認(rèn)為是一個或多種光學(xué)元件的組合體，包括折射型和反射型光學(xué)部件。上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實施例，但應(yīng)該理解本發(fā)明可以應(yīng)用到除上面所述以外的情形。例如，本發(fā)明可以具有至少一個包含至少一個可機讀的指令序列的計算機程序描述以上公開的方法，或一個存儲所述的計算機程序的數(shù)據(jù)存儲媒介(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)，至少一個控制器用于控制設(shè)備。當(dāng)設(shè)置在光刻設(shè)備的至少一個組件內(nèi)的至少一個計算機處理器讀取至少一個計算機程序時，至少一個不同的所述控制器是可運行的。至少一個處理器構(gòu)造成和至少一個控制器通信連接；這樣控制器可以根據(jù)至少一個計算機程序的可機讀的指令進行運行。每個控制器可以根據(jù)實施本發(fā)明的至少一個計算機程序操作設(shè)備的至少一個部件。本發(fā)明的至少一個實施例可以應(yīng)用到任何浸沒光刻設(shè)備，尤其是但不限于上面提到的所述類型光刻設(shè)備以及那些以浸入溶池的形式、僅在襯底的局部表面區(qū)域或以非限制狀態(tài)提供浸沒液體的浸沒光刻設(shè)備。在一非限制的配置中，浸沒液體可以在所述襯底和/ 或襯底臺的所述表面上流動，使得整個未覆蓋的襯底和/或襯底臺的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)不限制浸沒液體，或者提供一定比例的浸沒液體限制， 但基本上不是完全的浸沒液體限制。這里提到的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該是廣義的解釋。在某些實施例中，液體供給系統(tǒng)是一種裝置或者多個結(jié)構(gòu)的組合，其提供液體到投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間的空隙。 液體供給系統(tǒng)包括至少一個結(jié)構(gòu)、至少一個液體入口、至少一個氣體入口、至少一個氣體出口和/或至少一個液體出口的組合，所述出口將液體提供到所述空隙。在一個實施例中，所述空隙的表面是襯底和/或襯底臺的一部分，或者所述空隙的表面完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者所述空隙包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統(tǒng)可任意地進一步包括至
16少一個元件以控制位置、數(shù)量、質(zhì)量、形狀、流速或液體的其它任何特征。至少一個控制元件可以被設(shè)置用來控制所述設(shè)備。所述控制器可以具有一個處理器，其可以操作以執(zhí)行一個或多個計算機程序。根據(jù)所需特性和所使用的曝光輻射的波長，應(yīng)用于所述設(shè)備中的浸沒液體可以具有不同的成分。對于193nm的曝光波長來說，可以使用超純凈水或水基成分，為此，浸沒液體有時稱作水，并且諸如親水、疏水、濕度等等與水有關(guān)的術(shù)語可以被使用，盡管浸沒液體應(yīng)當(dāng)被更一般地理解。這些術(shù)語也應(yīng)當(dāng)擴展到可以使用的其他高折射率液體，例如包含碳?xì)浠衔锏姆?。上面描述的?nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離給出本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍，可以對上述本發(fā)明進行更改。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻投影設(shè)備中的襯底，所述襯底包括密封涂層，所述密封涂層覆蓋所述襯底上的兩層之間或所述襯底和層之間的第一界面的至少一部分，且不延伸到襯底的中心部。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底，其中所述密封涂層進一步覆蓋所述襯底上的兩層之間或所述襯底和層之間的第二界面的至少一部分，所述第二界面與第一界面不同。
3.如權(quán)利要求1或2所述的襯底，其中作為外部層，所述襯底包括外涂層。
4.如權(quán)利要求3所述的襯底，其中所述第一界面位于所述外涂層和直接位于所述外涂層之下的層之間或所述外涂層和所述襯底之間。
5.如前述任一權(quán)利要求所述的襯底，其中層中的一個包括抗蝕劑層。
6.如權(quán)利要求5所述的襯底，其中所述第一界面位于所述抗蝕劑層和直接與抗蝕劑層相鄰的層之間或所述抗蝕劑層和所述襯底之間。
7.如前述任一權(quán)利要求所述的襯底，其中層中的一個包括底部抗反射涂層。
8.如權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述第一界面位于所述底部抗反射涂層和所述襯底之間或所述底部抗反射涂層和所述底部抗反射涂層之上的層之間。
9.如前述任一權(quán)利要求所述的襯底，其中所述密封涂層包括選自以下的至少一種材料保形涂層、丙烯酸涂層、硅酮基的涂層、改性外涂層、改性抗蝕劑涂層或底層涂料。
10.如前述任一權(quán)利要求所述的襯底，其中所述密封涂層的邊緣延伸到所述襯底的邊緣。
11.如權(quán)利要求10所述的襯底，其中所述密封涂層的邊緣延伸到所述襯底的邊緣上。
12.如權(quán)利要求11所述的襯底，其中所述密封涂層的邊緣延伸到大致覆蓋所述襯底的邊緣。
13.如前述任一權(quán)利要求所述的襯底，其中所述密封涂層使所述襯底的截面輪廓平滑。
14.如前述任一權(quán)利要求所述的襯底，其中所述密封涂層對襯底具有比對其他層更好的粘附性。
15.如前述任一權(quán)利要求所述的襯底，其中所述密封涂層是可移除的，而不損壞上述層。
16.一種制備用于光刻的襯底的方法，所述方法包括以下步驟 在所述襯底上施加一個或多個層；以及施加密封涂層來覆蓋所述襯底上的兩層之間或所述襯底和層之間的界面的至少一部分，而不延伸到所述襯底的中心部。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述施加步驟通過對所述襯底施加非連續(xù)流體流來實施。
18.一種器件制造方法，其包括步驟施加密封涂層來覆蓋襯底上的兩層之間或所述襯底和層之間的界面的至少一部分，而不延伸到所述襯底的中心部；以及將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上。
19.如權(quán)利要求18所述的器件制造方法，進一步包括在投影之前，檢測所述密封涂層的存在和/或密封涂層中的缺陷。
20.一種用于光刻投影設(shè)備中的襯底，所述襯底包括密封涂層，所述密封涂層覆蓋所述襯底和層之間的第一界面的至少一部分，其中所述密封涂層延伸到所述襯底的邊緣。
21.一種制備用于光刻的襯底的方法，所述方法包括步驟 在襯底上施加層；以及施加密封涂層來覆蓋所述襯底和所述層之間的界面的至少一部分，所述密封涂層延伸到所述襯底的邊緣。
22.—種器件制造方法，所述方法包括步驟施加密封涂層來覆蓋所述襯底和層之間的界面的至少一部分，所述密封涂層延伸到所述襯底的邊緣；以及將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上。
23.一種密封涂層涂敷器，所述密封涂層涂敷器施加密封涂層來覆蓋襯底和襯底上的層之間的界面的至少一部分，以便所述密封涂層延伸到所述襯底的邊緣，所述密封涂層涂敷器包括噴頭，其分配非連續(xù)流體流來形成所述密封涂層；以及襯底操縱裝置，用于移動所述襯底。
24.一種密封涂層測量設(shè)備，用于檢測襯底的密封涂層的存在和/或襯底的密封涂層中的缺陷，所述密封涂層測量設(shè)備包括檢測器，用于檢測被密封涂層反射的輻射；以及襯底操縱裝置，用來移動所述襯底。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于光刻的襯底的制備方法、襯底、器件制造方法、密封涂層涂敷器以及密封涂料測量設(shè)備。用于光刻投影設(shè)備中的襯底包括密封涂層，其覆蓋襯底上的兩層之間或襯底和層之間的第一界面的至少一部分，且未延伸到襯底的中心部。
文檔編號G03F7/11GK102323725SQ201110271318
公開日2012年1月18日 申請日期2008年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月6日
發(fā)明者D·德伍利斯, D·貝斯塞蒙斯, F·J·范德鮑格爾德, J·R·A·麥克, M·K·斯達(dá)文哥, M·T·W·范德赫杰登, P·翁 申請人:Asml荷蘭有限公司